CN103972219A - 灯单元 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种灯单元。该灯单元包括：第一基底；布置在第一基底上的第二基底；布置在第二基底上的发光装置；布置在第二基底上的第一导电层和第二导电层；将第一导电层和第二导电层中的至少一个电连接到发光装置中的每个的至少一个引线；以及布置在第一基底和第二基底上并且围绕发光装置和至少一个引线的保护层，并且保护层的上表面被定位在高于至少一个引线的最高点的位置处。

Description

灯单元
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年1月29日在韩国提交的第10-2013-0009672号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用全文并入本申请（如同在本文中充分阐述）。
技术领域
实施例涉及一种灯单元和车灯装置。
背景技术
通常，灯指的是针对具体用途而供给或调节光的设备。作为灯的光源，可以使用白炽灯、荧光灯、霓虹灯等，并且现在使用发光二极管（LED）。
LED是使用化合物半导体特性将电信号转换为红外光或可见光的装置，并且不同于荧光灯，LED不使用诸如汞的有害物质，因此几乎不导致环境污染。此外，LED具有比白炽灯、荧光灯以及霓虹灯更长的使用寿命。此外，与白炽灯、荧光灯以及霓虹灯相比，LED具有小的功率消耗、归因于其高色温的优秀的能见度和低眩光。
发明内容
实施例提供了一种保护接合到发光装置的引线并且减少光损失的灯单元。
在一个实施例中，灯单元包括：第一基底；布置在第一基底上的第二基底；布置在第二基底上的发光装置；布置在第二基底上的第一导电层和第二导电层；将第一导电层和第二导电层中的至少一个电连接到发光装置的至少一个引线；以及布置在第一基底和第二基底上并且围绕发光装置和至少一个引线的保护层，其中保护层的上表面被定位在高于至少一个引线的最高点的位置处。
保护层可以由反射光的模塑构件形成。
保护层可以由透射光的模塑构件形成。
保护层可以接触发光装置的侧表面。
发光装置的上表面可以与保护层的上表面共面。
发光装置的上表面可以从保护层中暴露。
发光装置可以包括：发光结构，该发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，并且该发光结构生成光；以及波长转换层，该波长转换层布置在发光结构上并且对从发光结构所辐射的光的波长进行转换。
第一基底可以设置有空腔，第二基底布置在空腔内，以及保护层对空腔进行填充。
灯单元还可以包括：布置在第一基底上的第三导电层和第四导电层；将第一导电层电连接到第三导电层的第一引线；以及将第二导电层电连接到第四导电层的第二引线，其中保护层围绕第一引线和第二引线。
灯单元还可以包括与发光装置相对应的并且布置在保护层上的透镜。
第一基底可以是金属芯印刷电路板（MCPCB），并且第二基底是陶瓷基底。
在另一个实施例中，灯单元包括：第一基底；布置在第一基底上的第二基底；布置在第二基底上的发光装置；布置在第二基底上的第一导电层和第二导电层；将第一导电层和第二导电层中的至少一个电连接到发光装置的至少一个引线；布置在发光装置上并且对由发光装置所辐射的光的波长进行转换的波长转换层；以及布置在第一基底和第二基底上以便围绕发光装置和至少一个引线的保护层，其中保护层的上表面被定位在高于至少一个引线的最高点的位置处。
波长转换层的上表面可以被定位在高于至少一个引线的最高点的位置处。
保护层可以由反射光的模塑构件形成。
保护层可以由透射光的模塑构件形成。
保护层可以接触发光装置的侧表面和波长转换层的侧表面。
波长转换层的上表面可以从保护层中暴露。
发光装置可以包括：发光结构，该发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，并且该发光结构生成光；以及该发光装置发出蓝光、绿光、红光以及黄光中的一种。
灯单元还可以包括与发光装置相对应的并且布置在保护层和波长转换层上的透镜。
发光装置的数量可以是多个，并且多个发光装置彼此分离。
波长转换层可以包括多个部分；并且波长转换层的多个部分中的每个可以被定位以便与多个发光装置中的一个相对应。
波长转换层可以被定位以便与多个发光装置分别所处的区域和被定位在两个相邻的发光装置之间的区域相对应。
灯单元还可以包括模塑固定单元，该模塑固定单元布置在第一基底上、并且接触保护层的外周表面、以及支撑保护层的边缘。
附图说明
可以参照以下附图详细描述布置和实施例，在附图中相同的附图标记指代相同的元件，并且在附图中：
图1是依照一个实施例的灯单元的平面图；
图2是沿线A-B所截取的图1所示的灯单元的横截面图；
图3至图6是示出依照实施例的波长转换层和引线的放大图；
图7和图8是示出依照实施例的波长转换层的图；
图9是依照另一个实施例的灯单元的横截面图；
图10是依照另一个实施例的灯单元的平面图；
图11是沿线A-B所截取的图10所示的灯单元的横截面图；
图12是依照另一个实施例的灯单元的平面图；
图13是沿A-B线所截取的图12所示的灯单元的横截面图；
图14是依照另一个实施例的灯单元的横截面图；
图15是依照另一个实施例的灯单元的平面图；
图16是沿线A-B所截取的图15所示的灯单元的横截面图；
图17是依照另一个实施例的灯单元的平面图；
图18是沿线C-D所截取的图17所示的灯单元的横截面图；
图19是依照另一个实施例的灯单元的横截面图；
图20是依照另一个实施例的灯单元的平面图；
图21是沿线C-D所截取的图20所示的灯单元的横截面图；
图22是依照另一个实施例的灯单元的平面图；
图23是沿线C-D所截取的图22所示的灯单元的横截面图；
图24是依照另一个实施例的灯单元的横截面图；
图25是依照另一个实施例的灯单元的平面图；
图26是沿线C-D所截取的图25所示的灯单元的横截面图；
图27是依照另一个实施例的灯单元的横截面图；
图28是示出图1所示的发光装置的一个实施例的图；
图29是示出图13所示的发光装置的一个实施例的图；
图30是示出图18所示的发光装置的一个实施例的图；
图31是示出图23所示的发光装置的一个实施例的图；
图32是依照一个实施例的用于车辆的前照灯的横截面图；以及
图33是示出依照另一个实施例的用于车辆的前照灯的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图来描述实施例。将理解的是当元件被称为在另一个元件“上”或“下”时，其可以直接地在该元件的上/下，并且一个或更多多个介于其间的元件也可以存在。当元件被称为在“上”或“下”时，基于该元件可以包括“在该元件下”以及“在该元件上”。此外，基于附图来判断用于在每个元件上或下的标准。
为了描述的方便和明晰，在附图中，尺寸可以被夸大、省略或示意地示出。此外，各自元件的尺寸不表示其实际尺寸。此外，在附图中，通过相同的附图标记来表示相同或相似的元件，即使它们是在不同的附图中所描绘的。在下文中，将参照附图来描述依照实施例的灯单元和具有该灯单元的用于车辆的灯装置。
图1是依照一个实施例的灯单元100的平面图，并且图2是沿线A-B所截取的图1所示的灯单元100的横截面图。
参照图1和图2，灯单元100包括第一基底101、第二基底102、多个导电层112、114、122和124、发光装置130、保护层140、波长转换层150以及多个引线162、164和166。
第二基底102可以布置在第一基底101上，并且第二基底102的面积可以小于第一基底101的面积。依照另一个实施例，第二基底102的面积可以等于第一基底101的面积。
第一基底101可以是具有第一热导率的基底，第二基底102可以是具有第二热导率的基底，并且第一热导率可以大于第二热导率。这用于通过第一基底101将从布置在第二基底102上的发光装置130所生成的热量迅速地耗散到外部。
第一基底101可以是金属基底，例如金属芯印刷电路板（MCPCB）。第一基底101是具有高热导率的散热板，并且可以由从由铜（Cu）、铝（Al）、银（Ag）以及金（Au）所构成的组中所选择的一个或其合金形成。
第二基底102可以是绝缘基底，例如具有高热导率的陶瓷基底。第二基底102可以由氮化物（例如，氮化铝（AlN））形成。另外，第二基底102可以包括受过阳极化处理的层。
第一基底101和第二基底102可以形成为各种形状。
依照一个实施例，第一基底101可以设置有在其指定区域内形成的空腔105，并且第二基底102可以布置在第一基底101的空腔105内。在此，第一基底101可以包括Al、Cu以及Au中的至少一个，并且第二基底102可以包括AlN。
依照另一个实施例，可以将第一基底101和第二基底102顺序地层积以形成层积结构。在此，第一基底101可以包括Al、Cu以及Au中的至少一个，并且第二基底102可以包括受过阳极化处理的层。
依照另一个实施例，第一基底101和第二基底102可以由相同的材料形成。在此，第一基底101和第二基底102可以包括AlN、Al、Cu以及Au中的至少一个。
在其上布置有发光装置130的第二基底102的上表面可以形成为平坦表面或弯曲表面（诸如，凹形表面或凸形表面）。另外，第二基底102的上表面可以形成为在其中组合了凹形表面、凸形表面以及平坦表面中的至少两个的形状。
第三导电层112和第四导电层114可以布置在第一基底101上以使它们彼此分离。第一基底101可以包括第一电路图案，该第一电路图案包括第三导电层112和第四导电层114。第三导电层112和第四导电层114不限于图1所示的形状，并且可以具有各种形状。
第一导电层122和第二导电层124可以布置在第二基底102上以使它们彼此分离。第二基底102可以包括第二电路图案，该第二电路图案包括第一导电层122和第二导电层124。
发光装置130布置在第二基底102上。发光装置130的数量可以是1个或更多个。例如，如图1所示，发光装置130的数量可以是多个，并且如图1所示的多个发光装置可以布置在第二基底102上以使它们彼此分离。
导电层124的数量可以是多个并且它们彼此分离。但是，本公开不限于此，并且可以仅形成一个连接的导电层。
尽管图1示出了一个第一导电层122，但是本公开不限于此，并且可以布置彼此分离的多个第一导电层，以及可以将引线166接合到各个第一导电层。
图28是示出图1所示的发光装置130的一个实施例的图。
参照图28，发光装置130包括第二电极405、保护层440、电流阻挡层445、发光结构450、钝化层465以及第一电极470。例如，发光装置130可以形成为发光二极管芯片。
第二电极405连同第一电极470一起为发光结构450提供电力。第二电极405可以包括支撑层410、接合层415、垒层（barrier layer）420、反射层425以及欧姆层430。
支撑层410支撑发光结构450。支撑层410可以由金属或半导体材料形成。此外，支撑层410可以由具有高导电率和高热导率的材料形成。例如，支撑层410可以由包括从由铜（Cu）、Cu合金、金（Au）、镍（Ni）、钼（Mo）以及铜-钨（Cu-W）所构成的组中所选择的至少一个的金属材料，或包括从由Si、Ge、GaAs、ZnO以及SiC所构成的组中所选择的至少一个的半导体形成。
接合层415可以布置在支撑层410与垒层420之间，并且用于接合支撑层410和垒层420。接合层415可以包括从由金属（例如，In、Sn、Ag、Nb、Pd、Ni、Au以及Cu）所构成的组中所选择的至少一个。因为接合层415用于通过接合法来形成支撑层410，所以如果支撑层410是通过电镀或沉积法所形成的，则可以省略接合层415。
垒层420可以布置在反射层425、欧姆层430以及保护层440下，并且防止接合层415和支撑层410的金属离子经由反射层425和欧姆层430而扩散到发光结构450中。例如，垒层420可以包括从由Ni、Pt、Ti、W、V、Fe以及Mo所构成的组中所选择的至少一个，并且可以形成为单层或多层结构。
反射层425可以布置在垒层420上。反射层425可以反射从发光结构450所入射的光，因此改进光提取效率。反射层425可以由光反射材料（例如，从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf所构成的组中所选择的至少一种金属或其合金）形成。
可以使用金属（或合金）和透射光的导电材料（诸如，IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO）将反射层425形成为多层结构。例如，反射层425可以由IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、或AZO/Ag/Ni形成。
欧姆层430可以布置在反射层425与第二半导体层452之间，并且与第二半导体层452发生欧姆接触以便有效地为发光结构450提供电力。
可以通过选择性地使用透射光的导电层和金属来形成欧姆层430。例如，欧姆层430可以由与第二半导体层452发生欧姆接触的金属（例如，从由Ag、Ni、Cr、Ti、Pd、Ir、Sn、Ru、Pt、Au以Hf所构成的组中所选择的至少一个）形成。
保护层440可以布置在第二电极层405的边缘区域上。例如，保护层440可以布置在欧姆层430的边缘区域、反射层425的边缘区域、垒层420的边缘区域或支撑层410的边缘区域上。
保护层440可以防止由于在发光结构450与第二电极层405之间的界面处脱粘（debonding）所导致的发光装置130的可靠性的降低。保护层440可以由电绝缘材料（例如，ZnO、SiO2、Si3N4、TiOx（x为正实数）或Al2O3）形成。
电流阻挡层445可以布置在欧姆层430与发光结构450之间。电流阻挡层445的上表面可以与第二半导体层452接触，并且电流阻挡层445的下表面或下表面和侧表面可以与欧姆层430接触。可以布置电流阻挡层445以便沿垂直方向与第一电极470至少部分地重叠。
电流阻挡层445可以形成在欧姆层430与第二半导体层452之间或形成在反射层425与欧姆层430之间，但是本公开不限于此。
发光结构450可以布置在欧姆层430和保护层440上。在用于将发光结构450分割成单元芯片（unit chip）的隔离蚀刻处理期间，发光结构450的侧表面可以是倾斜的。发光结构450可以包括第二半导体层452、有源层454以及第一半导体层456，并且生成光。
可以由III-V族或II-VI族化合物半导体形成第二半导体层452，并且可以采用第二导电类型掺杂剂对第二半导体层452进行掺杂。例如，可以由具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组分公式的半导体形成第二半导体层452，并且可以采用P型掺杂剂（例如，Mg、Zn、Ca、Sr或Ba）对第二半导体层452进行掺杂。
有源层454可以凭借通过从第一半导体层456和第二半导体层452所提供的电子和空穴的复合所释放的能量来生成光。
有源层454可以由半导体化合物（例如，III-V族或II-VI族化合物半导体）形成，并且形成为单阱结构、多阱结构、量子线结构或量子点结构。如果有源层454形成为量子阱结构，则有源层454可以具有单量子阱或多量子阱结构，该单量子阱或多量子阱结构包括具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组分公式的阱层和具有InaAlbGa1-a-bN（0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1）的组分公式的垒层。阱层可以由具有比垒层的能带间隙更低的能带间隙的材料形成。
可以由III-V族或II-VI族化合物半导体形成第一半导体层456，并且采用第一导电类型掺杂剂对第一半导体层456进行掺杂。例如，可以由具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组分公式的半导体形成第一半导体层456，并且采用N型掺杂剂（例如，Si、Ge、Sn、Se或Te）对第一半导体层456进行掺杂。
发光装置130可以根据发光结构450的第一半导体层456、有源层454、以及第二半导体层452的组合而发出蓝光、红光、绿光以及黄光中的一种。
钝化层465可以布置在发光结构450的侧表面上以便对发光结构450进行电保护。钝化层465可以布置在第一半导体层456的上表面或保护层440的上表面的一部分上。钝化层465可以由绝缘材料（例如，SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或Al2O3）形成。
第一电极470可以布置在第一半导体层456上。第一电极470可以形成为指定的图案。第一电极470可以包括用于引线接合的焊盘部分和从焊盘部分延伸的分支指状电极（未示出）。
为了提高光提取效率，可以在第一半导体层456的上表面上形成粗化图案（roughness pattern）（未示出）。此外，为了提高光提取效率，也可以在第一电极470的上表面上形成粗化图案（未示出）。
发光装置130可以电连接到第一导电层122和第二导电层124。当发光装置130的数量是多个时，如图1所示的多个发光装置电连接到第一导电层122和第二导电层124。
发光装置130的第二电极405可以通过共融接合（eutectic bonding）或管芯接合（die bonding）而接合到布置在第二基底102上的第二导电层124，并且因此电连接到第二导电层124。
引线166可以将发光装置130的第一电极470电连接到布置在第二基底102上的第一导电层122。引线166的数量可以是1个或更多个。
引线162可以将布置在第二基底102上的第一导电层122电连接到布置在第一基底101上的第三导电层112。引线162的数量可以是1个或更多个。
引线164可以将布置在第二基底102上的第二导电层124电连接到布置在第一基底101上的第四导电层114。引线164的数量可以是1个或更多个。
波长转换层150被定位在发光装置130上，并且可以对从发光装置130所生成的光的波长进行转换。波长转换层150可以包括无色并且透明的聚合树脂（诸如，环氧树脂或硅树脂）和荧光粉。波长转换层150可以包括红色荧光粉、绿色荧光粉以及黄色荧光粉中的至少一种。波长转换层150可以部分地围绕引线166。当如图1所示，引线166的数量是多个时，波长转换层150可以部分地围绕该多个引线。
保护层140可以布置在第一基底101和第二基底102上，以便围绕发光装置130和引线162至166。保护层140可以对第一基底101的空腔105进行填充。保护层140的上表面可以被定位在高于引线166的最高点的位置处。
保护层140可以围绕引线162至166，并且防止引线162至166暴露到外部或向外部突出。在本实施例中，保护层140可以防止引线（例如，引线166）由于冲击或压力所导致的折断或损坏，或由于空气所导致的腐蚀，并且因此防止发光装置130的破损或故障。
保护层140可以由可以反射光的非导电性模塑构件（例如，白色硅树脂）形成，但本公开不限于此。
因为保护层140紧密地接触发光装置130（例如，图1中的多个发光装置），并且直接地反射由发光装置130（例如，图1中的多个发光装置）所辐射的光，所以依照本实施例的灯单元100可以减少由空气或第一基底101和第二基底102对光的吸收或传输所导致的光损失，并且改进光发射效率。
图3是示出依照一个实施例的波长转换层150和引线166的放大图。
参照图3，保护层140可以接触波长转换层150的侧表面152和发光装置130的侧表面，并且围绕波长转换层150的侧表面152。
波长转换层150的上表面154可以是平坦的，并且可以从保护层140中暴露。
波长转换层150的上表面154可以与保护层140的上表面142共面。从发光装置130的上表面到波长转换层150的上表面154的高度H2可以等于从发光装置130的上表面到保护层140的上表面142的高度H3（H2=H3）。
为了保护引线166，波长转换层150的上表面154和保护层140的上表面142可以被定位在高于引线166的最高点T1的位置处。
从发光装置130的上表面到波长转换层150的上表面154和保护层140的上表面142的高度H2可以超过至少50微米（μm）。这样做的原因是，通过制造处理可以形成的引线166的最高点T1的最低高度H1约为50微米。因此，如果从发光装置130的上表面到波长转换层150的上表面154和保护层140的上表面142的高度小于50微米，则引线166可以从保护层140中暴露。
从发光装置130的上表面到波长转换层150的上表面154的高度H2可以大于从发光装置130的上表面到引线166的最高点T1的高度H1（H2>H1）。这用于防止暴露引线166。
图4是示出依照另一个实施例的波长转换层150-1和引线166的放大图。
参照图4，波长转换层150-1的上表面154-1可以高于保护层140的上表面142。波长转换层150-1的上表面154-1可以从保护层140的上表面142突出。
从发光装置130的上表面到波长转换层150-1的上表面154-1的高度H4可以大于从发光装置130的上表面到保护层140的上表面142的高度H3（H4>H3）。
图5是示出依照另一个实施例的波长转换层150-2和引线166的放大图。
参照图5，波长转换层150-2的上表面154-2可以低于保护层140的上表面142。从发光装置130的上表面到波长转换层150-2的上表面154-2的高度H5可以小于从发光装置130的上表面到保护层140的上表面142的高度H3，并且大于引线166的最高点T1的高度H1（H1<H5<H3）。
图6是示出依照另一个实施例的波长转换层150-3和引线166的放大图。
参照图6，波长转换层150-3的上表面154-3可以是弯曲的。例如，波长转换层150-3的上表面154-3可以形成为圆顶形状或半球形状。在本实施例中，因为波长转换层150-3的上表面154-3是弯曲的，所以从发光装置130所辐射的光可以被折射，并且因此可以改进光的定向角。
当发光装置130的数量是多个时，图3至图6中的描述可以同样地适用于图1中的多个发光装置。
图7是示出依照一个实施例的波长转换层150的图。
参照图7，当发光装置130的数量是多个时，波长转换层150可以与区域S1至S4相对应，图1中的多个发光装置分别地被定位在区域S1至S4中。波长转换层150可以包括彼此分离的多个部分（例如，150-a、150-b、150-c以及150-d），并且这些部分（例如，150-a、150-b、150-c以及150-d）可以分别地与图1中的多个发光装置相对应。
图8是示出依照另一个实施例的波长转换层150′的图。
参照图8，当发光装置130的数量是多个时，波长转换层150′可以与区域S5相对应并且可以形成为一体，区域S5是通过将其中图1中的多个发光装置分别所处的区域和被定位在图1中的两个相邻的发光装置之间的区域联合来形成的。
图9是依照另一个实施例的灯单元100-1的横截面图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示本实施例中的与图2所示的实施例中的元件基本上相同的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图9，依照本实施例的灯单元100-1与依照图2所示的实施例的灯单元100不同的是：灯单元100-1包括透射光的保护层140-1。
即，保护层140-1可以由可以透射光的非导电性模塑构件形成。例如，保护层140-1可以由硅树脂、环氧树脂、玻璃、玻璃陶瓷、聚酯树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、尼龙树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、氯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯树脂、聚四氟乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚丙烯树脂或聚烯烃树脂形成。
除了保护层140-1的材料之外，图9所示的保护层140-1与图2所示的实施例中的保护层140相同。
图10是依照另一个实施例的灯单元100-2的平面图，并且图11是沿线A-B所截取的图10所示的灯单元100-2的横截面图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示本实施例中的与图2所示的实施例中的元件基本上相同的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图10和图11，灯单元100-2除了包括依照图2所示的实施例的灯单元100之外，还包括透镜210。透镜210可以布置在波长转换层150和保护层140上以便与发光装置130相对应。透镜210可以折射由相对应的发光装置130所辐射的光，并且调节灯单元100-2的光路。
尽管图10示出了透镜210与图10中的各个发光装置相对应，但是当发光装置130的数量是多个时，可以设置一个覆盖图10中所有发光装置的透镜（未示出）。
图12是依照另一个实施例的灯单元100-3的平面图，并且图13是沿线A-B所截取的图12所示的灯单元100-3的横截面图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示本实施例中的与图2所示的实施例中的元件基本上相同的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图12和图13，灯单元100-3包括第一基底101、第二基底102、多个导电层112、114、122和124、发光装置130-1、保护层140以及多个引线162、164和166。
参照图12和图13，虽然在图2所示的实施例中的灯单元100包括芯片型的发光装置130和被定位在发光装置130上的波长转换层150，但是灯单元100-3包括发光装置130-1，发光装置130-1中的每个被形成为包括图2所示的实施例中的灯单元100的发光装置130和波长转换单元150的一个芯片。
例如，发光装置130可以发出蓝光、绿光、红光以及黄光中的一种，并且发光装置130-1可以发出白光。
图29是示出图13所示的发光装置130-1的一个实施例的图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示本实施例中的与图28所示的实施例中的元件基本上相同的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图29，发光装置130-1还包括波长转换层480。
波长转换层480可以布置在第一半导体层456上，并且暴露第一电极470。
例如，波长转换层480可以由无色并且透明的聚合树脂（诸如，环氧树脂或硅树脂）和荧光粉的混合物形成。可以采用聚合树脂和荧光粉的混合物、通过第一半导体层456的保形涂层（conformal coating）形成波长转换层480。为了执行引线接合，波长转换层480可以暴露第一电极470的焊盘部分（未示出）。
保护层140的上表面可以被定位在高于接合到布置在第二基底102上的第一导电层122的引线166的最高点的位置处。保护层140可以围绕引线162至166，并且防止引线162至166暴露到外部或向外部突出。
保护层140可以接触发光装置130-1的侧表面，并且发光装置130-1的上表面可以从保护层140中暴露。
保护层140的上表面可以与发光装置130-1的上表面共面。即，发光装置130-1的上表面的高度可以与保护层140的上表面的高度相同。在此，发光装置130-1的上表面可以是波长转换层480的上表面。
图14是依照另一个实施例的灯单元100-4的横截面图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示与图13所示的实施例中的元件基本上相同的本实施例中的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图14，灯单元100-4与图13所示的实施例中的灯单元100-3不同的是：灯单元100-4包括由透射光的模塑构件形成的保护层140-1。除了保护层140-1的材料之外，图14所示的保护层140-1与上述保护层140相同。
图15是依照另一个实施例的灯单元100-5的平面图，并且图16是沿线A-B所截取的图15所示的灯单元100-5的横截面图。
参照图15和图16，灯单元100-5除了包括依照图13所示的实施例的灯单元100-3之外，还包括透镜210。
透镜210可以布置在保护层140上以便与发光装置130-1相对应。透镜210可以折射由相对应的发光装置130-1所辐射的光，并且调节灯单元100-5的光路。
尽管图15示出了透镜210与图15中的各个发光装置相对应，但是当发光装置130-1的数量是多个时，可以设置一个覆盖图15中所有发光装置的透镜（未示出）。
图17是依照另一个实施例的灯单元200的平面图，并且图18是沿线C-D所截取的图17所示的灯单元200的横截面图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示本实施例中的与图1和图2所示的实施例中的元件基本上相同的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图17和图18，灯单元200包括第一基底101、第二基底102、多个导电层112、114、122和124-1、发光装置130-2、保护层140、波长转换层150以及多个引线162、164、166和168。
灯单元200与图2所示的实施例中的灯单元100不同的是：发光装置130-2为侧向发光二极管，并且发光装置130-2电连接到导电层112、114、122和124-1。
当发光装置130-2的数量是多个时，图17中的发光装置可以布置在第二基底102上。
图30是示出图18所示的发光装置130-2的一个实施例的图。
参照图30，发光装置130-2包括基底310、发光结构320、导电层330、第一电极342以及第二电极344。
基底310可以由适合于半导体材料生长的材料（即，载体晶片）形成。此外，基底310可以由具有高热导率的材料形成，并且可以是导电基底或绝缘基底。例如，基底310可以由包括蓝宝石（Al2O3）、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3以及GaAs中的至少一个的材料形成。可以在基底310的上表面上形成凹凸图案。
此外，可以在基底310上形成使用II-VI族原子的化合物半导体的层或图案，例如，ZnO层（未示出）、缓冲层（未示出）以及未掺杂的半导体层（未示出）中的至少一个。可以使用III-V族原子的化合物半导体形成缓冲层或未掺杂的半导体层，缓冲层可降低与基底310的晶格常数的差异，并且未掺杂的半导体层可以由未掺杂的GaN基半导体形成。
发光结构450可以是生成光的半导体层，并且包括第一半导体层456、有源层454以及第二半导体层452。第一半导体层456、有源层454以及第二半导体层452可以与图28所示的实施例中的第一半导体层、有源层以及第二半导体层相同。发光装置130-2可以发出蓝光、绿光、红光以及黄光中的一种。
在发光结构450中，第一半导体层456的一部分可以通过移除第二半导体层452、有源层454以及第一半导体层456的其它部分而暴露。
导电层330减少了全反射并且具有高的光透射率，因此可以提高从有源层454向第二半导体层452所发射的光的提取效率。
导电层330可以形成为使用透明导电氧化物（例如，从由氧化铟锡（ITO）、氧化锡（TO）、氧化铟锌（IZO）、氧化铟锡锌（ITZO）、氧化铟铝锌（IAZO）、氧化铟镓锌（IGZO）、氧化铟镓锡（IGTO）、氧化铝锌（AZO）、氧化锑锡（ATO）、氧化镓锌（GZO）、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au以及Ni/IrOx/Au/ITO所构成的组中所选择的至少一个）的单层或多层结构。
第一电极342可以布置在暴露的第一半导体层456上，并且第二电极344可以布置在导电层330上。
第一导电层122和第二导电层124-1可以被定位在第二基底102上以便彼此分离，并且发光装置130-2可以电连接到第一导电层122和第二导电层124-1。
发光装置130-2的基底310可以接合到第二基底102。
引线166可以将发光装置130-2的第一电极342电连接到布置在第二基底102上的第一导电层122。引线168可以将发光装置130-2的第二电极144电连接到布置在第二基底102上的第二导电层124-1。
为了保护引线166和168，波长转换层150的上表面和保护层140的上表面可以被定位在高于引线166和168中每个的最高点T1的位置处。
图19是依照另一个实施例的灯单元200-1的横截面图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示与图18所示的实施例中的元件基本上相同的本实施例中的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图19，灯单元200-1与图18所示的实施例中的灯单元200不同的是：保护层140-1透射光。
图20是依照另一个实施例的灯单元200-2的平面图，并且图21是沿线C-D所截取的图20所示的灯单元200-2的横截面图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示本实施例中的与图18所示的实施例中的元件基本上相同的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图20和图21，灯单元200-2除了包括依照图18所示的实施例的灯单元200之外，还包括透镜210。透镜210可以布置在波长转换层150和保护层140上以便与发光装置130-2相对应。透镜210可以折射由相对应的发光装置130-2所辐射的光，并且调节灯单元200-2的光路。
图22是依照另一个实施例的灯单元200-3的平面图，并且图23是沿线C-D所截取的图22所示的灯单元200-3的横截面图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示本实施例中的与图17和图18所示的实施例中的元件基本上相同的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图22和图23，灯单元200-3包括第一基底101、第二基底102、多个导电层112、114、122和124-1、发光装置130-3、保护层140以及多个引线162、164、166和168。
参照图22和图23，虽然在图18所示的实施例中的灯单元200包括芯片型发光装置130-2和被定位在发光装置130-2上的波长转换层150，但是灯单元200-3包括发光装置130-3，发光装置130-3中的每个被形成为包括图18所示的实施例中的灯单元200的发光装置130-2和波长转换单元150的一个芯片。
例如，发光装置130-2可以发出蓝光、绿光、红光以及黄光中的一种，并且发光装置130-3可以发出白光。
图31是示出图23所示的发光装置130-3的一个实施例的图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示本实施例中的与图30所示的实施例中的元件基本上相同的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图31，发光装置130-3还包括波长转换层350。
波长转换层350可以布置在第二半导体层452上，并且暴露第二电极344。
保护层140的上表面可以与发光装置130-3的上表面共面。即，发光装置130-3的上表面的高度可以与保护层140的上表面的高度相同。在此，发光装置130-3的上表面可以是波长转换层350的上表面。
保护层140可以接触发光装置130-3的侧表面，并且发光装置130-3的上表面可以从保护层140中暴露。
因为引线166和168的最高点的高度低于发光装置130-3的上表面的高度和保护层140的上表面的高度，所以可以防止对引线166和168的破损和损坏。
图24是依照另一个实施例的灯单元200-4的横截面图。尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示本实施例中的与图23所示的实施例中的元件基本上相同的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图24，虽然图23所示的灯单元200-3的保护层140为反射构件，但是灯单元200-4的保护层140-1可以透射光。
图25是依照另一个实施例的灯单元200-5的平面图，并且图26是沿线C-D所截取的图25所示的灯单元200-5的横截面图。
尽管在不同的附图中描述，但是通过相同的附图标记来表示本实施例中的与图22和图23所示的实施例中的元件基本上相同的元件，并且因此将简略地给出或省略其详细描述（因为认为是非必要的）。
参照图25和图26，为了折射从发光装置130-3所辐射的光并且调节光路，灯单元200-5除了包括依照图23所示的实施例的灯单元200-3之外，还可以包括透镜210。
图27是依照另一个实施例的灯单元的横截面图。图27所示的实施例中的灯单元是图1所示的灯单元100的修改，并且还可以包括模塑固定单元190。
参照图27，模塑固定单元190可以布置在第一基底101以及多个导电层112、114、122和124上以便接触保护层140的外周表面，并且支撑和固定保护层140的边缘。
可以在第一基底101以及多个导电层112、114、122和124上布置模塑固定单元190以便围绕发光装置130，并且可以通过使模塑构件流出到模塑固定单元190的内部以及使所流出的模塑构件硬化形成保护层140。在此，模塑固定单元190可以防止所流出的模塑构件溢出，并且用于支撑硬化后的保护层140。
模塑固定单元190的形状可以由保护层140的所要求的形状确定。例如，模塑固定单元190可以具有圆形形状、椭圆形形状以及诸如矩形的多边形形状，但本公开不限于此。
模塑固定单元190可以额外地施加到依照其他实施例的灯单元100-2至100-5、200以及200-1至200-5。
图32是依照一个实施例的用于车辆的前照灯800的横截面图。
参照图32，前照灯800包括灯单元801、反射器802、遮光件（shade）803以及透镜804。
灯单元801可以是依照实施例的上述灯单元100、100-1至100-5、200以及200-1至200-5中的一个，并且生成光。
反射器802可以沿指定的方向反射由灯单元801所辐射的光。遮光件803可以布置在反射器802与透镜804之间。遮光件803是阻挡或反射由反射器802所反射并且向透镜804行进的光的一部分以形成设计者所要求的光分布图案的构件。
在此，遮光件803与透镜804相邻的一侧803-1以及遮光件803与灯单元801相邻的另一侧803-2可以具有不同的高度。
由灯单元801所辐射的光可以由反射器802和遮光件803所反射，通过透镜804，然后向车辆的前方区域行进。在此，透镜804可以折射由反射器802所反射的光。
图33是示出依照另一个实施例的用于车辆的前照灯900的图。
参照图33，用于车辆的前照灯900可以包括灯单元910和灯壳体920。
灯单元910可以包括依照实施例的上述灯单元100、100-1至100-5、200以及200-1至200-5中的至少一个。
灯壳体920可以容纳灯单元910，并且可以由透射光的材料形成。用于车辆的灯壳体920可以根据车辆的安装有灯壳体920的区域或设计而弯曲。
用于车辆的上述前照灯800和900中的每个包括依照一个实施例的灯单元，因此可以改进光效率。
从以上描述中明显的是，依照一个实施例的灯单元可以保护接合到发光装置的引线并且减少光损失。
尽管已经参照本公开的一些示意性实施例描述了本公开的实施例，但是应当理解，本领域内技术人员可以想到的许多其他修改和实施例将落入本公开原理的精神和范围内。更具体地，在本公开、附图以及所附的权利要求的范围内的主题组合布置的组成部分和/或布置的各种变化和修改是可能的。除了组成部分和/或布置的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说替换使用也将是明显的。

Claims (23)

1.一种灯单元，包括：
第一基底；
布置在所述第一基底上的第二基底；
布置在所述第二基底上的发光装置；
布置在所述第二基底上的第一导电层和第二导电层；
将所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一个电连接到所述发光装置的至少一个引线；以及
布置在所述第一基底和所述第二基底上并且围绕所述发光装置和所述至少一个引线的保护层，
其中，所述保护层的上表面被定位在高于所述至少一个引线的最高点的位置处。
2.根据权利要求1所述的灯单元，其中，所述保护层由反射光的模塑构件形成。
3.根据权利要求1所述的灯单元，其中，所述保护层由透射光的模塑构件形成。
4.根据权利要求1所述的灯单元，其中，所述保护层接触所述发光装置的侧表面。
5.根据权利要求1所述的灯单元，其中，所述发光装置的上表面与所述保护层的上表面共面。
6.根据权利要求1所述的灯单元，其中，所述发光装置的上表面从所述保护层中暴露。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的灯单元，其中，所述发光装置包括：
发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，并且所述发光结构生成光；以及
波长转换层，所述波长转换层布置在所述发光结构上并且对从所述发光结构所辐射的光的波长进行转换。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的灯单元，其中，所述第一基底设置有空腔，所述第二基底布置在所述空腔内，以及所述保护层对所述空腔进行填充。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的灯单元，还包括：
布置在所述第一基底上的第三导电层和第四导电层；
将所述第一导电层电连接到所述第三导电层的第一引线；以及
将所述第二导电层电连接到所述第四导电层的第二引线，
其中，所述保护层围绕所述第一引线和所述第二引线。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的灯单元，还包括与所述发光装置相对应的并且布置在所述保护层上的透镜。
11.根据权利要求1至6中任一项所述的灯单元，其中，所述第一基底是金属芯印刷电路板MCPCB，并且所述第二基底是陶瓷基底。
12.一种灯单元，包括：
第一基底；
布置在所述第一基底上的第二基底；
布置在所述第二基底上的发光装置；
布置在所述第二基底上的第一导电层和第二导电层；
将所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一个电连接到所述发光装置的至少一个引线；
布置在所述发光装置上并且对由所述发光装置所辐射的光的波长进行转换的波长转换层；以及
布置在所述第一基底和所述第二基底上以便围绕所述发光装置和所述至少一个引线的保护层，
其中，所述保护层的上表面被定位在高于所述至少一个引线的最高点的位置处。
13.根据权利要求12所述的灯单元，其中，所述波长转换层的上表面被定位在高于所述至少一个引线的最高点的位置处。
14.根据权利要求12所述的灯单元，其中，所述保护层由反射光的模塑构件形成。
15.根据权利要求12所述的灯单元，其中，所述保护层由透射光的模塑构件形成。
16.根据权利要求12所述的灯单元，其中，所述保护层接触所述发光装置的侧表面和所述波长转换层的侧表面。
17.根据权利要求12所述的灯单元，其中，所述波长转换层的上表面从所述保护层中暴露。
18.根据权利要求12至17中任一项所述的灯单元，其中：
所述发光装置包括发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，并且所述发光结构生成光；以及
所述发光装置发出蓝光、绿光、红光和黄光中的一种。
19.根据权利要求12至17中任一项所述的灯单元，还包括与所述发光装置相对应的并且布置在所述保护层和所述波长转换层上的透镜。
20.根据权利要求12至17中任一项所述的灯单元，其中，所述发光装置的数量是多个，并且所述多个发光装置彼此分离。
21.根据权利要求20所述的灯单元，其中：
所述波长转换层包括多个部分；并且
所述波长转换层的所述多个部分中的每个被定位以便与所述多个发光装置中的一个相对应。
22.根据权利要求20所述的灯单元，其中：
所述波长转换层被定位以便与所述多个发光装置分别所处的区域和被定位在两个相邻的发光装置之间的区域相对应。
23.根据权利要求12所述的灯单元，还包括模塑固定单元，所述模塑固定单元布置在所述第一基底上、并且接触所述保护层的外周表面、以及支撑所述保护层的边缘。
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