FI116109B - Puolijohdekomponentin ohjauskytkentä - Google Patents

Description

116109

Puolijohdekomponentin ohjauskytkentä

Keksinnön tausta Tämän keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdanto-osan mukainen puolijohdekomponentin ohjauskytkentä. Erityisesti keksinnön 5 kohteena IGB-transistorien ohjauskytkentä, jolla voidaan nopeuttaa IGB-transistorien päälle- ja pois-kytkentöjä.

Suuritehoisten IGB-transistoreiden hilavaraus on tyypillisesti useita mikrokulombeja, joten haluttaessa vaihtaa transistorin tilaa nopeasti ja vähä-häviöisesti, on hilaa ohjattava useiden ampeerien virralla. Johtavaan tilaan Ohio jatun IGBT:n hilajännite on tyypillisesti +15 voltin luokkaa; liian pieni jännite aiheuttaa komponentissa ylimääräisiä johtohäviöitä, kun taas liian suuri hilajännite saattaa johtaa komponentin tuhoutumiseen oikosulkutilanteessa. Ei-johtavassa tilassa hilajännitteen tulisi saada vähintään 5-7 voltin negatiivinen arvo, jotta kollektorin ja hilan välinen kapasitanssi ei pääse vaikuttamaan hilan 15 tilaan kollektorijännitteen muuttuessa nopeasti.

Koska IGB-transistoreita yleensä käytetään pareittain vaihtokytkin-käytössä, on transistoria päälle kytkettäessä odotettava, että vastakkainen transistori ensin sammuu, jotta ei synny läpisyttymistilannetta, jonka aikana komponenttien kautta kulkeva saattaa saavuttaa täyden oikosulkuvirran suu- . 20 ruuden. Tämän vuoksi tehokomponenttien ohjauksen omien viiveiden tulisi olla mahdollisimman lyhyitä ja stabiileita. Tämä voidaan saavuttaa tekemällä oh- • » : ’[ jaimeen viivepiirejä, jotka lisäävät vastakkaisten komponenttien hilaohjaukseen : : niin sanottua kuollutta aikaa.

• · : Kiihdytetyllä hilaohjauksella on tyypillisesti mahdollista saavuttaa jo- ,' · ‘ 25 pa 20 %:n vähennys kytkentähäviöihin, mikä merkitsee aina kymmentä pro- senttiä kokonaishäviöissä.

IGB-transistorin kytkentähäviöt ovat riippuvaisia siitä, kuinka nope-asti komponentin hilalle pystytään syöttämään tai sieltä poistamaan täyteen johtavuuteen tarvittava hilavaraus. IGBT:n Miller-tasanne on tyypillisesti 10 -:t’ 30 11 voltissa, joten hilaohjaimen lähtöjännitteen on oltava riittävän suuri virran ' ·: ·' kehittämiseksi hilavastuksen kautta.

On helppo kuvitella, ettei IGBT:n hilalle pystytä syöttämään kovin-kaan suurta virtaa, kun hilaohjaimen apujännite on +15 volttia ja Miller-tasanne : on 11 voltissa. Jos apujännitettä vain kasvatetaan, saattaa stationäärisessä ti- * * ♦ 35 lassa tulla esiin vaara komponentin rikkoutumisesta oikosulkutilanteessa.

116109 2

Saatavilla on kyllä edullisia hilaohjainmikropiirejä, joissa on puskuroitu lähtöaste ja optoelektroniikalla toteutettu galvaaninen erotus. Näiden piirien virransyöttökyky ei kuitenkaan riitä ohjaamaan suuritehoisia IGB-transistoreita ja niissä on yleensä bipolaaritekniikalla toteutettu lähtöaste, jonka 5 sytytyssuuntainen jännitehäviö saattaa olla 2,5 voltin luokkaa. Ero IGBT:n Mil-ler-tasanteen jännitetasoon on siis vain 1,5 - 2,5 volttia, mikä ei mahdollista nopeaa hilavarauksen siirtoa.

Jännitehäviön pienentämiseksi ja virransyöttökyvyn lisäämiseksi piirien lähtöön voidaan lisätä erillinen tehoaste, joka on yleensä toteutettu positii-10 viseen syöttöjännitteeseen source-kohtiostaan yhdistetyllä P-tyypin mosfetillä sekä negatiiviseen syöttöjännitteeseen samoin source-kohtiostaan yhdistetyllä N-tyypin mosfetillä. Pulmana kuitenkin on, että puskuriasteen fettien hilat on biasoitava siten, ettei voi tapahtua läpisyttymistä. Tämä johtaa helposti monimutkaiseen ja kalliiseen lopputulokseen.

15 Optisesti erotettujen ohjainpiirien siirtoviive saattaa olla useita satoja nanosekunteja ja se voi riippua esimerkiksi lämpötilasta. Ohjattavien IGB-transistoreiden kuollutta aikaa on sen vuoksi kasvatettava, jotta saadaan riittävä varmuusmarginaali. Jos taas signaalin siirtoon käytetään sinällään erittäin nopeaa muuntajakytkentää, nousevat tavallisesti kustannukset ja piiriratkaisu 20 monimutkaistuu entisestään.

Kaupallisesti on kyllä saatavilla hilaohjaimia, jotka poistavat mainitut ongelmat, mutta ne ovat yleensä hyvin kalliita, eivätkä siten sovellu massatuot-‘ " teisiin, kuten taajuusmuuttajiin.

! Keksinnön lyhyt selostus 25 Keksinnön tavoitteena on aikaansaada kytkentä, joka välttää edellä mainitut epäkohdat, ja mahdollistaa IGB-transistorin ohjaamisen aikaisempaa pienemmillä häviöillä käyttäen edullisia komponentteja. Tämä tarkoitus saavu-: tetaan keksinnön mukaisella kytkennällä, jolle on tunnusomaista se, mitä on sanottu itsenäisen patenttivaatimuksen tunnusmerkkiosassa. Keksinnön edulli-30 set suoritusmuodot ovat epäitsenäisten patenttivaatimusten kohteena.

Keksintö perustuu siihen, että IGB-transistorin hilapiiriin muodostet-tu kytkentä varaa kytkennän kondensaattoriin energiaa, jonka avulla voidaan ;*. ·. nopeuttaa IGB-transistorin sytytystä ja sammutusta.

: Keksinnön mukaisen kytkennässä käytetään tunnettuja ja koeteltuja 35 komponentteja, joten kytkennän toimiminen on luotettavaa. Lisäksi kytkennän yksinkertaisuudesta johtuen rakenteeseen tarvitaan ainoastaan muutama ja 116109 3 edullinen komponentti, joten sekä valmistuskustannukset että piirilevyn lay-out jäävät pieniksi. Edelleen keksinnön mukainen kytkentä tarjoaa tarvittavan määrän ohjauskykyä IGB-transistorin ohjaamiseen, jolloin nopeutuneet kytkennät tuottavat vähemmän kytkennän aikaisia häviöitä ohjattavassa IGB-5 transistorissa.

Kuvioiden lyhyt selostus

Keksintöä selostetaan nyt lähemmin edullisten suoritusmuotojen yhteydessä viitaten oheiseen piirustukseen, joka esittää keksinnön mukaista oh-jauskytkentää sekä tämän yhteyteen soveltuvaa hilaohjainratkaisua.

10 Keksinnön yksityiskohtainen selostus

Piirustuksessa on esitetty keksinnön mukainen ohjauskytkentä sekä tähän liittyvä piiristö IGB-transistorin ohjaamiseksi eli hilaohjain. Tällainen hila-ohjain voi sijaita esimerkiksi vaihtosuuntaajassa ohjaamassa lähdön IGB-transistoria. Ylemmältä säätöjärjestelmältä saadaan tällöin tieto siitä, milloin 15 IGB-transistori tulee kytkeä johtavaan tilaan ja pois johtavasta tilasta. Piirustuksen esimerkissä IGB-transistorin syttymistä ohjataan tuomalla digitaalierot-timelle D1 ohjaus napaan ON. Vastaavasti sammutustietona tuodaan digitaa-lierottimelle D2 ohjaus napaan OFF.

Piirustuksen suoritusmuodossa ohjaussignaalin galvaanisen erotuk-20 sen toteuttamiseen käytetään digitaalierottimia, kuten esimerkiksi HCPL-0900 : '*· tai AduM-1100, jotka ovat erittäin nopeita (siirtoaika max. 18 ns), lähes im- ”*: muuneja ylitseen vaikuttavan jännitteen muutosnopeudelle sekä likimain yhtä : :': edullisia kuin kymmenen kertaa hitaammat optoisolaattorit.

··· Hilaohjaimen toisiopuolen pääapujännite muodostetaan yleisesti 25 tunnettuun tapaan muuntajan T1 sekä tasasuuntaajan V1 avulla muuntajan T1 ensiöön tuodusta kanttiaallosta. Apujännite on suoritusmuodossa kaksipuoli-; . nen ja tämän taso on ± 15 volttia ja jännitteet suodatetaan kondensaattoreilla C3 ja C4. On kuitenkin selvää, että apujännitteiden taso asetetaan tapauskoh-täiseksi siten, että ohjattavan IGBT:n hilalla on sytytystapahtuman jälkeen sel-:,:,: 30 lainen jännite, jolla komponenttia on tarkoitus käyttää.

Digitaalierottimien D1 ja D2 toisiopuolen 4,7 voltin apujännitteet teh-;/.t dään zener-djodeilla V2, V3 ja vastuksella R1 pääapujännitteestä. Suodatus tapahtuu kondensaattoreilla C1 ja C2.

• Digitaalierottimien lähtövirta ei riitä ohjaamaan suoraan ohjattavien 35 ohjauskytkimien V8 hiloja kovinkaan nopeasti. Piirustuksen suoritusmuodossa 116109 4 ohjattavat ohjauskytkimet muodostuvat ylemmästä ja alemmasta päätemosfe-tista V8. Ohjauksen nopeuttamiseksi digitaalierottimen ja päätemosfettien välissä onkin käytettävä P-/N-tyypin feteistä V4/V5 ja V6/V7 muodostettua pusku-riastetta. Kytkennän yksinkertaistamiseksi nämä puskurifetit on kytketty yhteen 5 sekä drain- että hilakohtioistaan. Tällaisella kytkennällä on taipumus läpisytty-misvirtaan, mikäli hilajännite saa muita arvoja kuin jompikumpi source-jännite. Koska digitaalierotin toimii kuitenkin digitaalisena komponenttina, jonka lähdöllä voi olla vain kaksi tilaa, ei ilmiötä esiinny kuin enintään 10 ns:n ajan tilan-vaihdon yhteydessä. Käyttöjännite on pieni ja käytettäväksi valituilla kom-10 ponenteilla on melko suuri ON-resistanssi, joten tällöinkään virta ei saavuta muutamaa kymmentä milliampeeria suurempia arvoja.

Feteistä V4/V5 muodostuva puskuriaste toimii siten, että fettien V4/V5 hiloille kytketyn digitaalierottimen D1 lähdön ollessa alhaalla, P-tyypin fet V4 on johtavassa tilassa, ja kytkee ylemmän päätefetin V8 hilan positiivi-15 seen apujännitteeseen, jolloin mainittu ylempi päätefet on estävässä tilassa. Kun digitaalierottimen lähtö nousee ylös, sulkeutuu puskurifet V4 ja vastaavasti fet V5 siirtyy johtavaan tilaan kytkien ylemmän päätefetin V8 hilalle zener-diodilla V2 muodostetun positiivista apujännitettä pienemmän jännitteen, joka siirtää mainitun päätefetin ylemmän kytkimen johtavaan tilaan.

20 Vastaavalla tavalla päätefetin V8 alempaa kytkintä ohjataan digitaa- lierottimen D2 lähdöllä puskuriasteen V6/V7 kautta siten, että digitaalierottimen D2 OFF-sisääntulon ollessa ylhäällä erottimen lähtö on myös ylhäällä. Tällöin : ’ fet V7 johtaa, jonka seurauksena alemman päätefetin V8 hilalla on negatiivi nen apujännite ja alempi päätefetti on siten estävässä tilassa. Kun taas OFF • ’ 25 tulo siirtyy alas, ohjautuu kytkin V6 johtavaan tilaan, ja kytkee alemman pääte- , Γ fetin V8 hilalle negatiivista apujännitettä suuremman jännitteen, joka on muo- :.dostettu zener-diodin V3 avulla. Tämä saa aikaan alemman päätefetin siirtymisen johtavaan tilaan.

Puskuriasteen fettien yhteinen hilavaraus on noin 500 pC, jonka di-30 gitaalierottimen 35 mA:n lähtövirta lataa alle 15 ns:ssa. Puskuriasteiden drain-kohtiot on piirustuksessa esitetyllä tavalla yhdistetty varsinaisiin päätefetteihin, ’;;; ‘ jotka sijaitsevat samassa kotelossa V8.

·;·' Jos sekä ylempi että alempi päätefetti V8 ohjataan samanaikaisesti päälle, on seurauksena läpisyttymistilanne, joka voi tuhota komponentit. Ohja-35 us johdetaan kuitenkin erittäin nopealla ja stabiililla aikatasolla digitaalierottimi-en läpi, joiden tulot on tyypillisesti kytketty digitaaliseen logiikkaan, esimerkiksi 116109 5 FPGA-piiriin. Logiikan avulla on helppo asettaa pääteasteen V8 tarvitsema tarkka kuollut aika.

IGBT:n päälleohjauksen kannalta tärkeässä asemassa on V8:n ylempi, P-tyypin päätefetti, jonka hilavaraus Miller-tasanteen alkuun, 3,5 voltin 5 tasolle, on noin neljä nanokulombia. Tällöin drain-virtaa IGBT:n hilapiiriin kulkee jo neljä ampeeria parin voltin drain-source-jännitehäviöllä. Puskuriaste pystyy syöttämään pääteasteen fettien hiloille keskimäärin sadan milliampeerin virran, joten aikaa tähän hetkeen on kulunut noin 40 ns ja kokonaisaikaa siitä, kun ohjaus on saapunut digitaalierottimelle on kulunut 18 ns + 15 ns + 40 ns = 10 73 ns. Päätefetti siirtyy saturaatioon, kun sen hilajännite nousee puskuriasteen vaikutuksesta 4,7 volttiin, jolloin drain-source-resistanssi on alle 0,2 ohmia.

Sammutuspuolta ohjaava N-tyypin päätefetti, eli V8:n alempi kytkin, toimii lähes samalla tavalla, mutta koska sammutuspuolen ohjausjännite (-15 V miinus Miller-tasanteen jännite plus drain-source-jännite = 22 V) on moninker-15 täinen sytytykseen verrattuna (+15 V miinus Miller-tasanteen jännite miinus drain-source-jännite = 3 V), on toiminta nopeampaa.

IGBT:n 5 syttymisen nopeuttamiseksi sen hilapiiriin, sarjaan hilavas-tuksen Rg kanssa, on lisätty keksinnön mukaisesti erityinen boost-kondensaattori Cg. Hilavastuksen ensimmäinen napa 1 on kytketty tunnetulla 20 tavalla päätefettien V8 väliseen pisteeseen. Keksinnön mukaisesti boost-kondensaattori on kytketty ensimmäisestä navastaan 3 hilavastuksen Rg toiseen napaan 2. Sytytystä nopeuttavaan Boost-toimintoon kuuluvat vielä zener-: ’ diodi V9 ja vastus R3.

Kytkentä on toteutettu keksinnön mukaisesti siten, että hilavastuk-:··' : 25 sen kanssa sarjassa olevan boost-kondensaattorin yli on kytketty zener-diodi V9 siten, että zener-diodin V9 anodi on kytketty hilavastuksen toiseen napaan 2, eli boost-kondensaattorin ja hilavastuksen väliseen pisteeseen ja katodi puolestaan boost-kondensaattorin toiseen napaan 4. Vastus R3 on puolestaan : kytketty boost-kondensaattorin toisen navan 4 ja apujännitteen välijännitetason 30 välille, eli piirustuksen suoritusmuodossa apujännitteen nollatasoon. Keksinnön • · · mukaiseen kytkentään kuuluu lisäksi diodi V10, joka on kytketty apujännitteen positiivisen jännitetason ja zener-diodin katodin välille siten, että diodin anodi ' · · · * on zener-diodin katodilla.

!’*: Tämän keksinnön mukaisen kytkennän toimintaa selitetään seuraa- 35 vassa.

116109 6

Ajatellaan ensin, että IGBT 5 on ohjattu sammutukseen eli päätefe-tin V8 alempi kytkin on vetänyt hilavastuksen Rg -15 voltin jännitteeseen. Virta kulkee vastuksen R3 kautta, jolloin kondensaattori Cg latautuu zenerdiodin V9 rajoittamaan jännitteeseen, joka voi tyypillisesti olla 7,5 volttia. IGBT:n hilalla 5 on tällöin -7,5 voltin jännite apuemitteriinsä nähden, eli IGBT 5 on sammuksissa. Piirustuksesta nähdään, kuinka ohjattavan IGBT:n apuemitteri AE on kytketty apujännitteen nollapotentiaaliin, eli kaksipuolisen jännitteen keskipisteeseen.

Jos nyt hilaohjain vaihtaa tilaansa sytytykseen, kytkeytyy hilavas-10 tuksen Rg ensimmäinen pää 1 positiiviseen apujännitteeseen eli +15 volttiin. Hilavastuksen kanssa sarjassa on kondensaattori Cg, jonka napajännite on sammutusohjauksen jäljiltä 7,5 volttia. Koska IGBT:n hila G on -7,5 voltissa, vaikuttaa hilavastuksen Rg yli sytytyksen alussa jännite, jonka suuruus on 30 volttia muodostuen apujännitteen 15 voltin, boost-kondensaattorin 7,5 voltin ja 15 hilan oman 7,5 voltin jännitteen summasta. Riippuu hilavastuksen resistanssista, kuinka suureksi hilavirta muodostuu, mutta hilavaraus kasvaa erittäin nopeasti Miller-tasanteen alkuun, vaikka tasanteen jännitetaso vaihtelisikin jonkin verran.

On selvää, että boost-kondensaattorin Cg energia vähenee hilavir-20 ran kulkiessa sen läpi, mutta mitoittamalla sen kapasitanssi oikein suhteessa ,i>>: ohjattavan IGBT:n hilavaraukseen, on energia kulunut loppuun juuri silloin, kun IGBT:n hilajännite on noussut positiivisen syöttäjän n itteen tasoon. Mikäli ener-: ” giaa on vielä tällöin jäljellä, pyrkii hilajännite nousemaan yli tuon tason, mutta diodi V10 johtaa ylimääräisen energian suotokondensaattoriin C3. Diodi V10 25 estää myös tunnetulla tavalla IGBT.n hilan jännitteen kasvamisen oikosulkuta- » pauksessa. Jos taas boost-kondensaattorin Cg energia loppuu kesken, se vaihtaa napaisuuttaan, mutta zener-diodi V9 estää sitä latautumasta diodin päästösuuntaista jännitettä suurempaan napajännitteeseen. Sytytystilanteen : jatkuessa virtaa kulkee vastuksen R3 kautta, mikä aina johtaa kondensaattorin 30 Cg napajännitteen asettumiseen zener-diodin V9 päästösuuntaiseen jännitteeseen.

Sammutettaessa IGBT:tä on boost-kondensaattori Cg siis latautunut '·*' V9:n päästösuuntaiseen jännitteeseen, mikä merkitsee sammutuksen alkaessa vielä tämän verran suurempaa sammutusjännitettä. Tosin sen merkitys on vain 35 hetkellinen IGBT:n hilalta purkautuvan virran kääntäessä Cg:n napaisuuden taas uudestaan ja varatessa sen V9:n zener-jännitteeseen. Jos IGBT:n hilava- 116109 7 raus ei riittänyt kondensaattorin Cg lataamiseen aivan zener-jännitteeseen saakka, syöttää vastus R3 lisävarausta sammutustilanteen kestäessä.

On huomattava, että piirustuksessa esitetty esimerkkitoteutus on esitetty ainoastaan esimerkinomaisesti sisältäen koko ohjainpiiristön kompo-5 nenttien arvot ja tyyppimerkinnät. On kuitenkin selvää, että piirustuksessa esitetty toteutus on ainoastaan yksi keksinnön mukaisen kytkennän yhteyteen soveltuva ratkaisu, ja että ohjainpiiristä on mahdollista toteuttaa useilla eri tavoilla, eri komponenttiarvoilla ja komponenttityypeillä.

Alan ammattilaiselle onkin ilmeistä, että keksinnön perusajatus voi-10 daan toteuttaa monin eri tavoin. Keksintö ja sen suoritusmuodot eivät siten rajoitu yllä kuvattuihin esimerkkeihin vaan ne voivat vaihdella patenttivaatimusten puitteissa.

· · • I ' » · • · • » · • * · • It · < f · • f 1 9 • · · • · • · • I f • » I t t • » i » i i » » · »

t · I

Claims (4)

116109 1. IGB-transistorin ohjauskytkentä, joka käsittää välineet (T1, V1, C3, C4) apujännitteen muodostamiseksi, joka apu-jännite on muodostettu sisältämään välijännitetason, johon IGB-transistorin 5 emitteri tai apuemitteri on sovitettu liittymään, ensimmäisen ja toisen ohjattavan ohjauskytkimen (V8), jotka on sovitettu vasteeliisiksi IGB-transistorin ohjaussignaaleille IGB-transistorin (5) ohjaamiseksi johtavaan tilaan ja pois johtavasta tilasta, mainittujen ohjauskytki-mien ollessa kytketty sarjaan apujännitteen välille, ja 10 hilavastuksen (Rg), jonka ensimmäinen napa (1) on kytketty en simmäisen ja toisen ohjauskytkimen (V8) väliseen pisteeseen ja joka on sovitettu IGB-transistorin (5) hilalle (G) kytkettävään piiriin, tunnettu siitä, että ohjauskytkentä käsittää lisäksi boost-kondensaattorin (Cg), joka on kytketty hilavastuksen (Rg) 15 kanssa sarjaan siten, että boost-kondensaattorin ensimmäinen napa (3) on kytketty hilavastuksen toiseen napaan (2) ja boost-kondensaattorin (Cg) toinen napa (4) on sovitettu kytkettäväksi IGB-transistorin hilalle (G), vastuksen (R3), jonka ensimmäinen napa on kytketty boost-kondensaattorin toiseen napaan (4) ja jonka toinen napa on kytketty ohjaus-20 kytkimien apujännitteen välijännitetasoon, zener-diodin (V9), jonka anodi on kytketty hilavastuksen ja boost-:·. kondensaattorin väliseen pisteeseen ja jonka katodi on kytketty boost- • I · ' . kondensaattorin ja vastuksen (R3) väliseen pisteeseen, ja . .* diodin (V10), jonka anodi on kytketty zener-diodin (V9) katodille ja • · · / 25 jonka katodi on kytketty ohjauskytkimien apujännitteen positiiviseen napaan. I ► · ··" 2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kytkentä, tunnettu siitä, et- »·» tä välineet apujännitteen muodostamiseksi käsittävät jännitelähteen ja kondensaattorit (C1, C2), jotka on kytketty sarjaan mainitun jännitelähteen lähtö-·,· f jännitteen välille, jolloin apujännite on sovitettu muodostumaan kondensaatto- 30 reiden yli vaikuttavasta jännitteestä ja välijännitetaso on sovitettu muodostu-maan sarjaan kytkettyjen kondensaattoreiden välisestä pisteestä. ;;; 3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen kytkentä, tunnettu siitä, et- ’•l*’ tä apujännite on kaksipuolinen jännite, jolloin välijännitetaso muodostaa nolla- * ' : tason. 116109 4. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen 1 - 3 mukainen kytkentä, tunnettu siitä, että ensimmäinen ohjauskytkin on P-tyypin fet kytkin ja toinen ohjauskytkin on N-tyypin fet kytkin. * i l · • Ml 10 116109

1. Styrkoppling för en IGB-transistor, som omfattar medel (T1, V1, C3, C4) för att alstra en hjälpspänning, vilken hjälpspän-ning är bildad att innehälla en mellanspänningsniva, till vilken IGB-transistorns emit-5 ter eller hjälpemitter är anordnad att anslutas, en första och en andra styrbar styrkopplare (V8), som är anordnad gen-svarig pa IGB-transistorns styrsignaler för styrning av IGB-transistorn (5) till ett le-dande tillstand och bort frän ett ledande tillständ, da nämnda styrkopplare är kopp-lade i serie mellan hjälpspänningen, och 10 en gallerläcka (Rg), vars första pol (1) är kopplad till en punkt mellan den första och andra styrkopplaren (V8) och som är anordnad i en krets som skall kopp-las till IGB-transistorns (5) galler (G), kännetecknad av att styrkopplingen dessutom omfattar en boost-kondensator (Cg), som är kopplad i serie med gallerläckan (Rg), 15 sä att boost-kondensatorns första pol (3) är kopplad till gallerläckans andra pol (2) och boost-kondensatorns (Cg) andra pol (4) är anordnad att kopplas till IGB-transistorns galler (G), ett motstand (R3), vars första pol är kopplad till boost-kondensatorns andra pol (4) och vars andra pol är kopplad till styrkopplamas hjälpspännings mel-20 lanspänningsniva, en zener-diod (V9), vars anod är kopplad till en punkt mellan gallerläckan * · * och boost-kondensatorn och vars katod är kopplad till en punkt mellan boost- “ kondensatorn och motstandet (R3), och : en diod (V10), vars anod är kopplad till zener-diodens (V9) katod och :.: · 25 vars katod är kopplad till styrkopplamas hjälpspännings positiva pol. 11;j*

2. Koppling enligt patentkrav 1, kännetecknad av att medlen för att alstra en hjälpspänning omfattar en spänningskälla och kondensatorer (C1, C2), vilka är kopplade i serie mellan nämnda spänningskällas utspänning, varvid hjälp-: . . spänningen är anordnad att bildas av spänningen som verkar över kondensatorerna 30 och mellanspänningsnivän är anordnad att bildas av punkien mellan de seriekopp-i lade kondensatorerna. '.i.*

3. Koppling enligt patentkrav 2, kännetecknad av att hjälpspän- ,,.: ningen är en tväsidig spänning, varvid mellanspänningsnivän bildar en nollniva.

*,*. 4. Koppling enligt nägot av de föregaende patentkraven 1-3, känne- : 35 t e c k n a d av att den första styrkopplaren är en fet-kopplare av P-typ och den andra styrkopplaren är en fet-kopplare av N-typ.