TWI656726B - Integrated circuit structure using RF amplifier - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種使用射頻放大器之積體電路結構，該結構係包括一訊號處理電路及一射頻放大器，該射頻放大器係電性連接該訊號處理電路，透過匹配該射頻放大器與該積體電路的一輸入端或輸出端，藉以達到降低積體電路雜訊，及增加工作頻率之目的。
Description
本發明係有關於一種積體電路結構，更詳而言之，尤指一種使用射頻放大器之積體電路結構。
積體電路常會利用一射頻疊層放大器(radio frequency cascode)作為該積體電路輸出或輸入，在使用射頻疊層放大器的情況下，會造成該積體電路所產生之雜訊增加的情況，但若是積體電路不使用射頻疊層放大器的情況，雖可以獲得低雜訊的輸出值，但該積體電路則無法得到所要增益效果，因此常見到為降低雜訊的產生，增加一常規的射頻放大器，該種設置方式雖可以抑制雜訊的產生，但在積體電路所可運用的工作頻率受到限制，因此如何提供一可以降低雜訊，且又不影響所使用之工作頻率的射頻放大器，亦為目前較為重要之研究目標。
鑒於上述習知技術之缺點，本發明主要之目的在於提供一種使用射頻放大器之積體電路結構，透過該種設置方式，藉以達到降低雜訊之目的。
本發明另一目的在於提供一種可運用於不同頻
率之積體電路結構。
為達上述目的，本發明係提供一種使用射頻放大器之積體電路結構，該結構係包括一訊號處理電路及一射頻放大器，該射頻放大器係電性連接該訊號處理電路，該射頻放大器包括一電晶體、一變壓器及一可變電容器，且該電晶體具有一輸入端、一輸出端及一控制端，該變壓器具有第一線圈導體和一第二線圈導體，該第一線圈導體與該第二線圈導體磁性耦合，該第二線圈導體電性連接該控制端，該第一線圈導體電性連接該輸入端，該可變電容器與該第二線圈導體並聯，其中，該射頻放大器配至成該積體電路的一輸入端或輸出端，藉以達到降低積體電路雜訊，及增加工作頻率之目的。
100‧‧‧射頻放大器
M‧‧‧電晶體
Ctune‧‧‧可變電容器
Cpad‧‧‧焊盤電容器
Cbypass‧‧‧旁路電容器
Vin‧‧‧信號輸入端
Vout‧‧‧信號輸出端
Rout‧‧‧輸出電阻
N1‧‧‧第一線圈導體
N2‧‧‧第二線圈導體
L‧‧‧電感
200‧‧‧積體電路結構
210‧‧‧訊號處理電路
第1圖係為本發明使用射頻放大器之積體電路結構示意圖。
第2圖係為本發明使用射頻放大器之積體電路結構示意圖。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容瞭解本發明之其他優點與功效。
請參閱第1圖，係為本發明使用射頻放大器之積
體電路結構示意圖，如圖所示，該積體電路結構200係由一訊號輸入端Vin、一訊號輸出端Vout、一訊號處理電路210及一射頻放大器100組成，該射頻放大器100包括一電晶體M、一變壓器及一可變電容器Ctune，該變壓器包括第一線圈導體N1和第二線圈導體N2，該第一線圈導體N1和第二線圈導體N2磁性連接，且第一線圈導體N1與第二線圈導體N2磁力耦合，第二線圈導體N2之一端電性連接射頻放大器100的電晶體M的控制端，第一線圈導體N1之一端電性連接電晶體M的輸入端，第一線圈導體N1之另一端電性連接接地端，該射頻放大器100複包括一電晶體M、一電感L及一旁路電容器Cbypass，該電晶體M有一輸入端、一輸出端及一控制端。
電晶體M有一輸入端、輸出端及一控制端，在具體實施上該電晶體M，是為一MOS電晶體，該信號輸入端Vin經由一焊盤電容器(Cpad)電性連接該接地端，該電晶體的該輸入端與電感器電性連接，而該電感器與該信號輸入端Vin電性連接，以及該可變電容器(Ctune)，係與該第二線圈導體並聯，其中，於使用該射頻放大器之積體電路上，常會因為該洩漏端(輸出)所輸出的增益變異造成輸出電阻Rout混亂，故增加可變電容器Ctune進行增益值的調整，透過第一線圈導體N1改變積體電路的磁通量，因為阻抗及磁通量的改變，會造成第二線圈導體N2變化，進而達到調整工作頻率及減少雜訊的目的；其中，複包括一信號輸出端和一信號輸入端，且該信號輸入端電性
連接該電晶體M的輸入端，該信號輸出端電性連接該電晶體M的輸出端；一電性連接該信號輸入端和該電晶體輸入端的電感器；一電性連接該信號輸入端的基板電容；第二線圈導體之另一端經由旁路電容器(Cbypass)電性連接該接地端。
請參閱第2圖，係為本發明使用射頻放大器之積體電路結構示意圖，如圖所示，該使用射頻放大器之積體電路結構200係包括一訊號處理電路210，及一電性連接該訊號處理電路210之射頻放大器100，當一輸入信號進入該訊號處理電路210時，該射頻放大器100放大該輸入信號，並對該輸入信號進行迴傳之動作，其中，該射頻放大器100與一積體電路電性連接，透過該射頻放大器100對該積體電路進行匹配，故可以減少積體電路使用放大器所產生之雜訊，進一步達到增加工作使用頻率之目的。
上述之實施例僅為例示性說明本發明之特點及其功效，而非用於限制本發明之實質技術內容的範圍。任何熟習此技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與變化。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
Claims (3)
- 一種使用射頻放大器之積體電路結構，該結構係由一訊號輸入端、一訊號輸出端、一訊號處理電路及一射頻放大器組成，且該射頻放大器包括一電晶體、一變壓器與一可變電容器(Ctune)組成，其中該訊號處理電路與該射頻放大器電性連接，該射頻放大器的該變壓器中的一第一線圈導體與一第二線圈導體磁力耦合，該第二線圈導體之一端電性連接該射頻放大器的該電晶體的一控制端，該第一線圈導體之一端電性連接該電晶體的一輸入端，該第一線圈導體之另一端電性連接一接地端，以及該電晶體的一輸出端電性連接該信號輸出端，該輸入端電性連接該該信號輸入端其中，該電晶體的該輸入端與一電感器電性連接，而該電感器與該信號輸入端電性連接，以及該可變電容器(Ctune)，係與該第二線圈導體並聯，並透過該可變電容器(Ctune)進行調整該變壓器之匹配值，其中，該射頻放大器配置成該積體電路的一輸入端或一輸出端。
- 如申請專利範圍第1項所述之積體電路結構，其中，該信號輸入端經由一焊盤電容器(Cpad)電性連接該接地端。
- 如申請專利範圍第1項所述之積體電路結構，其中，該第二線圈導體之另一端經由一旁路電容器(Cbypass)電性連接該接地端。
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2017
- 2017-12-26 TW TW106145786A patent/TWI656726B/zh active
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| TW201929421A (zh) | 2019-07-16 |
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