JP2014141398A - シクロヘキサシランおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高純度のシクロヘキサシランと、その精製効率を高める方法を提供する。
【解決手段】本発明の第一のシクロヘキサシランの製造方法は、粗シクロヘキサシランを蒸留して精製シクロヘキサシランを得るにあたり、蒸留時の絶対圧力を２ｋＰａ以下とし、粗シクロヘキサシランの加熱温度を２５〜１００℃とすることを特徴とする。本発明の第二のシクロヘキサシランの製造方法は、粗シクロヘキサシランを蒸留して精製シクロヘキサシランを得るにあたり、分子蒸留装置または短行程蒸留装置を用いることを特徴とする。本発明のシクロヘキサシランは、純シクロヘキサシランを９８質量％以上１００質量％以下の割合で含有する。
【選択図】なし

Description

本発明は、高純度のシクロヘキサシランとこれを効率良く得る方法とに関するものである。

シクロヘキサシランは、ジフェニルジクロロシランを原料に、アルカリ金属を用いて環化させ、６員環を単離し、塩化アルミニウム存在下で塩酸ガスと接触させてケイ素上を塩素化し、次いで水素化リチウムアルミニウム等の金属水素化物と接触させて還元する古くから公知の方法（Ｈｅｎｇｇｅ法、非特許文献１）や、トリクロロシランを、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタエチルジエチレントリアミン（ペデタ（ｐｅｄｅｔａ））あるいはＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルエチレンジアミン（テエダ（ｔｅｅｄａ））等の第三級ポリアミンの存在下で環化カップリングしてテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンの塩を調製し、該塩に金属水素化物還元剤を接触させて還元する方法（特許文献１）で合成できることが知られている。

特許第４５１９９５５号公報

Angew. Chem. Int. Ed. Engl., 1977, 16, 403.

ところで、これまでシクロヘキサシランの精製方法は知られていない。そこで本発明者らはその精製に挑戦したが、シクロヘキサシランの精製効率は極めて悪く、高効率でこれを精製することは困難であった。具体的には、シクロヘキサシランを蒸留で精製する場合、低温で精製しても高温で精製しても、精製効率を高めることはできなかった。例えば低温で蒸留すると、蒸発速度が遅いだけでなく、気化したシクロヘキサシランを確実に凝縮するためにコンデンサーの温度を低温にする必要があり、コンデンサーに固化物が付着しやすくなって閉塞が生じ、精製効率が劣った。また高温で蒸留すると、途中で蒸留が停止してしまい、やはり精製効率が劣った。

本発明は上記の様な事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、高純度のシクロヘキサシランと、その精製効率を高める方法とを提供することにある。

本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、精製効率がよくなる圧力域と温度域が特異的に存在することを突き止めた。そして粗シクロヘキサシランを少なくとも２ｋＰａ以下の絶対圧力下で蒸留することとし、蒸留時に粗シクロヘキサシランにかかる温度を特定範囲に制御するか、もしくは更に低圧領域（例えば０．１〜１００Ｐａの中真空領域ないし０．００００１〜０．１Ｐａの高真空領域）で蒸留するのに適した特定の蒸留装置を採用する様にすれば、コンデンサーの閉塞や蒸留の途中停止を回避でき、シクロヘキサシランの精製効率が高まることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明に係る第一のシクロヘキサシランの製造方法は、粗シクロヘキサシランを蒸留して精製シクロヘキサシランを得るにあたり、蒸留時の絶対圧力を２ｋＰａ以下とし、粗シクロヘキサシランの加熱温度を２５〜１００℃とすることを特徴とする。
本発明に係る第二のシクロヘキサシランの製造方法は、粗シクロヘキサシランを蒸留して精製シクロヘキサシランを得るにあたり、分子蒸留装置または短行程蒸留装置を用いることを特徴とする。

本発明の第一および第二のシクロヘキサシランの製造方法における前記蒸留で用いる蒸発器は、遠心型薄膜式蒸発器又は流下型薄膜式蒸発器であることが好ましい。また本発明の第一および第二のシクロヘキサシランの製造方法における前記蒸留では、シクロヘキサシランを−５℃〜３０℃で凝縮させることが好ましい。さらに本発明の第一および第二のシクロヘキサシランの製造方法において前記粗シクロヘキサシランは、シクロヘキサシランのハロゲン化物を還元することにより得られた反応混合物であることが好ましい。

本発明のシクロヘキサシランは、純シクロヘキサシランを９８質量％以上１００質量％以下の割合で含有する。なお、本発明において「純シクロヘキサシラン」とは、純度１００％であるシクロヘキサシランを意味するものである。
本発明のシクロヘキサシランの好ましい態様においては、ヘキサシランを２質量％以下の割合で含有するか、シクロヘキサシランの二量体を２質量％以下の割合で含有するか、シロキサン化合物を２質量％以下の割合で含有する。

なお、本発明のシクロヘキサシランが純シクロヘキサシランを１００質量％未満の割合で含有する場合には、本発明のシクロヘキサシランは、純シクロヘキサシランと不純物とを含む組成物となる。

本発明によれば、蒸留の際の圧力と温度を所定の範囲とするか、もしくは特定の蒸留装置を採用することにより、装置の閉塞や蒸留の途中停止を回避でき、良好な精製効率で高純度のシクロヘキサシランを得ることができる。

図１は、実施例１で得た精製シクロヘキサシランのガスクロマトグラフィー分析チャートである。

本発明の第一および第二のシクロヘキサシランの製造方法は、粗シクロヘキサシランを蒸留して精製シクロヘキサシランを得る方法である。
前記蒸留にあたり、第一の発明では、蒸留時の絶対圧力を２ｋＰａ以下とし、粗シクロヘキサシランの加熱温度を２５〜１００℃とし、第二の発明では、分子蒸留装置または短行程蒸留装置を使用する。かかる第一または第二の発明によれば、装置の閉塞や蒸留の途中停止を回避でき、良好な精製効率で高純度のシクロヘキサシランを得ることができる。

第一の発明において、蒸留時の絶対圧力は、２ｋＰａ以下であり、好ましくは１ｋＰａ以下、より好ましくは５００Ｐａ以下である。蒸留時の絶対圧力がこの範囲よりも高いと、蒸留が途中で停止する。本発明者らのその後の詳細な検討により、この停止は、蒸留中にシクロヘキサシランが開環重合した為であると推測している。なお蒸留の際の圧力の下限は、実現可能な範囲であれば特に制限されるものではないが、あまりに圧力が低すぎると（真空度が高すぎると）、粗シクロヘキサシランの蒸発量が少なくなる虞があり、また装置上の制約も大きくなるので、１Ｐａ以上とするのが好ましく、より好ましくは５Ｐａ以上、さらに好ましくは１０Ｐａ以上である。

第一の発明において、粗シクロヘキサシランの加熱温度は２５〜１００℃であり、好ましくは３５℃以上、より好ましくは４０℃以上、さらに好ましくは４５℃以上、特に好ましくは５０℃以上である。また当該加熱温度は、９５℃以下が好ましく、より好ましくは９０℃以下、さらに好ましくは８５℃以下である。粗シクロヘキサシランの加熱温度が低すぎると、蒸発速度が遅いだけでなく、気化したシクロヘキサシランを確実に凝縮させるためにコンデンサーの温度を低温にする必要があり、コンデンサーに固化物が付着して装置が閉塞しやすくなる。本発明者らのその後の詳細な検討により、この固化物は、固体シクロヘキサシランであることが判明した。なお、加熱温度が低すぎる条件でコンデンサーの温度を固化物が生じない温度まで上げると、加熱部と凝縮部の温度差が小さくなり、シクロヘキサシランが凝縮されないものが増え、蒸留収率が悪化する。一方、粗シクロヘキサシランの加熱温度が高すぎると、蒸留が途中で停止する。本発明者らのその後の詳細な検討により、この停止は、蒸留中にシクロヘキサシランが開環重合した為であると推測している。粗シクロヘキサシランを蒸留で精製する場合、加熱温度が高くても低くても精製効率が低下するところ、特定の温度域で蒸留する時に初めて効率よく精製シクロヘキサシランを得ることができる。

なお、上記粗シクロヘキサシランの加熱温度とは、蒸留時に蒸発させるべく加熱された粗シクロヘキサシランの液温を意味するものであり、例えば、粗シクロヘキサシランの蒸発を釜で行う場合には「蒸留ボトムの温度」が当該加熱温度となり、薄膜式蒸発器を用いた蒸留装置を用いる場合には「蒸発面の温度」が当該加熱温度となる。

第二の発明においては、蒸留に際し分子蒸留装置または短行程蒸留装置を用いる。なお用語「分子蒸留」、「短行程蒸留」は時代や国によってそれらが指す意味に広狭があり、本明細書では以下の意味で使用する。

すなわち厳密な定義によれば、分子蒸留とは、高真空（例えば１０^-1Ｐａ〜１０^-5Ｐａ程度）下で行われ、ベーパー分子の平均自由行程よりも蒸発面、凝縮面間の距離を短くする蒸留を指すが、本明細書では用語「分子蒸留」を、本技術分野での通称としての分子蒸留の意味、すなわち高真空（例えば１０^-1Ｐａ〜１０^-5Ｐａ程度）下で行われてさえいれば、蒸発面、凝縮面間の距離がベーパー分子の平均自由行程を超えているか否かを問わない意味で使用する。この様な分子蒸留によれば、理想的には、蒸発した全てのベーパー分子が蒸発面から凝集面に到達するまでに他のベーパー分子や壁面に衝突せず、全ての分子が凝縮器内に凝集される。
一方、短行程蒸留は、中真空（例えば１０²Ｐａ〜１０^-1Ｐａ程度）下で行われ、かつ蒸発面と凝縮面とが相対して配置されている点に特徴がある。

第二の発明における蒸留時の絶対圧力は、上述した高真空又は中真空の範囲で適宜設定できる。また蒸発面での粗シクロヘキサシランの加熱温度は、例えば、２５〜８０℃が好ましく、より好ましくは２５〜７５℃、さらに好ましくは４０〜７０℃である。

前記分子蒸留装置および前記短行程蒸留装置は、蒸発器、凝縮器と減圧手段（真空ポンプなど）とを備える。
前記蒸発器は、蒸発原料に接触して熱を供給し得る蒸発面を備える。この蒸発面を備えた蒸発器としては、例えば、板状体（例えば、矩形板、円板など）、筒状体、有底容器などが挙げられ、板状体の表面、筒状体の内面又は外面、容器内面などが前記蒸発面となり得る。蒸発原料を薄膜化して蒸発させることが可能である点では、板状体、筒状体などの蒸発器が好ましい。薄膜化して蒸発させると、蒸発原料の蒸発を促進し精製効率を高めることができ、しかも蒸発原料の発泡や沸騰を抑制して蒸発原料にかかる熱履歴を小さく抑えることができる。前記蒸発器が板状体、筒状体である場合、前記蒸発器は必要により強制薄膜化手段も備える。強制薄膜化手段としては、例えば、板状体表面、或いは筒状体の内面又は外面に沿って稼働するワイパーエレメントや、円板や筒状体を回転させて遠心力を発生させ得る強制回転手段などが使用できる。

前記分子蒸留および前記短行程蒸留で好ましく使用される蒸発器は、薄膜式蒸発器である。薄膜式蒸発器を用いると、蒸発原料を薄膜化して蒸発させることができるので、蒸発原料の蒸発を促進し精製効率を高めることができるとともに、蒸発原料の発泡や沸騰を抑制して蒸発原料にかかる熱履歴を小さく抑えることができる。かかる薄膜式蒸発器は上述した蒸発面や強制薄膜化手段を適宜組み合わせて構成し得る。例えば、板状体または筒状体に、強制薄膜化手段としてワイパーエレメントまたは強制回転手段を具備させると、ワイパー型薄膜式蒸発器、遠心型薄膜式蒸発器となる。また強制薄膜化手段を有さない板状体または筒状体であっても、蒸発面を鉛直に配置し、上部から蒸発原料を少しずつ流下させれば、流下型薄膜式蒸発器となる。特に好ましくは、遠心型薄膜式蒸発器、流下型薄膜式蒸発器がよい。

前記凝縮器は、前記蒸発器で蒸発させたベーパー分子と接触して該ベーパー分子を冷却する為の凝縮面を備える。
短行程蒸留に用いる装置においては、前記凝縮器の凝縮面は、前記蒸発器の蒸発面に相対して配置される。分子蒸留に用いる装置においても、蒸発面と凝縮面が相対して配されることが好ましいが、これに限定されるものではなく、分子蒸留に該当し得る範囲で種々の配置を取ることができる。蒸発面と凝縮面とが相対して配置された装置としては、例えば、外筒と内筒とから構成される二重管構造を有し、外筒の内面を蒸発面或いは凝縮面とし、内筒の外面を凝縮面或いは蒸発面とする装置が挙げられる。蒸発面と凝縮面が相対するとき、凝縮面の面積は蒸発面の面積と同等以上であることが好ましい。

以上の蒸発器、凝縮器、及び減圧手段を備えた分子蒸留装置又は短行程蒸留装置は、好ましくは、ポット式蒸留装置、流下膜式蒸留装置、遠心式蒸留装置、同心円管式蒸留装置、又はライボルト混合薄膜蒸留装置などに分類される。

なお第一の発明において使用する蒸留装置は、蒸発器、凝縮器および減圧手段を備えたものであれば、特に限定されるものではなく、例えば上述した蒸発器、凝縮器などを備えた公知の各種蒸留装置（勿論、分子蒸留装置又は短行程蒸留装置であってもよい）を用いることができる。特に蒸発器としては、第一の発明で使用する蒸留装置においても上述した薄膜式蒸発器が好ましい。

第一および第二の発明において、薄膜式蒸発器を用いる場合、蒸発面上に形成される薄膜の厚さは、蒸発速度等を勘案して適宜設定すればよいが、１０〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜９０μｍ、さらに好ましくは３０〜８０μｍである。

第一および第二の発明における蒸留では、蒸発させたシクロヘキサシランは−５℃〜３０℃で凝縮させることが好ましい。凝縮温度は、より好ましくは−２℃〜２０℃、さらに好ましくは０℃〜１５℃である。上述した特定圧力条件範囲下で、凝縮温度が前記範囲であれば、シクロヘキサシランが固化して装置内の閉塞を招くといった事もなく、良好な作業性を維持することが可能になる。

なお、本発明において、前記蒸留にかかる一連の操作（具体的には、粗シクロヘキサシランの仕込みから、精製シクロヘキサシランの取り出しまで）は、大気曝露することなく行うことが好ましい。例えば、粗シクロヘキサシランの収容容器、蒸留装置（蒸発器、凝縮器等）、および精製シクロヘキサシランの収容容器の全てを一つの防爆ブース内に収容し、さらにこの防爆ブース内を窒素等の不活性ガス雰囲気に制御する等してもよいし、精製前の液の仕込みや凝縮物の取出し等を、窒素ガス等の不活性ガスで圧送し密閉装置内で蒸留を行うことで大気曝露を防止するようにしてもよい。

本発明において前記蒸留に供する粗シクロヘキサシランの調製方法は特に制限されるものではなく、公知のシクロヘキサシラン合成方法を適宜採用することができる。例えば、ジフェニルジクロロシランを原料に、アルカリ金属を用いて環化させ、６員環を単離し、塩化アルミニウム存在下で塩酸ガスと接触させてケイ素上を塩素化し、次いで得られたシクロヘキサシランのハロゲン化物を水素化リチウムアルミニウム等の金属水素化物と接触させて還元することにより得られた反応混合物を粗シクロヘキサシランとして用いることができる。また、本発明者らが見出した後述の製造例記載の方法、すなわちトリクロロシラン等のハロシラン化合物を、ホスフィンの存在下で環化させ、得られたシクロヘキサシランのハロゲン化物を還元する方法で得られた反応混合物を粗シクロヘキサシランとして用いることもできる。

なお、本発明において前記粗シクロヘキサシランは、少なくとも２ｋＰａ以下での真空蒸留に供されるので、軽沸点成分の含有量が少ないことが望ましく、本発明にかかる前記蒸留（真空蒸留）に供する前に予め、溶媒等の軽沸点成分を取り除いておくことが好ましい。具体的には、例えば、常圧乃至減圧（２ｋＰａ超）の下で溶媒留去するなどしておけばよい。

本発明の第一または第二の製造方法によれば、通常６０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上の高い精製収率で精製シクロヘキサシランを得ることが可能になる。
本発明の第一または第二の製造方法で得られた精製シクロヘキサシランは、高純度であり、例えば実施例で後述するガスクロマトグラフィー分析では、通常９８面積％以上、好ましくは９９面積％以上、より好ましくは９９．５面積％以上、さらに好ましくは９９．９面積％以上である。

本発明のシクロヘキサシランは、純シクロヘキサシランを９８質量％以上１００質量％以下の割合で含有する。純シクロヘキサシランの含有割合は、好ましくは９９質量％以上、より好ましくは９９．５質量％以上、さらに好ましくは９９．９質量％以上である。なお、純シクロヘキサシランの含有割合の求め方は例えば、ガスクロマトグラフィー分析チャートにおけるシクロヘキサシランの「面積％」を、純シクロヘキサシランの含有割合とすることができる。かかる本発明のシクロヘキサシランは、例えば上述した本発明の第一または第二の製造方法で得ることができる。

本発明のシクロヘキサシランが純シクロヘキサシラン以外に含有しうる不純物は、特に制限されないが、主としては、ヘキサシラン（Ｓｉ₆Ｈ₁₄）、シクロヘキサシランの二量体（Ｓｉ₁₂Ｈ₂₂）またはその開環物（二量体の１個または２個の環が開環した化合物（Ｓｉ₁₂Ｈ₂₄、Ｓｉ₁₂Ｈ₂₆）；本明細書では纏めて「シクロヘキサシランの二量体」と称することもある）、シロキサン化合物（水素化シランに酸素原子が付加した、シロキサン結合を有する化合物）等が挙げられる。不純物は１種のみであってもよいし、２種以上であってもよい。

本発明のシクロヘキサシランの好ましい態様においては、ヘキサシランを２質量％以下の割合で含有するか、シクロヘキサシランの二量体を２質量％以下の割合で含有するか、シロキサン化合物を２質量％以下の割合で含有する。つまり、上述した主な３種の不純物のうちの１種または２種以上を含有する場合には、それぞれが２質量％以下であり、且つ合計含有量が２質量％以下であることが好ましい。主な３種の不純物（ヘキサシラン、シクロヘキサシランの二量体、シロキサン化合物）のそれぞれの含有割合は、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．１質量％以下である。下限はゼロ（Ｎ．Ｄ）であることが最も好ましいが、ヘキサシラン、シクロヘキサシランの二量体についてはゼロにすることは技術的に困難であるので、０．０００１質量％程度が好ましく、０．００１質量％以上がさらに好ましく、０．０１質量％以上が特に好ましい。なお、主な３種の含ケイ素不純物の中では、特にシクロヘキサシランの二量体の含有割合が前記範囲であることが望ましい。

以上のような高純度のシクロヘキサシラン（本発明の第一または第二の製造方法で得られたシクロヘキサシランまたは本発明のシクロヘキサシラン）は、例えば太陽電池や半導体等に用いられるシリコン原料として有用である。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
なお、シクロヘキサシランの純度は、キャピラリーカラム（Ｊ＆Ｗ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製「ＤＢ−１ＭＳ」；０.２５ｍｍ×５０ｍ）を装着したガスクロマトグラフ装置（島津製作所社製「ＧＣ２０１４」）にて、Ｎ₂をキャリアガスとし、試料注入量１μＬ、試料注入温度３００℃、カラム温度５０℃（保持５分）〜２０℃／分（昇温１０分）〜１０℃／分（昇温５分）〜３００℃（保持１０分）、検出器ＦＩＤ（３００℃）の条件でガスクロマトグラフィー分析を行うことにより求めた。

［製造例（粗シクロヘキサシランの製造）]
温度計、コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置を備えた３００ｍＬ四つ口フラスコ内を窒素ガスで置換した後、ホスフィンとしてトリフェニルホスフィン５．８１ｇ（０．０２２ｍｏｌ）と、塩基性化合物としてジイソプロピルエチルアミン１７．２ｇ（０．１３３ｍｏｌ）と、溶媒として１，２−ジクロロエタン１００ｍＬとを入れた。続いてフラスコ内の溶液を攪拌しながら、２５℃条件下において滴下ロートより、ハロシラン化合物としてトリクロロシラン１８．０ｇ（０．１３３ｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。滴下終了後、そのまま２時間攪拌し、引き続き６０℃で８時間加熱攪拌することにより反応させた。得られた反応液を濃縮・洗浄して、非イオン性のドデカクロロシクロヘキサシラン含有化合物（［Ｐｈ_３Ｐ］_２［Ｓｉ_６Ｃｌ_１２］）を白色固体として得た。

滴下ロートおよび攪拌装置を備えた１００ｍＬ二つ口フラスコに、得られた白色固体２．４４ｇ（ドデカクロロシクロヘキサシラン含有化合物２．１８ｍｍｏｌ）を入れて減圧乾燥させた。次いでフラスコ内をアルゴンガスで置換した後、溶媒としてシクロペンチルメチルエーテル３０ｍＬを加えた。続いてフラスコ内の懸濁液を攪拌しながら、−２０℃条件下において滴下ロートより、還元剤として水素化リチウムアルミニウムのジエチルエーテル溶液（濃度：約１．０ｍｏｌ／Ｌ）１０ｍＬを徐々に滴下し、次いで−２０℃で５時間攪拌することにより反応させた。反応後、反応液を窒素ガス雰囲気下において濾過し、生成した塩を取り除いた。得られた濾液から減圧下で溶媒を留去して、無色透明液体の粗シクロヘキサシランを得た。

［実施例１]
製造例で得られた粗シクロヘキサシランを、一般的なガラス製の減圧蒸留装置（釜、分留管、コンデンサー（冷却管）、受器）を用いて、絶対圧力３００Ｐａ、蒸発面の温度（釜内の粗シクロヘキサシランの温度）を７５℃、凝縮面の温度（コンデンサーの設定温度）を５℃として蒸留し、精製シクロヘキサシランを得た。なお蒸留中、コンデンサーを含む装置内において、シクロヘキサシランの固化は認められなかった。
得られた精製シクロヘキサシランをガスクロマトグラフィーにて分析したところ、シクロヘキサシランが９８．９面積％、ヘキサシランが０．６面積％、シクロヘキサシランの二量体が０．５面積％の割合で検出され、シロキサン化合物は検出されなかった（このときのチャートを図１に示す）。また、蒸留収率は９０％であった。

［実施例２]
製造例で得られた粗シクロヘキサシランを、短行程蒸留装置（フィンテック社製「ＫＤＬ−０１」）を用いて、絶対圧力２０Ｐａ、蒸発面の温度を４５℃、凝縮面の温度を０℃として蒸留し、精製シクロヘキサシランを得た。なお蒸留中コンデンサーを含む装置内において、シクロヘキサシランの固化は認められなかった。
得られた精製シクロヘキサシランをガスクロマトグラフィーにて分析したところ、シクロヘキサシランが９９．１面積％、ヘキサシランが０．４面積％、シクロヘキサシランの二量体が０．５面積％の割合で検出され、シロキサン化合物は検出されなかった。また、蒸留収率は９６％であった。

［実施例３]
製造例で得られた粗シクロヘキサシランを、短行程蒸留装置（フィンテック社製「ＫＤＬ−０１」）を用いて、絶対圧力１００Ｐａ、蒸発面の温度を６０℃、凝縮面の温度を０℃として蒸留し、精製シクロヘキサシランを得た。なお蒸留中コンデンサーを含む装置内において、シクロヘキサシランの固化は認められなかった。
得られた精製シクロヘキサシランをガスクロマトグラフィーにて分析したところ、シクロヘキサシランが９９．０面積％、ヘキサシランが０．５面積％、シクロヘキサシランの二量体が０．５面積％の割合で検出され、シロキサン化合物は検出されなかった。また、蒸留収率は９３％であった。

［比較例１]
蒸留の際の絶対圧力を３００Ｐａから３ｋＰａに変更し、蒸発面の温度を７５℃から１３０℃に変更したこと以外は、実施例１と同様にして粗シクロヘキサシランを蒸留し、精製シクロヘキサシランを得た。なお蒸留中、コンデンサーに固化したシクロヘキサシランが付着したので、蒸留を終了した後、コンデンサーを温めて付着したシクロヘキサシランも精製シクロヘキサシランとして回収した。
得られた精製シクロヘキサシランをガスクロマトグラフィーにて分析したところ、シクロヘキサシランが９５．２面積％、ヘキサシランが２．１面積％、シクロヘキサシランの二量体が２．７面積％の割合で検出され、シロキサン化合物は検出されなかった。また、蒸留収率は４２％であった。

本発明で得られる高純度の精製シクロヘキサシランは、太陽電池や半導体等の用途におけるシリコン原料として好適に利用される。

Claims (9)

1. 粗シクロヘキサシランを蒸留して精製シクロヘキサシランを得るにあたり、蒸留時の絶対圧力を２ｋＰａ以下とし、粗シクロヘキサシランの加熱温度を２５〜１００℃とすることを特徴とするシクロヘキサシランの製造方法。
2. 粗シクロヘキサシランを蒸留して精製シクロヘキサシランを得るにあたり、分子蒸留装置または短行程蒸留装置を用いることを特徴とするシクロヘキサシランの製造方法。
3. 前記蒸留で用いる蒸発器が、遠心型薄膜式蒸発器又は流下型薄膜式蒸発器である請求項１または２に記載のシクロヘキサシランの製造方法。
4. 前記蒸留では、シクロヘキサシランを−５℃〜３０℃で凝縮させる請求項１〜３のいずれか一項に記載のシクロヘキサシランの製造方法。
5. 前記粗シクロヘキサシランは、シクロヘキサシランのハロゲン化物を還元することにより得られた反応混合物である請求項１〜４のいずれか一項に記載のシクロヘキサシランの製造方法。
6. 純シクロヘキサシランを９８質量％以上１００質量％以下の割合で含有する、シクロヘキサシラン。
7. ヘキサシランを２質量％以下の割合で含有する、請求項６に記載のシクロヘキサシラン。
8. シクロヘキサシランの二量体を２質量％以下の割合で含有する、請求項６に記載のシクロヘキサシラン。
9. シロキサン化合物を２質量％以下の割合で含有する、請求項６に記載のシクロヘキサシラン。