JP2014126717A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】保存安定性に優れ、低露光量で精度に優れるパターンを形成できる感光性樹脂組成物を提供すること。また、当該感光性樹脂組成物を用いるポリシロキサン被膜からなるパターンの形成方法を提供すること。さらに、当該感光性樹脂組成物を用いて形成されたポリシロキサン被膜からなるパターンを備える電子部品を提供すること。
【解決手段】（Ａ）加水分解性シラン化合物、加水分解性シラン化合物の加水分解物、及びこれらの縮合物からなる群より選択される１種以上と、（Ｂ）光塩基発生剤又は光酸発生剤とを含む感光性樹脂組成物に、（Ｃ）光により特定の構造のイミダゾール化合物を発生する化合物を加える。
【選択図】なし

Description

本発明は、加水分解性シラン化合物を含有する感光性樹脂組成物と、当該感光性樹脂組成物を用いるポリシロキサン被膜からなるパターンの形成方法と、当該方法により形成されるポリシロキサン被膜からなるパターンを備える電子部品に関する。

種々の電子部品や光学部品において、フォトリソグラフィー法により絶縁部材や、導光路を形成するための材料として、加水分解性シラン化合物を含有する感光性樹脂組成物が用いられている。

このような感光性樹脂組成物には、精度に優れるパターンを形成できることが望まれる。かかる要求に応える感光性樹脂組成物としては、例えば、加水分解性シラン化合物と、光酸発生剤と、酸拡散抑制剤とを含む、放射線硬化性の樹脂組成物が知られている（特許文献１を参照）。

特開２００１−２８８３６４号公報

しかし、特許文献１に記載の放射線硬化性の樹脂組成物は、保存安定性が悪く、長期間保管した後にパターン形成に用いる場合に、所望する形状のパターンの形成が困難である。また、特許文献１に記載の放射線硬化性の樹脂組成物は、酸拡散制御剤を含むため、露光により光酸発生剤から発生する酸が中和されてしまい、非常に高い露光量での露光が要求される。

本発明は、以上の課題に鑑みなされたものであり、保存安定性に優れ、低露光量で精度に優れるパターンを形成できる感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、当該感光性樹脂組成物を用いるポリシロキサン被膜からなるパターンの形成方法を提供することを目的とする。さらに本発明は、当該感光性樹脂組成物を用いて形成されたポリシロキサン被膜からなるパターンを備える電子部品を提供することを目的とする。

本発明者らは、（Ａ）加水分解性シラン化合物、加水分解性シラン化合物の加水分解物、及びこれらの縮合物からなる群より選択される１種以上と、（Ｂ）光塩基発生剤又は光酸発生剤を含む感光性樹脂組成物とに、（Ｃ）光により特定の構造のイミダゾール化合物を発生する化合物を加えることにより上記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明の第一の態様は、（Ａ）下記一般式：
Ｒ_ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（１）
（式中、Ｒは、水素原子又は炭素数１〜２０の有機基であり、Ｘは加水分解性基であり、ｎは０〜２の整数である。）
で表される加水分解性シラン化合物、加水分解性シラン化合物の加水分解物、及びこれらの縮合物からなる群より選択される１種以上、
（Ｂ）光塩基発生剤又は光酸発生剤、及び、
（Ｃ）光により下記一般式：

（一般式（ｃ１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホナト基、又は有機基を示す。）
で表されるイミダゾール化合物を発生する化合物、を含む感光性樹脂組成物である。

本発明の第二の態様は、
第一の態様に係る感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成する、塗布膜形成工程、
塗布膜を所定のパターンに露光する、露光工程、及び、
塗布膜の未露光部を除去して現像する、現像工程を含む、ポリシロキサン被膜からなるパターンの形成方法である。

本発明の第三の態様は、基板上に、第二の態様に係る方法により形成されたポリシロキサン被膜からなるパターンを備える電子部品である。

本発明によれば、保存安定性に優れ、低露光量で精度に優れるパターンを形成できる感光性樹脂組成物を提供することができる。また、本発明は、当該感光性樹脂組成物を用いるポリシロキサン被膜からなるパターンの形成方法を提供することができる。さらに本発明によれば、当該感光性樹脂組成物を用いて形成されたポリシロキサン被膜からなるパターンを備える電子部品を提供することができる。

≪感光性樹脂組成物≫
本発明の感光性樹脂組成物は、（Ａ）加水分解性シラン化合物、加水分解性シラン化合物の加水分解物、及びこれらの縮合物（以下、（Ａ）成分とも記す。）、（Ｂ）光塩基発生剤又は光酸発生剤（以下、（Ｂ）成分とも記す。）、（Ｃ）光によりイミダゾール化合物を発生する化合物（以下、（Ｃ）成分とも記す。）を含む。また、本発明の感光性樹脂組成物は、任意に、（Ｄ）反応性希釈剤、及び（Ｅ）有機溶剤を含んでいてもよい。以下、感光性樹脂組成物の成分について順に説明する。

〔（Ａ）加水分解性シラン化合物、加水分解性シラン化合物の加水分解物、及びこれらの縮合物〕
感光性樹脂組成物は、（Ａ）下記一般式：
Ｒ_ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（１）
（一般式（１）中、Ｒは、水素原子又は炭素数１〜２０の有機基であり、Ｘは加水分解性基であり、ｎは０〜２の整数である。）
で表される加水分解性シラン化合物、加水分解性シラン化合物の加水分解物、及びこれらの縮合物からなる群より選択される１種以上を含む。

Ｘである加水分解性基としては、炭素数１〜１２のアルコキシ基、塩素及び臭素のようなハロゲン原子、アミノ基、及び炭素数１〜１２のアシルオキシ基が挙げられる。一般式（１）で表される加水分解性シランの入手が容易であることや、加水分解反応性が良好である点から、加水分解基としては、炭素数１〜１２のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜６のアルコキシ基がより好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ基が特に好ましい。

Ｒは炭素数１〜２０の有機基である。有機基の例としては、アルキル基、アリール基、アリル基、及びグリシジル基等が挙げられる。これらの中でも、アルキル基及びアリール基が好ましい。アルキル基の炭素数は１〜５が好ましい。具体的なアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が挙げられる。アルキル基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。アルキル基の水素原子は、フッ素原子により置換されていてもよい。アリール基の炭素数は６〜２０が好ましい。アリール基としては、例えばフェニル基及びナフチル基等を挙げることができる。

上記一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物の具体例としては、以下の化合物を挙げることができる。

（（ａ１）ｎ＝０の場合）
ｎ＝０の場合、上記一般式（１）で表される加水分解性シラン化合物の好適な例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、及びテトラブトキシシラン等が挙げられる。

（（ａ２）ｎ＝１の場合）
ｎ＝１の場合、上記一般式（１）で表される加水分解性シラン化合物の好適な例としては、モノメチルトリメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラン、モノメチルトリプロポキシシラン、モノエチルトリメトキシシラン、モノエチルトリエトキシシラン、モノエチルトリプロポキシシラン、モノプロピルトリメトキシシラン、及びモノプロピルトリエトキシシラン等のモノアルキルトリアルコキシシラン；モノフェニルトリメトキシシラン及びモノフェニルトリエトキシシラン等のモノフェニルトリアルコキシシラン等が挙げられる。

（（ａ３）ｎ＝２の場合）
ｎ＝２の場合、上記一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、及びジプロピルジプロポキシシラン等のジアルキルジアルコキシシラン；ジフェニルジメトキシシラン及びジフェニルジエトキシシラン等のジフェニルジアルコキシシラン等を挙げることができる。

上記一般式（１）で表される加水分解性シラン化合物の加水分解物は、上記一般式（１）で表される加水分解性シラン化合物を、水の存在下に有機溶媒中で、酸触媒又は塩基触媒の存在下で反応させる常法に従って加水分解することで得られる。加水分解性シラン化合物を加水分解する際、加水分解性シラン化合物は１種であっても、複数種を混合したものであってもよい。加水分解性シラン化合物を加水分解する際の水の量は、加水分解性シラン化合物の合計モル数に対して、１．０〜１０．０倍モルが好ましく、１．５〜８．０倍モルがより好ましい。水の添加量を１．０倍モル以上とすることにより、十分に速い速度で加水分解性シラン化合物を加水分解できる。

加水分解反応に用いる触媒としては酸触媒が好ましい。加水分解反応に用いられる酸触媒は特に限定されず、従来酸触媒として使用されている有機酸、無機酸のいずれも使用することができる。有機酸としては、酢酸、プロピオン酸、及び酪酸等の有機カルボン酸を使用することができる。無機酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、及びリン酸等を挙げることができる。酸触媒は加水分解性シラン化合物と水との混合物に直接添加してもよいし、水とともに酸性水溶液として添加してもよい。

加水分解性シラン化合物の加水分解反応は、室温で通常５時間から１００時間程度で完了する。また、室温以上の加熱温度において、上記一般式（１）で示される１種以上の加水分解性シラン化合物を含む有機溶剤に酸触媒又は塩基触媒を添加して反応させることにより、短い反応時間で加水分解反応を完了させることも可能である。

加水分解性シランの加水分解反応後、さらに反応を継続させることで、シラノール基同士の脱水縮合反応により加水分解性シランの縮合物が生成する。加水分解性シランの縮合物を形成させる場合、原料となる一般式（１）で表される加水分解性シランに、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリエチルプロポキシシラン、トリプロピルメトキシシラン、及びトリプロピルエトキシシラン等のトリアルキルアルコキシシラン；トリフェニルメトキシシラン、及びトリフェニルエトキシシラン等のトリフェニルアルコキシシラン等を加水分解時に添加してもよい。なお、加水分解縮合反応で用いられる水や副生成物として生じるアルコール等は、反応後に必要に応じて除去してもよい。

加水分解性シランの加水分解縮合物の質量平均分子量は、２００〜５００００が好ましく、５００〜３００００がより好ましく、５００〜１００００が特に好ましい。加水分解性シランの縮合物の質量平均分子量は、ゲル濾過クロマトグラフィーによりポリスチレン換算の分子量として求められる。

〔（Ｂ）光塩基発生剤又は光酸発生剤〕
感光性樹脂組成物は、（Ｂ）光塩基発生剤又は光酸発生剤を含む。感光性樹脂組成物が（Ｂ）成分を含む場合、感光性樹脂組成物が露光される場合に後述する（Ｃ）成分から発生するイミダゾール化合物により促進される（Ａ）成分の縮合がさらに促進される。このため、感光性樹脂組成物に（Ｂ）成分を配合すると、低露光量で感光性樹脂組成物の硬化をすすめ、所望する形状のパターンを形成しやすい。以下、光塩基発生剤、及び光酸発生剤について順に説明する。

（光塩基発生剤）
光塩基発生剤は、光の作用により塩基を発生する化合物であれば特に限定されず、従来から種々の用途で使用されている光塩基発生剤から適宜選択し得る。なお、本出願の明細書及び特許請求の範囲において、後述する（Ｃ）成分は光塩基発生剤に含まれないものとする。光塩基発生剤としては、（Ｃ）成分から発生するイミダゾール化合物の（Ａ）成分の縮合を促進する作用を高めやすいことから、オキシムエステル系の光塩基発生剤が好ましい。オキシムエステル系の光塩基発生剤が露光されると、塩基としてイミンが発生し、このイミンが、イミダゾール化合物の（Ａ）成分の縮合を促進する作用をさらに高める。

オキシムエステル化合物の中では、下記一般式（ｂ１）で表される化合物が好ましい。

上記一般式（ｂ１）中、Ｒ^ｂ１は、炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、又は置換基を有してもよいカルバゾリル基を示す。ｐは、０又は１である。Ｒ^ｂ２は、置換基を有してもよい炭素数１〜１０のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を示す。Ｒ^ｂ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、又は置換基を有していてもよいフェニル基を示す。

Ｒ^ｂ１が炭素数１〜１０のアルキル基である場合、アルキル基は直鎖であっても分岐鎖であってもよい。この場合、アルキル基の炭素数は、１〜８が好ましく、１〜５がより好ましい。

Ｒ^ｂ１が、置換基を有してもよいフェニル基である場合、置換基の種類は本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。フェニル基が有していてもよい置換基の好適な例としては、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、飽和脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基、飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイルオキシ基、置換基を有してもよいフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイルオキシ基、置換基を有してもよいナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、アミノ基、１、又は２の有機基で置換されたアミノ基、モルホリン−１−イル基、及びピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。Ｒ^ｂ１が、置換基を有してもよいフェニル基であり、フェニル基が複数の置換基を有する場合、複数の置換基は同一であっても異なっていてもよい。

フェニル基が有する置換基がアルキル基である場合、その炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜６がさらに好ましく、１〜３が特に好ましく、１が最も好ましい。また、アルキル基は、直鎖であっても、分岐鎖であってもよい。フェニル基が有する置換基がアルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ｎ−ノニル基、イソノニル基、ｎ−デシル基、及びイソデシル基等が挙げられる。また、アルキル基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。この場合、フェニル基が有する置換基としては、例えば、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基が挙げられる。フェニル基が有する置換基がアルコキシアルキル基である場合、−Ｒ^ｂ４−Ｏ−Ｒ^ｂ５で表される基が好ましい。Ｒ^ｂ４は、炭素数１〜１０の直鎖でも分岐鎖であってもよいアルキレン基である。Ｒ^ｂ５は、炭素数１〜１０の直鎖でも分岐鎖であってもよいアルキル基である。Ｒ^ｂ４の炭素数は、１〜８が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３が特に好ましい。Ｒ^ｂ５の炭素数は、１〜８が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３が特に好ましく、１が最も好ましい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルキル基の例としては、メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロピルオキシエトキシエチル基、及びメトキシプロピル基等が挙げられる。

フェニル基が有する置換基がアルコキシ基である場合、その炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜６がより好ましい。また、アルコキシ基は、直鎖であっても、分岐鎖であってもよい。フェニル基が有する置換基がアルコキシ基である場合の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチオキシル基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、及びイソデシルオキシ基等が挙げられる。また、アルコキシ基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルコキシ基の例としては、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、２−メトキシ−１−メチルエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロピルオキシエトキシエトキシ基、及びメトキシプロピルオキシ基等が挙げられる。

フェニル基が有する置換基がシクロアルキル基、又はシクロアルコキシ基である場合、その炭素数は、３〜１０が好ましく、３〜６がより好ましい。フェニル基が有する置換基がシクロアルキル基である場合の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。フェニル基が有する置換基がシクロアルコキシ基である場合の具体例としては、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、及びシクロオクチルオキシ基等が挙げられる。

フェニル基が有する置換基が飽和脂肪族アシル基、又は飽和脂肪族アシルオキシ基である場合、その炭素数は、２〜２０が好ましく、２〜７がより好ましい。フェニル基が有する置換基が飽和脂肪族アシル基である場合の具体例としては、アセチル基、プロパノイル基、ｎ−ブタノイル基、２−メチルプロパノイル基、ｎ−ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロパノイル基、ｎ−ヘキサノイル基、ｎ−ヘプタノイル基、ｎ−オクタノイル基、ｎ−ノナノイル基、ｎ−デカノイル基、ｎ−ウンデカノイル基、ｎ−ドデカノイル基、ｎ−トリデカノイル基、ｎ−テトラデカノイル基、ｎ−ペンタデカノイル基、及びｎ−ヘキサデカノイル基等が挙げられる。フェニル基が有する置換基が飽和脂肪族アシルオキシ基である場合の具体例としては、アセチルオキシ基、プロパノイルオキシ基、ｎ−ブタノイルオキシ基、２−メチルプロパノイルオキシ基、ｎ−ペンタノイルオキシ基、２，２−ジメチルプロパノイルオキシ基、ｎ−ヘキサノイルオキシ基、ｎ−ヘプタノイルオキシ基、ｎ−オクタノイルオキシ基、ｎ−ノナノイルオキシ基、ｎ−デカノイルオキシ基、ｎ−ウンデカノイルオキシ基、ｎ−ドデカノイルオキシ基、ｎ−トリデカノイルオキシ基、ｎ−テトラデカノイルオキシ基、ｎ−ペンタデカノイルオキシ基、及びｎ−ヘキサデカノイルオキシ基等が挙げられる。

フェニル基が有する置換基がアルコキシカルボニル基である場合、その炭素数は、２〜２０が好ましく、２〜７がより好ましい。フェニル基が有する置換基がアルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、イソオクチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−オクチオキシルカルボニル基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、イソノニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、及びイソデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。

フェニル基が有する置換基がフェニルアルキル基である場合、その炭素数は、７〜２０が好ましく、７〜１０がより好ましい。またフェニル基が有する置換基がナフチルアルキル基である場合、その炭素数は、１１〜２０が好ましく、１１〜１４がより好ましい。フェニル基が有する置換基がフェニルアルキル基である場合の具体例としては、ベンジル基、２−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、及び４−フェニルブチル基が挙げられる。フェニル基が有する置換基がナフチルアルキル基である場合の具体例としては、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基、２−（α−ナフチル）エチル基、及び２−（β−ナフチル）エチル基が挙げられる。フェニル基が有する置換基がフェニルアルキル基、又はナフチルアルキル基である場合、置換基は、フェニル基又はナフチル基上にさらに置換基を有していてもよい。

フェニル基が有する置換基がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基は、１以上のＮ、Ｓ、Ｏを含む５員又は６員の単環であるか、かかる単環同士、又はかかる単環とベンゼン環とが縮合したヘテロシクリル基である。ヘテロシクリル基が縮合環である場合は、環数３までのものとする。かかるヘテロシクリル基を構成する複素環としては、フラン、チオフェン、ピロール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、及びキノキサリン等が挙げられる。フェニル基が有する置換基がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基はさらに置換基を有していてもよい。

フェニル基が有する置換基が１又は２の有機基で置換されたアミノ基である場合、有機基の好適な例は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数２〜２０の飽和脂肪族アシル基、炭素数２〜２０の飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよい炭素数１１〜２０のナフチルアルキル基、及びヘテロシクリル基等が挙げられる。これらの好適な有機基の具体例としては、フェニル基が有する置換基について上記したものと同様のものが挙げられる。１、又は２の有機基で置換されたアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、ｎ−ノニルアミノ基、ｎ−デシルアミノ基、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ｎ−ブタノイルアミノ基、ｎ−ペンタノイルアミノ基、ｎ−ヘキサノイルアミノ基、ｎ−ヘプタノイルアミノ基、ｎ−オクタノイルアミノ基、ｎ−デカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、α−ナフトイルアミノ基、β−ナフトイルアミノ基、及びＮ−アセチル−Ｎ−アセチルオキシアミノ基等が挙げられる。

フェニル基が有する置換基に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７の飽和脂肪族アシル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７の飽和脂肪族アシルオキシ基、炭素数１〜６のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基、炭素数１〜６のアルキル基を有するジアルキルアミノ基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。フェニル基が有する置換基に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１〜４が好ましい。フェニル基が有する置換基に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

以上、Ｒ^ｂ１が置換基を有してもよいフェニル基である場合の置換基について説明したが、これらの置換基の中では、アルキル基又はアルコキシアルキル基が好ましい。

Ｒ^ｂ１が置換基を有してもよいフェニル基である場合、置換基の数と、置換基の結合位置とは、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。Ｒ^ｂ１が、置換基を有してもよいフェニル基である場合、塩基の発生効率に優れる点で、置換基を有してもよいフェニル基は、置換基を有していてもよいｏ−トリル基であるのが好ましい。

Ｒ^ｂ１が置換基を有してもよいカルバゾリル基である場合、置換基の種類は本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。カルバゾリル基が炭素原子上に有してもよい好適な置換基の例としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、炭素数２〜２０の飽和脂肪族アシル基、炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜２０の飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいフェニルチオ基、置換基を有してもよいフェニルカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイルオキシ基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいナフチルカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイルオキシ基、置換基を有してもよい炭素数１１〜２０のナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、置換基を有してもよいヘテロシクリルカルボニル基、アミノ基、１又は２の有機基で置換されたアミノ基、モルホリン−１−イル基、及びピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ１が置換基を有してもよいカルバゾリル基である場合、カルバゾリル基が窒素原子上に有してもよい好適な置換基の例としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数２〜２０の飽和脂肪族アシル基、炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよい炭素数１１〜２０のナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、及び置換基を有してもよいヘテロシクリルカルボニル基等が挙げられる。これらの置換基の中では、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基がより好ましく、エチル基が特に好ましい。

カルバゾリル基が有してもよい置換基の具体例について、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、飽和脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基、飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、及び１又は２の有機基で置換されたアミノ基に関しては、Ｒ^ｂ１が置換基を有してもよいフェニル基である場合の、フェニル基が有する置換基の例と同様である。

Ｒ^ｂ１において、カルバゾリル基が有する置換基に含まれるフェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基の例としては、炭素数１〜６のアルキル基；炭素数１〜６のアルコキシ基；炭素数２〜７の飽和脂肪族アシル基；炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；炭素数２〜７の飽和脂肪族アシルオキシ基；フェニル基；ナフチル基；ベンゾイル基；ナフトイル基；炭素数１〜６のアルキル基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、及びフェニル基からなる群より選択される基により置換されたベンゾイル基；炭素数１〜６のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基；炭素数１〜６のアルキル基を有するジアルキルアミノ基；モルホリン−１−イル基；ピペラジン−１−イル基；ハロゲン；ニトロ基；シアノ基が挙げられる。カルバゾリル基が有する置換基に含まれるフェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１〜４が好ましい。フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^ｂ２は、置換基を有してもよい炭素数１〜１０のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基である。

Ｒ^ｂ２が置換基を有してもよい炭素数１〜１０のアルキル基である場合、アルキル基は直鎖であっても分岐鎖であってもよい。この場合、アルキル基の炭素数は、１〜８が好ましく、１〜５がより好ましい。

Ｒ^ｂ２において、アルキル基又はフェニル基が有する置換基は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。
アルキル基が炭素原子上に有してもよい好適な置換基の例としては、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルコキシ基、炭素数２〜２０の飽和脂肪族アシル基、炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜２０の飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいフェニルチオ基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイルオキシ基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイルオキシ基、置換基を有してもよい炭素数１１〜２０のナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、置換基を有してもよいヘテロシクリルカルボニル基、アミノ基、１又は２の有機基で置換されたアミノ基、モルホリン−１−イル基、及びピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。
フェニル基が炭素原子上に有してもよい好適な置換基の例としては、アルキル基が炭素原子上に有してもよい好適な置換基として上記で例示した基に加えて、炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられる。

アルキル基又はフェニル基が有してもよい置換基の具体例について、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、飽和脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基、飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、及び１又は２の有機基で置換されたアミノ基に関しては、Ｒ^ｂ１が置換基を有してもよいフェニル基である場合の、フェニル基が有する置換基の例と同様である。

Ｒ^ｂ２において、アルキル基又はフェニル基が有する置換基に含まれるフェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基の例としては、炭素数１〜６のアルキル基；炭素数１〜６のアルコキシ基；炭素数２〜７の飽和脂肪族アシル基；炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；炭素数２〜７の飽和脂肪族アシルオキシ基；フェニル基；ナフチル基；ベンゾイル基；ナフトイル基；炭素数１〜６のアルキル基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、及びフェニル基からなる群より選択される基により置換されたベンゾイル基；炭素数１〜６のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基；炭素数１〜６のアルキル基を有するジアルキルアミノ基；モルホリン−１−イル基；ピペラジン−１−イル基；ハロゲン；ニトロ基；シアノ基が挙げられる。アルキル基又はフェニル基が有する置換基に含まれるフェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１〜４が好ましい。フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

一般式（ｂ１）で表される化合物の塩基発生効率の点から、Ｒ^ｂ１としては、下記一般式（ｂ２）：

で表される基が好ましく、Ｒ^ｂ２としては、下記一般式（ｂ３）：

で表される基が好ましい。

一般式（ｂ２）中、Ｒ^ｂ６及びＲ^ｂ７は、それぞれ１価の有機基であり、ｑは０又は１である。一般式（ｂ３）中、Ｒ^ｂ８は、１価の有機基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基からなる群より選択される基であり、ＡはＳ又はＯであり、ｒは０〜４の整数である。

一般式（ｂ２）におけるＲ^ｂ６は、本発明の目的を阻害しない範囲で、種々の有機基から選択できる。Ｒ^ｂ６の好適な例としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数２〜２０の飽和脂肪族アシル基、炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよい炭素数１１〜２０のナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、及び置換基を有してもよいヘテロシクリルカルボニル基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ６の中では、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基がより好ましく、エチル基が特に好ましい。

一般式（ｂ２）におけるＲ^ｂ７は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、種々の有機基から選択できる。Ｒ^ｂ７として好適な基の具体例としては、炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、及び置換基を有してもよいヘテロシクリル基が挙げられる。Ｒ^ｂ７として、これらの基の中では置換基を有してもよいフェニル基、及び置換基を有してもよいナフチル基がより好ましく、２−メチルフェニル基及びナフチル基が特に好ましい。

Ｒ^ｂ６又はＲ^ｂ７に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７の飽和脂肪族アシル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７の飽和脂肪族アシルオキシ基、炭素数１〜６のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基、炭素数１〜６のアルキル基を有するジアルキルアミノ基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。Ｒ^ｂ６又はＲ^ｂ７に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１〜４が好ましい。Ｒ^ｂ６又はＲ^ｂ７に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

一般式（ｂ３）におけるＲ^ｂ８が有機基である場合、Ｒ^ｂ８は、本発明の目的を阻害しない範囲で、種々の有機基から選択できる。一般式（ｂ３）においてＲ^ｂ８が有機基である場合の好適な例としては、炭素数１〜６のアルキル基；炭素数１〜６のアルコキシ基；炭素数２〜７の飽和脂肪族アシル基；炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；炭素数２〜７の飽和脂肪族アシルオキシ基；フェニル基；ナフチル基；ベンゾイル基；ナフトイル基；炭素数１〜６のアルキル基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、及びフェニル基からなる群より選択される基により置換されたベンゾイル基；炭素数１〜６のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基；炭素数１〜６のアルキル基を有するジアルキルアミノ基；モルホリン−１−イル基；ピペラジン−１−イル基；ハロゲン；ニトロ基；シアノ基；２−メチルフェニルカルボニル基；４−（ピペラジン−１−イル）フェニルカルボニル基；４−（フェニル）フェニルカルボニル基が挙げられる。

Ｒ^ｂ８の中では、ベンゾイル基；ナフトイル基；炭素数１〜６のアルキル基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、及びフェニル基からなる群より選択される基により置換されたベンゾイル基；ニトロ基が好ましく、ベンゾイル基；ナフトイル基；２−メチルフェニルカルボニル基；４−（ピペラジン−１−イル）フェニルカルボニル基；４−（フェニル）フェニルカルボニル基がより好ましい。

また、一般式（ｂ３）において、ｒは、０〜３の整数が好ましく、０〜２の整数がより好ましく、０又は１であるのが特に好ましい。ｒが１である場合、Ｒ^ｂ８の結合する位置は、Ｒ^ｂ８が結合するフェニル基が硫黄原子と結合する結合手に対して、パラ位であるのが好ましい。

Ｒ^ｂ３は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、又は置換基を有していてもよいフェニル基である。置換基を有していてもよいフェニル基である場合、フェニル基が有していてもよい置換基は、Ｒ^ｂ１が置換基を有していてもよいフェニル基である場合と同様である。Ｒ^ｂ３としては、メチル基、エチル基、又はフェニル基が好ましく、メチル基又はフェニル基がより好ましい。

上記一般式（ｂ１）で表されるオキシムエステル化合物は、ｐが０である場合、例えば、以下に説明する方法により合成できる。まず、Ｒ^ｂ２−ＣＯ−Ｒ^ｂ１で表されるケトン化合物を、ヒドロキシルアミンによりオキシム化して、Ｒ^ｂ２−（Ｃ＝Ｎ−ＯＨ）−Ｒ^ｂ１で表されるオキシム化合物を得る。次いで、得られたオキシム化合物を、Ｒ^ｂ３−ＣＯ−Ｈａｌ（Ｈａｌはハロゲンを示す）で表される酸ハロゲン化物や、（Ｒ^ｂ３ＣＯ）_２Ｏで表される酸無水物によりアシルして、ｐが０である上記一般式（ｂ１）で表されるオキシムエステル化合物が得られる。

また、上記一般式（ｂ１）で表されるオキシムエステル化合物は、ｐが１である場合、例えば、以下に説明する方法により合成できる。まず、Ｒ^ｂ２−ＣＯ−ＣＨ_２−Ｒ^ｂ１で表されるケトン化合物を、塩酸の存在下に亜硝酸エステルと反応させ、Ｒ^ｂ２−ＣＯ−（Ｃ＝Ｎ−ＯＨ）−Ｒ^ｂ１で表されるオキシム化合物を得る。次いで、得られたオキシム化合物を、Ｒ^ｂ３−ＣＯ−Ｈａｌ（Ｈａｌはハロゲンを示す）で表される酸ハロゲン化物や、（Ｒ^ｂ３ＣＯ）_２Ｏで表される酸無水物によりアシルして、ｐが１である上記一般式（ｂ１）で表されるオキシムエステル化合物が得られる。

上記一般式（ｂ１）で表される化合物としては、下記一般式（ｂ４）で表される化合物が挙げられる。

上記一般式（ｂ４）中、ｐ及びＲ^ｂ２は上記の通りである。Ｒ^ｂ９は、１価の有機基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基からなる群より選択される基であり、ｓは０〜４の整数であり、Ｒ^ｂ１０は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基である。

上記一般式（ｂ４）中、Ｒ^ｂ９は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、有機基である場合、種々の有機基から適宜選択される。Ｒ^ｂ９の好適な例としては、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、飽和脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基、飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイルオキシ基、置換基を有してもよいフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイルオキシ基、置換基を有してもよいナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、アミノ基、１又は２の有機基で置換されたアミノ基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。ｓが２〜４の整数である場合、Ｒ^ｂ９は同一であっても異なっていてもよい。また、置換基の炭素数には、置換基がさらに有する置換基の炭素数を含まない。

Ｒ^ｂ９がアルキル基である場合、炭素数１〜２０が好ましく、炭素数１〜６がより好ましい。また、Ｒ^ｂ９がアルキル基である場合、直鎖であっても、分岐鎖であってもよい。Ｒ^ｂ９がアルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ｎ−ノニル基、イソノニル基、ｎ−デシル基、及びイソデシル基等が挙げられる。また、Ｒ^ｂ９がアルキル基である場合、アルキル基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルキル基の例としては、メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロピルオキシエトキシエチル基、及びメトキシプロピル基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ９がアルコキシ基である場合、炭素数１〜２０が好ましく、炭素数１〜６がより好ましい。また、Ｒ^ｂ９がアルコキシ基である場合、直鎖であっても、分岐鎖であってもよい。Ｒ^ｂ９がアルコキシ基である場合の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチオキシル基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、及びイソデシルオキシ基等が挙げられる。また、Ｒ^ｂ９がアルコキシ基である場合、アルコキシ基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルコキシ基の例としては、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロピルオキシエトキシエトキシ基、及びメトキシプロピルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ９がシクロアルキル基又はシクロアルコキシ基である場合、炭素数３〜１０が好ましく、炭素数３〜６がより好ましい。Ｒ^ｂ９がシクロアルキル基である場合の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。Ｒ^ｂ９がシクロアルコキシ基である場合の具体例としては、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、及びシクロオクチルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ９が飽和脂肪族アシル基又は飽和脂肪族アシルオキシ基である場合、炭素数２〜２０が好ましく、炭素数２〜７がより好ましい。Ｒ^ｂ９が飽和脂肪族アシル基である場合の具体例としては、アセチル基、プロパノイル基、ｎ−ブタノイル基、２−メチルプロパノイル基、ｎ−ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロパノイル基、ｎ−ヘキサノイル基、ｎ−ヘプタノイル基、ｎ−オクタノイル基、ｎ−ノナノイル基、ｎ−デカノイル基、ｎ−ウンデカノイル基、ｎ−ドデカノイル基、ｎ−トリデカノイル基、ｎ−テトラデカノイル基、ｎ−ペンタデカノイル基、及びｎ−ヘキサデカノイル基等が挙げられる。Ｒ^ｂ９が飽和脂肪族アシルオキシ基である場合の具体例としては、アセチルオキシ基、プロパノイルオキシ基、ｎ−ブタノイルオキシ基、２−メチルプロパノイルオキシ基、ｎ−ペンタノイルオキシ基、２，２−ジメチルプロパノイルオキシ基、ｎ−ヘキサノイルオキシ基、ｎ−ヘプタノイルオキシ基、ｎ−オクタノイルオキシ基、ｎ−ノナノイルオキシ基、ｎ−デカノイルオキシ基、ｎ−ウンデカノイルオキシ基、ｎ−ドデカノイルオキシ基、ｎ−トリデカノイルオキシ基、ｎ−テトラデカノイルオキシ基、ｎ−ペンタデカノイルオキシ基、及びｎ−ヘキサデカノイルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ９がアルコキシカルボニル基である場合、炭素数２〜２０が好ましく、炭素数２〜７がより好ましい。Ｒ^ｂ９がアルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、イソオクチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−オクチオキシルカルボニル基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、イソノニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、及びイソデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ９がフェニルアルキル基である場合、炭素数７〜２０が好ましく、炭素数７〜１０がより好ましい。またＲ^ｂ９がナフチルアルキル基である場合、炭素数１１〜２０が好ましく、炭素数１１〜１４がより好ましい。Ｒ^ｂ９がフェニルアルキル基である場合の具体例としては、ベンジル基、２−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、及び４−フェニルブチル基が挙げられる。Ｒ^ｂ９がナフチルアルキル基である場合の具体例としては、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基、２−（α−ナフチル）エチル基、及び２−（β−ナフチル）エチル基が挙げられる。Ｒ^ｂ９が、フェニルアルキル基、又はナフチルアルキル基である場合、Ｒ^ｂ９は、フェニル基、又はナフチル基上にさらに置換基を有していてもよい。

Ｒ^ｂ９がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基は、１以上のＮ、Ｓ、Ｏを含む５員又は６員の単環であるか、かかる単環同士、又はかかる単環とベンゼン環とが縮合したヘテロシクリル基である。ヘテロシクリル基が縮合環である場合は、環数３までのものとする。かかるヘテロシクリル基を構成する複素環としては、フラン、チオフェン、ピロール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、及びキノキサリン等が挙げられる。Ｒ^ｂ９がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基はさらに置換基を有していてもよい。

Ｒ^ｂ９が１又は２の有機基で置換されたアミノ基である場合、有機基の好適な例は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数２〜２０の飽和脂肪族アシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよい炭素数１１〜２０のナフチルアルキル基、及びヘテロシクリル基等が挙げられる。これらの好適な有機基の具体例は、Ｒ^ｂ９と同様である。１又は２の有機基で置換されたアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、ｎ−ノニルアミノ基、ｎ−デシルアミノ基、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ｎ−ブタノイルアミノ基、ｎ−ペンタノイルアミノ基、ｎ−ヘキサノイルアミノ基、ｎ−ヘプタノイルアミノ基、ｎ−オクタノイルアミノ基、ｎ−デカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、α−ナフトイルアミノ基、及びβ−ナフトイルアミノ基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ９に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７の飽和脂肪族アシル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７の飽和脂肪族アシルオキシ基、炭素数１〜６のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基、炭素数１〜６のアルキル基を有するジアルキルアミノ基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。Ｒ^ｂ９に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１〜４が好ましい。Ｒ^ｂ９に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^ｂ９の中では、化学的に安定であることや、立体的な障害が少なく、オキシムエステル化合物の合成が容易であること等から、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、及び炭素数２〜７の飽和脂肪族アシル基からなる群より選択される基が好ましく、炭素数１〜６のアルキルがより好ましく、メチル基が特に好ましい。

Ｒ^ｂ９がフェニル基に結合する位置は、Ｒ^ｂ９が結合するフェニル基について、フェニル基とオキシムエステル化合物の主骨格との結合手の位置を１位とし、メチル基の位置を２位とする場合に、４位、又は５位が好ましく、５位がより好ましい。また、ｓは、０〜３の整数が好ましく、０〜２の整数がより好ましく、０又は１が特に好ましい。

上記一般式（ｂ４）におけるＲ^ｂ１０は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基である。Ｒ^ｂ１０としては、メチル基又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

（Ｂ）成分として使用される光塩基発生剤として特に好適な化合物の具体例を以下に示す。

（光酸発生剤）
光酸発生剤は特に限定されず、従来から種々の用途に使用されている、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤を使用することができる。光酸発生剤としては、以下に説明する、第一〜第五の態様の酸発生剤が好ましい。以下、光酸発生剤のうち好適なものについて、第一から第五の態様として説明する。

光酸発生剤における第一の態様としては、下記一般式（ｂ５）で表される化合物が挙げられる。

上記一般式（ｂ５）中、Ｘ^ｂ１は、原子価ｇの硫黄原子又はヨウ素原子を表し、ｇは１又は２である。ｈは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。Ｒ^ｂ１１は、Ｘ^ｂ１に結合している有機基であり、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数４〜３０の複素環基、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数２〜３０のアルケニル基、又は炭素数２〜３０のアルキニル基を表し、Ｒ^ｂ１１は、アルキル、ヒドロキシ、アルコシキ、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコシキカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールチオカルボニル、アシロキシ、アリールチオ、アルキルチオ、アリール、複素環、アリールオキシ、アルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アルキレンオキシ、アミノ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも１種で置換されていてもよい。Ｒ^ｂ１１の個数はｇ＋ｈ（ｇ−１）＋１であり、Ｒ^ｂ１１はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよい。また、２個以上のＲ^ｂ１１が互いに直接、又は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＮＨ−、−ＮＲ^ｂ１２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、炭素数１〜３のアルキレン基、若しくはフェニレン基を介して結合し、Ｘ^ｂ１を含む環構造を形成してもよい。Ｒ^ｂ１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基である。

Ｘ^ｂ２は下記一般式（ｂ６）で表される構造である。

上記一般式（ｂ６）中、Ｘ^ｂ４は炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数６〜２０のアリーレン基、又は炭素数８〜２０の複素環化合物の２価の基を表し、Ｘ^ｂ４は炭素数１〜８のアルキル、炭素数１〜８のアルコキシ、炭素数６〜１０のアリール、ヒドロキシ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも１種で置換されていてもよい。Ｘ^ｂ５は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＮＨ−、−ＮＲ^ｂ１２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、炭素数１〜３のアルキレン基、又はフェニレン基を表す。ｈは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。ｈ＋１個のＸ^ｂ４及びｈ個のＸ^ｂ５はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^ｂ１２は前述の定義と同じである。

Ｘ^ｂ３−はオニウムの対イオンであり、下記一般式（ｂ２１）で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオン又は下記一般式（ｂ２２）で表されるボレートアニオンが挙げられる。

上記一般式（ｂ２１）中、Ｒ^ｂ１３は水素原子の８０％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。ｊはその個数を示し、１〜５の整数である。ｊ個のＲ^ｂ１３はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（ｂ２２）中、Ｒ^ｂ１４〜Ｒ^ｂ１７は、それぞれ独立にフッ素原子又はフェニル基を表し、該フェニル基の水素原子の一部又は全部は、フッ素原子及びトリフルオロメチル基からなる群より選ばれる少なくとも１種で置換されていてもよい。

上記一般式（ｂ５）で表される化合物中のオニウムイオンとしては、トリフェニルスルホニウム、トリ−ｐ−トリルスルホニウム、４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、ビス［４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル］スルフィド、ビス〔４−｛ビス［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホニオ｝フェニル〕スルフィド、ビス｛４−［ビス（４−フルオロフェニル）スルホニオ］フェニル｝スルフィド、４−（４−ベンゾイル−２−クロロフェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウム、７−イソプロピル−９−オキソ−１０−チア−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イルジ−ｐ−トリルスルホニウム、７−イソプロピル−９−オキソ−１０−チア−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イルジフェニルスルホニウム、２−［（ジフェニル）スルホニオ］チオキサントン、４−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム、４−（４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、ジフェニルフェナシルスルホニウム、４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、２−ナフチルメチル（１−エトキシカルボニル）エチルスルホニウム、４−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、フェニル［４−（４−ビフェニルチオ）フェニル］４−ビフェニルルスルホニウム、フェニル［４−（４−ビフェニルチオ）フェニル］３−ビフェニルスルホニウム、［４−（４−アセトフェニルチオ）フェニル］ジフェニルスルホニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウム、ジフェニルヨードニウム、ジ−ｐ−トリルヨードニウム、ビス（４−ドデシルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−メトキシフェニル）ヨードニウム、（４−オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウム、ビス（４−デシルオキシ）フェニルヨードニウム、４−（２−ヒドロキシテトラデシルオキシ）フェニルフェニルヨードニウム、４−イソプロピルフェニル（ｐ−トリル）ヨードニウム、又は４−イソブチルフェニル（ｐ−トリル）ヨードニウム、等が挙げられる。

上記一般式（ｂ５）で表される化合物中のオニウムイオンのうち、好ましいオニウムイオンとしては下記一般式（ｂ２３）で表されるスルホニウムイオンが挙げられる。

上記一般式（ｂ２３）中、Ｒ^ｂ１８はそれぞれ独立に水素原子、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルオキシカルボニル、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアリール、アリールカルボニル、からなる群より選ばれる基を表す。Ｘ^ｂ２は、上記一般式（ｂ５）中のＸ^ｂ２と同じ意味を表す。

上記一般式（ｂ２３）で表されるスルホニウムイオンの具体例としては、４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、４−（４−ベンゾイル−２−クロロフェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウム、４−（４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、フェニル［４−（４−ビフェニルチオ）フェニル］４−ビフェニルスルホニウム、フェニル［４−（４−ビフェニルチオ）フェニル］３−ビフェニルスルホニウム、［４−（４−アセトフェニルチオ）フェニル］ジフェニルスルホニウム、ジフェニル［４−（ｐ−ターフェニルチオ）フェニル］ジフェニルスルホニウムが挙げられる。

上記一般式（ｂ２１）で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンにおいて、Ｒ^ｂ１３はフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、好ましい炭素数は１〜８、さらに好ましい炭素数は１〜４である。アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル等の直鎖アルキル基；イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル等の分岐アルキル基；さらにシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクヘキシル等のシクロアルキル基等が挙げられ、アルキル基の水素原子がフッ素原子に置換された割合は、通常、８０％以上、好ましくは９０％以上、さらに好ましくは１００％である。フッ素原子の置換率が８０％未満である場合には、上記式（ｂ５）で表されるオニウムフッ素化アルキルフルオロリン酸塩の酸強度が低下する。

特に好ましいＲ^ｂ１３は、炭素数が１〜４、且つフッ素原子の置換率が１００％の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基であり、具体例としては、ＣＦ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２、（ＣＦ_３）_２ＣＦ、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、（ＣＦ_３）_２ＣＦＣＦ_２、ＣＦ_３ＣＦ_２（ＣＦ_３）ＣＦ、（ＣＦ_３）_３Ｃが挙げられる。Ｒ^ｂ１３の個数ｊは、１〜５の整数であり、好ましくは２〜４、特に好ましくは２又は３である。

好ましいフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンの具体例としては、［（ＣＦ_３ＣＦ_２）_２ＰＦ_４］⁻、［（ＣＦ_３ＣＦ_２）_３ＰＦ_３］⁻、［（（ＣＦ_３）_２ＣＦ）_２ＰＦ_４］⁻、［（（ＣＦ_３）_２ＣＦ）_３ＰＦ_３］⁻、［（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２）_２ＰＦ_４］⁻、［（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２）_３ＰＦ_３］⁻、［（（ＣＦ_３）_２ＣＦＣＦ_２）_２ＰＦ_４］⁻、［（（ＣＦ_３）_２ＣＦＣＦ_２）_３ＰＦ_３］⁻、［（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_２ＰＦ_４］⁻、又は［（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２）_３ＰＦ_３］⁻が挙げられ、これらのうち、［（ＣＦ_３ＣＦ_２）_３ＰＦ_３］⁻、［（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２）_３ＰＦ_３］⁻、［（（ＣＦ_３）_２ＣＦ）_３ＰＦ_３］⁻、［（（ＣＦ_３）_２ＣＦ）_２ＰＦ_４］⁻、［（（ＣＦ_３）_２ＣＦＣＦ_２）_３ＰＦ_３］⁻、又は［（（ＣＦ_３）_２ＣＦＣＦ_２）_２ＰＦ_４］⁻が特に好ましい。

上記一般式（ｂ２２）で表されるボレートアニオンの好ましい具体例としては、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_４］⁻）、テトラキス［（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート（［Ｂ（Ｃ_６Ｈ_４ＣＦ_３）_４］⁻）、ジフルオロビス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［（Ｃ_６Ｆ_５）_２ＢＦ_２］⁻）、トリフルオロ（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［（Ｃ_６Ｆ_５）ＢＦ_３］⁻）、テトラキス（ジフルオロフェニル）ボレート（［Ｂ（Ｃ_６Ｈ_３Ｆ_２）_４］⁻）等が挙げられる。これらの中でも、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_４］⁻）が特に好ましい。

光酸発生剤における第二の態様としては、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−ピペロニル−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（２−フリル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（５−メチル−２−フリル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（５−エチル−２−フリル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（５−プロピル−２−フリル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（３，５−ジメトキシフェニル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（３，５−ジエトキシフェニル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（３，５−ジプロポキシフェニル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（３−メトキシ−５−エトキシフェニル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（３−メトキシ−５−プロポキシフェニル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（３，４−メチレンジオキシフェニル）エテニル］−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（３，４−メチレンジオキシフェニル）−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−［２−（２−フリル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−［２−（５−メチル−２−フリル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−［２−（３，５−ジメトキシフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，４−メチレンジオキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、トリス（１，３−ジブロモプロピル）−１，３，５−トリアジン、トリス（２，３−ジブロモプロピル）−１，３，５−トリアジン等のハロゲン含有トリアジン化合物、並びにトリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレ−ト等の下記一般式（ｂ７）で表されるハロゲン含有トリアジン化合物が挙げられる。

上記一般式（ｂ７）中、Ｒ^ｂ１９、Ｒ^ｂ２０、Ｒ^ｂ２１は、それぞれ独立にハロゲン化アルキル基を表す。

また、光酸発生剤における第三の態様としては、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，４−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，６−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−（２−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、並びにオキシムスルホネ−ト基を含有する下記一般式（ｂ８）で表される化合物が挙げられる。

上記一般式（ｂ８）中、Ｒ^ｂ２２は、１価、２価、又は３価の有機基を表し、Ｒ^ｂ２３は、置換若しくは未置換の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、又は芳香族性化合物基を表し、ｋは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。

上記一般式（ｂ８）中、芳香族性化合物基とは、芳香族化合物に特有な物理的・化学的性質を示す化合物の基を示し、例えば、フェニル基、ナフチル基等のアリール基や、フリル基、チエニル基等のヘテロアリール基が挙げられる。これらは環上に適当な置換基、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基等を１個以上有していてもよい。また、Ｒ^ｂ２３は、炭素数１〜６のアルキル基が特に好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。特に、Ｒ^ｂ２２が芳香族性化合物基であり、Ｒ^ｂ２３が炭素数１〜４のアルキル基である化合物が好ましい。

上記一般式（ｂ８）で表される酸発生剤としては、ｋ＝１のとき、Ｒ^ｂ２２がフェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基のいずれかであって、Ｒ^ｂ２３がメチル基の化合物、具体的にはα−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−（ｐ−メチルフェニル）アセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−（ｐ−メトキシフェニル）アセトニトリル、〔２−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−２，３−ジヒドロキシチオフェン−３−イリデン〕（ｏ−トリル）アセトニトリル等が挙げられる。ｎ＝２のとき、上記一般式（ｂ８）で表される光酸発生剤としては、具体的には下記式で表される光酸発生剤が挙げられる。

また、光酸発生剤における第四の態様としては、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩が挙げられる。この「ナフタレン環を有する」とは、ナフタレンに由来する構造を有することを意味し、少なくとも２つの環の構造と、それらの芳香族性が維持されていることを意味する。このナフタレン環は炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、水酸基、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基等の置換基を有していてもよい。ナフタレン環に由来する構造は、１価基（遊離原子価が１つ）であっても、２価基（遊離原子価が２つ）以上であってもよいが、１価基であることが望ましい（ただし、このとき、上記置換基と結合する部分を除いて遊離原子価を数えるものとする）。ナフタレン環の数は１〜３が好ましい。

このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のカチオン部としては、下記一般式（ｂ９）で表される構造が好ましい。

上記一般式（ｂ９）中、Ｒ^ｂ２４、Ｒ^ｂ２５、Ｒ^ｂ２６のうち少なくとも１つは下記一般式（ｂ１０）で表される基を表し、残りは炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、水酸基、又は炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表す。あるいは、Ｒ^ｂ２４、Ｒ^ｂ２５、Ｒ^ｂ２６のうちの１つが下記一般式（ｂ１０）で表される基であり、残りの２つはそれぞれ独立に炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。

上記一般式（ｂ１０）中、Ｒ^ｂ２７、Ｒ^ｂ２８は、それぞれ独立に水酸基、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基、又は炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、Ｒ^ｂ２９は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ｌ及びｍは、それぞれ独立に０〜２の整数を表し、ｌ＋ｍは３以下である。ただし、Ｒ^ｂ２７が複数存在する場合、それらは互いに同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ^ｂ２８が複数存在する場合、それらは互いに同じであっても異なっていてもよい。

上記Ｒ^ｂ２４、Ｒ^ｂ２５、Ｒ^ｂ２６のうち上記一般式（ｂ１０）で表される基の数は、化合物の安定性の点から好ましくは１つであり、残りは炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。この場合、上記２つのアルキレン基は、硫黄原子を含めて３〜９員環を構成する。環を構成する原子（硫黄原子を含む）の数は、好ましくは５〜６である。

また、上記アルキレン基が有していてもよい置換基としては、酸素原子（この場合、アルキレン基を構成する炭素原子とともにカルボニル基を形成する）、水酸基等が挙げられる。

また、フェニル基が有していてもよい置換基としては、水酸基、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基等が挙げられる。

これらのカチオン部として好適なものとしては、下記式（ｂ１１）、（ｂ１２）で表されるもの等を挙げることができ、特に下記式（ｂ１２）で表される構造が好ましい。

このようなカチオン部としては、ヨ−ドニウム塩であってもスルホニウム塩であってもよいが、酸発生効率等の点からスルホニウム塩が望ましい。

従って、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のアニオン部として好適なものとしては、スルホニウム塩を形成可能なアニオンが望ましい。

このような酸発生剤のアニオン部としては、水素原子の一部又は全部がフッ素化されたフルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンである。

フルオロアルキルスルホン酸イオンにおけるアルキル基は、炭素数１〜２０の直鎖状でも分岐状でも環状でもよく、発生する酸の嵩高さとその拡散距離から、炭素数１〜１０であることが好ましい。特に、分岐状や環状のものは拡散距離が短いため好ましい。また、安価に合成可能なことから、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等を好ましいものとして挙げることができる。

アリールスルホン酸イオンにおけるアリール基は、炭素数６〜２０のアリール基であって、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもされていなくてもよいフェニル基、ナフチル基が挙げられる。特に、安価に合成可能なことから、炭素数６〜１０のアリール基が好ましい。好ましいものの具体例として、フェニル基、トルエンスルホニル基、エチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基等を挙げることができる。

上記フルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンにおいて、水素原子の一部又は全部がフッ素化されている場合のフッ素化率は、好ましくは１０〜１００％、より好ましくは５０〜１００％であり、特に水素原子を全てフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。このようなものとしては、具体的には、トリフルオロメタンスルホネート、パ−フルオロブタンスルホネート、パーフルオロオクタンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート等が挙げられる。

これらの中でも、好ましいアニオン部として、下記一般式（ｂ１３）で表されるものが挙げられる。
Ｒ^ｂ３０ＳＯ_３ ⁻ （ｂ１３）

上記式（ｂ１３）において、Ｒ^ｂ３０は、下記式（ｂ１４）、下記一般式（ｂ１５）で表される基や、下記式（ｂ１６）で表される基である。

上記式（ｂ１４）中、ｘは１〜４の整数を表す。また、上記一般式（ｂ１５）中、Ｒ^ｂ３１は、水素原子、水酸基、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表し、ｙは１〜３の整数を表す。これらの中でも、安全性の観点からトリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネートが好ましい。

また、アニオン部としては、下記一般式（ｂ１７）、（ｂ１８）で表される窒素を含有するものを用いることもできる。

上記一般式（ｂ１７）、（ｂ１８）中、Ｘ^ｂは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表し、該アルキレン基の炭素数は２〜６であり、好ましくは３〜５、最も好ましくは炭素数３である。また、Ｙ^ｂ、Ｚ^ｂは、それぞれ独立に少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、該アルキル基の炭素数は１〜１０であり、好ましくは１〜７、より好ましくは１〜３である。

Ｘ^ｂのアルキレン基の炭素数、又はＹ^ｂ、Ｚ^ｂのアルキル基の炭素数が小さいほど有機溶剤への溶解性も良好であるため好ましい。

また、Ｘ^ｂのアルキレン基又はＹ^ｂ、Ｚ^ｂのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなるため好ましい。該アルキレン基又はアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは７０〜１００％、より好ましくは９０〜１００％であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。

このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩として好ましいものとしては、下記式（ｂ１９）、（ｂ２０）で表される化合物が挙げられる。

また、光酸発生剤における第五の態様としては、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類；ｐ−トルエンスルホン酸２−ニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ニトロベンジルトシレ−ト、ジニトロベンジルトシラート、ニトロベンジルスルホナート、ニトロベンジルカルボナート、ジニトロベンジルカルボナート等のニトロベンジル誘導体；ピロガロールトリメシラート、ピロガロールトリトシラート、ベンジルトシラート、ベンジルスルホナート、Ｎ−メチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ−トリクロロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、Ｎ−フェニルスルホニルオキシマレイミド、Ｎ−メチルスルホニルオキシフタルイミド等のスルホン酸エステル類；Ｎ−ヒドロキシフタルイミド、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド等のトリフルオロメタンスルホン酸エステル類；ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスファート、（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のオニウム塩類；ベンゾイントシラート、α−メチルベンゾイントシラート等のベンゾイントシレート類；その他のジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニウム塩、ベンジルカルボナート等が挙げられる。

感光性樹脂組成物における（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部が好ましく、０．０５〜５質量部がより好ましく、０．０５〜５質量部が特に好ましい。感光性樹脂組成物がこのような量の（Ｂ）成分を含むことで、低露光量で、経時的に形状が変化しにくい精度に優れるパターンを形成しやすい。

〔（Ｃ）光によりイミダゾール化合物を発生する化合物〕
感光性樹脂組成物は、（Ｃ）光により下記一般式：

（一般式（ｃ１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホナト基、又は有機基を示す。）
で表されるイミダゾール化合物（以下、（Ｃ）成分とも記す。）を発生する化合物を含有する。

本発明の感光性樹脂組成物は（Ｃ）成分を含むため、選択的に露光された際に、露光部においてのみ光の作用により（Ｃ）成分よりイミダゾール化合物が発生する。イミダゾール化合物は（Ａ）成分の縮合を促進させるが、本発明の感光性樹脂組成物が（Ｃ）成分を含む場合、露光されるまで感光性樹脂組成物中でイミダゾール化合物が発生しないため、感光性樹脂組成物の保存安定性が良好である。

Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３における有機基としては、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。この有機基は、該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでいてもよい。また、この有機基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよい。この有機基は、通常は１価であるが、環状構造を形成する場合等には、２価以上の有機基となり得る。

Ｒ^１及びＲ^２は、それらが結合して環状構造を形成していてもよく、ヘテロ原子の結合をさらに含んでいてもよい。環状構造としては、ヘテロシクロアルキル基、ヘテロアリール基等が挙げられ、縮合環であってもよい。

Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３の有機基に含まれる結合は、本発明の効果が損なわれない限り特に限定されず、有機基は、酸素原子、窒素原子、珪素原子等のヘテロ原子を含む結合を含んでいてもよい。ヘテロ原子を含む結合の具体例としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合（−Ｎ＝Ｃ（−Ｒ）−、−Ｃ（＝ＮＲ）−：Ｒは水素原子又は有機基を示す）、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、アゾ結合等が挙げられる。

Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３の有機基が有してもよいヘテロ原子を含む結合としては、イミダゾール化合物の耐熱性の観点から、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合（−Ｎ＝Ｃ（−Ｒ）−、−Ｃ（＝ＮＲ）−：Ｒは水素原子又は１価の有機基を示す）、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合が好ましい。

Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３が炭化水素基以外の置換基である場合、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は本発明の効果が損なわれない限り特に限定されない。Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３の具体例としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホナト基、アルキルエーテル基、アルケニルエーテル基、アルキルチオエーテル基、アルケニルチオエーテル基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基等が挙げられる。上記置換基に含まれる水素原子は、炭化水素基によって置換されていてもよい。また、上記置換基に含まれる炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれでもよい。

Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３としては、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、及びハロゲン原子が好ましく、水素原子がより好ましい。Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３がいずれも水素原子であるイミダゾール化合物は、立体的な障害の少ない単純な構造であるため、（Ａ）ポリイミド樹脂が有するイミド基に含まれるカルボニル基の攻撃が容易である。

（Ｃ）成分は、光の作用により上記一般式（ｃ１）で表されるイミダゾール化合物を発生させることができる化合物であれば特に限定されない。従来から感光性組成物に配合されている、光の作用によりアミンを発生する化合物について、露光時に発生するアミンに由来する骨格を、上記一般式（ｃ１）で表されるイミダゾール化合物に由来する骨格に置換することにより、（Ｃ）成分として使用される化合物が得られる。

好適な（Ｃ）成分としては、下記一般式（ｃ２）：

（一般式（ｃ２）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホナト基、又は有機基を示す。Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基を示す。Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、又は有機基を示す。Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それらの２つ以上が結合して環状構造を形成していてもよく、ヘテロ原子の結合を含んでいてもよい。）
で表される化合物が挙げられる。

一般式（ｃ２）において、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、一般式（ｃ１）について説明したものと同様である。

一般式（ｃ２）において、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基を示す。

Ｒ^４及びＲ^５における有機基としては、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３について例示したものが挙げられる。この有機基は、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３の場合と同様に、該有機基中にヘテロ原子を含んでいてもよい。また、この有機基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよい。

以上の中でも、Ｒ^４及びＲ^５としては、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数４〜１３のシクロアルキル基、炭素数４〜１３のシクロアルケニル基、炭素数７〜１６のアリールオキシアルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基、シアノ基を有する炭素数２〜１１のアルキル基、水酸基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数２〜１１のアミド基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数１〜１０のアシル基、炭素数２〜１１のエステル基（−ＣＯＯＲ、−ＯＣＯＲ：Ｒは炭化水素基を示す）、炭素数６〜２０のアリール基、電子供与性基及び／又は電子吸引性基が置換した炭素数６〜２０のアリール基、電子供与性基及び／又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基、メチルチオ基であることが好ましい。より好ましくは、Ｒ^４及びＲ^５の両方が水素原子であるか、又はＲ^４がメチル基であり、Ｒ^５が水素原子である。

一般式（ｃ２）において、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、又は有機基を示す。

Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０における有機基としては、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３において例示したものが挙げられる。この有機基は、Ｒ^１及びＲ^２の場合と同様に、該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでいてもよい。また、この有機基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよい。

Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それらの２つ以上が結合して環状構造を形成していてもよく、ヘテロ原子の結合を含んでいてもよい。環状構造としては、ヘテロシクロアルキル基、ヘテロアリール基等が挙げられ、縮合環であってもよい。例えば、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それらの２つ以上が結合して、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０が結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成してもよい。

以上の中でも、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０としては、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数４〜１３のシクロアルキル基、炭素数４〜１３のシクロアルケニル基、炭素数７〜１６のアリールオキシアルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基、シアノ基を有する炭素数２〜１１のアルキル基、水酸基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数２〜１１のアミド基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、炭素数１〜１０のアシル基、炭素数２〜１１のエステル基、炭素数６〜２０のアリール基、電子供与性基及び／又は電子吸引性基が置換した炭素数６〜２０のアリール基、電子供与性基及び／又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基、メチルチオ基、ニトロ基であることが好ましい。

また、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０としては、それらの２つ以上が結合して、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０が結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成している場合も、吸収波長が長波長化する点から好ましい。

上記一般式（ｃ２）で表される化合物の中では、下記一般式（ｃ３）：

（一般式（ｃ３）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、一般式（ｃ１）及び（ｃ２）と同義である。Ｒ^４〜Ｒ^９は一般式（ｃ２）と同義である。Ｒ^１１は、水素原子又は有機基を示す。Ｒ^６及びＲ^７が水酸基となることはない。Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、及びＲ^９は、それらの２つ以上が結合して環状構造を形成していてもよく、ヘテロ原子の結合を含んでいてもよい。）
で表される化合物が好ましい。

一般式（ｃ３）で表される化合物は、置換基−Ｏ−Ｒ^１１を有するため、感光性樹脂組成物中に均一に溶解しやすい。

一般式（ｃ３）において、Ｒ^１１は、水素原子又は有機基である。Ｒ^１１が有機基である場合、有機基としては、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３において例示したものが挙げられる。この有機基は、該有機基中にヘテロ原子を含んでいてもよい。また、この有機基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよい。Ｒ^１１としては、水素原子、又は炭素数１〜１２のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

（Ｃ）成分として特に好適な化合物の具体例を以下に示す。

感光性樹脂組成物における（Ｃ）成分の含有量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。ポジ型感光性樹脂組成物における（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０５〜１０質量部が好ましく、１〜５質量部がより好ましい。

〔（Ｄ）反応性希釈剤〕
感光性樹脂組成物は（Ｄ）反応性希釈剤（以下、（Ｄ）成分とも記す。）を含んでいてもよい。感光性樹脂組成物が（Ｄ）反応性希釈剤を含む場合、露光された感光性樹脂組成物について、収縮を抑制し、機械的強度向上させやすい。

（Ｄ）反応性希釈剤としては、カチオン重合性モノマー及びエチレン性不飽和モノマーの少なくとも一方を用いるのが好ましい。カチオン重合性モノマーは、光酸発生剤の存在下で光照射されることで重合反応や架橋反応を起こす有機化合物である。カチオン重合性モノマーとしては、エポキシ化合物、オキセタン化合物、オキソラン化合物、環状アセタール化合物、環状ラクトン化合物、チイラン化合物、チエタン化合物、ビニルエーテル化合物、エポキシ化合物とラクトンとの反応生成物であるスピロオルソエステル化合物、エチレン性不飽和化合物、環状エーテル化合物、環状チオエーテル化合物、及びビニル化合物等が挙げられる。カチオン重合性モノマーは二種以上を組み合わせて使用することもできる。

エチレン性不飽和モノマーとしては、エチレン性不飽和結合を分子中に有する化合物であれば、特に制限されるものではないが、例えば、１分子中に１個のエチレン性不飽和結合を有する単官能モノマーや、１分子中に２個以上のエチレン性不飽和結合を有する多官能モノマーが好ましい。

感光性樹脂組成物中の、（Ｄ）成分の含有量は特に限定されない。（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜１００質量部が好ましく、０．５〜８０質量部がより好ましく、１〜５０質量部が特に好ましい。感光性樹脂組成物中の（Ｄ）成分の含有量が過少であると、所望する（Ｄ）成分の添加による効果を得られない場合がある。感光性樹脂組成物中の（Ｄ）成分の含有量が過多であると、感光性樹脂組成物の硬化性や、感光性樹脂組成物を露光して形成されるシロキサン被膜のような硬化物の透明性や耐熱性が低下する場合がある。

〔（Ｅ）有機溶媒〕
感光性樹脂組成物は、（Ｅ）有機溶媒（以下、（Ｅ）成分とも記す。）を含んでいてもよい。感光性樹脂組成物に（Ｅ）有機溶媒を含有させると、保存安定性に優れる感光性樹脂組成物を得やすい。また、感光性樹脂組成物に（Ｅ）有機溶媒を含有させることで感光性樹脂組成物の粘度を調製できる。感光性樹脂組成物に（Ｅ）有機溶媒を配合して粘度を調整することで、感光性樹脂組成物を塗布して塗布膜を形成する際に、感光性樹脂組成物の塗布性を改良したり、塗布膜の厚さを調整したりすることができる。

（Ｅ）有機溶媒の種類は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。（Ｅ）有機溶媒の好適な具体例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール、３−メトキシ−１−ブタノールのような一価アルコール；メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネートのようなアルキルカルボン酸エステル；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコールのような多価アルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートのような多価アルコール誘導体；酢酸、プロピオン酸のような脂肪酸；アセトン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノンのようなケトン等が挙げられる。（Ｅ）有機溶媒は２種以上を組み合わせて用いることができる。

感光性樹脂組成物中の（Ｅ）有機溶媒の量は特に限定されないが、感光性樹脂組成物中の固形分濃度が５質量％以上となる量が好ましく、２０〜５０質量％となる量がより好ましい。

≪パターンの形成方法≫
以上説明した感光性樹脂組成物を用いてパターンを形成する方法は特に限定されない。好ましいパターン形成方法としては、前述の感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成する、塗布膜形成工程と、塗布膜を所定のパターンに露光する、露光工程と、塗布膜の未露光部を除去して現像する、現像工程とを含む方法が挙げられる。

基板上に感光性樹脂組成物を塗布する方法は、所望する膜の塗布膜を形成できる方法であれば特に限定されない。基板上に感光性樹脂組成物を塗布する方法としては、ロールコーター、リバースコーター、バーコーター等の接触転写型塗布装置やスピンナー（回転式塗布装置）、カーテンフローコーター等の非接触型塗布装置を用いる方法が挙げられる。感光性樹脂組成物が（Ｅ）溶剤を含む場合、基板上に形成された塗布膜を必要に応じて加熱して、塗布膜から（Ｅ）溶剤を除去してもよい。塗布膜の膜厚は０．０５〜２０μｍが好ましく、０．０５〜５μｍがより好ましい。

上記のような方法で形成される塗布膜は、形成するパターン形状に応じて選択的に露光される。選択的露光は、通常、パターン形状に応じた形状のマスクを介して行われる。露光に用いられる放射線としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、ｇ線ステッパー、ｉ線ステッパー等から放射される紫外線、電子線、レーザー光線等が挙げられる。露光量は、使用する光源や塗布膜の膜厚等によっても異なるが、通常、１〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２、好ましくは１０〜５００ｍＪ／ｃｍ^２である。

露光後に、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液、水酸化カリウム等の現像液を用いて、未露光部を除去してパターンが現像される。現像後のパターンを、必要に応じて加熱、乾燥させることで、ポリシロキサン被膜からなるパターンが形成される。このようにして形成されるポリシロキサン被膜からなるパターンを絶縁材料や光学材料として使用することで、種々の電子部品を得ることができる。

以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例及び比較例では、下記合成例１及び２に記載の方法に従って得られたポリシロキサン溶液ＳＩ−１及びＳＩ−２に含まれるポリシロキサンを（Ａ）成分として用いた。また、実施例及び比較例では以下の硬化促進剤を用いた
Ａ：下記合成例３に記載の方法に従って得られた下式の化合物（Ｃ−１）
Ｂ：イミダゾール
Ｃ：濃度２．３８質量％のテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液

［合成例１］
テトラエトシキシラン５３．４ｇと、メチルトリエトキシシラン９１．９ｇと、イオン交換水４０ｇと、シュウ酸０．０３ｇとを反応容器に仕込んだ。反応容器の内容物を、６０℃で６時間撹拌して、テトラエトキシシランとメチルトリエトキシシランとの加水分解縮合反応を行った。次いで、容器内にジエチレングリコールジメチルエーテル３６３．３ｇを加えた後、エバポレーターを用いて、ジエチレングリコールジメチルエーテルと、加水分解より生じたエタノールとを除去した。エバポレーターにより濃縮された残渣を６０℃の湯浴中で６時間加熱して、固形分濃度６０質量％のポリシロキサン溶液２４１．１ｇを得た。得られたポリシロキサン溶液（ＳＩ−１）に含まれるポリシロキサンの質量平均分子量は７８０であった。

［合成例２］
テトラエトキシシランをフェニルトリメトキシシランに変更することと、エバポレーターにより濃縮された残渣を加熱する条件を９０℃、１０時間に変更することとの他は、合成例１と同様にして、固形分濃度６０質量％のポリシロキサン溶液２１１．２ｇを得た。得られたポリシロキサン溶液（ＳＩ−２）に含まれるポリシロキサンの質量平均分子量は５６００であった。

［合成例３］
３−（４−メトキシフェニル）アクリル酸クロリド５．９０ｇ（３０ｍｍｏｌ）を５０ｍｌの乾燥したエーテルに溶解し、トリエチルアミン４．５９ｍｌ（当量比１．１）、イミダゾール２．２５ｍｌ（当量比１．１）を加え、室温にて１時間撹拌した。反応液を、水５０ｍｌ、飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液５０ｍｌ、及び１Ｎ塩酸で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。ヘキサン−酢酸エチルを展開溶媒とし、シリカゲルを支持担体としてカラムクロマトグラフィにより精製を行い、Ｃ−１（３．４１ｇ，１５ｍｍｏｌ）を得た。アクリル酸クロリド基準の収率は５０％であった。

〔実施例１〜３及び比較例１〜３〕
表１に記載の種類のポリシロキサン溶液１００質量部と、光塩基発生剤（イルガキュアーＯＸＥ−０２、オキシムエステル系化合物、ＢＡＳＦ社製）１．０質量部と、表１に記載の種類の硬化促進剤１．０質量部と、脱水剤（オルト蟻酸メチル）３．０質量部とを、均一に混合して、実施例１〜３及び比較例１〜３の感光性樹脂組成物を得た。実施例では、硬化促進剤は（Ｃ）成分に相当する。

〔パターン精度の評価〕
感光性樹脂組成物を５インチシリコンウエハの中心に２ｍＬ滴下し、スピン塗布法（７００回転／分で３０秒間回転）によりシリコンウエハ上に塗布膜を形成した。形成された塗布膜を１００℃のホットプレートで６０秒間乾燥させた。乾燥された塗布膜に対して、最小線幅が、１０μｍのライン状パターンを有するネガ用のマスクを介して、露光機（ＭＰＡ−６００ＦＡ、キャノン社製）を用いて表１に記載の露光量で紫外光を照射した。露光後の塗布膜を備えたシリコンウエハを１００℃で６０秒間加熱した後、シリコンウエハを室温まで自然冷却させた。その後、濃度２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液からなる現像液にそのシリコンウエハを３０秒間浸漬して、未露光部を溶解させた。その後、シリコンウエハを水洗、スピン乾燥して、ポリシロキサン被膜からなるパターンを形成した。

現像直後のポリシロキサン被膜からなるパターンの形状と、ポリシロキサン被膜からなるパターンを備えるシリコンウエハを、クリーンルーム環境下（室温２４℃、湿度４０％）に一週間放置した後のポリシロキサン被膜からなるパターンの形状とを比較し、パターン精度を評価した。なお、パターン形状は、パターン上部からの光学顕微鏡による観察と、パターン側面からのＳＥＭによる観察とで確認した。一週間放置後のパターン形状が一週間放置前のパターン形状と同等であった場合を○と判定した。一週間放置後のパターン形状が一週間放置前のパターン形状から変化していた場合を×と判定した。パターン精度の評価結果を、表１に記す。

〔保存安定性評価〕
調製直後の感光性樹脂組成物をクリーンルーム環境下（室温２４℃、湿度４０％）に一週間放置した。一週間放置後の感光性樹脂組成物を用いて、５インチシリコンウエハに対して、パターン精度の評価と同様にパターン形成操作を施した。所定の形状のパターンが形成された場合を○と判定した。所定の形状のパターンが形成されなかった場合を×と判定した。保存安定性の評価結果を、表１に記す。

実施例１〜３によれば、所定の（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分を含む感光性樹脂組成物であれば、経時的に形状の変化しない精度に優れるパターンを形成でき、また、感光性樹脂組成物を一定期間保管した後でも所望する形状のパターンを形成できることが分かる。

比較例１及び２によれば、硬化促進剤として上記一般式（ｃ１）で表される化合物ではなくイミダゾールを含む感光性樹脂組成物を用いる場合、感光性樹脂組成物を保管する際にイミダゾールが（Ａ）成分の縮合を進めてしまい、感光性樹脂組成物を一定期間保管した後に所望する形状のパターンを形成できないことが分かる。

比較例３によれば、硬化促進剤としてテトラメチルアンモニウム硝酸塩を含む感光性樹脂組成物を用いる場合、実施例と同等の露光量ではパターン精度に優れるパターンを形成できず、また、感光性樹脂組成物を一定期間保管した後に所望する形状のパターンを形成できないことが分かる。

Claims (6)

1. （Ａ）下記一般式：
   Ｒ_ｎＳｉＸ_４−ｎ・・・（１）
   （式中、Ｒは、水素原子又は炭素数１〜２０の有機基であり、Ｘは加水分解性基であり、ｎは０〜２の整数である。）
   で表される加水分解性シラン化合物、前記加水分解性シラン化合物の加水分解物、及びこれらの縮合物からなる群より選択される１種以上、
   （Ｂ）光塩基発生剤又は光酸発生剤、及び、
   （Ｃ）光により下記一般式：
   

   

   （一般式（ｃ１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホナト基、又は有機基を示す。）
   で表されるイミダゾール化合物を発生する化合物、を含む感光性樹脂組成物。
2. （Ｃ）前記イミダゾール化合物を発生する化合物が、下記一般式：
   

   

   （一般式（ｃ２）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、ホスフィノ基、スルホナト基、ホスフィニル基、ホスホナト基、又は有機基を示す。Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基を示す。Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、又は有機基を示す。Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、及びＲ^１０は、それらの２つ以上が結合して環状構造を形成していてもよく、ヘテロ原子の結合を含んでいてもよい。）
   で表される化合物である、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
3. さらに、（Ｄ）反応性希釈剤を含む、請求項１又は２に記載の感光性樹脂組成物。
4. さらに、（Ｅ）有機溶剤を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成する、塗布膜形成工程、
   前記塗布膜を所定のパターンに露光する、露光工程、及び、
   前記塗布膜の未露光部を除去して現像する、現像工程を含む、ポリシロキサン被膜からなるパターンの形成方法。
6. 前記基板上に、請求項５に記載の方法により形成されたポリシロキサン被膜からなるパターンを備える電子部品。