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  1. ランジスタと、前記トランジスタ上有機樹脂膜とを有する第1の基板、減圧雰囲気下で加熱処理する工程と
    前記第1の基板、又は第2の基板のいずれか一方にシール材を塗布する工程と
    前記第1の基板と、前記第2の基板とを、前記シール材を挟んで対向させて貼り合わせる工程と
    前記シール材を硬化させる工程を有し、
    前記加熱処理から前記シール材の硬化までの工程は、大気開放せずに露点−60℃以下の雰囲気にて連続的に行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
  2. ランジスタと、前記トランジスタ上有機樹脂膜とを有する第1の基板、減圧雰囲気下で加熱処理する工程と
    前記第1の基板、又は第2の基板のいずれか一方に枠状にシール材を塗布し、前記枠内に液晶を滴下し、
    前記第1の基板と、前記第2の基板とを、前記シール材を挟んで対向させて貼り合わせる工程と
    前記シール材を硬化させる工程を有し、
    前記加熱処理から前記シール材の硬化までの工程は、大気開放せずに露点−60℃以下の雰囲気にて連続的に行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
  3. ランジスタと、前記トランジスタ上有機樹脂膜と、発光素子とを有する第1の基板、減圧雰囲気下で加熱処理する工程と
    前記第1の基板、又は第2の基板のいずれか一方にシール材を塗布する工程と
    前記第1の基板と、前記第2の基板とを、前記シール材と挟んで対向させて貼り合わせる工程と
    前記シール材を硬化させる工程を有し
    前記加熱処理から前記シール材の硬化までの工程は、大気開放せずに露点−60℃以下の雰囲気にて連続的に行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一において、
    前記第1の基板と前記第2の基板を貼り合わせる前に、前記第2の基板減圧雰囲気下で加熱処理する工程を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一において、
    前記加熱処理から前記シール材の硬化までの工程は、不活性ガス雰囲気下にて行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一において、
    前記第1の基板と前記第2の基板の貼り合わせは、減圧雰囲気下で行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
  7. 請求項1乃至6のいずれか一において、
    前記トランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
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