JP2014060377A - 電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電力素子50Aは、ダイヤモンド基板1の一面に形成されたC−H結合からなる水素化層7と、前記水素化層7上に形成された保護膜12Aとを備え、前記保護膜12Aは、前記C−H結合と吸熱反応をする反応種を用い、200℃以上において形成したことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
1.本発明の原理
本発明者らは、ダイヤモンド基板の一面に形成されたC−H結合を有する水素化層と、前記水素化層上に形成された保護膜とを備えるダイヤモンド半導体を検討した結果、酸化剤として前記C−H結合と吸熱反応をする反応種を用いて200℃以上において保護膜を形成することにより、550℃で加熱処理を行った後においても前記水素化層直下に誘起される導電層が失われないことを見出した。
(全体構成)
次に、本発明の第1実施形態に係る電力素子の全体構成について図1を参照して説明する。図1Aは素子部の構成を示す縦断面図、図1Bはボンディングパッド部の構成を示す縦断面図である。
次に、本実施形態に係る電力素子50Aの製造方法を説明する。まず、窒素を高濃度に含み半絶縁性のダイヤモンド基板1を、順次アンモニア・過酸化水素混合水溶液及び塩酸・過酸化水素混合水溶液を用いて洗浄する。これらは、半導体装置の製造において通常行われる方法である。さらに、80℃以上に加熱した硝酸・硫酸混合水溶液を用いて洗浄する。これにより、表面に残留している金属不純物、有機物及びグラファイト状の表面層を除去もしくは低減する。
本実施形態に係る電力素子50Aは、酸化剤として前記C−H結合と吸熱反応をする反応種を用いて200℃以上においてゲート絶縁膜12Aを形成することにより、450℃で加熱処理を行った後においても前記導電層が失われない。したがって、電力素子50Aは、高温下において安定して動作することができる。また、ゲート絶縁膜12Aを形成する際にロードロック装置を用い非酸化性雰囲気にて試料を反応室に導入しているので、ゲート絶縁膜12Aの形成に伴い前記導電層の導電性が低下することが無い。
(全体構成)
次に本発明の第2実施形態に係る電力素子の全体構成について上記第1実施形態に係る図1と同様の構成について同様の符号を付した図6を参照して説明する。図6Aは素子部の構成を示す縦断面図、図6Bはボンディングパッド部の構成を示す縦断面図である。
次に本実施形態に係る電力素子50Bの製造方法を説明する。
まず、第1実施形態と同様にして、素子分離領域6の形成(図2)を行った後、ダイヤモンド膜2表面に水素化層7を形成し、これらをロードロック装置の減圧した非酸化性雰囲気(ここでは窒素)中で反応室へ導入した後ALD法によりTMAとH2Oを反応気体として用い450℃にて厚さ30nmのAl2O3から成るゲート絶縁膜12Bを形成する。さらにCVD法により厚さ50nmのTiN膜21を積層する(図7A)。
本実施形態に係る電力素子50Bは、ゲート絶縁膜12Bをロードロック装置により高温で形成することとしたから、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、ゲート絶縁膜12Bは、上記ソース電極10B及びドレイン電極11Bとダイヤモンド膜2とのオーミック接続を行うための加熱処理を受けているので電気的絶縁性が向上している。
(全体構成)
次に本発明の第3実施形態に係る電力素子の全体構成について上記第1実施形態に係る図1と同様の構成について同様の符号を付した図10を参照して説明する。図10Aは素子部の構成を示す縦断面図、図10B、図10Cはボンディングパッド部の構成を示す縦断面図である。
次に本実施形態に係る電力素子50Cの製造方法を説明する。
まず、第2の実施例と同様にして素子分離領域6の形成(図2)を行った後、ダイヤモンド膜2表面に水素化層7を形成し、これらをロードロック装置の減圧した非酸化性雰囲気(ここでは窒素)中で反応室へ導入した後ALD法によりTMAとH2Oを反応気体として用い450℃にて厚さ50nmのAl2O3から成る表面絶縁膜24を形成する(図11A)。
本実施形態に係る電力素子50Cは、表面絶縁膜24およびゲート絶縁膜12Cをロードロック装置により高温で形成することとしたから、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
(全体構成)
次に本発明の第4実施形態に係る電力素子の全体構成について上記第1実施形態に係る図1と同様の構成について同様の符号を付した図14を参照して説明する。図14Aは素子部の構成を示す縦断面図、図14B、図14Cはボンディングパッド部の構成を示す縦断面図である。
次に本実施形態に係る電力素子50Dの製造方法を説明する。
まず、第2の実施例と同様にして素子分離領域6の形成(図2)を行った後、ダイヤモンド膜2表面に水素化層7を形成し、ゲート絶縁膜12Dの形成を行った後、蒸着法によるAl膜15及び、プラズマCVD法により酸化シリコン膜からなるキャップ絶縁膜33を形成する(図15A)。
本実施形態に係る電力素子50Dは、ゲート絶縁膜12Dをロードロック装置により高温で形成することとしたから、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内で適宜変更することが可能である。上記実施形態では、保護膜は、ALD法を用いて形成した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、CVD法により形成することとしてもよい。
(第1実施例)
まず、酸化剤としてC−H結合と吸熱反応をする反応種を用いて保護膜を形成することが、素子の製造・加速試験のための加熱処理もしくはプラズマ・ラジカル処理を行った後、もしくは高温動作時においてC−H結合を有する水素化層直下に誘起される導電層を保持する上で重要であることについて確認した。
その結果、図18に示すように、酸化剤としてO3を用いた場合、成膜温度が100℃を超えるとシート抵抗が増大し、導電層が失われることが確認された。
一方、酸化剤としてH2Oを用いた場合、成膜温度が450℃でもシート抵抗は変化せず、導電層が失われないことが確認された。
CH4 + O3 → CO + 2H2O +718.8kJ/mol
CH4 + H2O → CO + 3H2 -141.9kJ/mol
CH4 + CH4O → CO + CH4 + 2 H2 -25.0 kJ/mol
CH4 + C2H6O → CO + C2H6 + 2 H2 -49.7 kJ/mol
CH4 + C3H8O → CO + C3H8 + 2 H2 -62.2 kJ/mol
CH4 + C4H10O → CO + C4H10 + 2 H2 -69.7 kJ/mol
次いで、保護膜を成膜する際の成膜温度と同保護膜が水素化層直下に誘起される導電層を保護する能力との関係について確認した。
次に、ダイヤモンド基板上に形成されたC−H結合が消失しない熱処理条件を確認した。
次に、電気的絶縁性を向上することができる保護膜について検討した。当該保護膜は、まずC−H結合と吸熱反応をする第1の酸化剤を用いて形成し、次いで、C−H結合と発熱反応をする第2の酸化剤を用いて形成することにより、電気的絶縁性が向上することを確認した。
次に、ダイヤモンド基板上に形成された保護膜の赤外吸収スペクトルを測定した。保護膜は、ALD法を用いてTMAと酸化剤としてH2Oを用い、成膜温度100℃と、450℃とにおいてそれぞれAl2O3を黒色多結晶ダイヤモンド基板上に堆積させて形成した。また酸化剤としてO3を用い、成膜温度100℃において形成した保護膜を比較のため作製した。前記保護膜の厚さは、いずれも約33nmである。測定結果を図25に示す。図25は、縦軸が吸光度、横軸が波数(cm-1)を示している。
次に、C−H結合と吸熱反応をする第1の酸化剤を用いて保護膜を形成し、次いで、上記保護膜をC−H結合と発熱反応をする反応種の雰囲気中において熱処理をすることにより、保護膜の電気的絶縁性が向上することを確認した。
7 :水素化層
12A :ゲート絶縁膜(保護膜)
50A :電力素子
Claims (14)
- ダイヤモンド基板の少なくとも一面に形成されたC−H結合を有する水素化層と、
前記水素化層上に形成された保護膜とを備え、前記保護膜の少なくとも一部は、前記C−H結合と吸熱反応をする反応種を用い、200℃以上において形成したことを特徴とする電力素子。 - 前記保護膜を形成するに際して、大気より酸素分圧の低い状態で反応室内に前記ダイヤモンド基板が導入されることを特徴とする請求項1記載の電力素子。
- 前記保護膜は、前記C−H結合と吸熱反応をする反応種を用い、200℃以上において形成した後、さらに前記C−H結合と発熱反応をする反応種を用いて形成したことを特徴とする請求項1又は2記載の電力素子。
- 前記保護膜は、さらに熱処理をされていることを特徴とする請求項1又は2記載の電力素子。
- 前記熱処理は、前記C−H結合と発熱反応をする反応種の雰囲気中で行われていることを特徴とする請求項4記載の電力素子。
- 前記保護膜は、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムで形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の電力素子。
- ノーマリオフであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の電力素子。
- 350℃、1時間あるいはこれと等価の条件で加熱した後において前記水素化層直下に導電層が存在していることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項記載の電力素子。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の電力素子を備えたことを特徴とする電力制御機器。
- ダイヤモンド基板の少なくとも一面に形成されたC−H結合を有する水素化層を形成する工程と、前記水素化層上に保護膜を形成する工程とを備え、前記保護膜を形成する工程は、前記C−H結合と吸熱反応をする反応種を用い、200℃以上において前記保護膜を形成する工程を少なくともその一部として含むことを特徴とする電力素子の製造方法。
- 前記保護膜を形成する工程は、大気より酸素分圧の低い状態で反応室内に前記ダイヤモンド基板を導入して行うことを特徴とする請求項10記載の電力素子の製造方法。
- 前記保護膜を形成する工程は、前記C−H結合と吸熱反応をする反応種を用い、200℃以上において形成した後、さらに前記C−H結合と発熱反応をする反応種を用いて前記保護膜を形成することを特徴とする請求項10又は11記載の電力素子の製造方法。
- 前記保護膜を形成する工程は、さらに熱処理をすることを特徴とする請求項10又は11記載の電力素子の製造方法。
- 前記熱処理は、前記C−H結合と発熱反応をする反応種の雰囲気中で行うことを特徴とする請求項13記載の電力素子の製造方法。
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