FI110972B - Stabiloitu hilaohjain - Google Patents
Stabiloitu hilaohjain Download PDFInfo
- Publication number
- FI110972B FI110972B FI990523A FI990523A FI110972B FI 110972 B FI110972 B FI 110972B FI 990523 A FI990523 A FI 990523A FI 990523 A FI990523 A FI 990523A FI 110972 B FI110972 B FI 110972B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- negative
- semiconductor switch
- emitter
- positive
- capacitance
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 48
- 235000005824 Zea mays ssp. parviglumis Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- 235000005822 corn Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- 240000008042 Zea mays Species 0.000 claims abstract 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 15
- RYXPMWYHEBGTRV-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sodium Chemical compound [Na+].N=1C2=CC(OC)=CC=C2[N-]C=1S(=O)CC1=NC=C(C)C(OC)=C1C RYXPMWYHEBGTRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 2
- 210000002445 nipple Anatomy 0.000 claims 1
- 241000209149 Zea Species 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/691—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Control Of Eletrric Generators (AREA)
Description
110972
Stabiloitu hilaohjain
Keksinnön tausta Tämän keksinnön kohteena on stabiloitu hilaohjain, joka käsittää virtalähdemuuntajan, joka käsittää ensiö- ja toisiokäämin, ja hilaohjainyksikön, 5 joka käsittää positiivisen apujännitesisääntulon ja negatiivisen apujännitesi-sääntuion.
Ohjattaessa tehopuolijohdekomponenttia, kuten esimerkiksi IGB-transistoria, on tärkeää, että ohjausjännite pysyy tiettyjen arvojen sisäpuolella. IGB-transistorin sytytykseen käytettävä jännite ei saa tyypillisesti alittaa +13 10 volttia, sillä liian alhaisella jännitteellä ohjattaessa tehopuolijohde ei mene aivan täyteen kyllästykseen, jonka vuoksi tehopuolijohteessa syntyy ylimääräisiä johtohäviöitä. Samoin hilajännitteen ylittäessä +15 volttia kasvaa mahdollinen oikosulkuvirta niin suureksi, että sen katkaiseminen nopeasti ei ole enää turvallista.
15 Häiriökestoisuuden kannalta tulee sammutettavan IGBT:n hila oh jata emitteriin nähden negatiiviseen potentiaaliin. Näin menettelemällä voidaan estää potentiaalin muutoksista aiheutuva tehopuolijohteen tahaton syttyminen. Sopiva jännitealue IGBT:n sammuttamiseen on noin -5...-15 volttia. Sammu-tusjännite voi vaihdella suuremmissa rajoissa kuin sytytysjännite ilman, että 20 siitä koituisi haittaa tehopuolijohteen toiminnalle.
Jännitteiden muodostaminen tehopuolijohteen ohjaamista varten on aikaisemmin toteutettu käyttämällä virtalähdemuuntajaa, jonka toisiokäämissä on keskiulosotto. Näin saadaan aikaiseksi kaksipuoleinen symmetrinen jänni-” te, joka ei kuitenkaan täytä kaikkia tehopuolijohteen ohjaamiseen asetettuja 25 kriteereitä. Koska virtalähdemuuntajaa syöttävää jännitettä ei ole stabiloitu, saattaa jännite usein vaihdella tarpeettoman paljon, josta on haittaa etenkin positiivisella puolella. Lisäksi keskiulosoton sisältävän muuntajan rakenne muodostuu tarpeettoman monimutkaiseksi, joka puolestaan vaikuttaa suoraan kyseisen ratkaisun kustannuksiin.
30 Keksinnön lyhyt selostus <( Tämän keksinnön tarkoituksena on aikaansaada stabiloitu hilaoh- jäin, joka välttää edellä mainitut epäkohdat, ja mahdollistaa tehopuolijohteiden ohjaamisen luotettavalla tavalla. Tämä tarkoitus saavutetaan keksinnön mukaisella hilaohjaimella, jolle on tunnusomaista se, että hilaohjain käsittää lisäk-35 si diodin, jonka anodi on kytketty virtalähdemuuntajan toisiokäämin positiivi- 2 110972 seen napaan, zener-diodin, jonka katodi on kytketty diodin katodille, resistanssin, jonka toinen napa on kytketty zener-diodin anodille ja toinen napa virta-lähdemuuntajan toisiokäämin negatiiviseen napaan, ensimmäisen puolijohde-kytkimen, jonka ohjauselektrodi on kytketty zener-diodin ja resistanssin väli-5 seen pisteeseen, ja jonka kollektori on kytketty zener-diodin katodille, toisen puolijohdekytkimen, jonka ohjauselektrodi on kytketty zener-diodin ja resistanssin väliseen pisteeseen, ja jonka kollektori on kytketty virtalähdemuuntajan toisiokäämin negatiiviseen napaan ja emitteri ensimmäisen puolijohdekytkimen emitteriin, ensimmäisen kapasitanssin, jonka ensimmäinen napa on kytketty 10 ensimmäisen puolijohdekytkimen kollektorille ja toinen napa ensimmäisen puolijohdekytkimen emitterille kapasitanssin ensimmäisen navan muodostaessa positiivisen jännitesyötön, joka on yhdistetty hilaohjainyksikön positiiviseen apujännitesisääntuloon, ja toisen kapasitanssin, jonka ensimmäinen napa on kytketty toisen puolijohdekytkimen emitterille ja toinen napa toisen puolijohde-15 kytkimen kollektoriiie kapasitanssin toisen navan muodostaessa negatiivisen jännitesyötön, joka on yhdistetty hilaohjainyksikön negatiiviseen apujännitesisääntuloon, jolloin kapasitanssien välinen piste muodostaa positiivisen ja negatiivisen jännitesyötön välisen nollapotentiaalin.
Keksintö perustuu siihen ajatukseen, että hilaohjaimen toiminta 20 saadaan luotettavaksi stabiloimalla hilaohjainyksikölle syötettävät apujännit-teet siten, että muodostuu kaksipuoleinen jännite, jonka positiivisen jännite-syöttö saadaan säilymään halutuissa rajoissa tehopuolijohteen luotettavaa sytyttämistä ja johtotilassa säilyttämistä varten. Positiivinen jännitesyöttö stabiloidaan käyttämällä yksinkertaista jännitteenjakokytkentää yhdistettynä virta-25 puskuriin. Keksinnön mukaisen hilaohjaimen etuna on se, että huolimatta virtalähdemuuntajan ulostulojännitteen vaihteluista, positiivinen apujännite saadaan aina pysymään halutuissa jänniterajoissa. Virtalähdemuuntajan ulostulojännitteen vaihtelu vaikuttaa ainoastaan keksinnön mukaisen hilaohjaimen negatiivisen jännitesyötön suuruuteen, jolle sallitaankin suuremmat vaihtelu-30 rajat.
Kuvioiden lyhyt selostus
Keksintöä selostetaan nyt lähemmin edullisten suoritusmuotojen yhteydessä, viitaten oheiseen piirrokseen, joka kuvio esittää piirikaavioesitystä keksinnön mukaisesta hilaohjaimesta.
3 110972
Keksinnön yksityiskohtainen selostus
Kuvion mukaisesti keksinnön mukaisessa stabiloidussa hilaoh-jaimessa syötetään stabiloitua jännitettä hilaohjainyksikölle GD. Hilaohjainyksi-j kön ulostulo on edelleen kytketty ohjattavan tehopuolijohteen IGBT hilalle G.
5 Hilaohjainyksikön ja hilaohjaimen tarkoituksena on tuottaa ohjattavan komponentin hilalle emitteriin nähden positiivinen sytytysjännite ja negatiivinen sammutusjännite. Jotta hilaohjainyksikkö GD ja sen myötä ohjattava tehopuoli-johde toimisivat tarkoituksen mukaisella tavalla, tulee hilaohjainyksikön positiiviseen ja negatiiviseen apujännitesisääntuloon Va+, Va- syötettävien positiivi-10 sen ja negatiivisen apujännitteen olla tietyissä rajoissa. Hilaohjaimen virtaläh-demuuntaja T saa tyypillisissä tapauksissa syöttönsä jännitelähteestä, jonka ulostulo on suuritaajuista kantoaaltoa. Tällaisen kantoaallon jännite saattaa vaihdella jopa ±10%. Lisäksi virtalähdemuuntajassa ja sen ohjaimessa syntyy vaihtelevan suuruisia jännitehäviöitä. Näiden vaikutusten vuoksi hilaohjaimen 15 syöttämä positiivinen hilajännite saattaa vaihdella ilman stabilointia välillä +12...+18 volttia.
Keksinnön mukainen stabiloitu hilaohjain koostuu kuvion mukaisesti virtalähdemuuntajasta T, jonka toisiokäämin positiiviseen napaan on kytketty diodin D anodi. Virtalähdemuuntajan ensiö saa kuvion esittämällä tavalla si-20 sääntulokseen kanttimaista jännitettä. Diodin D tarkoituksena on tasasuunnata ensiön pulssimainen jännite ja mahdollistaa virran kulkeminen ainoastaan diodin päästösuuntaan.
Diodin D katodille on keksinnön mukaisesti kytketty zener-diodin Z katodi ja puolestaan zener-diodin anodille resistanssi R. Resistanssin toinen 25 napa on kytketty edelleen virtalähdemuuntajan toisiokäämin negatiiviseen napaan. Zener-diodi on tunnetusti komponentti, joka estää virran kulkemisen katodilta anodilleen komponentin yli vaikuttavan jännitteen ollessa ennalta määrättyä rajaa pienempi. Jännitteen ollessa kyseistä rajaa suurempi virta pääsee kuitenkin vapaasti kulkemaan komponentin läpi. Tämän ominaisuuden vuoksi 30 zener-diodia voidaan käyttää jännitteen suuruuden rajoittamiseen.
Zenerdiodin Z ja resistanssin R sarjaankytkennän rinnalle on kytketty keksinnön mukaisesti kuvion esittämällä tavalla kahden puolijohdekytkimen T1, T2 sarjakytkentä. Kuvion esittämässä suoritusmuodossa puolijohdekytki-met ovat NPN- ja PNP-transistorit. Puolijohdekytkimen T1 kollektori on kytketty 35 zener-diodin Z katodille ja ohjauselektrodi B zener-diodin Z ja resistanssin R väliseen pisteeseen. Toisen puolijohdekytkimen T2 ohjauselektrodi B on kyt- 4 110972 ketty ensimmäisen puolijohdekytkimen ohjauselektrodin kanssa samaan pisteeseen. Lisäksi toisen puolijohdekytkimen emitteri on kytketty ensimmäisen puolijohdekytkimen emitterille ja kollektori on kytketty virtalähdemuuntajan T toisiokäämin negatiiviseen napaan.
5 Keksinnön mukainen kytkentä käsittää lisäksi ensimmäisen ja toisen kapasitanssin C1, C2, jotka on kytketty sarjaan kuvion esittämällä tavalla. Sar-jakytkentä on kytketty puolijohdekytkimien sarjakytkennän kanssa rinnan siten, että kapasitanssin C1 ensimmäinen napa on kytketty ensimmäisen puolijohde-kytkimen T1 kollektorille ja toinen napa saman puolijohdekytkimen emitterille. 10 Toinen kapasitanssi C2 on vastaavasti kytketty toisen puolijohdekytkimen T2 kollektorin ja emitterin välille. Kapasitanssin C1 ensimmäisen puolijohdekytkimen T1 kollektorille kytketty napa muodostaa keksinnön mukaisen hilaohjai-men positiivisen jännitesyötön V+. Negatiivinen jännitesyöttö muodostuu puolestaan kapasitanssin C2 toisen puolijohdekytkimen kollektorille kytketystä nais vasta, joka on samalla virtalähdemuuntajan T toision negatiivinen napa. Kapasitanssien C1, C2 välinen piste muodostaa keksinnön mukaisen hilaohjai-men positiivisen ja negatiivisen jännitesyötön välisen nollapotentiaalin Corn.
Keksinnön mukaisessa hilaohjaimessa jännite stabiloidaan siten, että virtalähdemuuntajalta T saatava toisiojännite tasasuunnataan arvoon, joka 20 on likimain haluttujen sytytys- ja sammutusjännitteiden erotus eli tyypillisessä tapauksessa noin 24 volttia. Tästä jännitteestä muodostetaan kaksipuolinen jännite siten, että jännite jaetaan positiiviseen ja negatiiviseen osaan sillä tavoin, että positiivinen puoli stabiloituu ja rajoittuu noin +15 voltin tasoon ja negatiivinen puoli käsittää jäljelle jäävän osan eli noin -9 volttia.
„ 25 Jännitteenäkö tapahtuu zener-diodin Z ja resistanssin R antaman referenssijännitteen arvoon käyttämällä keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaisesti NPN- ja PNP-transistorien T1, T2 muodostamaa komplementääri-paria virtapuskurina. Saatu puskuroitu jännite muodostuu hilaohjaimen nolla-potentiaaliin Corn, joka kuvion mukaisesti yhdistetään ohjattavan tehopuolijoh-30 teen IGBT emitteriin. Hilaohjaimen positiivinen ja negatiivinen jännitesyöttö V+, V- kytketään keksinnön mukaisesti hilaohjainyksikön GD vastaaviin apu-jännitesisääntuloihin Va+, Va-, jolloin hilaohjaiyksikkö GD pystyy antamaan ohjattavan tehopuolijohteen IGBT hilalle G joko +15 voltin tai noin -9 voltin jännitteen suhteessa tehopuolijohteen emitteriin. Miinuspuolen jännite saattaa 35 vaihdella syöttöjännitetoleranssien vuoksi rajoissa-9...-12 volttia, mutta vaih- 5 110972 telu on toiminnan kannalta merkityksetöntä. Keksinnön mukaisessa hilaohjai-messa oleva hilaohjainyksikkö GD on tyypiltään esimerkiksi Hewlett Packardin valmistama optisesti erotettu hilaohjainyksikkö HCNW 3120. Hilaohjainyksik-( köä ja samalla hilaohjaimeen yhdistettyä tehopuolijohdetta ohjataan hilaoh- 5 jainyksikön ohjaussisääntuloilla On/Off.
Kuviosta huomataan, että positiivisen jännitesyötön jännitteen V+ pyrkiessä nousemaan yli +15 voltin, kulkee zener-diodin Z kautta transistorin T1 kannalle virta, joka aiheuttaa transistorin virtavahvistuksen verran suuremman kollektorivirran. Tämä kollektorivirta estää jännitteen kohoamisen edel-10 leen. Kytkennän statiikka on käytännössä riippuvainen ainoastaan zener-diodin Z dynaamisesta resistanssista, joka mainituilla jännitteillä on noin 20 ohmia. Mikäli transistorin T1 virtavahvistus on 100, merkitsee tämä noin 0,2 ohmin lähtöresistanssia keksinnön mukaiselle ohjaimelle. Mainittu lähtöresis-tanssiarvo on aivan tarpeeksi pieni käytettäväksi jopa 100 ampeerin IGBT:n 15 yhteydessä.
Keksinnön edullisen suoritusmuodon mukaisesti virtalähdemuunta-jan T, toisiokäämi käsittää kaksi vastakkaisvaiheisesti käämittyä käämiä. Tällöin käytettäessä keksinnön mukaista hilaohjainta esimerkiksi taajuusmuutta-jakäytön yhteydessä toinen toisiokäämeistä syöttää taajuusmuuttajan ulostu-20 lovaiheen ylemmän tehokytkimen ohjainpiiriä ja toinen vastaavasti alemman tehokytkimen ohjainpiiriä. Toisiokäämit on kytketty keskenään vastakkaisvai-heisiksi, jotta estetään muuntajan puoliaaltosuuntauksen aiheuttama tasa-komponentti. Tällä tavoin järjestettynä keskimäärin sekä ala- että yläkytkimen ohjainpiirien muuntajan kautta ottama teho on samansuuruinen. Koska kysei-25 nen teho lisäksi otetaan vuorotellen ja vastakkaisvaiheisesti eri toisiokäämeistä, ei puoliaaltosuuntauksesta ole harmia.
Alan ammattilaiselle on ilmeistä, että keksinnön perusajatus voidaan toteuttaa monin eri tavoin. Keksintö ja sen suoritusmuodot eivät siten rajoitu yllä kuvattuihin esimerkkeihin vaan ne voivat vaihdella patenttivaati-30 musten puitteissa.
Claims (3)
1. Stabiloitu hilaohjain, joka käsittää virtalähdemuuntajan (T), joka käsittää ensiö- ja toisiokäämin, ja hilaohjainyksikön (GD), joka käsittää positiivisen apujännitesisään-5 tulon (Va+) ja negatiivisen apujännitesisääntulon (Va-), sekä diodin (D), jonka anodi on kytketty virtalähdemuuntajan (T) toisiokäämin positiiviseen napaan, tunnettu siitä, että hilaohjain käsittää lisäksi zener-diodin (Z), jonka katodi on kytketty diodin (D) katodille, 10 resistanssin (R), jonka toinen napa on kytketty zener-diodin (Z) anodille ja toinen napa virtalähdemuuntajan (T) toisiokäämin negatiiviseen napaan, ensimmäisen puolijohdekytkimen (T1), jonka ohjauselektrodi (B) on kytketty zener-diodin ja resistanssin väliseen pisteeseen, ja jonka kollektori on 15 kytketty zener-diodin katodille, toisen puolijohdekytkimen (T2), jonka ohjauselektrodi (B) on kytketty zener-diodin ja resistanssin väliseen pisteeseen, ja jonka kollektori on kytketty virtalähdemuuntajan (T) toisiokäämin negatiiviseen napaan ja emitteri ensimmäisen puolijohdekytkimen (T1) emitteriin, 20 ensimmäisen kapasitanssin (C1), jonka ensimmäinen napa on kyt ketty ensimmäisen puolijohdekytkimen (T1) kollektorille ja toinen napa ensimmäisen puolijohdekytkimen (T1) emitterille kapasitanssin (C1) ensimmäisen navan muodostaessa positiivisen jännitesyötön (V+), joka on yhdistetty hilaohjainyksikön (GD) positiiviseen apujännitesisääntuloon (Va+), ja 25 toisen kapasitanssin (C2), jonka ensimmäinen napa on kytketty toi sen puolijohdekytkimen (T2) emitterille ja toinen napa toisen puolijohdekytkimen (T2) kollektorille kapasitanssin (C2) toisen navan muodostaessa negatiivisen jännitesyötön (V-), joka on yhdistetty hilaohjainyksikön (GD) negatiiviseen apujännitesisääntuloon (Va-), jolloin kapasitanssien (C1, C2) välinen pis-30 te muodostaa positiivisen (V+) ja negatiivisen (V-) jännitesyötön välisen nolla-potentiaalin (Corn).
2. Gallerstyrare enligt patentkrav 1,kännetecknad avatt den 35 första halvledaromkopplaren (T1) är en NPN-transistor och den andra halv-ledaromkopplaren (T2) är en PNP-transistor. 110972 8
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen hilaohjain, tunnettu siitä, että ensimmäinen puolijohdekytkin (T1) on NPN-transistori ja toinen puolijoh-dekytkin (T2) on PNP-transistori.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen hilaohjain, tunnettu siitä, että virtalähdemuuntaja (T) käsittää kaksi vastakkaisvaiheista toisiokää-miä. 7 110972 /t 1. Stabiliserad gallerstyrare, vilken omfattar en transformatorströmkälla (T), som omfattar en primär- och en se-5 kundärlindning, och en gallerstyrarenhet (GD), som omfattar en positiv hjälpspänningsingäng (Va+) och en negativ hjälpspänningsingäng (Va-), samt en diod (D), vars anod är kopplad till sekundärlindningens positiva pol i transformatorströmkällan (T), kännetecknad avatt gallerstyraren 10 dessutom omfattar en zenerdiod (Z), vars katod är kopplad till diodens (D) katod, en resistans (R), vars ena pol är kopplad till zenerdiodens (Z) anod och andra pol till sekundärlindningens negativa pol i transformatorströmkällan (T), 15 en första halvledaromkopplare (T1), vars styrelektrod (B) är kopplad till en punkt mellan zenerdioden och resistansen, och vars kollektor är kopplad till zenerdiodens katod, en andra halvledaromkopplare (T2), vars styrelektrod (B) är kopplad till en punkt mellan zenerdioden och resistansen, och vars kollektor är kopplad 20 till sekundärlindningens negativa pol i transformatorströmkällan (T) och emitter till den första halvledaromkopplarens (T1) emitter, en första kapacitans (C1), vars första pol är kopplad till den första halvledaromkopplarens (T1) kollektor och andra pol till den första halvledar-: · omkopplarens (T1) emitter, varvid kapacitansens (C1) första pol bildar en posi- 25 tiv spänningstillförsel (V+), som är förenad med gallerstyrarenhetens (GD) positiva hjälpspänningsingäng (Va+), och en andra kapacitans (C2), vars första pol är kopplad till den andra halvledaromkopplarens (T2) emitter och andra pol till den andra halvledaromkopplarens (T2) kollektor, varvid kapacitansens (C2) andra pol bildar en 30 negativ spänningstillförsel (V-), som är förenad med gallerstyrarenhetens (GD) negativa hjälpspänningsingäng (Va-), varvid punkten mellan kapacitanserna (C1, C2) bildar en nollpotential (Com) mellan den positiva (V+) och negativa (V-) spänningstillförseln.
3. Gallerstyrare enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknad av att transformatorströmkällan (T) omfattar tva sekundärlindningar med motsatt fas.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI990523A FI110972B (fi) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | Stabiloitu hilaohjain |
EP00660045A EP1037387B1 (en) | 1999-03-10 | 2000-03-07 | Stabilized gate driver |
DE60039143T DE60039143D1 (de) | 1999-03-10 | 2000-03-07 | Stabilisierter Gate-Treiber |
AT00660045T ATE398355T1 (de) | 1999-03-10 | 2000-03-07 | Stabilisierter gate-treiber |
JP2000112743A JP2000333442A (ja) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | 安定化ゲートドライバ |
US09/522,077 US6229356B1 (en) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | Stabilized gate drivers |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI990523 | 1999-03-10 | ||
FI990523A FI110972B (fi) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | Stabiloitu hilaohjain |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI990523A0 FI990523A0 (fi) | 1999-03-10 |
FI990523A FI990523A (fi) | 2000-09-11 |
FI110972B true FI110972B (fi) | 2003-04-30 |
Family
ID=8554151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI990523A FI110972B (fi) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | Stabiloitu hilaohjain |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6229356B1 (fi) |
EP (1) | EP1037387B1 (fi) |
JP (1) | JP2000333442A (fi) |
AT (1) | ATE398355T1 (fi) |
DE (1) | DE60039143D1 (fi) |
FI (1) | FI110972B (fi) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6970023B2 (en) * | 2003-12-17 | 2005-11-29 | Texas Instruments Incorporated | Modulated transistor gate driver with planar pulse transformer |
FI116109B (fi) | 2004-05-10 | 2005-09-15 | Abb Oy | Puolijohdekomponentin ohjauskytkentä |
JP2006094654A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 多直列接続された自己消弧型素子のゲート制御方法及びこれを用いた電力変換装置 |
US7236041B2 (en) * | 2005-08-01 | 2007-06-26 | Monolithic Power Systems, Inc. | Isolated gate driver circuit for power switching devices |
FI118145B (fi) | 2006-01-09 | 2007-07-13 | Abb Oy | Hilaohjatun kytkimen sammutus |
JP5252569B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動制御回路およびインテリジェントパワーモジュール |
KR101261944B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2013-05-09 | 기아자동차주식회사 | 인버터 제어장치 |
JP5541044B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-07-09 | サンケン電気株式会社 | ゲート駆動回路及びスイッチング電源装置 |
JP2012090435A (ja) | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 駆動回路及びこれを備える半導体装置 |
JP5452546B2 (ja) | 2011-05-26 | 2014-03-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイス駆動回路及び半導体装置 |
CN102280990B (zh) * | 2011-08-26 | 2013-05-15 | 北京新雷能科技股份有限公司 | 一种磁隔离驱动电路 |
FI10493U1 (fi) | 2013-02-20 | 2014-05-22 | Vacon Oyj | Järjestely tehoelektroniikkalaitteissa käytettävien jänniteohjattujen tehopuolijohdekytkinten hilaohjausjännitteen muodostamiseksi |
JP2014171316A (ja) | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール及び昇圧整流回路 |
US20170126224A1 (en) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Eaton Corporation | High side power device gate driver |
JP6888395B2 (ja) | 2017-04-25 | 2021-06-16 | 株式会社デンソー | スイッチの駆動回路 |
CN107844156A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-27 | 广州金升阳科技有限公司 | 分压电路及其应用 |
DE102018116866A1 (de) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Sma Solar Technology Ag | Wechselrichter mit Treiberschaltungen zur Spannungsversorgung von Halbleiterschaltern einer Wechselrichterbrücke |
US20240007004A1 (en) * | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Novatek Microelectronics Corp. | Electronic device and driving circuit thereof |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4375701A (en) * | 1980-07-17 | 1983-03-01 | General Electric Company | Battery or AC driven radio receiver power supply |
AT377138B (de) * | 1981-11-26 | 1985-02-11 | Zumtobel Ag | Schaltungsanordnung fuer eine potentialgetrennte ansteuerung wenigstens eines feldeffekttransistors |
US4906876A (en) * | 1988-10-25 | 1990-03-06 | Msi Corporation | Base drive circuit |
JP2716105B2 (ja) * | 1991-06-24 | 1998-02-18 | 株式会社日立製作所 | 交番定電流回路 |
FR2713029B1 (fr) * | 1993-11-22 | 1995-12-29 | Gec Alsthom Transport Sa | Dispositif d'alimentation de circuit de commande de composant interrupteur de puissance. |
US5514921A (en) * | 1994-06-27 | 1996-05-07 | General Electric Company | Lossless gate drivers for high-frequency PWM switching cells |
KR200150912Y1 (ko) * | 1995-02-14 | 1999-07-15 | 전주범 | 전력 모스 전계 효과 트랜지스터의 제어회로 |
ES2143406B1 (es) * | 1998-03-30 | 2000-12-16 | Cit Alcatel | Convertidor conmutado con multiples salidas reguladoras. |
-
1999
- 1999-03-10 FI FI990523A patent/FI110972B/fi not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-03-07 AT AT00660045T patent/ATE398355T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-03-07 DE DE60039143T patent/DE60039143D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-07 EP EP00660045A patent/EP1037387B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-09 US US09/522,077 patent/US6229356B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-09 JP JP2000112743A patent/JP2000333442A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000333442A (ja) | 2000-11-30 |
DE60039143D1 (de) | 2008-07-24 |
FI990523A (fi) | 2000-09-11 |
EP1037387B1 (en) | 2008-06-11 |
US6229356B1 (en) | 2001-05-08 |
EP1037387A3 (en) | 2003-11-19 |
EP1037387A2 (en) | 2000-09-20 |
ATE398355T1 (de) | 2008-07-15 |
FI990523A0 (fi) | 1999-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI110972B (fi) | Stabiloitu hilaohjain | |
US7230488B2 (en) | Amplifying circuit, noise reducing apparatus and power converting apparatus | |
US8488343B2 (en) | Switching mode power supply apparatus having passive clamp circuit | |
US20100008109A1 (en) | Switching power supply and semiconductor device for switching power supply | |
US7170760B2 (en) | Switching power supply with clamping circuit | |
JPH02273072A (ja) | 電源回路 | |
US8867245B1 (en) | Switching power supply having high-power integrated circuit and monolithic integrated circuit therefor | |
US7649284B2 (en) | High-voltage pulse generating circuit | |
US11303216B2 (en) | Power supply device for eliminating ringing effect | |
US20040156216A1 (en) | Switching power supply apparatus and power supply control method | |
US10911036B1 (en) | Accelerating discharge device | |
US11171567B1 (en) | Power supply device for eliminating ringing effect | |
JPH02254969A (ja) | スイッチトモード電源回路 | |
US9293987B2 (en) | Differential driver for inductive load | |
JP2003250270A (ja) | 増幅回路、ノイズ低減装置及び電力変換装置 | |
US6262898B1 (en) | Circuit for driving a switching transistor | |
CN215219469U (zh) | 数字输入接口装置以及可编程逻辑控制器 | |
US20230318466A1 (en) | Power supply device for suppressing noise | |
JP5927138B2 (ja) | スイッチング電源装置 | |
US10454473B2 (en) | Optical-control driving circuit for high utility power | |
JP2006197661A (ja) | 電源回路の出力電圧補正回路 | |
JP2572617Y2 (ja) | スイッチング・レギュレータ | |
EP0972342B1 (en) | Circuit for driving a switching transistor | |
JP3157625B2 (ja) | 多出力電源装置 | |
KR100957784B1 (ko) | Scr을 이용하여 콘트롤 ic를 동작시키는 전원 공급장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM | Patent lapsed |