JP2011100948A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011100948A JP2011100948A JP2009256438A JP2009256438A JP2011100948A JP 2011100948 A JP2011100948 A JP 2011100948A JP 2009256438 A JP2009256438 A JP 2009256438A JP 2009256438 A JP2009256438 A JP 2009256438A JP 2011100948 A JP2011100948 A JP 2011100948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- silicon carbide
- heat insulating
- insulating region
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 117
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 21
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体装置は、縦型のショットキーダイオードが形成されている炭化珪素基板10と、その炭化珪素基板10の表面側に設けられているアノード電極20と、その炭化珪素基板10の裏面側に設けられているカソード電極50と、炭化珪素基板10とカソード電極50の間に設けられている導電性の断熱領域40を備えている。断熱領域40は、炭化珪素基板10の半導体材料の熱伝導率よりも小さな熱伝導率である。
【選択図】図11
Description
(第1特徴) 断熱領域は、ポーラス構造を有しているのが望ましい。さらに、断熱領域は、半導体基板の半導体材料と同一の半導体材料で構成されるポーラス半導体であるのが望ましい。
(第2特徴) 断熱領域は、半導体基板内に形成されていてもよく、半導体基板の裏面に形成されていてもよい。また、断熱領域は、横方向において、分散して配置されていてもよく、広範囲に延びて形成されていてもよい。好ましくは、断熱領域は、半導体基板の裏面の全面に形成されているのが望ましい。
(第3特徴) 断熱領域は、断熱効果が得られる厚みを有していればよく、その厚みは特に限定されない。例えば、断熱領域がポーラス構造の場合、その厚みは約1μm〜2μmの範囲であるのが望ましい。
(第4特徴) 縦型の素子構造は、縦型のダイオードであるのが望ましい。また、半導体基板の半導体材料は、炭化珪素(SiC)であるのが望ましい。炭化珪素を半導体材料に用いた縦型のダイオードは特に、炭化珪素の熱伝導率が大きいことから、熱ダメージに対して対策する必要がある。また、縦型のダイオードは、オン抵抗に占める半導体基板の厚みの影響が大きいことから、半導体基板を薄層化することが望まれている。断熱領域を用いる技術は、これらの課題を同時に解決することができる。
以下、図面を参照して、素子構造として縦型のショットキーダイオードを備えた半導体装置の第1製造方法を説明する。図1に、製造工程の概略をフローチャートで示す。図2〜図10に、各製造工程における半導体基板の断面図の様子を模式的に示す。
まず、図2に示されるように、炭化珪素(SiC)の炭化珪素基板10を準備する。炭化珪素基板10は、例えば、化学気相成長技術、分子線エピタキシー技術又は液相エピタキシー技術を利用して、炭化珪素の下地基板12の表面上に炭化珪素のエピ層14を形成することで得ることができる。下地基板12の厚み12Tは、約350μmである。エピ層14の厚み14Tは、約10μmである。下地基板12には、不純物として窒素が導入されており、その不純物濃度は約1×1018cm−3である。エピ層14には、不純物として窒素が導入されており、その不純物濃度は約5×1015cm−3である。
次に、図12〜図15を参照して、ショットキーダイオードを備えた半導体装置の第2製造方法を具体的に説明する。図12に、製造工程の概略をフローチャートで示す。図13〜図15に、各製造工程における半導体基板の断面図の様子を模式的に示す。なお、上述したショットキーダイオードと実質的に共通する構成要素に関しては、共通の符号を付し、その説明を省略する。
まず、図13に示されるように、炭化珪素(SiC)の炭化珪素基板100を準備する。炭化珪素基板100の裏面には、膜厚な断熱領域400が形成されている。断熱領域400は、ポーラス構造を有しており、上述した陽極化成法を利用して形成することができる。断熱領域400の厚み400Tは、約250μmである。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12:下地基板
14:エピ層
16:電界緩和層
20:アノード電極
30:保護膜
32:カソード電極
40,400:断熱領域
50:カソード電極
Claims (7)
- 縦型の素子構造が形成されている半導体基板と、
その半導体基板の表面側に設けられている表面電極と、
その半導体基板の裏面側に設けられている裏面電極と、
半導体基板と裏面電極の間に設けられており、半導体基板の半導体材料の熱伝導率よりも小さな熱伝導率である導電性の断熱領域と、を備える半導体装置。 - 断熱領域が、ポーラス構造である請求項1に記載の半導体装置。
- 断熱領域が、裏面電極と接している請求項2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の半導体材料が、炭化珪素系半導体であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 縦型の素子構造が形成されている半導体基板を備えた半導体装置の製造方法であって、
裏面電極を形成するのに先立って、半導体基板の半導体材料の熱伝導率よりも小さな熱伝導率である導電性の断熱領域を半導体基板の裏面に形成する断熱領域形成工程を備える製造方法。 - 断熱領域形成工程は、陽極化成法を利用する請求項5に記載の製造方法。
- 断熱領域を薄層化する薄層化工程をさらに備えており、
断熱領域形成工程は、縦型の素子構造を半導体基板に形成するのに先立って実施され、
薄層化工程は、縦型の素子構造を半導体基板に形成した後に実施される請求項5又は6に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009256438A JP5497409B2 (ja) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009256438A JP5497409B2 (ja) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011100948A true JP2011100948A (ja) | 2011-05-19 |
JP5497409B2 JP5497409B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=44191885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009256438A Expired - Fee Related JP5497409B2 (ja) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5497409B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016009706A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイスの製造方法、半導体基板および半導体デバイス |
JPWO2018070263A1 (ja) * | 2016-10-13 | 2019-04-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2019201205A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | インフィニオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフトInfineon Technologies AG | ワイドバンドギャップ半導体ウェハを処理する方法、複数の薄膜ワイドバンドギャップ半導体ウェハを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体ウェハ |
JP2020107890A (ja) * | 2014-02-10 | 2020-07-09 | レンセラール ポリテクニック インスティチュート | 半導体の選択的な電気化学エッチング |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005311347A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | ショットキー接合型半導体装置の製造方法 |
JP2007227949A (ja) * | 2007-03-29 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法 |
US20080246055A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-10-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor component including a monocrystalline semiconductor body and method |
JP2009130266A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Toshiba Corp | 半導体基板および半導体装置、半導体装置の製造方法 |
JP2009182217A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009531851A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | ツェナーダイオードを備える発光素子及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-11-09 JP JP2009256438A patent/JP5497409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005311347A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | ショットキー接合型半導体装置の製造方法 |
JP2009531851A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | ツェナーダイオードを備える発光素子及びその製造方法 |
US20080246055A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-10-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor component including a monocrystalline semiconductor body and method |
JP2007227949A (ja) * | 2007-03-29 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法 |
JP2009130266A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Toshiba Corp | 半導体基板および半導体装置、半導体装置の製造方法 |
JP2009182217A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020107890A (ja) * | 2014-02-10 | 2020-07-09 | レンセラール ポリテクニック インスティチュート | 半導体の選択的な電気化学エッチング |
JP2016009706A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイスの製造方法、半導体基板および半導体デバイス |
JPWO2018070263A1 (ja) * | 2016-10-13 | 2019-04-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN109791880A (zh) * | 2016-10-13 | 2019-05-21 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
US10665459B2 (en) | 2016-10-13 | 2020-05-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2019201205A (ja) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | インフィニオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフトInfineon Technologies AG | ワイドバンドギャップ半導体ウェハを処理する方法、複数の薄膜ワイドバンドギャップ半導体ウェハを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体ウェハ |
JP7381221B2 (ja) | 2018-05-14 | 2023-11-15 | インフィニオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | ワイドバンドギャップ半導体ウェハを処理する方法、複数の薄膜ワイドバンドギャップ半導体ウェハを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体ウェハ |
US11887894B2 (en) | 2018-05-14 | 2024-01-30 | Infineon Technologies Ag | Methods for processing a wide band gap semiconductor wafer using a support layer and methods for forming a plurality of thin wide band gap semiconductor wafers using support layers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5497409B2 (ja) | 2014-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6757445B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5144585B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US8525189B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device | |
JP6967238B2 (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
JP5408929B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US9224645B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US9922838B2 (en) | Selective, electrochemical etching of a semiconductor | |
WO2016080288A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
TW201013935A (en) | Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode | |
TW200929553A (en) | Schottky barrier diode | |
JP6004561B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
JP5737281B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法、ならびに基板 | |
JP2012151177A (ja) | 化合物半導体基板およびその製造方法 | |
JP5497409B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5036569B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2023126260A (ja) | シリコンカーバイド部品とシリコンカーバイド部品を製造する方法 | |
JP5600985B2 (ja) | 電力半導体装置の製造方法 | |
JP5115735B2 (ja) | 炭化珪素半導体基板とその製造方法 | |
JP2011165880A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
WO2014202750A1 (en) | Fast recovery diode | |
WO2015194590A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5802333B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP7135443B2 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法 | |
JP5608358B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP4834309B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120413 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120517 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5497409 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |