JP2014110277A5 - - Google Patents
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Description
本発明の半導体素子は、活性領域及び平面視で活性領域を囲む耐圧終端領域が形成された第１導電型のドリフト層と、耐圧終端領域上に形成された樹脂保護膜と、を備え、耐圧終端領域には、ドリフト層の表面に平面視で活性領域を囲む第２導電型の半導体層からなる複数のリング状領域が、隣り合うリング状領域の間のドリフト層であるリング間領域を介して設けられ、最内周のリング状領域は活性領域に接し、樹脂保護膜の厚みは、活性領域に接さないリング状領域の幅と当該リング状領域に接するリング間領域の幅との和の最大値を、樹脂保護膜の誘電率の平方根で除した値よりも大きい。
本発明の半導体素子は、活性領域及び平面視で活性領域を囲む耐圧終端領域が形成された第１導電型のドリフト層と、耐圧終端領域上に形成された樹脂保護膜と、を備え、耐圧終端領域には、ドリフト層の表面に平面視で活性領域を囲む第２導電型の半導体層からなる複数のリング状領域が、隣り合うリング状領域の間のドリフト層であるリング間領域を介して設けられ、最内周のリング状領域は活性領域に接し、樹脂保護膜の厚みは、活性領域に接さないリング状領域の幅と当該リング状領域に接するリング間領域の幅との和の最大値を、樹脂保護膜の誘電率の平方根で除した値よりも大きい。樹脂保護膜の厚みを上記のように規定することにより、樹脂保護膜の表面ではリング間領域近傍に発生する局所的な電界の影響をほとんど受けないため、良好な耐電圧特性と高い信頼性が得られる。
Claims (3)
- 活性領域及び平面視で前記活性領域を囲む耐圧終端領域が形成された第１導電型のドリフト層と、
前記耐圧終端領域上に形成された樹脂保護膜と、
を備え、
前記耐圧終端領域には、前記ドリフト層の表面に平面視で前記活性領域を囲む第２導電型の半導体層からなる複数のリング状領域が、隣り合う前記リング状領域の間の前記ドリフト層であるリング間領域を介して設けられ、
最内周の前記リング状領域は前記活性領域に接し、
前記樹脂保護膜の厚みは、前記活性領域に接さない前記リング状領域の幅と当該リング状領域に接する前記リング間領域の幅との和の最大値を、前記樹脂保護膜の誘電率の平方根で除した値よりも大きい、
半導体素子。 - 前記リング状領域の幅は、外側に向けて小さく、
前記リング間領域の幅は、外側に向けて大きい、
請求項１に記載の半導体素子。 - 前記活性領域に接しない前記リング状領域の幅と、内側又は外側のいずれかの方向で当該リング状領域に接する前記リング間領域の幅の和は、前記耐圧終端領域の全域に亘り同一である、
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体素子。
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| JP2012262817A JP5943819B2 (ja) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 半導体素子、半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2012262817A JP5943819B2 (ja) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 半導体素子、半導体装置 |
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Family
ID=51030755
Family Applications (1)
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| JP2012262817A Active JP5943819B2 (ja) | 2012-11-30 | 2012-11-30 | 半導体素子、半導体装置 |
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