JP2014146783A - ランプユニット - Google Patents
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Abstract
【課題】実施形態は、発光素子にボンディングされるワイヤを保護し、光の損失を減少させ得るランプユニットを提供する。
【解決手段】第１の基板；前記第１の基板上に配置される第２の基板；前記第２の基板上に配置される発光素子；前記第２の基板上に配置される第１の導電層及び第２の導電層；前記第１の導電層及び前記第２の導電層のうち少なくとも一つと前記発光素子とを電気的に連結する少なくとも一つのワイヤ；前記発光素子上に配置され、前記発光素子から照射される光の波長を変換する波長変換層；及び前記発光素子及び前記少なくとも一つのワイヤを包囲するように前記第１の基板及び前記第２の基板上に配置される保護層；を含み、前記保護層の上部面及び前記波長変換層の上部面は、それぞれ前記少なくとも一つのワイヤの最高点より高く位置するランプユニットを構成する。
【選択図】図１
【解決手段】第１の基板；前記第１の基板上に配置される第２の基板；前記第２の基板上に配置される発光素子；前記第２の基板上に配置される第１の導電層及び第２の導電層；前記第１の導電層及び前記第２の導電層のうち少なくとも一つと前記発光素子とを電気的に連結する少なくとも一つのワイヤ；前記発光素子上に配置され、前記発光素子から照射される光の波長を変換する波長変換層；及び前記発光素子及び前記少なくとも一つのワイヤを包囲するように前記第１の基板及び前記第２の基板上に配置される保護層；を含み、前記保護層の上部面及び前記波長変換層の上部面は、それぞれ前記少なくとも一つのワイヤの最高点より高く位置するランプユニットを構成する。
【選択図】図１
Description
実施形態は、ランプユニット及び車両ランプ装置に関する。
一般に、ランプは、特定の目的のために光を供給又は調節する装置をいう。ランプの光源としては、白熱電球、蛍光灯、ネオン灯などを使用することができ、最近は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が使用されている。
ＬＥＤは、化合物半導体特性を用いて電気信号を赤外線又は光に変化させる素子であって、蛍光灯とは異なり、水銀などの有害物質を使用しないため環境汚染を誘発する原因が少ない。また、ＬＥＤの寿命は、白熱電球、蛍光灯、ネオン灯の寿命より長い。また、白熱電球、蛍光灯、ネオン灯などと比較すると、ＬＥＤは、電力消費が少なく、高い色温度によって視認性に優れ、眩しさが少ないという長所を有する。
実施形態は、発光素子にボンディングされるワイヤを保護し、光の損失を減少させ得るランプユニットを提供する。
実施形態は、第１の基板；前記第１の基板上に配置される第２の基板；前記第２の基板上に配置される発光素子；前記第２の基板上に配置される第１の導電層及び第２の導電層；前記第１の導電層及び前記第２の導電層のうち少なくとも一つと前記発光素子とを電気的に連結する少なくとも一つのワイヤ；及び前記発光素子及び前記少なくとも一つのワイヤを包囲するように前記第１の基板及び前記第２の基板上に配置される保護層；を含み、前記保護層の上部面は、前記少なくとも一つのワイヤの最高点より高く位置する。
前記保護層は、光を反射するモールディング部材からなり得る。又は、前記保護層は、透光性モールディング部材からなり得る。
前記保護層は、前記発光素子の側面と接することができる。
前記発光素子の上部面は、前記保護層の上部面と同一の平面上に位置し得る。
前記発光素子の上部面は、前記保護層から露出し得る。
前記発光素子は、第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含み、光を発生する発光構造物；及び前記発光構造物上に配置され、前記発光構造物から照射される光の波長を変換する波長変換層；を含むことができる。
前記第１の基板はキャビティを有し、前記第２の基板を前記キャビティ内に配置し、前記保護層は前記キャビティ内に充填することができる。
前記ランプユニットは、前記第２の基板上に配置される第３の導電層及び第４の導電層；前記第１の導電層と前記第３の導電層とを電気的に連結する第１のワイヤ；及び前記第２の導電層と前記第４の導電層とを電気的に連結する第２のワイヤ；をさらに含み、前記保護層は、前記第１のワイヤ及び前記第２のワイヤを包囲することができる。
前記ランプユニットは、前記発光素子に対応して前記保護層上に配置されるレンズをさらに含むことができる。
前記第１の基板はＭＣＰＣＢ（Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅｄ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）で、前記第２の基板はセラミック基板であり得る。
他の実施形態に係るランプユニットは、第１の基板；前記第１の基板上に配置される第２の基板；前記第２の基板上に配置される発光素子；前記第２の基板上に配置される第１の導電層及び第２の導電層；前記第１の導電層及び前記第２の導電層のうち少なくとも一つと前記発光素子とを電気的に連結する少なくとも一つのワイヤ；前記発光素子上に配置され、前記発光素子から照射される光の波長を変換する波長変換層；及び前記発光素子及び前記少なくとも一つのワイヤを包囲するように前記第１の基板及び前記第２の基板上に配置される保護層；を含み、前記保護層の上部面は前記少なくとも一つのワイヤの最高点より高く位置する。
前記波長変換層の上部面は、前記少なくとも一つのワイヤの最高点より高く位置し得る。
前記保護層は、光を反射するモールディング部材からなり得る。又は、前記保護層は、透光性モールディング部材からなり得る。
前記保護層は、前記発光素子の側面及び前記波長変換層の側面と接することができる。
前記波長変換層の上部面は、前記保護層から露出し得る。
前記発光素子は、第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含み、光を発生する発光構造物を備えており、前記発光素子は、青色光、緑色光、赤色光、及び黄色光のうちいずれか一つを放出することができる。
前記ランプユニットは、前記発光素子に対応して前記保護層及び前記波長変換層上に配置されるレンズをさらに含むことができる。
前記発光素子の数は複数であって、各発光素子は、互いに離隔するように位置し得る。前記波長変換層は、複数の部分を含み、前記複数の部分は、それぞれ前記各発光素子のうちいずれか一つに対応するように位置し得る。又は、前記波長変換層は、前記複数の発光素子がそれぞれ位置する領域、及び隣接する２個の発光素子の間の領域に対応するように位置し得る。
前記ランプユニットは、前記保護層の外周面に接するように前記第１の基板上に配置され、前記保護層の縁部を支持するモールディング固定部をさらに含むことができる。
実施形態は、発光素子にボンディングされるワイヤを保護し、光の損失を減少させることができる。
以下、各実施形態は、添付の図面及び各実施形態についての説明を通して明白になるだろう。実施形態の説明において、各層（膜）、領域、パターン又は各構造物が基板、各層（膜）、領域、パッド又は各パターンの「上（ｏｎ）」に又は「下（ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合、「上（ｏｎ）」と「下（ｕｎｄｅｒ）」は、「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」又は「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されることを全て含む。また、各層の上又は下に対する基準は図面に基づいて説明する。
図面において、大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張したり、省略したり、又は概略的に示した。また、各構成要素の大きさは、実際の大きさを全的に反映するものではない。また、同一の参照番号は、図面の説明を通して同一の要素を示す。以下、添付の図面を参照して実施形態に係るランプユニット及びこれを含む車両用ランプ装置を説明する。
図１は、実施形態に係るランプユニット１００の平面図で、図２は、図１に示したランプユニット１００のＡＢ方向の断面図である。
図１及び図２を参照すると、ランプユニット１００は、第１の基板１０１、第２の基板１０２、複数の導電層１１２、１１４、１２２、１２４、発光素子１３０、保護層１４０、波長変換層１５０、及び複数のワイヤ１６２、１６４、１６６を含む。
第２の基板１０２は第１の基板１０１上に配置することができ、第２の基板１０２の面積は第１の基板１０１の面積より小さくなり得る。他の実施形態においては、第２の基板１０２の面積は第１の基板１０１の面積と同一であり得る。
第１の基板１０１は第１の熱伝導率を有する基板で、第２の基板１０２は第２の熱伝導率を有する基板で、第１の熱伝導率は第２の熱伝導率より大きくなり得る。これは、第２の基板１０２上に配置される発光素子１３０から発生する熱を第１の基板１０１を通して外部に迅速に放出するためである。
第１の基板１０１は、金属基板、例えば、ＭＣＰＣＢ（Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅｄ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）であり得る。第１の基板１０１は、熱伝導性の高い放熱プレートであって、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）から選ばれたいずれか一つの物質又はそれらの合金で形成することができる。
第２の基板１０２は絶縁基板であり得る。例えば、第２の基板１０２は、熱伝導率の高いセラミック基板であり得る。第２の基板１０２は、窒化物、例えば、ＡｌＮで形成することができる。又は、第２の基板１０２は、陽極酸化層（ａｎｏｄｉｚｅｄ ｌａｙｅｒ）を含むこともできる。
第１の基板１０１と第２の基板１０２は多様な形態に形成することができる。
一実施形態として、第１の基板１０１は、所定領域にキャビティ１０５を有することができ、第２の基板１０２は、第１の基板１０１のキャビティ１０５内に配置することができる。このとき、第１の基板１０１はＡｌ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくともいずれか一つを含むことができ、第２の基板１０２はＡｌＮを含むことができる。
他の実施形態として、第１の基板１０１と第２の基板１０２は、順次積層された積層構造からなる場合もある。このとき、第１の基板１０１はＡｌ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくともいずれか一つを含むことができ、第２の基板１０２は陽極酸化層を含むことができる。
更に他の実施形態として、第１の基板１０１と第２の基板１０２は互いに同一の物質からなり、このとき、第１の基板１０１と第２の基板１０２はＡｌＮ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕのうち少なくともいずれか一つを含むことができる。
発光素子１３０が配置される第２の基板１０２の上部表面は、平らな平面であるか、凹状の曲面又は凸状の曲面からなる場合もある。又は、第２の基板１０２の上部表面は、凹状の曲面、凸状の曲面、平らな平面のうち少なくとも二つの形状が混合された形態であってもよい。
第３の導電層１１２及び第４の導電層１１４は、第１の基板１０１上に互いに離隔するように配置することができる。第１の基板１０１は、第３の導電層１１２及び第４の導電層１１４を含む第１の回路パターンを含むことができる。第３の導電層１１２及び第４の導電層１１４の形状は、図１に示したものに限定されることはなく、多様な形態に具現することができる。
第１の導電層１２２及び第２の導電層１２４は、第２の基板１０２上に互いに離隔するように配置することができる。第２の基板１０２は、第１の導電層１２２及び第２の導電層１２４を含む第２の回路パターンを含むことができる。
発光素子１３０は第２の基板１０２上に配置される。発光素子１３０の数は１個以上であり得る。例えば、図１に示したように、発光素子１３０の数は複数であり、複数の発光素子１３０は、互いに離隔するように第２の基板１０２上に配置することができる。
第２の導電層１２４は複数であり、複数の第２の導電層は互いに離隔するように配置できるが、これに限定されることはなく、互いに連結された一つの導電層を形成することもできる。
図１において第１の導電層１２２は一つであるが、これに限定されることはなく、複数であってもよく、複数の第１の導電層は互いに離隔するように配置することができ、それぞれの第１の導電層１２２にはワイヤ１６６をボンディングすることができる。
図２８は、図１に示した発光素子１３０の一実施形態を示す。
図２８を参照すると、発光素子１３０は、第２の電極４０５、保護層４４０、電流遮断層４４５、発光構造物４５０、パッシベーション層４６５、及び第１の電極４７０を含む。例えば、発光素子１３０は、発光ダイオードチップ形態であり得る。
第２の電極４０５は、第１の電極４７０と共に発光構造物４５０に電源を提供する。第２の電極４０５は、支持層４１０、接合層４１５、バリア層４２０、反射層４２５、及びオーミック層４３０を含むことができる。
支持層４１０は、発光構造物４５０を支持する。支持層４１０は、金属又は半導体物質で形成することができる。また、支持層４１０は、電気伝導性と熱伝導性の高い物質で形成することができる。例えば、支持層４１０は、銅（Ｃｕ）、銅合金（Ｃｕ ａｌｌｏｙ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び銅―タングステン（Ｃｕ―Ｗ）のうち少なくとも一つを含む金属物質で形成したり、又はＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣのうち少なくとも一つを含む半導体で形成することができる。
接合層４１５は、支持層４１０とバリア層４２０との間に配置することができ、支持層４１０とバリア層４２０を接合させるボンディング層としての役割をすることができる。接合層４１５は、金属物質、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕのうち少なくとも一つを含むことができる。接合層４１５は、支持層４１０をボンディング方式で接合するために形成するものであるので、支持層４１０をめっきや蒸着方法で形成する場合、接合層４１５は省略することができる。
バリア層４２０は、反射層４２５、オーミック層４３０、及び保護層４４０の下側に配置され、接合層４１５及び支持層４１０の金属イオンが反射層４２５及びオーミック層４３０を通過して発光構造物４５０に拡散されることを防止することができる。例えば、バリア層４２０は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏのうち少なくとも一つを含むことができ、単層又は多層からなり得る。
反射層４２５は、バリア層４２０上に配置することができ、発光構造物４５０から入射される光を反射させ、光抽出効率を改善することができる。反射層４２５は、光反射物質、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含む金属又は合金で形成することができる。
反射層４２５は、金属又は合金とＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの透光性伝導性物質を用いて多層に形成することができ、例えば、ＩＺＯ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどで形成することができる。
オーミック層４３０は、反射層４２５と第２の半導体層４５２との間に配置することができ、第２の半導体層４５２にオーミック接触し、発光構造物４５０への電源供給を円滑にすることができる。
透光性伝導層と金属を選択的に使用してオーミック層４３０を形成することができる。例えば、オーミック層４３０は、第２の半導体層４５２とオーミック接触する金属物質、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくともいずれか一つを含むことができる。
保護層４４０は、第２の電極層４０５の縁部領域上に配置することができる。例えば、保護層４４０は、オーミック層４３０の縁部領域、反射層４２５の縁部領域、バリア層４２０の縁部領域、又は支持層４１０の縁部領域上に配置することができる。
保護層４４０は、発光構造物４５０と第２の電極層４０５との間の界面剥離によって発光素子１３０の信頼性が低下することを防止することができる。保護層４４０は、電気絶縁性物質、例えば、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯｘ（ｘは正の実数）、又はＡｌ２Ｏ３などで形成することができる。
電流遮断層４４５は、オーミック層４３０と発光構造物４５０との間に配置することができる。電流遮断層４４５の上面は第２の半導体層４５２と接触し、電流遮断層４４５の下面、又は下面と側面はオーミック層４３０と接触することができる。電流遮断層４４５は、垂直方向に第１の電極４７０と少なくとも一部が空間的にオーバーラップされるように配置することができる。
電流遮断層４４５は、オーミック層４３０と第２の半導体層４５２との間に形成したり、反射層４２５とオーミック層４３０との間に形成することができ、これについて限定することはない。
発光構造物４５０は、オーミック層４３０及び保護層４４０上に配置することができる。発光構造物４５０の側面は、単位チップに区分するアイソレーションエッチング過程で傾斜面になり得る。発光構造物４５０は、第２の半導体層４５２、活性層４５４、及び第１の半導体層４５６を含むことができ、光を発生することができる。
第２の半導体層４５２は、３族―５族、２族―６族などの化合物半導体で具現することができ、これには第２の導電型ドーパントをドーピングすることができる。例えば、第２の半導体層４５２は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体で形成することができ、これにはｐ型ドーパント（例えば、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）をドーピングすることができる。
活性層４５４は、第１の半導体層４５６及び第２の半導体層４５２から提供される電子と正孔の再結合過程で発生するエネルギーによって光を生成することができる。
活性層４５４は、半導体化合物、例えば、３族―５族、２族―６族の化合物半導体で形成し、単一井戸構造、多重井戸構造、量子線（Ｑｕａｎｔｕｍ―Ｗｉｒｅ）構造、又は量子点（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）構造などに形成することができる。活性層４５４が量子井戸構造である場合は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する井戸層と、ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）の組成式を有する障壁層とを備える単一又は量子井戸構造にすることができる。井戸層は、障壁層のエネルギーバンドギャップより低いバンドギャップを有する物質であり得る。
第１の半導体層４５６は、３族―５族、２族―６族などの化合物半導体で具現することができ、これには第１の導電型ドーパントをドーピングすることができる。例えば、第１の半導体層４５６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体で形成することができ、これにはｎ型ドーパント（例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなど）をドーピングすることができる。
発光素子１３０は、発光構造物４５０の第１の半導体層４５６、活性層４５４、及び第２の半導体層４５２の組成によって青色光、赤色光、緑色光、及び黄色光のうちいずれか一つを放出することができる。
パッシベーション層４６５は、発光構造物４５０を電気的に保護するために発光構造物４５０の側面に配置することができる。パッシベーション層４６５は、第１の半導体層４５６の上面一部又は保護層４４０の上面にも配置することができる。パッシベーション層４６５は、絶縁物質、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、又はＡｌ２Ｏ３で形成することができる。
第１の電極４７０は、第１の半導体層４５６上に配置することができる。第１の電極４７０は、所定のパターン形状であり得る。第１の電極４７０は、ワイヤボンディングのためのパッド部、及びパッド部から拡張される枝電極（図示せず）を含むことができる。
第１の半導体層４５６の上面には、光抽出効率を増加させるためにラフネスパターン（図示せず）を形成することができる。また、光抽出効率を増加させるために、第１の電極４７０の上面にもラフネスパターン（図示せず）を形成することができる。
発光素子１３０は、第１の導電層１２２と第２の導電層１２４に電気的に連結することができる。発光素子１３０の数が複数であるとき、複数の発光素子は、第１の導電層１２２と第２の導電層１２４に電気的に連結することができる。
発光素子１３０の第２の電極４０５は、共晶ボンディング（ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）又はダイボンディングを用いて第２の基板１０２上に配置された第２の導電層１２４にボンディングし、第２の導電層１２４と電気的に連結することができる。
ワイヤ１６６は、発光素子１３０の第１の電極４７０と第２の基板１０２上に配置された第１導電層１２２とを電気的に連結することができる。ワイヤ１６６の数は１個以上であり得る。
ワイヤ１６２は、第２の基板１０２上に配置された第１の導電層１２２と第１の基板１０１上に配置された第３の導電層１１２とを電気的に連結することができる。ワイヤ１６２の数は１個以上であり得る。
ワイヤ１６４は、第２の基板１０２上に配置された第２の導電層１２４と第１の基板１０１上に設けられた第４の導電層１１４とを電気的に連結することができる。ワイヤ１６４の数は１個以上であり得る。
波長変換層１５０は、発光素子１３０の上部に位置し、発光素子１３０から発生する光の波長を変化させることができる。波長変換層１５０は、エポキシ又はシリコンなどの無色透明な高分子樹脂及び蛍光体を含むことができる。波長変換層１５０は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び黄色蛍光体のうち少なくとも一つを含むことができる。波長変換層１５０は、ワイヤ１６６の一部を覆うことができる。ワイヤ１６６の数が複数であるとき、保護層は、複数のワイヤのそれぞれの一部を覆うことができる。
保護層１４０は、発光素子１３０及び各ワイヤ１６２〜１６６を包囲するように第１の基板１０１及び第２の基板１０２上に配置される。保護層１４０は、第１の基板１０１のキャビティ１０５に充填することができる。保護層１４０の上部面は、ワイヤ１６６の最高点より高く位置し得る。
保護層１４０は、各ワイヤ１６２〜１６６を包囲し、各ワイヤ１６２〜１６６が外部に露出したり、突出することを防止することができる。保護層を備えることによって、実施形態は、ワイヤ（例えば、１６６）が衝撃又は圧力によって破損又は変形したり、空気などによって腐食することを防止することができ、その結果、発光素子１３０の破損又は誤動作を防止することができる。
保護層１４０は、光を反射できる非伝導性モールディング部材、例えば、ホワイトシリコンからなり得るが、これに限定されることはない。
保護層１４０は、発光素子１３０、例えば、図１に示した複数の発光素子と密着し、発光素子１３０から照射される光を直ぐ反射させるので、実施形態は、空気又は第１の基板１０１及び第２のと基板１０２による吸収及び透過によって発生する光損失を減少させることができ、発光効率を向上させることができる。
図３は、第１の実施形態に係る波長変換層１５０とワイヤ１６６の拡大図である。
図３を参照すると、保護層１４０は、波長変換層１５０の側面１５２及び発光素子１３０の側面と接することができ、波長変換層１５０の側面１５２を覆うことができる。
波長変換層１５０の上部面１５４は平らであり、保護層１４０から露出し得る。
波長変換層１５０の上部面１５４は、保護層１４０の上部面１４２と同一の平面上に位置し得る。発光素子１３０の上面から波長変換層１５０の上部面１５４までの高さＨ２は、発光素子１３０の上面から保護層１４０の上部面１４２までの高さＨ３と同一であり得る（Ｈ２＝Ｈ３）。
ワイヤ１６６を保護するために、波長変換層１５０の上部面１５４及び保護層１４０の上部面１４２は、ワイヤ１６６の最高点Ｔ１より高く位置し得る。
発光素子１３０の上面から波長変換層１５０の上部面１５４及び保護層１４０の上部面１４２までの高さは、少なくとも５０μmを超えることができる。これは、実質的に工程上可能なワイヤ１６６の最高点Ｔ１の最低高さＨ１が約５０μmであるためである。したがって、発光素子１３０の上面から波長変換層１５０の上部面１５４及び保護層１４０の上部面１４２までの高さが５０μm以下である場合、ワイヤ１６６が保護層１４０から露出し得る。
発光素子１３０の上面から波長変換層１５０の上部面１５４までの高さＨ２は、発光素子１３０の上面からワイヤ１６６の最高点Ｔ１までの高さＨ１より高くなり得る（Ｈ２＞Ｈ１）。これは、ワイヤ１６６の露出を防止するためである。
図４は、第２の実施形態に係る波長変換層１５０―１とワイヤ１６６の拡大図である。
図４を参照すると、波長変換層１５０―１の上部面１５４―１は、保護層１４０の上部面１４２より高く位置し得る。波長変換層１５０―１の上部面１５４―１は、保護層１４０の上部面１４２から突出した構造であり得る。
発光素子１３０の上面から波長変換層１５０―１の上部面１５４―１までの高さＨ４は、発光素子１３０の上面から保護層１４０の上部面１４２までの高さＨ３より高くなり得る（Ｈ４＞Ｈ３）。
図５は、第３の実施形態に係る波長変換層１５０―２とワイヤ１６６の拡大図である。
図５を参照すると、波長変換層１５０―２の上部面１５４―２は、保護層１４０の上部面１４２より低く位置し得る。発光素子１３０の上面から波長変換層１５０―２の上部面１５４―２までの高さＨ５は、発光素子１３０の上面から保護層１４０の上部面１４２までの高さＨ３より低く、ワイヤ１６６の最高点Ｔ１の高さＨ１より高くなり得る（Ｈ１＜Ｈ５＜Ｈ３）。
図６は、第４の実施形態に係る波長変換層１５０―３とワイヤ１６６の拡大図である。
図６を参照すると、波長変換層１５０―３の上部面１５４―３は曲面であり得る。例えば、波長変換層１５０―３の上部面１５４―３はドーム状又は半球状であり得る。波長変換層１５０―３の上部面１５４―３が曲面であるので、第４の実施形態は、発光素子１３０から照射される光を屈折させることによって指向角を向上させることができる。
発光素子１３０の数が複数であるとき、図３ないし図６での説明は、図１に示した複数の発光素子に同一に適用することができる。
図７は、一実施形態に係る波長変換層１５０を示す。
図７を参照すると、発光素子１３０の数が複数であるとき、波長変換層１５０は、各発光素子１３０がそれぞれ位置する各領域Ｓ１〜Ｓ４に対応するように位置し得る。波長変換層１５０は、複数の互いに離隔する各部分（例えば、１５０―ａ、１５０―ｂ、１５０―ｃ、１５０―ｄ）を含むことができ、各部分（例えば、１５０―ａ、１５０―ｂ、１５０―ｃ、１５０―ｄ）のそれぞれは、図１に示した各発光素子のうちいずれか一つに対応するように位置し得る。
図８は、他の実施形態に係る波長変換層１５０'を示す。
図８を参照すると、発光素子１３０の数が複数であるとき、波長変換層１５０'は、図１に示した各発光素子がそれぞれ位置する領域及び隣接する２個の発光素子の間の領域を全て合わせた領域Ｓ４に対応するように位置することができ、一つの部分からなり得る。
図９は、他の実施形態に係るランプユニット１００―１の断面図である。図２と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図９を参照すると、ランプユニット１００―１が図２に示した実施形態のランプユニット１００と異なる点は、保護層１４０―１が透光性である点にある。
すなわち、保護層１４０―１は、光を透過できる非伝導性モールディング部材からなり得る。例えば、保護層１４０―１は、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ガラス、ガラスセラミック、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ナイロン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、テフロン（登録商標）樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリオレフィン樹脂などからなり得る。
図９に示した保護層１４０―１は、上述した保護層１４０と材質において異なるだけで、残りは上述した通りであり得る。
図１０は、他の実施形態に係るランプユニット１００―２の平面図で、図１１は、図１０に示したランプユニット１００―２のＡＢ方向の断面図である。図２と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図１０及び図１１を参照すると、ランプユニット１００―２は、図２に示した実施形態のランプユニット１００にレンズ２１０をさらに含む構造である。
レンズ２１０は、各発光素子１３０にそれぞれ対応するように波長変換層１５０及び保護層１４０上に配置することができる。レンズ２１０は、対応する発光素子から照射される光を屈折させることができ、ランプユニット１００―２の光経路を調節することができる。
発光素子１３０の数が複数であるとき、図１０では、各発光素子のそれぞれに対応するレンズ２１０を示したが、他の実施形態では、各発光素子の全体を覆う一つのレンズに具現することもできる。
図１２は、他の実施形態に係るランプユニット１００―３の平面図で、図１３は、図１２に示したランプユニット１００―３のＡＢ方向の断面図である。図２と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図１２及び図１３を参照すると、ランプユニット１００―３は、第１の基板１０１、第２の基板１０２、複数の導電層１１２、１１４、１２２、１２４、発光素子１３０―１、保護層１４０、及び複数のワイヤ１６２、１６４、１６６を含む。
図１２及び図１３を参照すると、図２に示した実施形態では、チップ形態の発光素子１３０と、発光素子１３０上に位置する波長変換層１５０とを備えるが、ランプユニット１００―３は、図２に示した実施形態のランプユニット１００の発光素子１３０と波長変換層１５０が一つのチップに具現された発光素子１３０―１を含む。
例えば、発光素子１３０は、青色光、緑色光、赤色光、及び黄色光のうちいずれか一つを放出することができ、発光素子１３０―１は白色光を放出することができる。
図２９は、図１３に示した発光素子１３０―１の一実施形態を示す。図２８と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図２９を参照すると、発光素子１３０―１は波長変換層４８０をさらに含む。
波長変換層４８０は、第１の半導体層４５６上に配置することができ、第１の電極４７０を露出させることができる。
例えば、波長変換層４８０は、エポキシ又はシリコンなどの無色透明な高分子樹脂と蛍光体の混合物であって、高分子樹脂と蛍光体の混合物を第１の半導体層４５６上にコンフォーマルコーティング（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｃｏａｔｉｎｇ）することによって波長変換層４８０を形成することができる。波長変換層４８０は、ワイヤボンディングのために第１の電極４７０のパッド部（図示せず）を露出させることができる。
保護層１４０の上部面は、第２の基板１０２上に配置される導電層１２２にボンディングされるワイヤ１６６の最高点より高く位置し得る。保護層１４０は、各ワイヤ１６２〜１６６を包囲し、各ワイヤ１６２〜１６６が外部に露出したり、突出することを防止することができる。
保護層１４０は、発光素子１３０―１の側面と接することができ、発光素子１３０―１の上面は保護層１４０から露出し得る。
保護層１４０の上部面は、発光素子１３０―１の上部面と同一の平面上に位置し得る。すなわち、発光素子１３０―１の上面の高さは、保護層１４０の上部面の高さと同一であり得る。このとき、発光素子１３０―１の上面は波長変換層４８０の上部面であり得る。
図１４は、他の実施形態に係るランプユニット１００―４の断面図である。図１３と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図１４を参照すると、ランプユニット１００―４が図１３に示した実施形態のランプユニット１００―３と異なる点は、保護層１４０―１が透光性モールディング部材であるという点にある。図１４に示した保護層１４０―１は、上述した保護層１４０と材質において異なるだけで、残りは上述した通りであり得る。
図１５は、他の実施形態に係るランプユニット１００―５の平面図で、図１６は、図１５に示したランプユニット１００―５のＡＢ方向の断面図である。
図１５及び図１６を参照すると、ランプユニット１００―５は、図１３に示した実施形態のランプユニット１００―３にレンズ２１０をさらに含む構造である。
レンズ２１０は、各発光素子１３０―１にそれぞれ対応するように保護層１４０上に配置することができる。レンズ２１０は、対応する発光素子から照射される光を屈折させることができ、ランプユニット１００―５の光経路を調節することができる。
発光素子１３０―１の数が複数であるとき、図１５では、各発光素子に対応するレンズ２１０を示したが、他の実施形態では、各発光素子の全体を覆う一つのレンズに具現することもできる。
図１７は、他の実施形態に係るランプユニット２００の平面図で、図１８は、図１７に示したランプユニット２００のＣＤ方向の断面図である。図１及び図２と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図１７及び図１８を参照すると、ランプユニット２００は、第１の基板１０１、第２の基板１０２、複数の導電層１１２、１１４、１２２、１２４―１、発光素子１３０―２、保護層１４０、波長変換層１５０、及び複数のワイヤ１６２、１６４、１６６、１６８を含む。
ランプユニット２００が図２に示したランプユニット１００と異なる点は、発光素子１３０―２が水平型発光ダイオードである点と、これによる発光素子１３０―２と各導電層１１２、１１４、１２２、１２４―１との電気的連結構造にある。
発光素子１３０―２の数が複数であるとき、図１７に示した各発光素子は第２の基板１０２上に配置することができる。
図３０は、図１８に示した発光素子１３０―２の一実施形態を示す。
図３０を参照すると、発光素子１３０―２は、基板３１０、発光構造物４５０、伝導層３３０、第１の電極３４２、及び第２の電極３４４を含む。
基板３１０は、半導体物質成長に適した物質、すなわち、キャリアウエハーで形成することができる。また、基板３１０は、熱伝導性に優れた物質で形成することができ、伝導性基板又は絶縁性基板であり得る。例えば、基板３１０は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、ＧａＡｓのうち少なくとも一つを含む物質で形成することができる。このような基板３１０の上面には凹凸パターンを形成することができる。
また、基板３１０上には、２族ないし６族元素の化合物半導体を用いた層又はパターン、例えば、ＺｎＯ層（図示せず）、バッファー層（図示せず）、アンドープ半導体層（図示せず）のうち少なくとも一つの層を形成することができる。バッファー層又はアンドープ半導体層は、３族―５族元素の化合物半導体を用いて形成することができ、バッファー層は基板との格子定数の差を減少させ、アンドープ半導体層は、ドーピングしないＧａＮ系半導体で形成することができる。
発光構造物４５０は、光を発生する半導体層であって、第１の半導体層４５６、活性層４５４、及び第２の半導体層４５２を含むことができる。第１の半導体層４５６、活性層４５４、及び第２の半導体層４５２は、図２８を参照して説明した通りであり得る。発光素子１３０―２は、青色光、緑色光、赤色光、及び黄色光のうちいずれか一つを放出することができる。
発光構造物４５０は、第２の半導体層４５２、活性層４５４及び第１の半導体層４５６の一部が除去されることによって、第１の半導体層４５６の一部を露出させることができる。
伝導層３３０は、全反射を減少させるだけでなく、透光性が良いので、活性層４５４から第２の半導体層４５２に放出される光の抽出効率を増加させることができる。
伝導層３３０は、透明伝導性酸化物、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＴＯ（Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうち一つ以上を用いて単層又は多層からなり得る。
第１の電極３４２は、露出する第１の半導体層４５６上に配置することができ、第２の電極３４４は、伝導層３３０上に配置することができる。
第１の導電層１２２と第４の導電層１２４―１は、第２の基板１０２上に互いに離隔するように位置し、発光素子１３０―２は、第１の導電層１２２と第４の導電層１２４―１に電気的に連結することができる。
発光素子１３０―２の基板３１０は第２の基板１０２にボンディングすることができる。
ワイヤ１６６は、発光素子１３０―２の第１の電極３４２と第２の基板１０２上に配置された第１の導電層１２２とを電気的に連結することができる。ワイヤ１６８は、発光素子１３０―２の第２の電極３４４と第２の基板１０２上に配置された第４の導電層１２４―１とを電気的に連結することができる。
各ワイヤ１６６、１６８を保護するために、波長変換層１５０の上部面及び保護層１４０の上部面は、各ワイヤ１６６、１６８のそれぞれの最高点Ｔ１より高く位置し得る。
図１９は、他の実施形態に係るランプユニット２００―１を示す。図１８と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図１９を参照すると、ランプユニット２００―１が図１８に示した実施形態のランプユニット２００と異なる点は、保護層１４０―１が透光性である点にある。
図２０は、他の実施形態に係るランプユニット２００―２の平面図で、図２１は、図２０に示したランプユニット２００―２のＣＤ方向の断面図である。図１８と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図２０及び図２１を参照すると、ランプユニット２００―２は、図１８に示した実施形態のランプユニット２００にレンズ２１０をさらに含む構造である。レンズ２１０は、各発光素子１３０―２にそれぞれ対応するように波長変換層１５０及び保護層１４０上に配置することができる。レンズ２１０は、対応する発光素子１３０―２から照射される光を屈折させることができ、ランプユニット２００―２の光経路を調節することができる。
図２２は、他の実施形態に係るランプユニット２００―３の平面図で、図２３は、図２２に示したランプユニット２００―３のＣＤ方向の断面図である。図１７及び図１８と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図２２及び図２３を参照すると、ランプユニット２００―３は、第１の基板１０１、第２の基板１０２、複数の導電層１１２、１１４、１２２、１２４―１、発光素子１３０―３、保護層１４０、及び複数のワイヤ１６２、１６４、１６６、１６８を含む。
図２２及び図２３を参照すると、図１８に示した実施形態では、チップ形態の発光素子１３０―２と、発光素子１３０―２上に位置する波長変換層１５０とを備えるが、ランプユニット２００―３は、図１８に示した実施形態のランプユニット２００の発光素子１３０―２と波長変換層１５０が一つのチップに具現された発光素子１３０―３を含む。
例えば、発光素子１３０―２は、青色光、緑色光、赤色光、及び黄色光のうちいずれか一つを放出することができ、発光素子１３０―３は白色光を放出することができる。
図３１は、図２３に示した発光素子１３０―３の一実施形態を示す。図３０と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図３１を参照すると、発光素子１３０―３は波長変換層３５０をさらに含む。
波長変換層３５０は、第２の半導体層４５２上に配置することができ、第２の電極３４４を露出させることができる。
保護層１４０の上部面は、発光素子１３０―３の上面と同一の平面上に位置し得る。発光素子１３０―３の上面の高さは、保護層１４０の上部面の高さと同一であり得る。このとき、発光素子１３０―３の上面は、波長変換層３５０の上部面であり得る。
保護層１４０は、発光素子１３０―３の側面と接することができ、発光素子１３０―３の上面は保護層１４０から露出し得る。
各ワイヤ１６６、１６８の最高点の高さは、発光素子１３０―３の上面の高さ及び保護層１４０の上部面の高さより低いので、実施形態は、各ワイヤ１６６、１６８の破損及び変形を防止することができる。
図２４は、他の実施形態に係るランプユニット２００―４の断面図である。図２３と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図２４を参照すると、図２３に示したランプユニット２００―３の保護層１４０は反射部材である一方、ランプユニット２００―４の保護層１４０―１は透光性であり得る。
図２５は、他の実施形態に係るランプユニット２００―５の平面図で、図２６は、図２５に示したランプユニット２００―５のＣＤ方向の断面図である。
図２２及び図２３と同一の図面符号は同一の構成を示し、同一の構成についての説明は、重複を避けるために簡略にしたり省略する。
図２５及び図２６を参照すると、発光素子１３０―３から照射される光を屈折させ、光経路を調節するために、ランプユニット２００―５は、図２３に示した実施形態のランプユニット２００―３にレンズ２１０をさらに含む構成であり得る。
図２７は、他の実施形態に係るランプユニットの断面図である。図２７に示した実施形態は、図１に示したランプユニット１００の変形例であって、モールディング固定部１９０をさらに含むことができる。
図２７を参照すると、モールディング固定部１９０は、保護層１４０の外周面に接するように第１の基板１０１及び複数の導電層１１２、１１４、１２２、１２４上に配置することができ、保護層１４０の縁部を支持及び固定することができる。
モールディング固定部１９０は、各発光素子１５０の周囲を取り囲むように第１の基板１０１及び複数の導電層１１２、１１４、１２２、１２４上に配置することができ、モールディング固定部１９０の内部にモールディング部材を吐出し、吐出されたモールディング部材を硬化させることによって保護層１４０を形成することができる。このとき、モールディング固定部１９０は、吐出されたモールディング部材が溢れることを防止することができ、硬化後には保護層１４０を支持する役割をすることができる。
モールディング固定部１９０の形状は、形成しようとする保護層の形状に応じて決定することができる。例えば、モールディング固定部１９０は、円状、楕円状、又は四角形状などの多角形状であり得るが、これに限定されることはない。
モールディング固定部１９０は、他の実施形態のランプユニット１００―２〜１００―５、２００、２００―１〜２００―５にも追加して適用することができる。
図３２は、実施形態に係る車両用ヘッドランプ８００の断面図である。
図３２を参照すると、ヘッドランプ８００は、ランプユニット８０１、リフレクタ８０２、シェード８０３、及びレンズ８０４を含む。
ランプユニット８０１は、各実施形態のランプユニット１００、１００―１〜１００―５、２００、２００―１〜２００―５のうちいずれか一つであり、光を発生することができる。
リフレクタ８０２は、ランプユニット８０１から照射される光を一定方向に反射させることができる。シェード８０３は、リフレクタ８０２とレンズ８０４との間に配置することができ、リフレクタ８０２によって反射されてレンズ８０４に向かう光の一部分を遮断又は反射し、設計者が望む配光パターンをなすようにする部材である。
ここで、レンズ８０４に隣接するシェード８０３の一側部８０３―１とランプユニット８０１に隣接するシェード８０３の他側部８０３―２は高さが異なり得る。
そして、ランプユニット８０１から照射された光は、リフレクタ８０２及びシェード８０３から反射された後、レンズ８０４を透過して車両の前方に進行することができる。このとき、レンズ８０４は、リフレクタ８０２によって反射された光を屈折させることができる。
図３３は、他の実施形態に係る車両のヘッドランプを示す。
図３３を参照すると、車両用ヘッドランプ９００は、ランプユニット９１０及びライトハウジング９２０を含むことができる。
ランプユニット９１０は、上述した各実施形態のランプユニット１００、１００―１〜１００―５、２００、２００―１〜２００―５のうち少なくとも一つを含むことができる。
ライトハウジング９２０は、ランプユニット９１０を収納することができ、透光性材質からなり得る。車両用ライトハウジング９２０は、装着される車両部位及びデザインに応じて屈曲を含むことができる。
上述した車両用ヘッドランプ８００、９００は、実施形態に係るランプユニットを備えることによって、光効率を向上させることができる。
以上各実施形態で説明した特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施形態に含まれるものであって、必ずしも一つの実施形態のみに限定されるものではない。さらに、各実施形態で例示した特徴、構造、効果などは、各実施形態の属する分野で通常の知識を有する者であれば他の実施形態に対しても組み合わせ又は変形によって実施可能である。したがって、このような組み合わせと変形と関係した各内容は、本発明の範囲に含まれるものとして解釈すべきであろう。
１００ ランプユニット
１０１ 第１の基板
１０２ 第２の基板
１０５ キャビティ
１１２、１１４、１２２、１２４ 導電層
１４０ 保護層
１５０ 波長変換層
１６２、１６４、１６６ ワイヤ
１０１ 第１の基板
１０２ 第２の基板
１０５ キャビティ
１１２、１１４、１２２、１２４ 導電層
１４０ 保護層
１５０ 波長変換層
１６２、１６４、１６６ ワイヤ
Claims (10)
- 第１の基板；
前記第１の基板上に配置される第２の基板；
前記第２の基板上に配置される発光素子；
前記第２の基板上に配置される第１の導電層及び第２の導電層；
前記第１の導電層及び前記第２の導電層のうち少なくとも一つと前記発光素子とを電気的に連結する少なくとも一つのワイヤ；
前記発光素子上に配置され、前記発光素子から照射される光の波長を変換する波長変換層；及び
前記発光素子及び前記少なくとも一つのワイヤを包囲するように前記第１の基板及び前記第２の基板上に配置される保護層；を含み、
前記保護層の上部面及び前記波長変換層の上部面は、それぞれ前記少なくとも一つのワイヤの最高点より高く位置するランプユニット。 - 前記保護層は、光を反射するモールディング部材からなる、請求項１に記載のランプユニット。
- 前記保護層は透光性モールディング部材からなる、請求項１又は２に記載のランプユニット。
- 前記保護層は前記発光素子の側面及び前記波長変換層の側面と接する、請求項１から３のいずれか１項に記載のランプユニット。
- 前記波長変換層の上部面は前記保護層から露出する、請求項１から４のいずれか１項に記載のランプユニット。
- 前記発光素子は、第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含み、光を発生する発光構造物を備えており、
前記発光素子は、青色光、緑色光、赤色光、及び黄色光のうちいずれか一つを放出する、請求項１から５のいずれか１項に記載のランプユニット。 - 前記発光素子に対応して前記保護層及び前記波長変換層上に配置されるレンズをさらに含む、請求項１から６のいずれか１項に記載のランプユニット。
- 前記第１の基板はキャビティを有し、前記第２の基板は前記キャビティ内に配置され、前記保護層は前記キャビティ内に充填される、請求項１から７のいずれか１項に記載のランプユニット。
- 前記第１の基板はＭＣＰＣＢ（Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅｄ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）で、前記第２の基板はセラミック基板である、請求項１から８のいずれか１項に記載のランプユニット。
- 前記発光素子の数は複数であり、各発光素子は互いに離隔するように位置し、前記波長変換層は複数の部分を含み、前記複数の部分は、それぞれ前記各発光素子のうちいずれか一つに対応するように位置する、請求項１から９のいずれか１項に記載のランプユニット。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018078282A (ja) * | 2016-10-12 | 2018-05-17 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 発光デバイスおよびｌｅｄパッケージ構造 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR102608419B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 표시장치의 제조방법 |
| US20190295914A1 (en) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package and a method of manufacturing the same |
| FR3105346B1 (fr) * | 2019-12-19 | 2022-10-07 | Valeo Vision | Ensemble lumineux pour dispositif d’eclairage et/ou de signalisation pour vehicule automobile |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322923A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光ダイオード装置 |
| JP2006269986A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
| US20080231181A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Siew It Pang | Phosphor Converted LED with Improved Uniformity and Having Lower Phosphor Requirements |
| JP2009076749A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄ装置及びその製造方法 |
| US20100140648A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Mitsunori Harada | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
| JP2011077263A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置モジュール |
| US20110309384A1 (en) * | 2010-06-22 | 2011-12-22 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor light emitting device |
| WO2011160968A1 (de) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil |
| US20120007076A1 (en) * | 2010-10-27 | 2012-01-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting module |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004319530A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
| GB0504379D0 (en) * | 2005-03-03 | 2005-04-06 | Melexis Nv | Low profile overmoulded semiconductor package with transparent lid |
| JP4915052B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | Ｌｅｄ部品およびその製造方法 |
| KR101047721B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2011-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| KR101064036B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
| CN103456728B (zh) * | 2012-05-29 | 2016-09-21 | 璨圆光电股份有限公司 | 发光组件及其发光装置 |
-
2013
- 2013-01-29 KR KR1020130009672A patent/KR20140096722A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-07-31 EP EP13178747.5A patent/EP2760046B1/en active Active
- 2013-08-05 JP JP2013162207A patent/JP6228781B2/ja active Active
- 2013-08-06 US US13/960,319 patent/US9190578B2/en active Active
- 2013-09-09 CN CN201310406770.1A patent/CN103972219B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322923A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光ダイオード装置 |
| US20070166853A1 (en) * | 2004-04-30 | 2007-07-19 | Guenther Ewald K M | LED Arrangement |
| JP2006269986A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
| US20080231181A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Siew It Pang | Phosphor Converted LED with Improved Uniformity and Having Lower Phosphor Requirements |
| JP2009076749A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄ装置及びその製造方法 |
| JP2010140942A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| US20100140648A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Mitsunori Harada | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
| JP2011077263A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置モジュール |
| US20110309384A1 (en) * | 2010-06-22 | 2011-12-22 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor light emitting device |
| JP2012009470A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Nitto Denko Corp | 半導体発光装置 |
| WO2011160968A1 (de) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil |
| US20120007076A1 (en) * | 2010-10-27 | 2012-01-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting module |
| JP2012094842A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光モジュール |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018078282A (ja) * | 2016-10-12 | 2018-05-17 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 発光デバイスおよびｌｅｄパッケージ構造 |
Also Published As
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