TWI428611B - 零偏壓式功率偵測器 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種功率偵測器，且特別是有關於一種零偏壓式功率偵測器。
在無線通訊系統上，功率偵測器為相當重要的能量感知元件。最為廣泛的例子便是使用在功率放大器的設計上。功率偵測器能耦合功率放大器輸出端所發射出之功率，並回授至後端處理器進行監控調整。如此一來，功率放大器與基地台之間的連結，能隨著訊號的強弱與距離的遠近有適應性的工作狀態，以確保不超過可容許之最大傳輸功率進而確保穩定的系統效能。
傳統上，功率偵測器分為零偏壓式以及有源式。零偏壓式功率偵測器無須額外施加任何偏壓，而有源式功率偵測器需要額外施加偏壓。請參照第1圖，第1圖繪示係為傳統零偏壓式功率偵測器之電路圖。第1圖繪示係為美國專利US3,647,845B1號揭露之傳統零偏壓式功率偵測器40。傳統零偏壓式功率偵測器40將射頻訊號經輸入端電容70耦合至二極體74，並依二極體74之功率對電流之轉導能力輸出直流電壓。電容100pF為低通濾波器，截去時變電流成分，令輸出僅為直流成分。二極體74工作在零偏壓狀態，無須額外直流電壓源，而整流效率由二極體74之製程決定。
本發明係有關於一種零偏壓式功率偵測器，係不被施加偏壓並能提供輸出訊號強度。
根據本發明，提出一種零偏壓式功率偵測器。零偏壓式功率偵測器包括零偏壓二極體及輸出提升電路，且輸出提升電路包括零偏壓電晶體。零偏壓二極體係不被施加偏壓並根據無線訊號輸出整流訊號。零偏壓電晶體係不被施加偏壓並耦接至零偏壓二極體，零偏壓電晶體用以提升整流訊號。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
下述實施例揭露數種零偏壓式功率偵測器，零偏壓式功率偵測器包括零偏壓二極體及輸出提升電路，且輸出提升電路包括零偏壓電晶體。零偏壓二極體係不被施加偏壓並根據無線訊號輸出整流訊號。零偏壓電晶體係不被施加偏壓並耦接至零偏壓二極體，零偏壓電晶體用以提升整流訊號。
請參照第2圖，第2圖繪示係為一種零偏壓式功率偵測器之方塊示意圖。零偏壓式功率偵測器2例如為一積體電路，且零偏壓式功率偵測器2包括零偏壓二極體21及輸出提升電路22。零偏壓二極體21例如為蕭特基二極體。零偏壓二極體21係不被施加偏壓以工作於零偏壓狀態，零偏壓二極體21並根據無線訊號S1輸出整流訊號S2。無線訊號S1例如為無線射頻(Radio Frequency,RF)訊號。輸出提升電路22例如為提升輸出電流訊號強度之轉導裝置，且輸出提升電路22包括零偏壓電晶體222。零偏壓電晶體222例如為場效電晶體。零偏壓電晶體222係不被施加偏壓以工作於零偏壓狀態，零偏壓電晶體222並耦接至零偏壓二極體21。零偏壓電晶體222用以提升整流訊號S2以輸出直流訊號S3。直流訊號S3例如為直流電壓或直流電流。為使零偏壓式功率偵測器2更為清晰易懂，後續茲舉數個實施例詳細說明如下。
請參照第3圖，第3圖繪示係為依照第一實施例之零偏壓式功率偵測器之電路圖。前述零偏壓式功率偵測器2例如為共源極組態，且共源極組態例如為第3圖中零偏壓式功率偵測器2a之繪示。零偏壓式功率偵測器2a包括零功率二極體21、輸出提升電路22a、輸入阻抗匹配網路(Input Matching Network,IMN)23、直流阻隔電路24、交流阻隔電路25及負載26，且輸出提升電路22a包括零偏壓電晶體222。直流阻隔電路24係耦接於輸入阻抗匹配網路23與零偏壓二極體21之間，直流阻隔電路24用以阻隔無線訊號S1中之直流成分。直流阻隔電路24包括電容C1及電感L1。電容C1之一端耦接至輸入阻抗匹配網路23，而電容C1之另一端耦接至零偏壓二極體21之陽極(anode)。電感L1之一端耦接至電容C1之另一端及零偏壓二極體21之陽極，而電感L1之另一端耦接至一接地端。電容C1隔絕直流成分，而電感L1將直流成分引導至接地端。由於無線訊號S1中之直流成分可藉由直流阻隔電路24先行隔絕，因此零偏壓二極體21能根據隔絕直流成分後之無線訊號S1進行整流以輸出整流訊號S2。整流訊號S2例如為電流。
交流阻隔電路25係耦接於零偏壓二極體21及零偏壓電晶體222之間以阻隔整流訊號S2中之交流成分。交流阻隔電路25包括電容C2及電感L2。電容C2之一端耦接至零偏壓二極體21之陰極(cathode)及電感L2之一端，而電容C2之另一端耦接至一接地端。電感L2耦接於零偏壓二極體21及零偏壓電晶體222之間。電感L2提供射頻扼流(RF Choke)功能，以阻絕高頻訊號。而電容C2將高頻訊號導引至接地端。
零偏壓電晶體222之閘極係耦接至電感L2之另一端，而零偏壓電晶體222之源極及汲極分別耦接至一接地端及負載26，以形成共源極組態。零偏壓電晶體222提升阻隔交流成分後之整流訊號S2產生直流輸出電流Io，直流輸出電流Io能藉由負載26轉換為直流輸出電壓Vo。輸出直流電壓S3。雖然零偏壓電晶體222不被施加偏壓而工作於零偏壓狀態。但由於零偏壓電晶體222之閘極與源極之間存在寄生電容，因此整流訊號S2能對零偏壓電晶體222之閘極與源極之間的寄生電容進行充電，並依電晶體的轉導特性提升電流訊號強度。如此一來，零功率二極體21及零偏壓電晶體222皆不需額外被施加偏壓即能改善零偏壓式功率偵測器2a之輸出訊號強度。
請參照第4圖，第4圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2a與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電流量測圖。前述第1圖繪示之傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電流係如第4圖繪示之電流曲線4a，而前述零偏壓式功率偵測器2a之輸出電流係如第4圖繪示之電流曲線4b。零偏壓式功率偵測器的直流輸出電流係隨無線訊號功率等比例增加。由電流曲線4a及電流曲線4b之比較可以得知零偏壓式功率偵測器2a大幅地提高直流輸出電流。
請參照第5圖，第5圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2a與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電壓量測圖。前述第1圖繪示之傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電壓係如第5圖繪示之電壓曲線5a，而前述零偏壓式功率偵測器2a之輸出電壓係如第5圖繪示之電壓曲線5b。零偏壓式功率偵測器之直流輸出電流可經由負載轉換為直流輸出電壓，因此，零偏壓式功率偵測器的直流輸出電壓亦隨無線訊號功率等比例增加。由電壓曲線5a及電壓曲線5b之比較可以得知零偏壓式功率偵測器2a大幅地提高直流輸出電壓。
請參照第6圖，第6圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2a與傳統零偏壓式功率偵測器之隔離度量測圖。前述第1圖繪示之傳統零偏壓式功率偵測器之隔離度係如第6圖繪示之隔離度曲線6a，而前述零偏壓式功率偵測器2a之隔離度係如第6圖繪示之隔離度曲線6b。由隔離度曲線6a及隔離度曲線6b之比較可以得知零偏壓式功率偵測器2a大幅地提高隔離度。
請參照第7圖，第7圖繪示係為依照第二實施例之零偏壓式功率偵測器之電路圖。前述零偏壓式功率偵測器2例如為共閘極組態，且共閘極組態例如為第7圖中零偏壓式功率偵測器2b之繪示。零偏壓式功率偵測器2b與前述零偏壓式功率偵測器2a不同之處在於輸出提升電路22b中之零偏壓電晶體222之連接方式與前述輸出提升電路22a中之零偏壓電晶體222之連接方式不同。零偏壓電晶體222之閘極係耦接至一接地端，而零偏壓電晶體222之源極及汲極分別耦接至負載26及電感L2之另一端，以形成共閘極組態。
雖然零偏壓電晶體222不被施加偏壓而工作於零偏壓狀態。但由於零偏壓電晶體222之閘極與汲極之間存在寄生電容，因此整流訊號S2能對零偏壓電晶體222之閘極與汲極之間的寄生電容進行充電，並依電晶體的轉導特性提升電流訊號強度。如此一來，零功率二極體21及零偏壓電晶體222皆不需額外被施加偏壓即能改善零偏壓式功率偵測器2b之輸出訊號強度。
請參照第8圖，第8圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2b與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電流量測圖。前述第1圖繪示之傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電流係如第8圖繪示之電流曲線8a，而前述零偏壓式功率偵測器2b之輸出電流係如第8圖繪示之電流曲線8b。零偏壓式功率偵測器的直流輸出電流係隨無線訊號功率等比例增加。由電流曲線8a及電流曲線8b之比較可以得知零偏壓式功率偵測器2b大幅地提高直流輸出電流。
請參照第9圖，第9圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2b與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電壓量測圖。前述第1圖繪示之傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電壓係如第9圖繪示之電壓曲線9a，而前述零偏壓式功率偵測器2b之輸出電壓係如第9圖繪示之電壓曲線9b。零偏壓式功率偵測器之直流輸出電流可經由負載轉換為直流輸出電壓，因此，零偏壓式功率偵測器的直流輸出電壓亦隨無線訊號功率等比例增加。由電壓曲線9a及電壓曲線9b之比較可以得知零偏壓式功率偵測器2b大幅地提高直流輸出電壓。
請參照第10圖，第10圖繪示係為依照第三實施例之零偏壓式功率偵測器之電路圖。前述零偏壓式功率偵測器2例如為共閘極組態，且共閘極組態例如為第10圖中零偏壓式功率偵測器2c之繪示。零偏壓式功率偵測器2c與前述零偏壓式功率偵測器2a不同之處在於輸出提升電路22c中之零偏壓電晶體222之連接方式與前述輸出提升電路22c中之零偏壓電晶體222之連接方式不同。零偏壓電晶體222之閘極係耦接至一接地端，而零偏壓電晶體222之源極及汲極分別耦接至電感L2之另一端及負載26，以形成共閘極組態。
雖然零偏壓電晶體222不被施加偏壓而工作於零偏壓狀態。但由於零偏壓電晶體222之閘極與源極之間存在寄生電容，因此整流訊號S2能對零偏壓電晶體222之閘極與汲極之間的寄生電容進行充電，並依電晶體的轉導特性提升電流訊號強度。如此一來，零偏壓功率二極體21及零偏壓電晶體222皆不需額外被施加偏壓即能改善零偏壓式功率偵測器2b之輸出訊號強度。
請參照第11圖，第11圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2c與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電流量測圖。前述第1圖繪示之傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電流係如第11圖繪示之電流曲線11a，而前述零偏壓式功率偵測器2c之輸出電流係如第11圖繪示之電流曲線11b。零偏壓式功率偵測器的直流輸出電流係隨無線訊號功率等比例增加。由電流曲線11a及電流曲線11b之比較可以得知零偏壓式功率偵測器2c大幅地提高直流輸出電流。
請參照第12圖，第12圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2c與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電壓量測圖。前述第1圖繪示之傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電壓係如第12圖繪示之電壓曲線12a，而前述零偏壓式功率偵測器2c之輸出電壓係如第12圖繪示之電壓曲線12b。零偏壓式功率偵測器之直流輸出電流可經由負載轉換為直流輸出電壓，因此，零偏壓式功率偵測器的直流輸出電壓亦隨無線訊號功率等比例增加。由電壓曲線12a及電壓曲線12b之比較可以得知零偏壓式功率偵測器2c大幅地提高直流輸出電壓。
雖然以上述多個實施例做說明，然不論是共源極組態或共閘極組態，只要利用零偏壓二極體搭配零偏壓電晶體來偵測無線功率即在本案揭露的範圍之內。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
2、2a、2b、2c．．．零偏壓式功率偵測器
4a、4b、8a、8b、11a、11b．．．電流曲線
5a、5b、9a、9b、12a、12b．．．電壓曲線
6a、6b．．．隔離度曲線
21．．．零偏壓二極體
22、22a、22b、22c．．．輸出提升電路
23．．．輸入阻抗匹配網路
24．．．直流阻隔電路
25．．．交流阻隔電路
26．．．負載
222．．．零偏壓電晶體
40．．．傳統零偏壓式功率偵測器
70．．．輸入端電容
72．．．電阻
74．．．二極體
S1．．．無線訊號
S2．．．整流訊號
S3．．．直流訊號
C1、C2．．．電容
L1、L2．．．電感
Io．．．直流輸出電流
Vo．．．直流輸出電壓
第1圖繪示係為傳統零偏壓式功率偵測器之電路圖。
第2圖繪示係為一種零偏壓式功率偵測器之方塊示意圖。
第3圖繪示係為依照第一實施例之零偏壓式功率偵測器之電路圖。
第4圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2a與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電流量測圖。
第5圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2a與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電壓量測圖。
第6圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2a與傳統零偏壓式功率偵測器之隔離度量測圖。
第7圖繪示係為依照第二實施例之零偏壓式功率偵測器之電路圖。
第8圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2b與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電流量測圖。
第9圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2b與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電壓量測圖。
第10圖繪示係為依照第三實施例之零偏壓式功率偵測器之電路圖。
第11圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2c與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電流量測圖。
第12圖繪示係為零偏壓式功率偵測器2c與傳統零偏壓式功率偵測器之輸出電壓量測圖。
2‧‧‧零偏壓式功率偵測器
21‧‧‧零偏壓二極體
22‧‧‧輸出提升電路
222‧‧‧零偏壓電晶體
S1‧‧‧無線訊號
S2‧‧‧整流訊號
S3‧‧‧直流訊號
Claims (10)
- 一種零偏壓式功率偵測器，包括：一零偏壓二極體，係不被施加偏壓並根據一無線射頻訊號(Radio Frequency,RF)輸出一整流訊號；以及一輸出提升電路，包括：一零偏壓電晶體，係不被施加偏壓並耦接至該零偏壓二極體，該零偏壓電晶體用以提升該整流訊號以輸出一直流訊號。
- 如申請專利範圍第1項所述之零偏壓式功率偵測器，更包括：一直流阻隔電路，係耦接至該零偏壓二極體並用以阻隔該無線射頻訊號中之直流成分。
- 如申請專利範圍第2項所述之零偏壓式功率偵測器，其中該直流阻隔電路包括：一電容，耦接至該零偏壓二極體；以及一電感，該電感之一端耦接至該電容及該零偏壓二極體，該電感之另一端耦接至一接地端。
- 如申請專利範圍第1項所述之零偏壓式功率偵測器，更包括：一交流阻隔電路，係耦接於該零偏壓二極體及該零偏壓電晶體之間以阻隔該整流訊號中之交流成分。
- 如申請專利範圍第4項所述之零偏壓式功率偵測器，其中該交流阻隔電路包括：一電容，耦接至該零偏壓二極體；以及一電感，耦接於該零偏壓二極體及該零偏壓電晶體之 間。
- 如申請專利範圍第1項所述之零偏壓式功率偵測器，其中該零偏壓電晶體之控制端耦接至該零偏壓二極體，該零偏壓電晶體之第一端耦接至一負載，該零偏壓電晶體之第二端耦接至一接地端。
- 如申請專利範圍第6項所述之零偏壓式功率偵測器，其中該零偏壓電晶體之控制端係為閘極，該零偏壓電晶體之第一端係為汲極，該零偏壓電晶體之第二端係為源極。
- 如申請專利範圍第1項所述之零偏壓式功率偵測器，其中該零偏壓電晶體之第一端耦接至該零偏壓二極體，該零偏壓電晶體之控制端耦接至一接地端，該零偏壓電晶體之第二端耦接至一負載。
- 如申請專利範圍第8項所述之零偏壓式功率偵測器，其中該零偏壓電晶體之控制端係為閘極，該零偏壓電晶體之第一端係為汲極，該零偏壓電晶體之第二端係為源極。
- 如申請專利範圍第8項所述之零偏壓式功率偵測器，其中該零偏壓電晶體之控制端係為閘極，該零偏壓電晶體之第一端係為源極，該零偏壓電晶體之第二端係為汲極。
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Family Cites Families (26)
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|---|---|---|---|---|
| US3647845A (en) | 1969-09-12 | 1972-03-07 | John B Wilkes | Stabilization of cobalt carbonyl compounds by azoxy-dentated ligands |
| US4647848A (en) * | 1984-03-05 | 1987-03-03 | Tektronix, Inc. | Broadband RF power detector using FET |
| US4647845A (en) | 1984-09-20 | 1987-03-03 | Hewlett-Packard Company | Apparatus and method for utilizing an AC detection scalar network analyzer with a CW signal source |
| DE3854457T2 (de) * | 1987-07-07 | 1996-02-29 | Nippon Denso Co | Stromdetektoranordnung mit ferromagnetischem Magnetwiderstandselement. |
| JPH04155981A (ja) | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Fujitsu Ltd | レーザーのａｐｃ回路のシャットダウン方式 |
| US5446366A (en) | 1994-02-08 | 1995-08-29 | Computer Products, Inc. | Boost converter power supply with reduced losses, control circuit and method therefor |
| US6291982B1 (en) | 1999-04-09 | 2001-09-18 | Agilent Technologies, Inc. | True average wide dynamic range power sensor |
| US6204727B1 (en) * | 1999-09-20 | 2001-03-20 | Nokia Telecommunications Oy | Precision controlled RF power detector circuit |
| CA2380829A1 (en) | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Sony Corporation | Power detecting circuit and demodulator comprising the same |
| EP1184671B1 (en) | 2000-08-24 | 2006-12-06 | Sony Deutschland GmbH | Power detector using FET transistor |
| US6531860B1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-03-11 | Qualcomm Inc. | Integrated power detector with temperature compensation |
| JP4099580B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2008-06-11 | ソニー株式会社 | 電力増幅器 |
| TWM247833U (en) | 2003-10-29 | 2004-10-21 | Beyond Broadband Networks Inc | Power detection device for radio signal |
| TW200522335A (en) | 2003-12-16 | 2005-07-01 | Richwave Technology Corp | Wireless output chip and related producing method with power detector |
| FI116109B (fi) | 2004-05-10 | 2005-09-15 | Abb Oy | Puolijohdekomponentin ohjauskytkentä |
| US7812576B2 (en) | 2004-09-24 | 2010-10-12 | Marvell World Trade Ltd. | Power factor control systems and methods |
| US7609115B2 (en) | 2007-09-07 | 2009-10-27 | Raytheon Company | Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry |
| EP2252986A1 (en) * | 2008-03-07 | 2010-11-24 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Method of actuating a switch between a device and a power supply |
| TWI470915B (zh) | 2008-03-21 | 2015-01-21 | Marvell World Trade Ltd | 升壓轉換器及功率因數控制器 |
| JP4917567B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2012-04-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 起動信号検出回路 |
| JP2010041233A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Panasonic Corp | 検波回路及び無線通信システム |
| CN101477147B (zh) | 2008-11-25 | 2010-12-22 | 锐迪科科技有限公司 | 射频功率检测电路 |
| US8338991B2 (en) * | 2009-03-20 | 2012-12-25 | Qualcomm Incorporated | Adaptive impedance tuning in wireless power transmission |
| US8779857B2 (en) * | 2009-08-14 | 2014-07-15 | Qualcomm Incorporated | Amplifier with variable matching circuit to improve linearity |
| CN101778502A (zh) | 2009-12-25 | 2010-07-14 | 安徽问天量子科技股份有限公司 | 一种发光二极管开路保护专用集成电路 |
| US8278963B2 (en) | 2010-04-12 | 2012-10-02 | Sige Semiconductor Inc. | Power detector and method for detecting power |
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2010
- 2010-09-10 TW TW099130760A patent/TWI428611B/zh not_active IP Right Cessation
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