KR102251225B1 - 광원 모듈 - Google Patents

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KR102251225B1 KR1020140117463A KR20140117463A KR102251225B1 KR 102251225 B1 KR102251225 B1 KR 102251225B1 KR 1020140117463 A KR1020140117463 A KR 1020140117463A KR 20140117463 A KR20140117463 A KR 20140117463A KR 102251225 B1 KR102251225 B1 KR 102251225B1
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Abstract

실시 예에 따른 광원 모듈은, 실시 예에 따른 광원 모듈은, 제1 및 제2패드를 갖는 보드; 상기 보드 상에 복수개가 배열되며 제3 및 제4패드를 갖는 발광 칩; 상기 발광 칩의 제1 및 제3패드와, 상기 제2 및 제4패드 사이에 접합된 접합 부재; 상기 발광 칩의 표면에 배치된 형광체층; 및 상기 형광체층 상에 배치된 광학 렌즈를 포함하며, 상기 발광 칩은, 제1도전성 반도체층, 활성층 및 제2도전성 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 아래에 배치되며 상기 제2도전성 반도체층과 전기적으로 연결된 제1전극층; 상기 제1전극층 아래에 배치된 제2전극층; 상기 제2전극층 아래에 배치된 제1절연층; 상기 제1절연층 아래에 배치되며 상기 제1도전성 반도체층과 전기적으로 연결된 복수의 연결부를 갖는 제3전극층; 상기 제3전극층 아래에 제2절연층; 상기 제2절연층 아래에 배치되며 상기 제2전극층과 연결된 상기 제3패드; 및 상기 제2절연층 아래에 배치되며 상기 제3전극층과 연결된 상기 제4패드를 포함하며, 상기 제3 및 제4패드는 상기 발광 구조물의 방향으로 볼록하게 배치된 리세스를 포함하며, 상기 접합부재는 상기 제3 및 제4패드의 리세스에 배치된다.

Description

광원 모듈{LIGHT SOURCE MODULE}
실시 예는 광원 모듈에 관한 것이다.
발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 새로운 광학 특성을 갖는 광원 모듈을 제공한다.
실시 예는 기판 상에 플립 칩 및 형광체층을 갖는 광원 모듈을 제공한다.
실시 예는 기판 상에 플립 칩 및 광학 렌즈를 갖는 광원 모듈을 제공한다.
실시 예는 기판 상에 플립 칩의 본딩을 위해 발광 칩의 전극에 볼록한 리세스를 갖는 광원 모듈을 제공한다.
실시 예는 광원 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예에 따른 광원 모듈은, 제1 및 제2패드를 갖는 보드; 상기 보드 상에 복수개가 배열되며, 제3 및 제4패드를 갖는 발광 칩; 상기 발광 칩의 제1 및 제3패드와, 상기 제2 및 제4패드 사이에 접합된 접합 부재; 상기 발광 칩의 표면에 배치된 형광체층; 및 상기 형광체층 상에 배치된 광학 렌즈를 포함하며,
상기 발광 칩은, 제1도전성 반도체층, 활성층 및 제2도전성 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 아래에 배치되며 상기 제2도전성 반도체층과 전기적으로 연결된 제1전극층; 상기 제1전극층 아래에 배치된 제2전극층; 상기 제2전극층 아래에 배치된 제1절연층; 상기 제1절연층 아래에 배치되며 상기 제1도전성 반도체층과 전기적으로 연결된 복수의 연결부를 갖는 제3전극층; 상기 제3전극층 아래에 제2절연층; 상기 제2절연층 아래에 배치되며 상기 제2전극층과 연결된 상기 제3패드; 및 상기 제2절연층 아래에 배치되며 상기 제3전극층과 연결된 상기 제4패드를 포함하며, 상기 제3 및 제4패드는 상기 발광 구조물의 방향으로 볼록하게 배치된 리세스를 포함하며, 상기 접합부재는 상기 제3 및 제4패드의 리세스에 배치된다.
실시 예는 발광 칩의 방열 효율이 개선될 수 있다.
실시 예는 발광 칩에 와이어가 연결되지 않으므로 칩의 실장이 편리한 효과가 있다.
실시 예는 기판 상에서 발광 칩에 의해 피치를 조절할 수 있다.
실시 예는 발광 칩의 전극과 접합 부재의 접합 면적을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 광원 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛의 신뢰성이 개선될 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 광원 모듈의 부분 확대도이다.
도 3은 제2실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 측 단면도이다.
도 4는 제3실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 측 단면도이다.
도 5는 제4실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 측 단면도이다.
도 6은 제5실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 측 단면도이다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 칩의 제1 및 제2전극을 나타낸 저면도이다.
도 8은 도 7의 발광 칩의 제1, 2전극의 다른 예이다.
도 9는 도 1의 광원 모듈의 광학 특성을 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 광원 모듈의 광학 렌즈의 다른 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 11은 도 10의 광원 모듈의 부분 확대도이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 광원 모듈을 설명한다.
도 1은 제1실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 광원 모듈의 부분 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 광원 모듈은 보드(110), 상기 보드(110) 상에 복수개가 배열된 복수의 발광 칩(120), 상기 각 발광 칩(120)의 표면에 형광체층(160) 및 상기 발광 칩(120)의 둘레에 배치된 광학 렌즈(190)를 포함한다.
상기 보드(110)는 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코어(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 보드(110)는 내부에 금속층을 갖는 인쇄회로기판을 포함할 수 있다.
상기 보드(110)는 복수의 패드(115,117)을 포함할 수 있으며, 상기 복수의 패드(115,117)는 상기 보드(110) 상에 배치되며 발광 칩(120)으로 전원을 공급하고, 상기 발광 칩(120)으로부터 발생된 열을 방열하게 된다. 상기 복수의 패드(115,117)는 보드(110) 내의 배선 층에 의해 복수의 발광 칩(120)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 패드(115,117)는 제1 및 제2패드(115,117)로 정의될 수 있으며, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적 합금으로 형성될 수 있으며, 단일 층 또는 다중 층으로 형성될 수 있다.
상기 보드(110)는 예컨대, 전도성 재질의 몸체를 포함한다. 상기 전도성 재질의 몸체는 실리콘 재질을 포함하며, 내부에 n형 불순물 또는 p형 불순물을 포함할 수 있다.
상기 보드(110)의 제1 및 제2패드(115,117)에는 발광 칩(120)이 접합 부재(155,157)에 의해 접합될 수 있다. 상기 발광 칩(120)은 플립 방식으로 상기 보드(110) 상에 배치되므로, 상기 발광 칩(110)으로부터 방출된 대부분의 광을 상 방향으로 방출시켜 주게 된다.
상기 발광 칩(120)의 표면에는 형광체층(160)이 배치될 수 있으며, 상기 형광체층(160)은 입사되는 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 광학 렌즈(190)는 상기 발광 칩(120)으로부터 방출된 광의 지향 특성을 조절하게 된다.
도 2를 참조하면, 상기 발광 칩(120)은 복수의 반도체층을 갖는 발광 구조물(125), 및 복수의 패드(145,147)를 포함한다. 상기 반도체층은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 복수의 패드(145,147)은 상기 발광 구조물(125)의 반도체층에 선택적으로 연결되며, 전원을 공급하게 된다.
상기 발광 구조물(125)은 제1도전성 반도체층(122), 활성층(123) 및 제2도전성 반도체층(124)을 포함한다. 상기 제1도전성 반도체층(122)은 제1도전성 도펀트가 도핑된 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전성이 n형 반도체인 경우, 상기 제1도전성 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함한다. 상기 제1도전성 반도체층(122)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 활성층(123)은 상기 제1도전성 반도체층(122) 아래에 배치되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조, 양자 선 구조, 양자 점 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(123)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층/장벽층의 주기, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InGaN/InAlGaN 또는 InGaN/AlGaN의 주기로 형성될 수 있다. 상기 활성층(123)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층이 형성될 수 있으며, 상기 도전성 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다. 상기 제2도전성 반도체층(124)은 상기 활성층(123) 아래에 배치되며, 제2도전성 도펀트가 도핑된 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2도전성이 p형 반도체인 경우, 상기 제2도전성 도펀트는 Mg, Ze 등과 같은 p형 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전성 반도체층(124)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있고, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 구조물(125)은 예컨대, 복수의 반도체층의 적층 구조에 의해 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광 칩(120)은 하부에 패드(145,147)가 배치되며, 상기 패드(145,147)은 제3 및 제4패드(145,147)를 포함한다. 상기 제3 및 제4패드(145,147)는 상기 발광 칩(120)의 아래에 서로 이격된다. 상기 제3패드(145)는 상기 제2도전성 반도체층(124)와 전기적으로 연결되며, 상기 제4패드(147)는 제1도전성 반도체층(122)과 전기적으로 연결된다. 상기 제3 및 제4패드(145,147)은 다각형 또는 원 형상이거나, 제1 및 제2패드(115,117)의 형상과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 제3 및 제4패드(145,147)의 하면 면적은 예컨대, 제1 및 제2패드(115,117)의 상면 크기와 대응되는 크기로 형성될 수 있다.
상기 발광 칩(120)은 기판(121)을 포함할 수 있다. 상기 기판(121)은 상기 발광 구조물(125) 위에 배치된다. 상기 기판(121)은 예컨대, 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있다. 상기 기판(121)은, 예컨대 투광성 및 절연성 기판을 포함한다. 상기 기판(121)은 사파이어 기판(Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga2O3, 그리고 GaAs으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 기판(121)은 투광성의 성장 기판일 수 있다.
상기 발광 칩(120)은 상기 기판(121)과 상기 발광 구조물(125) 사이에 버퍼층(미도시) 및 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(121)과 반도체층과의 격자 상수 차이를 완화시켜 주기 위한 층으로서, II족 내지 VI족 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 아래에는 언도핑된 III족-V족 화합물 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(121)은 제거될 수 있다.
상기 발광 칩(120)은 전극층(141,142), 제3전극층(143), 절연층(131,133)을 포함한다. 상기 전극층(141,142)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 상기 전극층(141,142)은 예컨대, 다층인 경우, 상기 발광 구조물(125)의 아래에 배치된 제1전극층(141); 및 상기 제1전극층(141) 아래에 배치된 제2전극층(142)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(141)은 전류를 확산시켜 주게 되며, 상기 제2전극층(141)은 입사되는 광을 반사하게 된다.
상기 제1 및 제2전극층(141,142)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(141)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층은 예컨대 ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 제2전극층(142)은 상기 제1전극층(141)의 하면과 접촉되며 반사 전극층으로 기능할 수 있다. 상기 제2전극층(142)은 반사도가 80% 이상인 높은 금속 예컨대, Ag, Au 또는 Al를 포함한다. 상기 제2전극층(142)은 상기 제1전극층(141)이 일부 영역이 제거된 경우, 상기 발광 구조물(125)의 하면에 부분적으로 접촉될 수 있다.
다른 예로서, 상기 전극층(141,142)은 무지향성 반사(ODR: Omni Directional Reflector layer) 구조로 적층될 수 있다. 상기 무지향성 반사 구조는 낮은 굴절률을 갖는 제1전극층(141)과, 상기 제1전극층(141)과 접촉된 고 반사 재질의 금속 재질인 제2전극층(142)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141,142)은, 예컨대, ITO/Ag의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 제1전극층(141)과 제2전극층(142) 사이의 계면에서 전 방위 반사각을 개선시켜 줄 수 있다.
다른 예로서, 상기 제2전극층(142)은 제거될 수 있으며, 다른 재질의 반사층으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전극층(141,142)은 분산형 브래그 반사 구조와 무지향성 반사 구조를 모두 포함할 수 있으며, 이 경우 98% 이상의 광 반사율을 갖는 발광 칩(120)을 제공할 수 있다. 상기 플립 방식으로 탑재된 발광 칩(120)은 상기 제2전극층(142)로부터 반사된 광이 기판(121)을 통해 방출하게 되므로, 수직 상 방향으로 대부분의 광을 방출할 수 있다.
상기 제3전극층(143)은 상기 제2전극층(142)의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2전극층(141,142)과 전기적으로 절연된다. 상기 제3전극층(143)은 금속 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제3전극층(143) 아래에는 제3패드(145) 및 제4패드(147)가 배치된다. 상기 절연층(131,133)은 전극층(141,142), 제3전극층(143), 제3 및 제4패드(145,147), 발광 구조물(125)의 층 간의 불필요한 접촉을 차단하게 된다. 상기 절연층(131,133)은 제1 및 제2절연층(131,133)을 포함한다. 상기 제1절연층(131)은 상기 제3전극층(143)과 제2전극층(142) 사이에 배치된다. 상기 제2절연층(133)은 상기 제3전극층(143)과 제3/4패드(145,147) 사이에 배치된다. 상기 제3 및 제4패드(145,147)는 상기 제1 및 제2패드(115,117)와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제3전극층(143)은 상기 제1도전성 반도체층(122)과 연결된다. 상기 제3전극층(143)의 연결부(144)는 상기 전극층(141, 142) 및 발광 구조물(125)의 하부를 통해 비아 구조로 돌출되며 제1도전성 반도체층(122)과 접촉된다. 상기 연결부(144)는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제3전극층(143)의 연결부(144)의 둘레에는 상기 제1절연층(131)이 연장되어 상기 전극층(141,142), 제2도전성 반도체층(124) 및 활성층(123) 간의 불필요한 접촉을 차단한다. 상기 발광 구조물(125)의 측면에는 측면 보호를 위해 절연 재질의 층이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제3패드(145)는 상기 제2절연층(133) 아래에서 상기 제2절연층(133)의 오픈 영역을 통해 상기 제1 및 제2전극층(141, 142) 중 적어도 하나와 접촉되거나 연결된다. 상기 제4패드(147)는 상기 제2절연층(133)의 아래에서 상기 제2절연층(133)의 오픈 영역을 통해 상기 제3전극층(143)과 연결된다. 이에 따라 상기 제3패드(145)의 돌기(146)는 전극층(141,142)을 통해 제2도전성 반도체층(124)에 전기적으로 연결되며, 제4패드(147)의 돌기(148)는 제3전극층(143)을 통해 제1도전성 반도체층(122)에 전기적으로 연결된다.
상기 제3 및 제4패드(145,147)는 상기 발광 칩(120)의 하부에 서로 이격되며, 상기 보드(110)의 제1 및 제2패드(115,117)와 대면하게 된다. 상기 제3 및 제4패드(145,147)에는 도 7과 같이, 다각형 형상의 리세스(71,73)가 배치되며, 상기 리세스(71,73)는 상기 기판(121) 및 발광 구조물(125)의 방향으로 볼록하게 형성된다. 상기 리세스(71,73)는 상기 제3 및 제4패드(145,147)의 두께와 같거나 작은 깊이를 갖고 형성될 수 있으며, 이러한 리세스(71,73)의 깊이는 상기 제3 및 제4패드(145,147)의 표면적을 증가시켜 줄 수 있다.
상기 제1 및 제3패드(145, 115) 사이의 영역 및 상기 제4 및 제2패드(147,117) 사이의 영역에는 접합 부재(155,157)가 배치된다. 상기 접합 부재(155,157)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있으며, 일부는 상기 리세스(71,73)에 배치된다. 상기 제3 및 제4패드(115,117)는 상기 접합 부재(155,157)가 리세스(71,73)에 배치되므로, 상기 접합 부재(155,157)와 제3 및 제4패드(145,147) 간의 접착 면적은 증가될 수 있다. 이에 따라 제3 및 제4패드(145,147)는 제1 및 제2패드(115,117)와의 접합되므로, 발광 칩(120)의 전기적인 신뢰성 및 방열 효율은 개선될 수 있다.
또한 도 7 및 도 8과 같이, 상기 제3 및 제4패드(115,117)의 리세스(71,73)는 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 상기 리세스(71,73)의 표면 형상은 다각형 형상이거나, 원 형상일 수 있다. 또한 상기 리세스(71,73)는 상기 제3 및 제4패드(115,117)의 에지로부터 이격되거나 에지에 연결되도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 접합 부재(155,157)는 솔더 페이스트 재질을 포함할 수 있다. 상기 솔더 페이스트 재질은 금(Au), 주석(Sn), 납(Pb), 구리(Cu), 비스무트(Bi), 인듐(In), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 접합 부재(155,157)는 열 전달을 보드(110)에 직접 전도하기 때문에 열 전도 효율이 패키지를 이용한 구조보다는 개선될 수 있다. 또한 상기 접합 부재(155,157)는 발광 칩(120)의 제3 및 제4패드(115,117)와의 열 팽창계수의 차이가 적은 물질이므로, 열 전도 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 접합 부재(155,157)는 다른 예로서, 전도성 필름을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 필름은 절연성 필름 내에 하나 이상의 도전성 입자를 포함한다. 상기 도전성 입자는 예컨대, 금속이나, 금속 합금, 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도전성 입자는 니켈, 은, 금, 알루미늄, 크롬, 구리 및 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 필름은 이방성(Anisotropic) 전도 필름 또는 이방성 도전 접착제를 포함할 수 있다.
상기 발광 칩(120)과 상기 보드(110) 사이에는 접착 부재 예컨대, 열전도성 필름을 포함할 수 있다. 상기 열전도성 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부티렌테레프탈레이드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부티렌나프탈레이트 등의 폴리에스터 수지; 폴리이미드 수지; 아크릴 수지; 폴리스티렌 및 아크릴로니트릴-스티렌 등의 스티렌계 수지; 폴리카보네이트 수지; 폴리락트산 수지; 폴리우레탄 수지; 등을 사용할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체와 같은 폴리올레핀 수지; 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴클로라이드 등의 비닐 수지; 폴리아미드 수지; 설폰계 수지; 폴리에테르-에테르케톤계 수지; 알릴레이트계 수지; 또는 상기 수지들의 블렌드 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광 칩(120)은 기판(121)의 표면 및 발광 구조물(125)의 측면을 통해 광을 방출함으로써, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 또한 발광 칩(120)은 둘레에 반사 컵이 없기 때문에 넓은 지향각 분포로 발광할 수 있다. 이러한 보드(110) 상에 발광 칩(120)을 직접 본딩할 수 있어 공정이 간소화될 수 있다. 또한 발광 칩(120)의 방열이 개선됨으로써, 조명 분야 등에 유용하게 활용될 수 있다.
상기 발광 칩(120)의 둘레에는 형광체층(160)이 배치될 수 있다. 상기 형광체층(160)은 상기 발광 칩(120)의 상면 위에 배치된 제1영역(161) 및 측면에 배치된 제2영역(164)을 포함할 수 있다. 상기 제1영역(161)은 상기 발광 칩(120)의 기판(121)을 통해 방출된 광의 파장을 변환하게 되며, 상기 제2영역(164)은 상기 발광 칩(120)의 측면을 통해 방출된 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 제1영역(161)으로 추출된 광량은 상기 제2영역(164)로 추출된 광량보다 클 수 있다. 또한 상기 제1영역(161)은 광의 지향각 분포를 개선하기 위해, 제1돌출부(162)를 포함한다. 상기 제1돌출부(162)는 상기 발광 구조물(125)와 수직 방향으로 오버랩되도록 배치되어, 입사되는 광을 분산시켜 줄 수 있다. 상기 제1돌출부(162)는 상기 제1영역(161) 상에 단차진 영역으로서, 상기 제3전극층(143)의 연결부(144)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 이러한 제1돌출부(162)는 상기 발광 칩(120)의 센터 영역에서 광의 분포를 조절할 수 있다.
상기 제1영역(161)의 두께(T1)는 상기 제2영역(164)의 두께보다 두껍게 배치될 수 있으며, 이는 상기 제1영역(161)의 두께(T1)에 의해 상기 제1영역(161)을 통해 추출되는 광을 보다 효과적으로 분산시켜 줄 수 있다. 또한 상기 제1영역(161)의 제1돌출부(162)를 통해 영역별 균일한 광도를 제공할 수 있다. 상기 제1돌출부(162)의 두께(T2)는 상기 제1영역(161)의 두께(T1)와 동일하거나 얇은 두께로 형성되어, 제1돌출부(162)를 통한 광의 분포를 조절할 수 있다. 또한 상기 제1돌출부(162)의 너비(B1)는 상기 제1영역(161)의 너비(B0) 및 상기 기판(121)의 너비보다 좁게 형성될 수 있다. 상기 제1돌출부(162)의 너비(B1)는 상기 연결부(144) 간의 너비보다 넓을 수 있고 또 상기 발광 구조물(125)의 두께보다 넓은 너비로 형성될 수 있다. 상기 제1돌출부(162)의 너비(B1)는 상기 제3 및 제4패드(115,117) 사이의 간격보다 넓게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 제1돌출부(162)는 국부적인 영역 예컨대, 센터 영역으로 집광되는 광을 분산시켜 줄 수 있다.
상기 형광체층(160)은 상기 발광 칩(120)로부터 방출된 일부 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 형광체층(160)은 투광성 수지 재료 내에 형광체가 첨가된다. 상기 투광성 수지 재료는 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 형광체층(160)은 서로 다른 형광체층을 포함할 수 있으며, 상기 서로 다른 형광체층은 제1층이 적색, 황색, 녹색 형광체층 어느 한 형광체층이고, 제2층이 상기 제1층 위에 형성되며 상기 제1층과 다른 형광체층으로 형성될 수 있다.
상기 형광체층(160)의 측면 하부는 상기 제2절연층(133)에 접촉되거나, 접촉하지 않을 수 있다. 상기 형광체층(160)의 하부는 제3 및 제4패드(115,117)로부터 이격되므로, 형광체층(160)을 열로부터 보호할 수 있다.
상기 기판(121)과 상기 형광체층(160) 사이에는 투광성 수지층(180)이 배치될 수 있으며, 상기 투광성 수지층(180)은 투명한 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 투광성 수지층(180)은 상기 기판(121)의 상면과 동일한 너비를 갖고 상기 기판(121)을 투과하는 광을 추출하게 된다. 상기 투광성 수지층(180) 내에는 형광체 또는 산란제가 더 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 투광성 수지층(180)은 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 칩(120)의 측면과 상기 형광체층(160) 사이의 영역에는 보호층(183)을 포함하며, 상기 보호층(183)은 투명한 수지 재질 내에 금속 화합물이 첨가된 구조이다. 상기 금속 화합물은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물을 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 보호층(183)은 상기 발광 구조물(125)의 반도체층의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 고 굴절층일 수 있다. 상기 보호층(183)은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2, MgO 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 보호층(183)은 단층 또는 다층으로 형성되어, 상기 발광 칩(120)을 통해 측 방향으로 추출되는 광을 반사하거나 굴절시켜 주어, 발광 칩(120)의 측 방향을 통해 방출되는 광량을 제어할 수 있다.
상기 보호층(183)은 상기 기판(121)의 측면부터 상기 제1전극층(141)의 측면까지 연장되어 배치될 수 있다. 또한 상기 보호층(183)은 상기 제2전극층(143)의 측면에 배치될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 보호층(183)은 투명한 기판(121)부터 투명한 제1전극층(141)의 측면에 배치되어, 발광 칩(120)의 측면으로 방출되는 광을 굴절시켜 상기 기판(121)의 상면으로 방출시켜 주거나 확산시켜 방출하게 된다. 이에 따라 발광 칩(121)의 둘레에 배치된 보호층(183)은 발광 칩(121)의 측면을 보호하고 측면 광의 분포를 조절할 수 있다.
도 1을 참조하면, 광학 렌즈(190)는 상기 발광 칩(120)의 상부 및 측면 상에 배치될 수 있다. 상기 광학 렌즈(190)은 반구형 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 발광 칩(120) 및 형광체층(160)을 통해 추출된 광의 지향각 분포를 조절할 수 있다. 예컨대, 광원 모듈은 각 발광 칩(120)로부터 방출된 광의 지향각 분포를 135도 이상으로 넓혀줄 수 있다. 이에 따라 발광 칩(120) 간의 간격(D1)을 더 넓게 배치할 수 있다.
도 3은 제2실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하여 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 광원 모듈은 보드(110), 상기 보드(110) 상에 복수개가 배열된 복수의 발광 칩(120), 상기 각 발광 칩(120)의 표면에 형광체층(160) 및 상기 발광 칩(120)의 둘레에 배치된 광학 렌즈를 포함한다.
상기 형광체층(160)은 상기 발광 칩(120) 상에 배치된 제1영역(161)에 제1 및 제2돌출부(162,163)을 포함한다. 상기 제2돌출부(163)는 상기 제1영역(161)의 너비(B0)보다는 좁고 상기 제1돌출부(162)보다 넓은 너비로 형성될 수 있다. 상기 제2돌출부(163)는 상기 발광 칩(120)의 기판(121)과 동일한 너비로 배치될 수 있으며, 상기 기판(121)의 전 영역을 통해 추출되는 광의 파장을 변환할 수 있다. 상기 형광체층(160)은 제1영역(161) 상에 단차 구조의 제1 및 제2돌출부(162,163)을 구비함으로써, 발광 칩(120)의 상 방향으로 추출되는 광을 효과적으로 분산시켜 줄 수 있어, 영역별 광도를 균일하게 제공할 수 있다.
또한 상기 제2돌출부(163)는 상기 제2돌출부(162)의 두께(T2)와 동일하거나 얇은 두께로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 제2돌출부(162)의 상면을 제1돌출부(163)의 상면과 다른 높이로 형성해 줌으로써, 발광 칩(120)의 상면으로 방출된 광의 휘도 분포를 조절할 수 있다.
도 4는 제3실시 예에 따른 광원 모듈을 나타낸 측 단면도이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1 및 제2실시 예와 동일한 부분은 제1 및 제2실시 예를 참조하여 설명하기로 한다. 또한 제1 및 제2실시 예에 개시된 구성은 선택적으로 제3실시 예에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 4를 참조하면, 광원 모듈은 보드(110), 상기 보드(110) 상에 복수개가 배열된 복수의 발광 칩(120), 상기 각 발광 칩(120)의 표면에 형광체층(160) 및 상기 발광 칩(120)의 둘레에 배치된 광학 렌즈(미도시)를 포함한다.
상기 형광체층(160)은 상기 발광 칩(120) 상에 배치된 제1영역(161), 상기 발광 칩(120)의 측면에 배치된 제2영역(164)을 포함한다. 상기 제1영역(161)에는 적어도 하나의 돌출부가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 형광체층(160)의 제2영역(164)에는 제3돌출부(165)를 포함한다. 상기 제3돌출부(165)는 상기 보호층(183)과 수평 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 제3돌출부(165)는 상기 발광 구조물(125)의 두께보다 넓은 너비로 형성될 수 있다. 상기 제3돌출부(165)는 발광 칩(120)의 측 방향으로 방출되는 광의 휘도 분포를 균일하게 제공할 수 있다. 즉, 상기 제3돌출부(165)는 상기 형광체층(160)의 제2영역(164)에서의 단차 구조로 배치되므로, 측 방향으로 방출되는 광의 휘도 분포를 조절할 수 있다.
상기 형광체층(160)의 제1영역(161)의 너비(B0)보다는 좁고 상기 제1돌출부(162)보다 넓은 너비로 형성될 수 있다. 상기 제2돌출부(163)는 상기 발광 칩(120)의 기판(121)과 동일한 너비로 배치되므로, 기판(121)을 통해 추출되는 광의 파장 변환을 수행할 수 있다. 상기 형광체층(160)은 제1영역(161) 상에 단차 구조의 제1 및 제2돌출부(162,163)를 구비함으로써, 발광 칩(120)의 상 방향으로 추출되는 광을 효과적으로 변환시켜 줄 수 있으며, 돌출부(162,162)에 의해 광도를 균일하게 제공할 수 있다.
실시 예에 따른 도 2 내지 도 4의 형광체층의 돌출부들은 광학 렌즈와의 접촉될 수 있으며, 이 경우 광학 렌즈를 지지 및 고정할 수 있다. 또한 상기 돌출부들의 단차 구조로 인해 광학 렌즈와의 접촉 면적이 증가될 수 있다.
도 5는 제4실시 예에 따른 광원 모듈의 측 단면도를 나타낸 도면이다. 제4실시 예를 설명함에 있어서, 제1 내지 제3실시 예와 동일한 부분은 제1 내지 제3실시 예를 참조하여 설명하기로 한다. 또한 제1 내지 제3실시 예에 개시된 구성은 선택적으로 제4실시 예에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5를 참조하면, 광원 모듈은, 보드(110), 상기 보드(110) 상에 복수개가 배열된 복수의 발광 칩(120), 상기 각 발광 칩(120)의 표면에 형광체층(160) 및 상기 발광 칩(120)의 둘레에 배치된 광학 렌즈를 포함한다.
상기 발광 칩(120)의 기판 상에는 투광성 수지층(180)이 배치되며, 상기 투광성 수지층(180)에는 반사층(185)이 배치될 수 있다. 상기 투광성 수지층(180)의 오목부(181)는 상기 형광체층(160)과 수직 방향으로 오버랩되지 않도록 어긋나게 배치될 수 있다. 상기 오목부(181)는 상기 투광성 수지층(180)의 두께와 동일한 깊이로 형성되거나 더 낮은 깊이로 형성될 수 있다.
상기 투광성 수지층(180)의 오목부(181)에는 반사층(185)이 배치될 수 있다. 상기 반사층(185)은 상기 발광 칩(120)의 센터 영역으로 방출된 광을 측 방향으로 반사시켜 줄 수 있다. 상기 반사층(185)은 상부가 넓고 하부가 좁은 형상 예컨대, 측 단면이 삼각형 형상으로 형성될 수 있다. 상기 반사층(185)의 상면 너비는 상기 제3전극층(143)의 연결부(144) 간의 간격보다 좁을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사층(185)은 입사되는 광을 측 방향으로 반사시켜 주어, 발광 칩(120)의 센터 영역에 집광된 광을 측 방향으로 분산시켜 줄 수 있다.
상기 반사층(185)은 수지 재질 내에 금속 화합물이 첨가된 구조로서, 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2, MgO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 반사층(185)은 형광체층(160)과 수직 방향으로 오버랩되지 않도록 배치될 수 있다. 상기 형광체층(160)의 오픈 영역(166)에는 상기 반사층(185)이 배치되므로, 반사층(185) 상에 별도로 형광체를 배치하지 않아도 되는 효과가 있다.
도 6은 제5실시 예에 따른 광원 모듈의 측 단면도를 나타낸 도면이다. 제5실시 예를 설명함에 있어서, 제1 내지 제4실시 예와 동일한 부분은 제1 내지 제4실시 예를 참조하여 설명하기로 한다. 또한 제1 내지 제4실시 예에 개시된 구성은 선택적으로 제5실시 예에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 6을 참조하면, 광원 모듈은 보드(110), 상기 보드(110) 상에 복수개가 배열된 복수의 발광 칩(120), 상기 각 발광 칩(120)의 표면에 형광체층(160) 및 상기 발광 칩(120)의 둘레에 배치된 광학 렌즈를 포함한다.
상기 발광 칩(120)은 발광 구조물(125) 상에 기판(121)이 배치되며, 플립 칩 방식으로 보드(110) 상에 탑재된다.
상기 발광 칩(120)은 기판(121)의 너비가 상기 발광 구조물(125)의 너비보다 넓게 배치될 수 있다. 상기 기판(121)의 외측 영역은 상기 발광 구조물(125)와 수직 방향으로 오버랩되지 않도록 배치될 수 있다. 상기 기판(121)의 외측부는 상기 발광 구조물(125)의 측면보다 더 외측으로 돌출됨으로써, 수평 방향으로의 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 발광 구조물(120)의 측면에는 보호층(183)이 배치되며, 상기 보호층(183)은 수지 내에 금속 화합물을 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(120)의 외 측면 및 상기 보호층(183)의 외 측면에는 제3절연층(135)이 배치될 수 있다. 상기 제3절연층(135)은 상기 기판(121)의 외측 하면까지 연장되어, 기판(121) 및 발광 구조물(125)의 외측을 보호하게 된다.
상기 기판(121) 상에는 투광성 수지층(180)이 배치되며, 상기 투광성 수지층(180) 상에는 형광체층(160)이 배치될 수 있다. 상기 형광체층(160)은 상기 투광성 수지층(180)의 상면 및 측면, 상기 기판(121)의 측면에 배치되어, 광을 파장을 변환하게 된다. 상기 형광체층(160)은 상기 제3절연층(135)에 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이에 따라 상기 형광체층(160)의 제2영역(164)은 상기 발광 구조물(125)의 측면보다 외측 상에 배치되므로, 기판(121)의 측면을 통해 추출되는 광의 파장을 변환하게 된다. 이에 따라 형광체층(160)은 발광 구조물(125)을 커버하는 크기로 배치되므로, 파장 변환을 효과적으로 수행할 수 있다.
실시 예에 따른 광원 모듈로부터 방출된 광은 도 9와 같이, 보드(110) 위로 방출될 수 있다. 여기서, 상기 형광체층(160)의 제1영역(161)은 입사되는 광을 제1돌출부(162)에 의해 분산시켜 줄 수 있고, 제2영역(164)은 보호층(185)에 의해 확산시켜 줄 수 있다. 또한 광학 렌즈(190)에 의해 외부 추출 광을 분산시켜 줄 수 있다. 실시 예는 형광체층(160)의 구조 및 상기 광학 렌즈(190)의 형상에 의해 상 방향으로 방출된 광(L1)과 측 방향으로 방출되는 광(L2)을 조절하여, 발광 칩(120) 간의 간격을 조절하고, 지향각 분포를 조절할 수 있다.
도 10 및 도 11은 실시 예에 따른 광원 모듈의 광학 렌즈의 다른 예를 나타낸 도면이다. 실시 예에 따른 광학 렌즈는 제1 내지 제5실시 예의 광학 렌즈에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 광원 모듈은 보드(110), 상기 보드(110) 상에 플립 방식으로 배치된 발광 칩(120), 상기 발광 칩(120) 상에 형광체층(160), 및 상기 형광체층(160) 상에 광학 렌즈(192)를 포함한다.
상기 광학 렌즈(192)는 상기 형광체층(160)과 접촉되거나 이격될 수 있다. 상기 광학 렌즈(192)는 상기 발광 칩(120)과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에 오목부(193)를 포함하며, 상기 오목부(193)는 상기 발광 칩(120)으로부터 방출되는 광을 측 방향으로 반사시켜 줄 수 있다. 상기 오목부(193)는 상기 형광체층(160)의 제1돌출부(162)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치되어, 상기 제1돌출부(162)를 통해 입사되는 광(L3)을 측 방향으로 반사시켜 줄 수 있다. 이에 따라 발광 칩(120) 간의 간격(D1)을 더 이격시켜 줄 수 있다.
상기에 개시된 실시 예(들)의 광원 모듈은, 라이트 유닛 등과 같은 조명 시스템에 제공될 수 있다. 상기 광원 모듈은 광 출사 영역에 도광판, 확산 시트 및 프리즘 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 조명 시스템은 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판일 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
71,73: 리세스 110: 보드
115: 제1패드 117: 제2패드
120: 발광 칩 122: 제1도전성 반도체층
123: 활성층 124: 제2도전성 반도체층
125: 발광 구조물 131,133,135: 절연층
141,142: 전극층 143: 제3전극층
145: 제3패드 147: 제4패드
155,157: 접합부재 160: 형광체층
162,163,165: 돌출부 180: 투광성 수지층
183: 보호층 185: 반사층

Claims (10)

  1. 제1 및 제2패드를 갖는 보드;
    상기 보드 상에 복수개가 배열되며, 제3 및 제4패드를 갖는 발광 칩;
    상기 발광 칩의 제1 및 제3패드의 사이와, 상기 제2 및 제4패드 사이에 접합된 접합부재;
    상기 발광 칩의 표면에 배치된 형광체층; 및
    상기 형광체층 상에 배치된 광학 렌즈를 포함하며,
    상기 발광 칩은,
    제1도전성 반도체층, 활성층 및 제2도전성 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 발광 구조물 아래에 배치되며 상기 제2도전성 반도체층과 전기적으로 연결된 제1전극층;
    상기 제1전극층 아래에 배치된 제2전극층;
    상기 제2전극층 아래에 배치된 제1절연층;
    상기 제1절연층 아래에 배치되며 상기 제1도전성 반도체층과 전기적으로 연결된 복수의 연결부를 갖는 제3전극층;
    상기 제3전극층 아래에 제2절연층;
    상기 제2절연층 아래에 배치되며 상기 제2전극층과 연결된 상기 제3패드;
    상기 제2절연층 아래에 배치되며 상기 제3전극층과 연결된 상기 제4패드;
    상기 발광 구조물 상에 배치된 투광성의 기판; 및
    상기 발광 구조물의 측면에 배치된 보호층을 포함하며,
    상기 제3 및 제4패드는 상기 발광 구조물의 방향으로 볼록하게 배치된 리세스를 포함하며,
    상기 접합부재는 상기 제3 및 제4패드의 리세스에 배치되며,
    상기 발광 칩의 투광성의 기판 상에 금속 화합물을 갖는 반사층을 포함하며,
    상기 반사층은 상기 형광체층과 수직 방향으로 어긋나게 배치되는 광원 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 형광체층 사이에 배치된 투광성 수지층을 포함하며,
    상기 투광성 수지층은 내측에 오목부를 포함하며, 상기 오목부는 상기 형광체층과 수직 방향으로 어긋나게 배치되며,
    상기 반사층은 상기 오목부에 배치되는 광원 모듈.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 기판의 측면부터 상기 제1전극층의 측면까지 연장되며, 내부에 금속 화합물을 갖는 광원 모듈.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 리세스는 상기 제3 및 제4패드 각각에 복수로 배치되며,
    상기 접합 부재는 솔더 페이스트 또는 도전성 입자를 갖는 전도성 필름을 포함하는 광원 모듈.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판의 외측부는 상기 발광 구조물의 측면보다 외측으로 돌출되며,
    상기 형광체층은 상기 기판의 측면에 배치되며,
    상기 광학 렌즈는 상기 발광 칩 방향으로 오목한 오목부를 포함하는 광원 모듈.

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