JP2014171316A - 半導体モジュール及び昇圧整流回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体モジュール11は、電圧生成部15と、絶縁放熱シート16及びヒートシンク17からなる放熱機構とを備えて構成されている。電圧生成部15は、昇圧コンバータ59によって昇圧された電圧から、昇圧コンバータ59を駆動するための電源電圧を、内蔵されたリニアレギュレータ機能を用いて生成可能である。そして、電圧生成部15は、上記放熱機構に搭載されている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体モジュール及びそれを備える昇圧整流回路の構成を示す回路図である。
ダイオードブリッジ51は、半導体モジュール11(ここでは半導体スイッチング素子13のソース端子)、及び、インダクタ52と接続されている。このダイオードブリッジ51は、AC商用電源2から入力された正側の波形をそのまま出力し、負側の波形を正側に反転して出力することにより、当該AC電圧をDC電圧に変換する。
昇圧整流回路1は、ダイオードブリッジ51により変換されたDC電圧を昇圧する昇圧コンバータ59を備えている。この昇圧コンバータ59は、ダイオード12、半導体スイッチング素子13、インダクタ52及びコンデンサ55を含んで構成されている。
次に、電圧生成部15について説明する。電圧生成部15には、昇圧コンバータ59によって昇圧された、点P及び点Nの間の電圧(以下「昇圧電圧」と呼ぶこともある)から、昇圧コンバータ59を駆動するための電源電圧(駆動IC14に供給される電圧)を、内蔵されたリニアレギュレータ機能を用いて生成可能となっている。本実施の形態1では、電圧生成部15及びコンデンサ53によって、昇圧電圧から電源電圧を生成するリニアレギュレータ回路が構成されている。
図4は、本発明の実施の形態2に係る半導体モジュール及び昇圧整流回路の構成を示す回路図である。なお、本実施の形態2に係る半導体モジュール及び昇圧整流回路において、実施の形態1で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、異なる点を中心に以下説明する。
図6は、本発明の実施の形態3に係る半導体モジュール及び昇圧整流回路の構成を示す回路図である。なお、本実施の形態3に係る半導体モジュール及び昇圧整流回路において、実施の形態2で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、異なる点を中心に以下説明する。
Claims (5)
- 昇圧コンバータによって昇圧された電圧から、前記昇圧コンバータを駆動するための電源電圧を、内蔵されたリニアレギュレータ機能を用いて生成可能な電圧生成部と、
前記電圧生成部が搭載された放熱機構と
を備える、半導体モジュール。 - 請求項1に記載の半導体モジュールであって、
前記昇圧コンバータに含まれる半導体スイッチング素子と、
前記電源電圧を、所定信号に基づいて前記半導体スイッチング素子に伝達することにより、前記半導体スイッチング素子を駆動する駆動部と、
前記駆動部が前記半導体スイッチング素子に前記電源電圧を伝達しない非伝達期間を含む所定期間に、前記半導体スイッチング素子に負バイアスを供給可能な電圧供給部と
をさらに備える、半導体モジュール。 - 請求項2に記載の半導体モジュールであって、
前記所定期間は前記非伝達期間よりも長い、半導体モジュール。 - 請求項2または請求項3に記載の半導体モジュールであって、
前記半導体スイッチング素子の材質はワイドバンドギャップ半導体を含む、半導体モジュール。 - 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体モジュールと、
前記昇圧コンバータに含まれるインダクタと、
前記半導体モジュール及び前記インダクタに接続された整流回路と
を備える、昇圧整流回路。
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