FI110972B - Stabiloitu hilaohjain - Google Patents

Stabiloitu hilaohjain Download PDF

Info

Publication number
FI110972B
FI110972B FI990523A FI990523A FI110972B FI 110972 B FI110972 B FI 110972B FI 990523 A FI990523 A FI 990523A FI 990523 A FI990523 A FI 990523A FI 110972 B FI110972 B FI 110972B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
negative
semiconductor switch
emitter
positive
capacitance
Prior art date
Application number
FI990523A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI990523A (fi
FI990523A0 (fi
Inventor
Erkki Miettinen
Original Assignee
Abb Industry Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Abb Industry Oy filed Critical Abb Industry Oy
Priority to FI990523A priority Critical patent/FI110972B/fi
Publication of FI990523A0 publication Critical patent/FI990523A0/fi
Priority to EP00660045A priority patent/EP1037387B1/en
Priority to DE60039143T priority patent/DE60039143D1/de
Priority to AT00660045T priority patent/ATE398355T1/de
Priority to JP2000112743A priority patent/JP2000333442A/ja
Priority to US09/522,077 priority patent/US6229356B1/en
Publication of FI990523A publication Critical patent/FI990523A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI110972B publication Critical patent/FI110972B/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/691Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Eletrric Generators (AREA)

Description

110972
Stabiloitu hilaohjain
Keksinnön tausta Tämän keksinnön kohteena on stabiloitu hilaohjain, joka käsittää virtalähdemuuntajan, joka käsittää ensiö- ja toisiokäämin, ja hilaohjainyksikön, 5 joka käsittää positiivisen apujännitesisääntulon ja negatiivisen apujännitesi-sääntuion.
Ohjattaessa tehopuolijohdekomponenttia, kuten esimerkiksi IGB-transistoria, on tärkeää, että ohjausjännite pysyy tiettyjen arvojen sisäpuolella. IGB-transistorin sytytykseen käytettävä jännite ei saa tyypillisesti alittaa +13 10 volttia, sillä liian alhaisella jännitteellä ohjattaessa tehopuolijohde ei mene aivan täyteen kyllästykseen, jonka vuoksi tehopuolijohteessa syntyy ylimääräisiä johtohäviöitä. Samoin hilajännitteen ylittäessä +15 volttia kasvaa mahdollinen oikosulkuvirta niin suureksi, että sen katkaiseminen nopeasti ei ole enää turvallista.
15 Häiriökestoisuuden kannalta tulee sammutettavan IGBT:n hila oh jata emitteriin nähden negatiiviseen potentiaaliin. Näin menettelemällä voidaan estää potentiaalin muutoksista aiheutuva tehopuolijohteen tahaton syttyminen. Sopiva jännitealue IGBT:n sammuttamiseen on noin -5...-15 volttia. Sammu-tusjännite voi vaihdella suuremmissa rajoissa kuin sytytysjännite ilman, että 20 siitä koituisi haittaa tehopuolijohteen toiminnalle.
Jännitteiden muodostaminen tehopuolijohteen ohjaamista varten on aikaisemmin toteutettu käyttämällä virtalähdemuuntajaa, jonka toisiokäämissä on keskiulosotto. Näin saadaan aikaiseksi kaksipuoleinen symmetrinen jänni-” te, joka ei kuitenkaan täytä kaikkia tehopuolijohteen ohjaamiseen asetettuja 25 kriteereitä. Koska virtalähdemuuntajaa syöttävää jännitettä ei ole stabiloitu, saattaa jännite usein vaihdella tarpeettoman paljon, josta on haittaa etenkin positiivisella puolella. Lisäksi keskiulosoton sisältävän muuntajan rakenne muodostuu tarpeettoman monimutkaiseksi, joka puolestaan vaikuttaa suoraan kyseisen ratkaisun kustannuksiin.
30 Keksinnön lyhyt selostus <( Tämän keksinnön tarkoituksena on aikaansaada stabiloitu hilaoh- jäin, joka välttää edellä mainitut epäkohdat, ja mahdollistaa tehopuolijohteiden ohjaamisen luotettavalla tavalla. Tämä tarkoitus saavutetaan keksinnön mukaisella hilaohjaimella, jolle on tunnusomaista se, että hilaohjain käsittää lisäk-35 si diodin, jonka anodi on kytketty virtalähdemuuntajan toisiokäämin positiivi- 2 110972 seen napaan, zener-diodin, jonka katodi on kytketty diodin katodille, resistanssin, jonka toinen napa on kytketty zener-diodin anodille ja toinen napa virta-lähdemuuntajan toisiokäämin negatiiviseen napaan, ensimmäisen puolijohde-kytkimen, jonka ohjauselektrodi on kytketty zener-diodin ja resistanssin väli-5 seen pisteeseen, ja jonka kollektori on kytketty zener-diodin katodille, toisen puolijohdekytkimen, jonka ohjauselektrodi on kytketty zener-diodin ja resistanssin väliseen pisteeseen, ja jonka kollektori on kytketty virtalähdemuuntajan toisiokäämin negatiiviseen napaan ja emitteri ensimmäisen puolijohdekytkimen emitteriin, ensimmäisen kapasitanssin, jonka ensimmäinen napa on kytketty 10 ensimmäisen puolijohdekytkimen kollektorille ja toinen napa ensimmäisen puolijohdekytkimen emitterille kapasitanssin ensimmäisen navan muodostaessa positiivisen jännitesyötön, joka on yhdistetty hilaohjainyksikön positiiviseen apujännitesisääntuloon, ja toisen kapasitanssin, jonka ensimmäinen napa on kytketty toisen puolijohdekytkimen emitterille ja toinen napa toisen puolijohde-15 kytkimen kollektoriiie kapasitanssin toisen navan muodostaessa negatiivisen jännitesyötön, joka on yhdistetty hilaohjainyksikön negatiiviseen apujännitesisääntuloon, jolloin kapasitanssien välinen piste muodostaa positiivisen ja negatiivisen jännitesyötön välisen nollapotentiaalin.
Keksintö perustuu siihen ajatukseen, että hilaohjaimen toiminta 20 saadaan luotettavaksi stabiloimalla hilaohjainyksikölle syötettävät apujännit-teet siten, että muodostuu kaksipuoleinen jännite, jonka positiivisen jännite-syöttö saadaan säilymään halutuissa rajoissa tehopuolijohteen luotettavaa sytyttämistä ja johtotilassa säilyttämistä varten. Positiivinen jännitesyöttö stabiloidaan käyttämällä yksinkertaista jännitteenjakokytkentää yhdistettynä virta-25 puskuriin. Keksinnön mukaisen hilaohjaimen etuna on se, että huolimatta virtalähdemuuntajan ulostulojännitteen vaihteluista, positiivinen apujännite saadaan aina pysymään halutuissa jänniterajoissa. Virtalähdemuuntajan ulostulojännitteen vaihtelu vaikuttaa ainoastaan keksinnön mukaisen hilaohjaimen negatiivisen jännitesyötön suuruuteen, jolle sallitaankin suuremmat vaihtelu-30 rajat.
Kuvioiden lyhyt selostus
Keksintöä selostetaan nyt lähemmin edullisten suoritusmuotojen yhteydessä, viitaten oheiseen piirrokseen, joka kuvio esittää piirikaavioesitystä keksinnön mukaisesta hilaohjaimesta.
3 110972
Keksinnön yksityiskohtainen selostus
Kuvion mukaisesti keksinnön mukaisessa stabiloidussa hilaoh-jaimessa syötetään stabiloitua jännitettä hilaohjainyksikölle GD. Hilaohjainyksi-j kön ulostulo on edelleen kytketty ohjattavan tehopuolijohteen IGBT hilalle G.
5 Hilaohjainyksikön ja hilaohjaimen tarkoituksena on tuottaa ohjattavan komponentin hilalle emitteriin nähden positiivinen sytytysjännite ja negatiivinen sammutusjännite. Jotta hilaohjainyksikkö GD ja sen myötä ohjattava tehopuoli-johde toimisivat tarkoituksen mukaisella tavalla, tulee hilaohjainyksikön positiiviseen ja negatiiviseen apujännitesisääntuloon Va+, Va- syötettävien positiivi-10 sen ja negatiivisen apujännitteen olla tietyissä rajoissa. Hilaohjaimen virtaläh-demuuntaja T saa tyypillisissä tapauksissa syöttönsä jännitelähteestä, jonka ulostulo on suuritaajuista kantoaaltoa. Tällaisen kantoaallon jännite saattaa vaihdella jopa ±10%. Lisäksi virtalähdemuuntajassa ja sen ohjaimessa syntyy vaihtelevan suuruisia jännitehäviöitä. Näiden vaikutusten vuoksi hilaohjaimen 15 syöttämä positiivinen hilajännite saattaa vaihdella ilman stabilointia välillä +12...+18 volttia.
Keksinnön mukainen stabiloitu hilaohjain koostuu kuvion mukaisesti virtalähdemuuntajasta T, jonka toisiokäämin positiiviseen napaan on kytketty diodin D anodi. Virtalähdemuuntajan ensiö saa kuvion esittämällä tavalla si-20 sääntulokseen kanttimaista jännitettä. Diodin D tarkoituksena on tasasuunnata ensiön pulssimainen jännite ja mahdollistaa virran kulkeminen ainoastaan diodin päästösuuntaan.
Diodin D katodille on keksinnön mukaisesti kytketty zener-diodin Z katodi ja puolestaan zener-diodin anodille resistanssi R. Resistanssin toinen 25 napa on kytketty edelleen virtalähdemuuntajan toisiokäämin negatiiviseen napaan. Zener-diodi on tunnetusti komponentti, joka estää virran kulkemisen katodilta anodilleen komponentin yli vaikuttavan jännitteen ollessa ennalta määrättyä rajaa pienempi. Jännitteen ollessa kyseistä rajaa suurempi virta pääsee kuitenkin vapaasti kulkemaan komponentin läpi. Tämän ominaisuuden vuoksi 30 zener-diodia voidaan käyttää jännitteen suuruuden rajoittamiseen.
Zenerdiodin Z ja resistanssin R sarjaankytkennän rinnalle on kytketty keksinnön mukaisesti kuvion esittämällä tavalla kahden puolijohdekytkimen T1, T2 sarjakytkentä. Kuvion esittämässä suoritusmuodossa puolijohdekytki-met ovat NPN- ja PNP-transistorit. Puolijohdekytkimen T1 kollektori on kytketty 35 zener-diodin Z katodille ja ohjauselektrodi B zener-diodin Z ja resistanssin R väliseen pisteeseen. Toisen puolijohdekytkimen T2 ohjauselektrodi B on kyt- 4 110972 ketty ensimmäisen puolijohdekytkimen ohjauselektrodin kanssa samaan pisteeseen. Lisäksi toisen puolijohdekytkimen emitteri on kytketty ensimmäisen puolijohdekytkimen emitterille ja kollektori on kytketty virtalähdemuuntajan T toisiokäämin negatiiviseen napaan.
5 Keksinnön mukainen kytkentä käsittää lisäksi ensimmäisen ja toisen kapasitanssin C1, C2, jotka on kytketty sarjaan kuvion esittämällä tavalla. Sar-jakytkentä on kytketty puolijohdekytkimien sarjakytkennän kanssa rinnan siten, että kapasitanssin C1 ensimmäinen napa on kytketty ensimmäisen puolijohde-kytkimen T1 kollektorille ja toinen napa saman puolijohdekytkimen emitterille. 10 Toinen kapasitanssi C2 on vastaavasti kytketty toisen puolijohdekytkimen T2 kollektorin ja emitterin välille. Kapasitanssin C1 ensimmäisen puolijohdekytkimen T1 kollektorille kytketty napa muodostaa keksinnön mukaisen hilaohjai-men positiivisen jännitesyötön V+. Negatiivinen jännitesyöttö muodostuu puolestaan kapasitanssin C2 toisen puolijohdekytkimen kollektorille kytketystä nais vasta, joka on samalla virtalähdemuuntajan T toision negatiivinen napa. Kapasitanssien C1, C2 välinen piste muodostaa keksinnön mukaisen hilaohjai-men positiivisen ja negatiivisen jännitesyötön välisen nollapotentiaalin Corn.
Keksinnön mukaisessa hilaohjaimessa jännite stabiloidaan siten, että virtalähdemuuntajalta T saatava toisiojännite tasasuunnataan arvoon, joka 20 on likimain haluttujen sytytys- ja sammutusjännitteiden erotus eli tyypillisessä tapauksessa noin 24 volttia. Tästä jännitteestä muodostetaan kaksipuolinen jännite siten, että jännite jaetaan positiiviseen ja negatiiviseen osaan sillä tavoin, että positiivinen puoli stabiloituu ja rajoittuu noin +15 voltin tasoon ja negatiivinen puoli käsittää jäljelle jäävän osan eli noin -9 volttia.
„ 25 Jännitteenäkö tapahtuu zener-diodin Z ja resistanssin R antaman referenssijännitteen arvoon käyttämällä keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaisesti NPN- ja PNP-transistorien T1, T2 muodostamaa komplementääri-paria virtapuskurina. Saatu puskuroitu jännite muodostuu hilaohjaimen nolla-potentiaaliin Corn, joka kuvion mukaisesti yhdistetään ohjattavan tehopuolijoh-30 teen IGBT emitteriin. Hilaohjaimen positiivinen ja negatiivinen jännitesyöttö V+, V- kytketään keksinnön mukaisesti hilaohjainyksikön GD vastaaviin apu-jännitesisääntuloihin Va+, Va-, jolloin hilaohjaiyksikkö GD pystyy antamaan ohjattavan tehopuolijohteen IGBT hilalle G joko +15 voltin tai noin -9 voltin jännitteen suhteessa tehopuolijohteen emitteriin. Miinuspuolen jännite saattaa 35 vaihdella syöttöjännitetoleranssien vuoksi rajoissa-9...-12 volttia, mutta vaih- 5 110972 telu on toiminnan kannalta merkityksetöntä. Keksinnön mukaisessa hilaohjai-messa oleva hilaohjainyksikkö GD on tyypiltään esimerkiksi Hewlett Packardin valmistama optisesti erotettu hilaohjainyksikkö HCNW 3120. Hilaohjainyksik-( köä ja samalla hilaohjaimeen yhdistettyä tehopuolijohdetta ohjataan hilaoh- 5 jainyksikön ohjaussisääntuloilla On/Off.
Kuviosta huomataan, että positiivisen jännitesyötön jännitteen V+ pyrkiessä nousemaan yli +15 voltin, kulkee zener-diodin Z kautta transistorin T1 kannalle virta, joka aiheuttaa transistorin virtavahvistuksen verran suuremman kollektorivirran. Tämä kollektorivirta estää jännitteen kohoamisen edel-10 leen. Kytkennän statiikka on käytännössä riippuvainen ainoastaan zener-diodin Z dynaamisesta resistanssista, joka mainituilla jännitteillä on noin 20 ohmia. Mikäli transistorin T1 virtavahvistus on 100, merkitsee tämä noin 0,2 ohmin lähtöresistanssia keksinnön mukaiselle ohjaimelle. Mainittu lähtöresis-tanssiarvo on aivan tarpeeksi pieni käytettäväksi jopa 100 ampeerin IGBT:n 15 yhteydessä.
Keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaisesti virtalähdemuunta-jan T, toisiokäämi käsittää kaksi vastakkaisvaiheisesti käämittyä käämiä. Tällöin käytettäessä keksinnön mukaista hilaohjainta esimerkiksi taajuusmuutta-jakäytön yhteydessä toinen toisiokäämeistä syöttää taajuusmuuttajan ulostu-20 lovaiheen ylemmän tehokytkimen ohjainpiiriä ja toinen vastaavasti alemman tehokytkimen ohjainpiiriä. Toisiokäämit on kytketty keskenään vastakkaisvai-heisiksi, jotta estetään muuntajan puoliaaltosuuntauksen aiheuttama tasa-komponentti. Tällä tavoin järjestettynä keskimäärin sekä ala- että yläkytkimen ohjainpiirien muuntajan kautta ottama teho on samansuuruinen. Koska kysei-25 nen teho lisäksi otetaan vuorotellen ja vastakkaisvaiheisesti eri toisiokäämeistä, ei puoliaaltosuuntauksesta ole harmia.
Alan ammattilaiselle on ilmeistä, että keksinnön perusajatus voidaan toteuttaa monin eri tavoin. Keksintö ja sen suoritusmuodot eivät siten rajoitu yllä kuvattuihin esimerkkeihin vaan ne voivat vaihdella patenttivaati-30 musten puitteissa.

Claims (3)

6 110972
1. Stabiloitu hilaohjain, joka käsittää virtalähdemuuntajan (T), joka käsittää ensiö- ja toisiokäämin, ja hilaohjainyksikön (GD), joka käsittää positiivisen apujännitesisään-5 tulon (Va+) ja negatiivisen apujännitesisääntulon (Va-), sekä diodin (D), jonka anodi on kytketty virtalähdemuuntajan (T) toisiokäämin positiiviseen napaan, tunnettu siitä, että hilaohjain käsittää lisäksi zener-diodin (Z), jonka katodi on kytketty diodin (D) katodille, 10 resistanssin (R), jonka toinen napa on kytketty zener-diodin (Z) anodille ja toinen napa virtalähdemuuntajan (T) toisiokäämin negatiiviseen napaan, ensimmäisen puolijohdekytkimen (T1), jonka ohjauselektrodi (B) on kytketty zener-diodin ja resistanssin väliseen pisteeseen, ja jonka kollektori on 15 kytketty zener-diodin katodille, toisen puolijohdekytkimen (T2), jonka ohjauselektrodi (B) on kytketty zener-diodin ja resistanssin väliseen pisteeseen, ja jonka kollektori on kytketty virtalähdemuuntajan (T) toisiokäämin negatiiviseen napaan ja emitteri ensimmäisen puolijohdekytkimen (T1) emitteriin, 20 ensimmäisen kapasitanssin (C1), jonka ensimmäinen napa on kyt ketty ensimmäisen puolijohdekytkimen (T1) kollektorille ja toinen napa ensimmäisen puolijohdekytkimen (T1) emitterille kapasitanssin (C1) ensimmäisen navan muodostaessa positiivisen jännitesyötön (V+), joka on yhdistetty hilaohjainyksikön (GD) positiiviseen apujännitesisääntuloon (Va+), ja 25 toisen kapasitanssin (C2), jonka ensimmäinen napa on kytketty toi sen puolijohdekytkimen (T2) emitterille ja toinen napa toisen puolijohdekytkimen (T2) kollektorille kapasitanssin (C2) toisen navan muodostaessa negatiivisen jännitesyötön (V-), joka on yhdistetty hilaohjainyksikön (GD) negatiiviseen apujännitesisääntuloon (Va-), jolloin kapasitanssien (C1, C2) välinen pis-30 te muodostaa positiivisen (V+) ja negatiivisen (V-) jännitesyötön välisen nolla-potentiaalin (Corn).
2. Gallerstyrare enligt patentkrav 1,kännetecknad avatt den 35 första halvledaromkopplaren (T1) är en NPN-transistor och den andra halv-ledaromkopplaren (T2) är en PNP-transistor. 110972 8
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen hilaohjain, tunnettu siitä, että ensimmäinen puolijohdekytkin (T1) on NPN-transistori ja toinen puolijoh-dekytkin (T2) on PNP-transistori.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen hilaohjain, tunnettu siitä, että virtalähdemuuntaja (T) käsittää kaksi vastakkaisvaiheista toisiokää-miä. 7 110972 /t 1. Stabiliserad gallerstyrare, vilken omfattar en transformatorströmkälla (T), som omfattar en primär- och en se-5 kundärlindning, och en gallerstyrarenhet (GD), som omfattar en positiv hjälpspänningsingäng (Va+) och en negativ hjälpspänningsingäng (Va-), samt en diod (D), vars anod är kopplad till sekundärlindningens positiva pol i transformatorströmkällan (T), kännetecknad avatt gallerstyraren 10 dessutom omfattar en zenerdiod (Z), vars katod är kopplad till diodens (D) katod, en resistans (R), vars ena pol är kopplad till zenerdiodens (Z) anod och andra pol till sekundärlindningens negativa pol i transformatorströmkällan (T), 15 en första halvledaromkopplare (T1), vars styrelektrod (B) är kopplad till en punkt mellan zenerdioden och resistansen, och vars kollektor är kopplad till zenerdiodens katod, en andra halvledaromkopplare (T2), vars styrelektrod (B) är kopplad till en punkt mellan zenerdioden och resistansen, och vars kollektor är kopplad 20 till sekundärlindningens negativa pol i transformatorströmkällan (T) och emitter till den första halvledaromkopplarens (T1) emitter, en första kapacitans (C1), vars första pol är kopplad till den första halvledaromkopplarens (T1) kollektor och andra pol till den första halvledar-: · omkopplarens (T1) emitter, varvid kapacitansens (C1) första pol bildar en posi- 25 tiv spänningstillförsel (V+), som är förenad med gallerstyrarenhetens (GD) positiva hjälpspänningsingäng (Va+), och en andra kapacitans (C2), vars första pol är kopplad till den andra halvledaromkopplarens (T2) emitter och andra pol till den andra halvledaromkopplarens (T2) kollektor, varvid kapacitansens (C2) andra pol bildar en 30 negativ spänningstillförsel (V-), som är förenad med gallerstyrarenhetens (GD) negativa hjälpspänningsingäng (Va-), varvid punkten mellan kapacitanserna (C1, C2) bildar en nollpotential (Com) mellan den positiva (V+) och negativa (V-) spänningstillförseln.
3. Gallerstyrare enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknad av att transformatorströmkällan (T) omfattar tva sekundärlindningar med motsatt fas.
FI990523A 1999-03-10 1999-03-10 Stabiloitu hilaohjain FI110972B (fi)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI990523A FI110972B (fi) 1999-03-10 1999-03-10 Stabiloitu hilaohjain
EP00660045A EP1037387B1 (en) 1999-03-10 2000-03-07 Stabilized gate driver
DE60039143T DE60039143D1 (de) 1999-03-10 2000-03-07 Stabilisierter Gate-Treiber
AT00660045T ATE398355T1 (de) 1999-03-10 2000-03-07 Stabilisierter gate-treiber
JP2000112743A JP2000333442A (ja) 1999-03-10 2000-03-09 安定化ゲートドライバ
US09/522,077 US6229356B1 (en) 1999-03-10 2000-03-09 Stabilized gate drivers

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI990523 1999-03-10
FI990523A FI110972B (fi) 1999-03-10 1999-03-10 Stabiloitu hilaohjain

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI990523A0 FI990523A0 (fi) 1999-03-10
FI990523A FI990523A (fi) 2000-09-11
FI110972B true FI110972B (fi) 2003-04-30

Family

ID=8554151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI990523A FI110972B (fi) 1999-03-10 1999-03-10 Stabiloitu hilaohjain

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6229356B1 (fi)
EP (1) EP1037387B1 (fi)
JP (1) JP2000333442A (fi)
AT (1) ATE398355T1 (fi)
DE (1) DE60039143D1 (fi)
FI (1) FI110972B (fi)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6970023B2 (en) * 2003-12-17 2005-11-29 Texas Instruments Incorporated Modulated transistor gate driver with planar pulse transformer
FI116109B (fi) 2004-05-10 2005-09-15 Abb Oy Puolijohdekomponentin ohjauskytkentä
JP2006094654A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp 多直列接続された自己消弧型素子のゲート制御方法及びこれを用いた電力変換装置
US7236041B2 (en) * 2005-08-01 2007-06-26 Monolithic Power Systems, Inc. Isolated gate driver circuit for power switching devices
FI118145B (fi) 2006-01-09 2007-07-13 Abb Oy Hilaohjatun kytkimen sammutus
JP5252569B2 (ja) * 2009-03-23 2013-07-31 三菱電機株式会社 電力用半導体素子の駆動制御回路およびインテリジェントパワーモジュール
KR101261944B1 (ko) * 2010-09-17 2013-05-09 기아자동차주식회사 인버터 제어장치
JP5541044B2 (ja) * 2010-09-28 2014-07-09 サンケン電気株式会社 ゲート駆動回路及びスイッチング電源装置
JP2012090435A (ja) 2010-10-20 2012-05-10 Mitsubishi Electric Corp 駆動回路及びこれを備える半導体装置
JP5452546B2 (ja) 2011-05-26 2014-03-26 三菱電機株式会社 半導体デバイス駆動回路及び半導体装置
CN102280990B (zh) * 2011-08-26 2013-05-15 北京新雷能科技股份有限公司 一种磁隔离驱动电路
FI10493U1 (fi) 2013-02-20 2014-05-22 Vacon Oyj Järjestely tehoelektroniikkalaitteissa käytettävien jänniteohjattujen tehopuolijohdekytkinten hilaohjausjännitteen muodostamiseksi
JP2014171316A (ja) 2013-03-04 2014-09-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール及び昇圧整流回路
US20170126224A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Eaton Corporation High side power device gate driver
JP6888395B2 (ja) 2017-04-25 2021-06-16 株式会社デンソー スイッチの駆動回路
CN107844156A (zh) * 2017-10-26 2018-03-27 广州金升阳科技有限公司 分压电路及其应用
DE102018116866A1 (de) * 2018-07-12 2020-01-16 Sma Solar Technology Ag Wechselrichter mit Treiberschaltungen zur Spannungsversorgung von Halbleiterschaltern einer Wechselrichterbrücke
US20240007004A1 (en) * 2022-06-29 2024-01-04 Novatek Microelectronics Corp. Electronic device and driving circuit thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4375701A (en) * 1980-07-17 1983-03-01 General Electric Company Battery or AC driven radio receiver power supply
AT377138B (de) * 1981-11-26 1985-02-11 Zumtobel Ag Schaltungsanordnung fuer eine potentialgetrennte ansteuerung wenigstens eines feldeffekttransistors
US4906876A (en) * 1988-10-25 1990-03-06 Msi Corporation Base drive circuit
JP2716105B2 (ja) * 1991-06-24 1998-02-18 株式会社日立製作所 交番定電流回路
FR2713029B1 (fr) * 1993-11-22 1995-12-29 Gec Alsthom Transport Sa Dispositif d'alimentation de circuit de commande de composant interrupteur de puissance.
US5514921A (en) * 1994-06-27 1996-05-07 General Electric Company Lossless gate drivers for high-frequency PWM switching cells
KR200150912Y1 (ko) * 1995-02-14 1999-07-15 전주범 전력 모스 전계 효과 트랜지스터의 제어회로
ES2143406B1 (es) * 1998-03-30 2000-12-16 Cit Alcatel Convertidor conmutado con multiples salidas reguladoras.

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000333442A (ja) 2000-11-30
DE60039143D1 (de) 2008-07-24
FI990523A (fi) 2000-09-11
EP1037387B1 (en) 2008-06-11
US6229356B1 (en) 2001-05-08
EP1037387A3 (en) 2003-11-19
EP1037387A2 (en) 2000-09-20
ATE398355T1 (de) 2008-07-15
FI990523A0 (fi) 1999-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI110972B (fi) Stabiloitu hilaohjain
US7230488B2 (en) Amplifying circuit, noise reducing apparatus and power converting apparatus
US8488343B2 (en) Switching mode power supply apparatus having passive clamp circuit
US20100008109A1 (en) Switching power supply and semiconductor device for switching power supply
US7170760B2 (en) Switching power supply with clamping circuit
JPH02273072A (ja) 電源回路
US8867245B1 (en) Switching power supply having high-power integrated circuit and monolithic integrated circuit therefor
US7649284B2 (en) High-voltage pulse generating circuit
US11303216B2 (en) Power supply device for eliminating ringing effect
US20040156216A1 (en) Switching power supply apparatus and power supply control method
US10911036B1 (en) Accelerating discharge device
US11171567B1 (en) Power supply device for eliminating ringing effect
JPH02254969A (ja) スイッチトモード電源回路
US9293987B2 (en) Differential driver for inductive load
JP2003250270A (ja) 増幅回路、ノイズ低減装置及び電力変換装置
US6262898B1 (en) Circuit for driving a switching transistor
CN215219469U (zh) 数字输入接口装置以及可编程逻辑控制器
US20230318466A1 (en) Power supply device for suppressing noise
JP5927138B2 (ja) スイッチング電源装置
US10454473B2 (en) Optical-control driving circuit for high utility power
JP2006197661A (ja) 電源回路の出力電圧補正回路
JP2572617Y2 (ja) スイッチング・レギュレータ
EP0972342B1 (en) Circuit for driving a switching transistor
JP3157625B2 (ja) 多出力電源装置
KR100957784B1 (ko) Scr을 이용하여 콘트롤 ic를 동작시키는 전원 공급장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed