JP2014057041A - Film for electromagnetic wave shield and method for coating electronic component - Google Patents

Film for electromagnetic wave shield and method for coating electronic component Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film for an electromagnetic wave shield which enhances design flexibility of a circuit board, achieves a lightweight and thin board and has good shape followability for an electronic component having a ruggedness of 500 μm or more, and a method for coating an electronic component by using the film for an electromagnetic wave shield.SOLUTION: The film for an electromagnetic wave shield is used to cover ruggedness on a circuit board, and comprises a substrate layer and an insulating layer and an electromagnetic wave shielding layer deposited on one surface of the substrate layer. The substrate layer shows an elastic modulus of 2.0E+05 to 2.0E+08 Pa at 150°C.

Description

本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法に関するものである。   The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film and a method for coating an electronic component.

従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。   Conventionally, electronic components that are easily affected by electromagnetic waves, such as mobile phones and medical devices, exothermic electronic components such as semiconductor elements, various electronic components such as capacitors and coils, or these electronic components are mounted on a circuit board. In order to reduce the influence of noise caused by electromagnetic waves, an electromagnetic shielding film has been attached to the surface of the electronic devices.

このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる基材層と、基材層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが開発されている(例えば、特許文献1参照。)。   As such an electromagnetic wave shielding film, for example, a film having a base material layer made of an insulating material and a metal layer laminated on one or both surfaces of the base material layer has been developed (for example, Patent Documents). 1).

しかしながら、特許文献1に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。   However, as described in Patent Document 1, when the electromagnetic wave shielding film has a configuration having a metal layer, there is a problem that it is not possible to cope with the reduction in weight and thickness that has been increasingly demanded in recent years.

特開2006−156946公報JP 2006-156946 A

さらに、従来技術では上記問題に加え、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、電磁波シールド用フィルムで被覆しようとすると、この電磁波シールド用フィルムの凹凸に対する形状追従性が優れないという問題から、凹凸を備える基板を有する電子部品に対しては、アルミやSUSのような金属カンシールドと呼ばれるシールド方法が取られてきた。しかし、この金属カンシールドは基板上の各部品個別に対しては実施できず、種類別に配置された部品集合体に対して施され、その影響で基板上の各部品の配置には制約があり、基板の設計自由度は、機能面からは必ずしも最良というわけではない。   Furthermore, in addition to the above problems in the prior art, when trying to cover an electronic component having a substrate with unevenness with an electromagnetic shielding film, the shape followability to the unevenness of the electromagnetic shielding film is not excellent, Shielding methods called metal can shields such as aluminum and SUS have been taken for electronic components having a substrate with unevenness. However, this metal can shield cannot be applied to each individual component on the board, and is applied to the assembly of components arranged according to type, and there is a restriction on the arrangement of each component on the substrate due to the influence. The design freedom of the board is not always the best from the functional aspect.

したがって、本発明の目的は、基板の設計自由度を高め、かつ軽量化・薄型化を図るとともに、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、良好な形状追従性を有する電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法を提供することにある。   Therefore, the object of the present invention is to increase the degree of freedom in designing the substrate, reduce the weight and reduce the thickness, and for an electronic component having a substrate with unevenness, an electromagnetic shielding film having good shape followability, Another object of the present invention is to provide a method for coating an electronic component using the electromagnetic wave shielding film.

このような目的は、下記(1)〜(17)に記載の本発明により達成される。
(1) 基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、
基材層と、該基材層の一方の面側に積層された絶縁層および電磁波遮断層とを含んで構成され、
前記基材層は、150℃における貯蔵弾性率が2.0E+05〜2.0E+08Paであることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (17).
(1) An electromagnetic wave shielding film used for coating unevenness on a substrate,
Comprising a base material layer, an insulating layer and an electromagnetic wave shielding layer laminated on one surface side of the base material layer,
The base material layer has a storage elastic modulus at 150 ° C. of 2.0E + 05 to 2.0E + 08 Pa.

(2) 前記基材層の120℃における貯蔵弾性率をA[Pa]とし、前記基材層の150℃における貯蔵弾性率をB[Pa]としたとき、0.02≦A/B≦1.00なる関係を満足する上記(1)に記載の電磁波シールド用フィルム。   (2) When the storage elastic modulus at 120 ° C. of the base material layer is A [Pa] and the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer is B [Pa], 0.02 ≦ A / B ≦ 1 The film for electromagnetic wave shielding as described in (1) above, which satisfies the relationship of .00.

(3) 前記基材層は、第1の層と、第2の層と、第3の層とが他方の面側からこの順で積層された3層構成をなす積層体である上記(1)または(2)に記載の電磁波シールド用フィルム。   (3) The base material layer is a laminated body having a three-layer structure in which the first layer, the second layer, and the third layer are laminated in this order from the other surface side (1 ) Or the electromagnetic wave shielding film according to (2).

(4) 前記第1の層は、25〜150℃における平均線膨張係数が50〜1000[ppm/℃]である上記(3)に記載の電磁波シールド用フィルム。   (4) The film for electromagnetic wave shielding according to (3), wherein the first layer has an average linear expansion coefficient at 25 to 150 ° C. of 50 to 1000 [ppm / ° C.].

(5) 前記第1の層の厚みT(A)は、5μm以上、100μm以下である上記(3)または(4)に記載の電磁波シールド用フィルム。   (5) The film for electromagnetic wave shielding according to (3) or (4), wherein the thickness T (A) of the first layer is 5 μm or more and 100 μm or less.

(6) 前記第3の層は、25〜150℃における平均線膨張係数が50〜1000[ppm/℃]である上記(3)ないし(5)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   (6) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (3) to (5), wherein the third layer has an average linear expansion coefficient at 25 to 150 ° C of 50 to 1000 [ppm / ° C]. .

(7) 前記第3の層の厚みT(B)は、5μm以上、100μm以下である上記(3)ないし(6)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   (7) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (3) to (6), wherein a thickness T (B) of the third layer is 5 μm or more and 100 μm or less.

(8) 前記第2の層は、25〜150℃における平均線膨張係数が500以上[ppm/℃]である上記(3)ないし(7)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   (8) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (3) to (7), wherein the second layer has an average linear expansion coefficient at 25 to 150 ° C. of 500 or more [ppm / ° C.].

(9) 前記第2の層の厚みT(C)は、10μm以上、100μm以下である上記(3)ないし(8)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   (9) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (3) to (8), wherein a thickness T (C) of the second layer is 10 μm or more and 100 μm or less.

(10) 前記第1の層の厚みT(A)と、前記第3の層の厚みT(B)と、前記第2の層の厚みT(C)は、下記関係式(I)を満たす上記(3)ないし(9)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。
0.05<T(C)/(T(A)+T(B))<10 ・・・ (I)
(10) The thickness T (A) of the first layer, the thickness T (B) of the third layer, and the thickness T (C) of the second layer satisfy the following relational expression (I). The electromagnetic wave shielding film according to any one of (3) to (9) above.
0.05 <T (C) / (T (A) + T (B)) <10 (I)

(11) 前記絶縁層と前記電磁波遮断層とは、前記一方の面側からこの順で積層された積層体をなしている上記(1)ないし(10)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   (11) The electromagnetic wave shield according to any one of (1) to (10), wherein the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer form a laminated body laminated in this order from the one surface side. Film.

(12) 前記絶縁層は、熱可塑性を有する絶縁樹脂で構成されている上記(11)に記載の電磁波シールド用フィルム。   (12) The electromagnetic shielding film according to (11), wherein the insulating layer is made of an insulating resin having thermoplasticity.

(13) 前記絶縁層の厚みT(D)は、3μm以上、50μm以下である上記(11)または(12)に記載の電磁波シールド用フィルム。   (13) The electromagnetic shielding film according to (11) or (12), wherein the insulating layer has a thickness T (D) of 3 μm or more and 50 μm or less.

(14) 前記電磁波遮断層は、150℃における貯蔵弾性率が1.0E+05〜1.0E+09Paである上記(1)ないし(13)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   (14) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (13), wherein the electromagnetic wave shielding layer has a storage elastic modulus at 150 ° C. of 1.0E + 05 to 1.0E + 09 Pa.

(15) 前記電磁波遮断層は、反射層と、吸収層とで構成され、これらが前記一方の面側からこの順で積層された積層体である上記(1)ないし(14)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   (15) The electromagnetic wave shielding layer includes a reflective layer and an absorption layer, and any one of the above (1) to (14), which is a laminated body laminated in this order from the one surface side. Item 4. An electromagnetic wave shielding film described in the item.

(16) 当該電磁波シールド用フィルムを前記基板上の凹凸に温度150℃、圧力2MPa、時間5分の条件で熱圧着した際の形状追従性が、500μm以上、3,000μm以下である上記(1)ないし(15)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   (16) The shape following property when the electromagnetic wave shielding film is thermocompression bonded to the unevenness on the substrate under the conditions of a temperature of 150 ° C., a pressure of 2 MPa, and a time of 5 minutes is 500 μm or more and 3,000 μm or less (1 ) To (15) The electromagnetic wave shielding film according to any one of the above.

(17) 前記基板上の凹凸に、上記(1)ないし(16)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程と、
前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする電子部品の被覆方法。
(17) Affixing the electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (16) on the unevenness on the substrate so that the electromagnetic wave shielding layer or the insulating layer and the electronic component are adhered. Process,
An electronic component coating method comprising: a peeling step of peeling the base material layer after the sticking step.

本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが備える基材層の150℃における貯蔵弾性率を、2.0E+05〜2.0E+08Paとすることにより、電磁波シールド用フィルムで覆われる基板の設計自由度を高め、かつ軽量化・薄型化を図ることが可能であるとともに、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、良好な形状追従性を有しているものとすることができる。   According to the present invention, the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer included in the electromagnetic wave shielding film is 2.0E + 05 to 2.0E + 08 Pa, thereby increasing the degree of freedom in designing the substrate covered with the electromagnetic wave shielding film. In addition, it is possible to reduce the weight and thickness, and to have a good shape following property for an electronic component having a substrate with unevenness.

本発明の電磁波シールド用フィルムの第1実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 1st Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 図1に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the coating method of an electronic component using the electromagnetic wave shielding film shown in FIG. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第2実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 2nd Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第3実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 3rd Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第4実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 4th Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第5実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 5th Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第6実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 6th Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第7実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 7th Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention.

以下、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。   Hereinafter, the film for electromagnetic wave shielding of the present invention and the method for coating an electronic component will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

本発明の電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、基材層と、該基材層の一方の面側に積層された絶縁層および電磁波遮断層とを含んで構成され、前記基材層は、150℃における貯蔵弾性率が2.0E+05〜2.0E+08Paであることを特徴とする。   The electromagnetic wave shielding film of the present invention is an electromagnetic wave shielding film used for coating unevenness on a substrate, and includes a base material layer, an insulating layer laminated on one surface side of the base material layer, and an electromagnetic wave. The base material layer has a storage elastic modulus at 150 ° C. of 2.0E + 05 to 2.0E + 08 Pa.

また、本発明の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする。   Also, the method for coating an electronic component of the present invention includes a pasting step of pasting the electromagnetic shielding film on the unevenness on the substrate so that the electromagnetic shielding layer or the insulating layer and the electronic component are bonded, and the pasting step And a peeling step of peeling the base material layer.

このような電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上の凹凸の被覆に適用すると、前記貼付工程において、電磁波シールド用フィルムを加熱しつつ、電磁波シールド用フィルムと基板とが互いに接近するように押圧することで、基材層が、絶縁層および電磁波遮断層が凹凸に対して形状追従性するための基材として機能することから、絶縁層および電磁波遮断層を凹凸の形状に追従した状態で押し込むことができる。その結果、この凹凸が設けられた基板を、電磁波遮断層をもって確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層による凹凸が設けられた基板の電磁波シールド性が向上することとなる。   When such an electromagnetic wave shielding film is applied to the uneven coating on the substrate, in the attaching step, the electromagnetic wave shielding film and the substrate are pressed so as to approach each other while heating the electromagnetic wave shielding film. Therefore, since the base material layer functions as a base material for the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer to follow the shape with respect to the unevenness, the insulating layer and the electromagnetic wave blocking layer are pushed in a state following the shape of the unevenness. Can do. As a result, the substrate provided with the unevenness can be reliably covered with the electromagnetic wave shielding layer, so that the electromagnetic wave shielding property of the substrate provided with the unevenness due to the electromagnetic wave shielding layer is improved.

<電磁波シールド用フィルム>
まずは、本発明の電磁波シールド用フィルムについて説明する。
<Electromagnetic wave shielding film>
First, the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

<第1実施形態>
図1は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第1実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of an electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIG. 1 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

本発明の電磁波シールド用フィルムは、基板5上の凹凸6を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムである。   The electromagnetic wave shielding film of the present invention is an electromagnetic wave shielding film used for covering the unevenness 6 on the substrate 5.

図1に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム100は、基材層1と、絶縁層2と、電磁波遮断層3とを含んで構成され、絶縁層2および電磁波遮断層3は、基材層1の下面(一方の面)側から、絶縁層2が基材層1に接触して、この順で積層されている。   As shown in FIG. 1, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes a base material layer 1, an insulating layer 2, and an electromagnetic wave shielding layer 3, and the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are The insulating layer 2 contacts the base material layer 1 from the lower surface (one surface) side of the base material layer 1 and is laminated in this order.

また、基材層1は、第1の層11と、第2の層13と、第3の層12とで構成され、これらが基材層1の上面(他方の面)側から、この順で積層されている。   The base material layer 1 includes a first layer 11, a second layer 13, and a third layer 12, which are arranged in this order from the upper surface (the other surface) side of the base material layer 1. Are stacked.

なお、以下では、基板5上に電子部品4が搭載(載置)され、この電子部品4の搭載により基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成されており、この凹凸6を電磁波シールド用フィルム100で被覆する場合について説明する。なお、基板5上に搭載する電子部品4としては、例えば、フレキシブル回路基板(FPC)上に搭載されているLCDドライバーIC、タッチパネル周辺のIC+コンデンサーまたは電子回路基板(マザーボード)が挙げられる。   In the following description, the electronic component 4 is mounted (placed) on the substrate 5, and the unevenness 6 including the convex portions 61 and the concave portions 62 is formed on the substrate 5 by mounting the electronic component 4. The case where 6 is covered with the electromagnetic wave shielding film 100 will be described. Examples of the electronic component 4 mounted on the substrate 5 include an LCD driver IC mounted on a flexible circuit board (FPC), an IC + capacitor around the touch panel, or an electronic circuit board (motherboard).

<基材層1>
まず、基材層1について説明する。
<Base material layer 1>
First, the base material layer 1 will be described.

基材層1は、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム100を用いて、基板5上の凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込むことで、この凹凸6を被覆する際に、絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込み(埋め込み)、これら絶縁層2および電磁波遮断層3の凹凸6に対する形状追従性を向上させるための基材として機能するものである。また、剥離工程において、凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込んだ状態で、これらから剥離するものである。   When the base material layer 1 covers the unevenness 6 by pressing the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 into the unevenness 6 on the substrate 5 using the electromagnetic wave shielding film 100 in the attaching step, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pressed (embedded), and the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 function as a base material for improving the shape followability to the unevenness 6. Further, in the peeling step, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pressed into the unevenness 6 and peeled from these.

本発明では、この基材層1の150℃における貯蔵弾性率が2.0E+05〜2.0E+08Paとなっている。   In this invention, the storage elastic modulus in 150 degreeC of this base material layer 1 is 2.0E + 05-2.0E + 08Pa.

このように、絶縁層2および電磁波遮断層3の凹凸6に対する形状追従性を向上させるための基材として機能する基材層1の加熱時における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム100を用いて、基板5上の凹凸6を被覆する際に、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。その結果、この凹凸6が設けられた基板5を、電磁波遮断層3をもって確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層3による凹凸6が設けられた基板5に対する電磁波シールド(遮断)性が向上することとなる。   Thus, by setting the storage elastic modulus at the time of heating of the base material layer 1 functioning as a base material for improving the shape followability to the unevenness 6 of the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 within the above range. When the unevenness 6 on the substrate 5 is covered using the electromagnetic wave shielding film 100, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 can be reliably pushed in a state corresponding to the shape of the unevenness 6. As a result, since the substrate 5 provided with the unevenness 6 can be reliably covered with the electromagnetic wave shielding layer 3, the electromagnetic wave shielding (blocking) property to the substrate 5 provided with the unevenness 6 by the electromagnetic wave shielding layer 3 is provided. Will be improved.

また、基材層1の150℃における貯蔵弾性率を前記範囲内とすることにより、基板5に設けられた凹凸6における段差が500μm以上、好ましくは1.0〜3.0mmのもののように段差が大きいものであったり、前記凹凸6における凸部61同士の離間距離(ピッチ)が200μm以下、好ましくは100μm〜150μmのもののように離間距離が小さいものであったとしても、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。   Further, by setting the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer 1 within the above range, the step in the unevenness 6 provided on the substrate 5 is 500 μm or more, preferably 1.0 to 3.0 mm. Even if the separation distance (pitch) between the protrusions 61 in the unevenness 6 is 200 μm or less, preferably 100 μm to 150 μm, the insulation layer 2 and the electromagnetic wave The blocking layer 3 can be reliably pushed in a state corresponding to the shape of the irregularities 6.

なお、基材層1の150℃における貯蔵弾性率は、2.0E+05〜2.0E+08Paとなっていればよいが、1.0E+06〜1.0E+08Paであるのが好ましく、3.0E+06〜6.0E+07Paであるのがより好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。   In addition, although the storage elastic modulus in 150 degreeC of the base material layer 1 should just be 2.0E + 05-2.0E + 08Pa, it is preferable that it is 1.0E + 06-1.0E + 08Pa, 3.0E + 06-6.0E + 07Pa. It is more preferable that Thereby, the said effect can be exhibited more notably.

また、基材層1は、25℃における貯蔵弾性率が1.0E+07〜1.0E+10Paであるのが好ましく、5.0E+08〜5.0E+09Paであるのがより好ましい。このように、常温(室温)時、すなわち25℃における貯蔵弾性率を前記範囲内に設定することにより、基材層1を、電磁波シールド用フィルム100の加熱前には液状ではなく固形状をなし、電磁波シールド用フィルム100の加熱時には半固形状(ゲル状)をなすものとすることができる。そのため、基材層1(電磁波シールド用フィルム100)の基板5への貼付時には、基材層1を基板5に対してシワ等を生じさせることなく貼付することができ、また規定のサイズにカットする際の作業性も向上するとともに、基板5に設けられた凹凸6への押し込み時には、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6が有する凹部62内に、この基材層1をもって確実に押し込むことができる。なお、かかる貯蔵弾性率の特性を有する基材層1は、少なくとも第1の層11および第3の層12が熱可塑性樹脂で構成され、貼付工程における電磁波シールド用フィルム100の加熱後においても、その25℃における貯蔵弾性率が前記範囲内を維持しているのが好ましい。これにより、剥離工程において、絶縁層2から基材層1を容易に剥離させることができる。   Moreover, it is preferable that the storage elastic modulus in 25 degreeC is 1.0E + 07-1.0E + 10Pa, and, as for the base material layer 1, it is more preferable that it is 5.0E + 08-5.0E + 09Pa. Thus, by setting the storage elastic modulus at room temperature (room temperature), that is, at 25 ° C., within the above range, the base material layer 1 is not liquid but solid before heating the electromagnetic shielding film 100. When the electromagnetic wave shielding film 100 is heated, it may be semi-solid (gel). Therefore, when the base material layer 1 (electromagnetic wave shielding film 100) is attached to the substrate 5, the base material layer 1 can be attached to the substrate 5 without causing wrinkles or the like, and cut to a specified size. In addition to improving the workability, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are surely pushed into the concave portion 62 of the concave and convex portion 6 with the base material layer 1 when pushed into the concave and convex portion 6 provided on the substrate 5. be able to. In addition, the base material layer 1 having such storage elastic modulus characteristics is such that at least the first layer 11 and the third layer 12 are made of a thermoplastic resin, and even after the heating of the electromagnetic wave shielding film 100 in the attaching step, The storage elastic modulus at 25 ° C. is preferably maintained within the above range. Thereby, the base material layer 1 can be easily peeled from the insulating layer 2 in the peeling step.

さらに、基材層1の120℃における貯蔵弾性率をA[Pa]とし、基材層1の150℃における貯蔵弾性率をB[Pa]としたとき、0.02≦A/B≦1.00なる関係を満足するのが好ましく、0.02≦A/B≦0.50なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足する基材層1は、その加熱時において、加熱時の温度変化に起因する基材層1の貯蔵弾性率の変化の幅が小さいものと言うことができる。したがって、加熱時の温度条件をたとえ変化させたとしても、この温度変化に起因する基材層1の貯蔵弾性率の変化の幅を必要最小限にとどめることができるため、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6が有する凹部62内に、この基材層1をもってより確実に押し込むことができる。
なお、各層の25℃、120℃および150℃における貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置(セイコーインスツルメント社製、「DMS6100」)を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、25〜200℃まで、49mNの一定荷重の引張モードで昇温速度5℃/分、周波数1Hzで測定し、25℃、120℃および150℃での貯蔵弾性率を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。
Furthermore, when the storage elastic modulus at 120 ° C. of the base material layer 1 is A [Pa] and the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer 1 is B [Pa], 0.02 ≦ A / B ≦ 1. It is preferable to satisfy the relationship of 00, and it is more preferable to satisfy the relationship of 0.02 ≦ A / B ≦ 0.50. It can be said that the base material layer 1 satisfying such a relationship has a small range of change in the storage elastic modulus of the base material layer 1 due to the temperature change during the heating. Therefore, even if the temperature condition at the time of heating is changed, the range of change in the storage elastic modulus of the base material layer 1 due to this temperature change can be kept to the minimum necessary. The base layer 1 can be pushed more reliably into the concave portion 62 of the concave and convex portion 6 of the layer 3.
In addition, the storage elastic modulus in 25 degreeC, 120 degreeC, and 150 degreeC of each layer is the storage elastic modulus of each layer which should be measured, for example using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (the Seiko Instruments company make, "DMS6100"). Is measured from 25 to 200 ° C. in a tensile mode with a constant load of 49 mN at a heating rate of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz, and the storage elastic moduli at 25 ° C., 120 ° C. and 150 ° C. are respectively read. be able to.

本実施形態では、基材層1は、第1の層11と、第2の層13と、第3の層12とで構成され、これらが基材層1の上面(他方の面)側から、この順で積層されたものであり、上述した基材層1の特性が発揮されるように、これら各層11〜13の種類、および厚さ等が適宜組み合わされる。   In the present embodiment, the base material layer 1 includes a first layer 11, a second layer 13, and a third layer 12, which are from the upper surface (the other surface) side of the base material layer 1. These layers are laminated in this order, and the types, thicknesses, and the like of these layers 11 to 13 are appropriately combined so that the characteristics of the base material layer 1 described above are exhibited.

以下、これら各層11〜13について、それぞれ、説明する。
第1の層11は、貼付工程において、基板5上の凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を、例えば、真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込む際に、真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部との離型性の機能を付与するためのものである。また、第2の層13側に押圧部からの押圧力を伝播するためのものである。
Hereinafter, each of these layers 11 to 13 will be described.
The first layer 11 is a pressing force possessed by a vacuum pressure laminator or the like when the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed into the unevenness 6 on the substrate 5 using, for example, a vacuum pressure laminator or the like in the pasting step. This is to provide a function of releasability with the part. Moreover, it is for propagating the pressing force from a pressing part to the 2nd layer 13 side.

この第1の層(第1離型層)11の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するものを用いることにより、ポリスチレンを、結晶性を備えるものとすることができるため、これに起因して、第1の層11の装置との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。   The constituent material of the first layer (first release layer) 11 is not particularly limited. For example, a resin such as syndiotactic polystyrene, polymethylpentene, polybutylene terephthalate, polypropylene, cyclic olefin polymer, and silicone. Materials. Among these, it is preferable to use syndiotactic polystyrene. Thus, since polystyrene can be provided with crystallinity by using what has a syndiotactic structure as polystyrene, the mold release from the apparatus of the 1st layer 11 originates in this. Properties, heat resistance and shape followability can be improved.

第1の層11に前記シンジオタクチックポリスチレンを用いる場合、その含有量は、特に制限されないが、60重量%以上であることが好ましく、70重量%以上、95重量%以下であることがより好ましく、さらには80重量%以上、90重量%以下であることが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第1の層11の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第1の層11の形状追従性が不足するおそれがある。   When the syndiotactic polystyrene is used for the first layer 11, the content thereof is not particularly limited, but is preferably 60% by weight or more, more preferably 70% by weight or more and 95% by weight or less. Further, it is preferably 80% by weight or more and 90% by weight or less. When content of syndiotactic polystyrene is less than the said lower limit, there exists a possibility that the releasability of the 1st layer 11 may fall. Moreover, when content of syndiotactic polystyrene exceeds the said upper limit, there exists a possibility that the shape followability of the 1st layer 11 may become insufficient.

なお、第1の層11は、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わない。また、第1の層11は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。   The first layer 11 may be composed of only syndiotactic polystyrene. The first layer 11 may further contain a styrene elastomer, polyethylene, polypropylene, or the like in addition to the syndiotactic polystyrene.

第1の層11の厚みT(A)は、特に限定されないが、5μm以上、100μm以下であることが好ましく、10μm以上、70μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは20μm以上、50μm以下である。第1の層11の厚みが前記下限値未満である場合、第1の層11が破断し、その離型性が低下するおそれがある。また、第1の層11の厚みが前記上限値を超える場合、基材層1の形状追従性が低下し、電磁波遮断層3および絶縁層2の形状追従性が低下するおそれがある。   The thickness T (A) of the first layer 11 is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably 10 μm or more and 70 μm or less, and further preferably 20 μm or more and 50 μm or less. is there. When the thickness of the 1st layer 11 is less than the said lower limit, the 1st layer 11 may fracture | rupture and there exists a possibility that the release property may fall. Moreover, when the thickness of the 1st layer 11 exceeds the said upper limit, the shape followability of the base material layer 1 may fall, and there exists a possibility that the shape followability of the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 may fall.

また、第1の層11の25〜150℃における平均線膨張係数は、50〜1000[ppm/℃]であるのが好ましく、100〜700[ppm/℃]であるのがより好ましい。第1の層11の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム100の加熱時において、第1の層11は、優れた伸縮性を有するものとなるため、電磁波遮断層3および絶縁層2の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   Moreover, it is preferable that the average linear expansion coefficient in 25-150 degreeC of the 1st layer 11 is 50-1000 [ppm / degrees C], and it is more preferable that it is 100-700 [ppm / degrees C]. By setting the average linear expansion coefficient of the first layer 11 within such a range, the first layer 11 has excellent stretchability when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. The shape followability with respect to the unevenness 6 of the layer 3 and the insulating layer 2 can be improved more reliably.

なお、各層の平均線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置(セイコーインスツルメント社製、「TMASS6100」)を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、25〜200℃まで、49mNの一定荷重の引張モードで昇温速度5℃/分で測定し、25℃〜150℃での平均線膨張係数を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。   In addition, the average linear expansion coefficient of each layer is, for example, a storage elastic modulus of each layer to be measured from 25 to 200 ° C., 49 mN using a thermomechanical analyzer (“TMASS6100” manufactured by Seiko Instruments Inc.). The average linear expansion coefficient at 25 ° C. to 150 ° C. can be obtained by measuring at a temperature rising rate of 5 ° C./min in a constant load tension mode.

さらに、第1の層11の表面張力は、20〜40[mN/m]であるのが好ましく、25〜35[mN/m]であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第1の層11を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第1の層11を剥離させることができる。   Furthermore, the surface tension of the first layer 11 is preferably 20 to 40 [mN / m], and more preferably 25 to 35 [mN / m]. The first layer 11 having a surface tension within such a range can be said to have excellent releasability, and the first layer 11 is peeled from the pressing portion after being pressed using a vacuum pressure laminator or the like. Can be made.

第3の層12は、貼付工程において、基板5上の凹凸6に対する絶縁層2および電磁波遮断層3の押し込みを、真空加圧式ラミネーター等を用いて実施した後に、剥離工程において、基材層1を絶縁層2から剥離する際に、基材層1に剥離性の機能を付与するためのものである。また、基板5上の凹凸形状に応じて、第3の層12が追従する追従性の機能を有し、かつ、絶縁層2側に、押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つものである。   The third layer 12 is formed by pressing the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 against the unevenness 6 on the substrate 5 using a vacuum pressure laminator or the like in the attaching step, and then in the peeling step. When the layer is peeled from the insulating layer 2, the base layer 1 is provided with a peelable function. Moreover, according to the uneven | corrugated shape on the board | substrate 5, it has the function of the tracking property which the 3rd layer 12 follows, and also has the function to propagate the pressing force from a press part on the insulating layer 2 side. is there.

この第3の層(第2離型層)12の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するものを用いることにより、ポリスチレンを、結晶性を備えるものとすることができるため、これに起因して、第3の層12の絶縁層2との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。   The constituent material of the third layer (second release layer) 12 is not particularly limited. For example, syndiotactic polystyrene, polymethylpentene, polybutylene terephthalate, polypropylene, cyclic olefin polymer, resin such as silicone Materials. Among these, it is preferable to use syndiotactic polystyrene. Thus, since polystyrene can be provided with crystallinity by using what has a syndiotactic structure as polystyrene, it originates in this, and with the insulating layer 2 of the 3rd layer 12 The mold releasability, as well as the heat resistance and shape followability can be improved.

第3の層12における前記シンジオタクチックポリスチレンの含有量は、特に制限されず、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わないが、60重量%以上であることが好ましく、70重量%以上、95重量%以下であることがより好ましく、さらには80重量%以上、90重量%以下であることが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第3の層12の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第3の層12の形状追従性が不足するおそれがある。   The content of the syndiotactic polystyrene in the third layer 12 is not particularly limited and may be composed only of syndiotactic polystyrene, but is preferably 60% by weight or more, and 70% by weight or more. 95% by weight or less, more preferably 80% by weight or more and 90% by weight or less. When content of syndiotactic polystyrene is less than the said lower limit, there exists a possibility that the mold release property of the 3rd layer 12 may fall. Moreover, when content of a syndiotactic polystyrene exceeds the said upper limit, there exists a possibility that the shape followability of the 3rd layer 12 may become insufficient.

なお、第3の層12は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。また、第3の層12と、前記第1の層11とを構成する樹脂は、同じであっても異なっていても構わない。   The third layer 12 may further contain a styrene elastomer, polyethylene, polypropylene, or the like in addition to the syndiotactic polystyrene. Further, the resin constituting the third layer 12 and the first layer 11 may be the same or different.

第3の層12の厚みT(B)は、特に限定されないが、5μm以上、100μm以下であることが好ましく、10μm以上、70μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは20μm以上、50μm以下である。第3の層12の厚みが前記下限値未満である場合、耐熱性が不足し、熱圧着工程で基材層の耐熱性が不足し、変形が発生し、電磁波遮断層および絶縁層が変形するおそれがある。また、第3の層12の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム全体の総厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下するおそれがあり、また、コスト面でも経済的ではない。   The thickness T (B) of the third layer 12 is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably 10 μm or more and 70 μm or less, and further preferably 20 μm or more and 50 μm or less. is there. When the thickness of the third layer 12 is less than the lower limit, the heat resistance is insufficient, the heat resistance of the base material layer is insufficient in the thermocompression bonding process, deformation occurs, and the electromagnetic wave shielding layer and the insulating layer are deformed. There is a fear. Moreover, when the thickness of the 3rd layer 12 exceeds the said upper limit, the total thickness of the whole film for electromagnetic wave shielding becomes thick, there exists a possibility that workability | operativity, such as a cut, may fall, and it is not economical also in terms of cost. .

なお、第3の層12と、第1の層11の厚みは、同じであっても異なっていても構わない。   The thicknesses of the third layer 12 and the first layer 11 may be the same or different.

また、第3の層12の25〜150℃における平均線膨張係数は、50〜1000[ppm/℃]であるのが好ましく、100〜700[ppm/℃]であるのがより好ましい。第3の層12の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム100の加熱時において、第3の層12は、優れた伸縮性を有するものとなるため、第3の層12、さらには電磁波遮断層3および絶縁層2の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   Moreover, it is preferable that the average linear expansion coefficient in 25-150 degreeC of the 3rd layer 12 is 50-1000 [ppm / degreeC], and it is more preferable that it is 100-700 [ppm / degreeC]. By setting the average linear expansion coefficient of the third layer 12 within this range, the third layer 12 has excellent stretchability when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. The shape followability of the layer 12 and the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 with respect to the irregularities 6 can be improved more reliably.

さらに、第3の層12の表面張力は、20〜40[mN/m]であるのが好ましく、25〜35[mN/m]であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第3の層12を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、基材層1を絶縁層2から剥離する際に、第3の層12と絶縁層2との界面において、基材層1を確実に剥離させることができる。   Furthermore, the surface tension of the third layer 12 is preferably 20 to 40 [mN / m], and more preferably 25 to 35 [mN / m]. The third layer 12 having a surface tension within such a range can be said to have excellent releasability, and the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2 after being pushed in using a vacuum pressure laminator or the like. In doing so, the base material layer 1 can be reliably peeled off at the interface between the third layer 12 and the insulating layer 2.

第2の層13は、貼付工程において、基材層1を押し込み用の基材として用いて基板5上の凹凸6に対して絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込む際に、第3の層12を、凹凸6に対して押し込む(埋め込む)ためのクッション機能を有するものである。また、第2の層13は、この押し込む力を、第3の層12、さらには、この第3の層12を介して絶縁層2および電磁波遮断層3に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、電磁波遮断層3と凹凸6との間にボイドを発生させることなく、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。   The second layer 13 is a third layer when the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pressed into the unevenness 6 on the substrate 5 using the base material layer 1 as a pressing base material in the attaching step. 12 has a cushioning function for pushing (embedding) 12 into the irregularities 6. Further, the second layer 13 has a function of causing the pushing force to uniformly act on the third layer 12 and further on the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 via the third layer 12. Thus, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 can be pushed into the irregularities 6 with excellent sealing properties without generating voids between the electromagnetic wave shielding layer 3 and the irregularities 6.

この第2の層(クッション層)13の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、(メタ)アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと(メタ)アクリル酸との共重合体(EMMA)、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第3の層12の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第2の層13に、第3の層12を凹凸6に対して押し込む(埋め込む)ためのクッション機能を確実に付与することができる。   As a constituent material of the second layer (cushion layer) 13, for example, an α-olefin polymer such as polyethylene or polypropylene, ethylene, propylene, butene, pentene, hexene, methylpentene, or the like is included as a copolymer component. Engineering plastics resins such as α-olefin copolymer, polyethersulfone, polyphenylene sulfide and the like may be used, and these may be used alone or in combination. Among these, it is preferable to use an α-olefin copolymer. Specifically, a copolymer of α-olefin such as ethylene and (meth) acrylic acid ester, a copolymer of ethylene and vinyl acetate, a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid (EMMA), And a partial ion cross-linked product thereof. Since the α-olefin copolymer is excellent in shape followability and further excellent in flexibility as compared with the constituent material of the third layer 12, the second layer 13 made of the constituent material has the The cushion function for pushing (embedding) the third layer 12 into the unevenness 6 can be surely provided.

第2の層13の厚みT(C)は、特に限定されないが、10μm以上、100μm以下であることが好ましく、20μm以上、80μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは30μm以上、60μm以下である。第2の層13の厚みが前記下限値未満である場合、第2の層13の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸6への追従性が不足するというおそれがある。また、第2の層13の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第2の層13からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。   The thickness T (C) of the second layer 13 is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 100 μm or less, more preferably 20 μm or more and 80 μm or less, and further preferably 30 μm or more and 60 μm or less. is there. When the thickness of the second layer 13 is less than the lower limit value, the shape followability of the second layer 13 is insufficient, and the followability to the unevenness 6 may be insufficient in the thermocompression bonding step. Further, when the thickness of the second layer 13 exceeds the upper limit value, the resin from the second layer 13 is increased in the thermocompression bonding process, and adheres to the hot platen of the crimping apparatus, thereby reducing workability. There is a risk of doing.

また、第2の層13の25〜150℃における平均線膨張係数は、500以上[ppm/℃]であるのが好ましく、1000以上[ppm/℃]であるのがより好ましい。第2の層13の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム100の加熱時において、第2の層13を、第3の層12と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第2の層13、さらには電磁波遮断層3および絶縁層2の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   The average linear expansion coefficient of the second layer 13 at 25 to 150 ° C. is preferably 500 or more [ppm / ° C.], more preferably 1000 or more [ppm / ° C.]. By setting the average linear expansion coefficient of the second layer 13 within such a range, the second layer 13 can be expanded and contracted more excellently than the third layer 12 when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. It can be made easy to have a property. Therefore, the shape followability of the second layer 13 and the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 with respect to the irregularities 6 can be improved more reliably.

なお、各層11〜13の平均線膨張係数を、それぞれ、前述した範囲内において適宜設定することで、基材層1の150℃における貯蔵弾性率を2.0E+05〜2.0E+08Paの範囲内に容易に設定することができる。   In addition, it is easy to set the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer 1 within the range of 2.0E + 05 to 2.0E + 08 Pa by appropriately setting the average linear expansion coefficient of each layer 11 to 13 within the above-described range. Can be set to

また、第1の層11の厚みT(A)と、第3の層12の厚みT(B)と、第2の層13の厚みT(C)とは、例えば、次の関係式を満たすことが好ましく、
0.05<T(C)/(T(A)+T(B))<10、
次の関係式を満たすことがより好ましく、
0.14<T(C)/(T(A)+T(B))<4、
さらに好ましくは次の関係式を満たすことである、
0.3<T(C)/(T(A)+T(B))<1.5。
The thickness T (A) of the first layer 11, the thickness T (B) of the third layer 12, and the thickness T (C) of the second layer 13 satisfy the following relational expression, for example. Preferably,
0.05 <T (C) / (T (A) + T (B)) <10,
More preferably, the following relational expression is satisfied:
0.14 <T (C) / (T (A) + T (B)) <4,
More preferably, the following relational expression is satisfied:
0.3 <T (C) / (T (A) + T (B)) <1.5.

第1の層11の厚みT(A)と、第3の層12の厚みT(B)と、第2の層13の厚みT(C)とが、前記関係式を満たすことにより、形状追従性がより向上する。   When the thickness T (A) of the first layer 11, the thickness T (B) of the third layer 12, and the thickness T (C) of the second layer 13 satisfy the relational expression, the shape follows. More improved.

基材層1の全体の厚みT(F)は、特に限定されないが、20μm以上、300μm以下であることが好ましく、40μm以上、220μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは70μm以上、160μm以下である。基材層1の全体の厚みが前記下限値未満である場合、第1の層11が破断し、基材層1の離型性が低下するというおそれがある。また、基材層1の全体の厚みが前記上限値を超える場合、基材層1の形状追従性が低下し、電磁波遮断層3および絶縁層2の形状追従性が低下するというおそれがある。   The total thickness T (F) of the base material layer 1 is not particularly limited, but is preferably 20 μm or more and 300 μm or less, more preferably 40 μm or more and 220 μm or less, and further preferably 70 μm or more and 160 μm or less. It is. When the whole thickness of the base material layer 1 is less than the said lower limit, the 1st layer 11 may fracture | rupture and there exists a possibility that the release property of the base material layer 1 may fall. Moreover, when the whole thickness of the base material layer 1 exceeds the said upper limit, there exists a possibility that the shape followability of the base material layer 1 may fall and the shape followability of the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 may fall.

<絶縁層2>
次に、絶縁層2について説明する。
<Insulating layer 2>
Next, the insulating layer 2 will be described.

絶縁層2は、本実施形態では、基材層1(第3の層12)に接触して設けられ、基材層1側から絶縁層2、電磁波遮断層3の順で積層されている。このように積層された絶縁層2および電磁波遮断層3を備える電磁波シールド用フィルム100を用いて基板5上の凹凸6を被覆することで、基板5および電子部品4に電磁波遮断層3が接触し、基板5側から電磁波遮断層3、絶縁層2の順で被覆することとなる。   In this embodiment, the insulating layer 2 is provided in contact with the base material layer 1 (third layer 12), and is laminated in the order of the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 from the base material layer 1 side. The electromagnetic wave shielding layer 3 comes into contact with the substrate 5 and the electronic component 4 by covering the unevenness 6 on the substrate 5 with the electromagnetic wave shielding film 100 including the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 laminated in this manner. The electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 are coated in this order from the substrate 5 side.

このように、本実施形態では、絶縁層2は、基板5および電子部品4を、電磁波遮断層3を介して被覆し、これにより、基板5、電子部品4および電磁波遮断層3を、絶縁層2を介して基板5と反対側に位置する他の部材(電子部品等)から絶縁する。   Thus, in the present embodiment, the insulating layer 2 covers the substrate 5 and the electronic component 4 via the electromagnetic wave shielding layer 3, whereby the substrate 5, the electronic component 4 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are covered with the insulating layer. 2 to insulate from other members (such as electronic components) located on the opposite side of the substrate 5.

この絶縁層2としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂(絶縁フィルム)が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、貼付工程において、基材層1を押し込み用の基材として用いて基板5上の凹凸6に対して絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込む際に、絶縁層2を、凹凸6の形状に対応して確実に追従させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。   Examples of the insulating layer 2 include a thermosetting insulating resin or a thermoplastic insulating resin (insulating film). Among these, it is preferable to use an insulating resin having thermoplasticity. Since the insulating resin having thermoplasticity is a film having excellent flexibility, the insulating layer 2 and the electromagnetic waves are formed on the unevenness 6 on the substrate 5 by using the base material layer 1 as a pressing base material in the attaching step. When the blocking layer 3 is pushed in, the insulating layer 2 can be made to reliably follow the shape of the irregularities 6. In addition, an insulating resin having thermoplasticity is particularly useful when repairing a substrate because it can be re-peeled from the substrate to be bonded when heated to its softening point temperature.

熱可塑性を有する絶縁樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリエステル、α−オレフィン、酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、エチレン酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル、ポリアミド、セルロースが挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル、α−オレフィンを用いることが好ましい。   Examples of the thermoplastic insulating resin include thermoplastic polyester, α-olefin, vinyl acetate, polyvinyl acetal, ethylene vinyl acetate, vinyl chloride, acrylic, polyamide, and cellulose. Among these, it is preferable to use thermoplastic polyesters and α-olefins because they are excellent in adhesion to the substrate, flexibility and chemical resistance.

さらに、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、後述する導電性接着剤層の場合と同様に、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加してもよい。   Furthermore, the insulating resin having thermoplasticity is a phenolic resin, a silicone resin, a urea resin, an acrylic resin, a polyester resin, a polyamide resin, as long as the performance such as heat resistance and flex resistance is not impaired. A polyimide resin or the like can be contained. In addition, in the insulating resin having thermoplasticity, as in the case of the conductive adhesive layer described later, a silane coupling agent, an antioxidant, a pigment, a dye, as long as the adhesiveness and solder reflow resistance are not deteriorated. You may add tackifying resin, a plasticizer, a ultraviolet absorber, an antifoamer, a leveling regulator, a filler, a flame retardant, etc.

絶縁層2の厚みT(D)は、特に限定されないが、3μm以上、50μm以下であることが好ましく、4μm以上、30μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは5μm以上、20μm以下である。絶縁層2の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸6への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、導電性接着剤層の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層2の厚みT(D)を前記範囲内に設定することにより、絶縁層2を屈曲性により優れたものとすることができ、貼付工程において、基材層1を押し込み用の基材として用いて基板5上の凹凸6に対して絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込む際に、絶縁層2を、凹凸6の形状に対応してより確実に追従させることができる。   The thickness T (D) of the insulating layer 2 is not particularly limited, but is preferably 3 μm or more and 50 μm or less, more preferably 4 μm or more and 30 μm or less, and further preferably 5 μm or more and 20 μm or less. When the thickness of the insulating layer 2 is less than the lower limit value, the resistance to goby folds is insufficient, cracks are generated at the bent portions after thermocompression bonding to the projections and depressions 6, the film strength decreases, and the conductive adhesive layer It is difficult to play a role as an insulating support. If the upper limit is exceeded, shape followability may be insufficient. That is, by setting the thickness T (D) of the insulating layer 2 within the above range, the insulating layer 2 can be made more flexible, and the base material layer 1 can be used as a base for pushing in the attaching step. When the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed into the unevenness 6 on the substrate 5 by using as a material, the insulating layer 2 can be made to follow more reliably corresponding to the shape of the unevenness 6.

また、絶縁層2の25〜150℃における平均線膨張係数は、50〜1000[ppm/℃]であるのが好ましく、100〜700[ppm/℃]であるのがより好ましい。絶縁層2の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム100の加熱時において、絶縁層2は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層2、さらには電磁波遮断層3の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   Moreover, it is preferable that the average linear expansion coefficient in 25-150 degreeC of the insulating layer 2 is 50-1000 [ppm / degrees C], and it is more preferable that it is 100-700 [ppm / degrees C]. By setting the average linear expansion coefficient of the insulating layer 2 within this range, the insulating layer 2 has excellent stretchability when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. The shape following property with respect to the unevenness 6 of the electromagnetic wave shielding layer 3 can be improved more reliably.

なお、この絶縁層2は、図1、2で示したように、1層で構成されるものの他、上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた2層以上の積層体であってもよい。   In addition, as shown in FIGS. 1 and 2, the insulating layer 2 may be a laminated body of two or more layers obtained by laminating different ones of the above-described insulating films in addition to the one constituted by one layer. .

<電磁波遮断層3>
次に、電磁波遮断層(遮断層)3について説明する。
<Electromagnetic wave blocking layer 3>
Next, the electromagnetic wave blocking layer (blocking layer) 3 will be described.

電磁波遮断層3は、基板5上に設けられた電子部品4と、この電磁波遮断層3を介して、基板5(電子部品4)と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断(シールド)する機能を有する。   The electromagnetic wave shielding layer 3 includes an electronic component 4 provided on the substrate 5, and other electronic components located on the opposite side of the substrate 5 (electronic component 4) via the electromagnetic wave shielding layer 3. It has a function of shielding (shielding) electromagnetic waves generated from one side.

この電磁波遮断層3は、特に限定されず、如何なる形態で電磁波を遮断するものであってもよく、例えば、電磁波遮断層3に入射した電磁波を反射させることにより遮断(遮蔽)する反射層と、電磁波遮断層3に入射した電磁波を吸収することにより遮断(遮蔽)する吸収層とが挙げられる。   The electromagnetic wave shielding layer 3 is not particularly limited, and may be any type of electromagnetic wave shielding material. For example, a reflection layer that shields (shields) an electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave shielding layer 3; And an absorption layer that blocks (shields) the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer 3 by absorbing the electromagnetic wave.

以下、反射層および吸収層について、それぞれ、説明する。
反射層は、上述のとおり、反射層に入射した電磁波を反射させることにより遮断するものである。
Hereinafter, each of the reflective layer and the absorbing layer will be described.
As described above, the reflective layer blocks the electromagnetic wave incident on the reflective layer by reflecting it.

この反射層としては、例えば、導電性接着剤層、金属薄膜層、金属メッシュ、ITOなどの導電性材料の表面処理等が挙げられる。これらを単独あるいは併用してもよい。これらの中でも、導電性接着剤層を用いることが好ましい。導電性接着剤層は、その膜厚(厚み)を比較的薄く設定したとしても、優れた電磁波シールド性を発揮するため、反射層として好ましく用いられる。   Examples of the reflective layer include a surface treatment of a conductive material such as a conductive adhesive layer, a metal thin film layer, a metal mesh, and ITO. These may be used alone or in combination. Among these, it is preferable to use a conductive adhesive layer. The conductive adhesive layer is preferably used as a reflective layer because it exhibits excellent electromagnetic shielding properties even when its film thickness (thickness) is set to be relatively thin.

前記導電性接着剤層としては、金属粉とバインダー樹脂とを含んで構成され、金属粉は例えば、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられる。これらの中でも、電磁波シールド性に優れているという理由から、銀を用いることが好ましい。   The conductive adhesive layer includes a metal powder and a binder resin, and examples of the metal powder include gold, silver, copper, silver-coated copper, and nickel. Among these, it is preferable to use silver because it has excellent electromagnetic shielding properties.

前記導電性接着剤層における金属粉とバインダー樹脂との含有比率は、特に制限されないが、重量比で40:60〜90:10であることが好ましく、50:50〜80:20であることがより好ましく、さらには55:45〜70:30であることが好ましい。金属粉とバインダー樹脂との含有比率が前記下限値未満である場合、導電性の発現が困難になるおそれがある。また、金属粉とバインダー樹脂との含有比率が前記上限値を超える場合、可撓性や電子機器部品との密着性が低下するおそれがある。   The content ratio of the metal powder and the binder resin in the conductive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 40:60 to 90:10 by weight, and preferably 50:50 to 80:20. More preferably, it is more preferably 55:45 to 70:30. When the content ratio of the metal powder and the binder resin is less than the lower limit, it may be difficult to develop conductivity. Moreover, when the content ratio of metal powder and binder resin exceeds the said upper limit, there exists a possibility that flexibility and adhesiveness with an electronic device component may fall.

前記導電性接着剤層は、前記金属粉とバインダー樹脂との他に、さらに難燃剤、レベリング剤、粘度調整剤等を含有しても良い。   In addition to the metal powder and the binder resin, the conductive adhesive layer may further contain a flame retardant, a leveling agent, a viscosity modifier, and the like.

反射層の厚みT(E1)は、特に限定されないが、5μm以上、100μm以下であることが好ましく、8μm以上、50μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは10μm以上、30μm以下である。反射層の厚みが前記下限値未満である場合、反射層の構成材料等によっては耐ハゼ折り性が不足し、搭載部品端部で破断するおそれがある。反射層の厚みが前記上限値を超える場合、反射層の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みT(E1)としても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、反射層の厚みT(E1)の薄膜化を実現すること、ひいては、絶縁層2および遮断層(反射層)3で被覆された電子部品4が搭載された基板5の軽量化を実現することができる。   The thickness T (E1) of the reflective layer is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably 8 μm or more and 50 μm or less, and further preferably 10 μm or more and 30 μm or less. When the thickness of the reflective layer is less than the lower limit, depending on the constituent material of the reflective layer and the like, there is a risk that the folding resistance will be insufficient, and there is a possibility of breaking at the end of the mounted component. When the thickness of the reflective layer exceeds the upper limit, the shape following property may be insufficient depending on the constituent material of the reflective layer. Further, even when the thickness T (E1) within such a range can be exhibited excellent electromagnetic wave shielding properties, it is possible to reduce the thickness of the reflective layer T (E1), and thus the insulating layer 2 and the shielding layer. It is possible to reduce the weight of the substrate 5 on which the electronic component 4 covered with the layer (reflective layer) 3 is mounted.

吸収層は、上述のとおり、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することにより遮断するものである。   As described above, the absorption layer absorbs the electromagnetic wave incident on the absorption layer and converts it into heat energy to block it.

この吸収層としては、例えば、金属粉および導電性高分子材料等の導電吸収材料を主材料として構成される導電吸収層、炭素系材料および導電性高分子材料等の誘電吸収材料を主材料として構成される誘電吸収層、軟磁性金属等の磁性吸収材料を主材料として構成される磁性吸収層等が挙げられ、これらを単独あるいは併用してもよい。   As this absorption layer, for example, a conductive absorption layer composed mainly of a conductive absorption material such as metal powder and a conductive polymer material, and a dielectric absorption material such as a carbon-based material and a conductive polymer material as a main material. Examples thereof include a dielectric absorption layer, a magnetic absorption layer composed mainly of a magnetic absorption material such as a soft magnetic metal, and these may be used alone or in combination.

なお、導電吸収層は、電界を印加した際に材料内部に流れる電流により、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、誘電吸収層は、電磁波を誘電損失により熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、磁性吸収層は、過電流損、ヒステレス損、磁気共鳴等の磁性損失により、電波のエネルギーを熱に変換して消費することで、電磁波を吸収する。   The conductive absorption layer absorbs electromagnetic waves by converting electromagnetic energy into thermal energy by the current flowing inside the material when an electric field is applied, and the dielectric absorption layer converts electromagnetic waves into thermal energy by dielectric loss. Thus, the electromagnetic wave is absorbed, and the magnetic absorption layer absorbs the electromagnetic wave by converting the energy of the radio wave to heat due to magnetic loss such as overcurrent loss, hysteresis loss, and magnetic resonance.

これらの中でも、誘電吸収層、導電吸収層を用いることが好ましい。
誘電吸収層および導電吸収層は、その膜厚(厚み)を比較的薄く設定したとしても、特に優れた電磁波シールド性を発揮するため、吸収層として好ましく用いられる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。
Among these, it is preferable to use a dielectric absorption layer and a conductive absorption layer.
Even if the film thickness (thickness) is set to be relatively thin, the dielectric absorption layer and the conductive absorption layer are preferably used as the absorption layer because they exhibit particularly excellent electromagnetic shielding properties. In addition, since the particle size of the material contained in the layer is small and the amount of addition can be reduced, the film thickness can be set relatively easily and the weight can be reduced.

なお、導電吸収材料としては、例えば、導電性高分子、ATO等の金属酸化物、導電性セラミックスが挙げられる。   Examples of the conductive absorption material include conductive polymers, metal oxides such as ATO, and conductive ceramics.

また、導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、PEDOT(poly−ethylenedioxythiophene)、PEDOT/PSS、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ(p−フェニレン)、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the conductive polymer include polyacetylene, polypyrrole, PEDOT (poly-ethylene dioxythiophene), PEDOT / PSS, polythiophene, polyaniline, poly (p-phenylene), polyfluorene, polycarbazole, polysilane, and derivatives thereof. 1 type or 2 types or more of these can be used in combination.

誘電吸収材料としては、炭素系材料、導電性高分子等が挙げられる。
また、炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、CNナノチューブ、CNナノファイバー、BCNナノチューブ、BCNナノファイバー、グラフェンや、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノウォールのような炭素等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
Examples of the dielectric absorbing material include carbon-based materials and conductive polymers.
Examples of carbon-based materials include carbon nanotubes such as single-walled carbon nanotubes and multi-walled carbon nanotubes, carbon nanofibers, CN nanotubes, CN nanofibers, BCN nanotubes, BCN nanofibers, graphene, carbon microcoils, carbon Examples thereof include carbon such as nanocoil, carbon nanohorn, and carbon nanowall, and one or more of these can be used in combination.

さらに、磁性吸収材料としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス(Fe−Cr−Al−Si合金)、センダスト(Fe−Si−Al合金)、パーマロイ(Fe−Ni合金)、ケイ素銅(Fe−Cu−Si合金)、Fe−Si合金、Fe−Si−B(−Cu−Nb)合金のような軟磁性金属、フェライト等が挙げられる。   Further, examples of the magnetic absorbing material include iron, silicon steel, magnetic stainless steel (Fe—Cr—Al—Si alloy), sendust (Fe—Si—Al alloy), permalloy (Fe—Ni alloy), silicon copper (Fe -Cu-Si alloy), Fe-Si alloy, soft magnetic metal such as Fe-Si-B (-Cu-Nb) alloy, ferrite and the like.

吸収層の厚みT(E2)は、特に限定されないが、1μm以上、100μm以下であることが好ましく、2μm以上、80μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは、3μm以上、50μm以下である。吸収層の厚みが前記下限値未満である場合、吸収層の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、吸収層の厚みが前記上限値を超える場合、吸収層の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みT(E2)としても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、吸収層の厚みT(E2)の薄膜化を実現すること、ひいては、絶縁層2および遮断層(吸収層)3で被覆された電子部品4が搭載された基板5の軽量化を実現することができる。   The thickness T (E2) of the absorbent layer is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more and 100 μm or less, more preferably 2 μm or more and 80 μm or less, and further preferably 3 μm or more and 50 μm or less. When the thickness of the absorbent layer is less than the lower limit, depending on the constituent material of the absorbent layer, there is a risk of breaking at the end of the board-mounted component. Moreover, when the thickness of an absorption layer exceeds the said upper limit, there exists a possibility that shape followability may be insufficient depending on the constituent material etc. of an absorption layer. Further, even if the thickness T (E2) within such a range can be exhibited excellent electromagnetic wave shielding properties, it is possible to reduce the thickness T (E2) of the absorption layer, and thus the insulating layer 2 and the shielding layer. It is possible to reduce the weight of the substrate 5 on which the electronic component 4 covered with the layer (absorbing layer) 3 is mounted.

以上のような電磁波遮断層3は、電磁波を遮断(シールド)する電磁波シールド性が5dB以上であるのが好ましく、30dB以上であるのがより好ましく、50dB以上であるのがさらに好ましい。このような電磁波シールド性を有する電磁波遮断層3を、優れた電磁波シールド性を有するものと言うことができ、電磁波をより確実に遮断することができる。   The electromagnetic wave shielding layer 3 as described above preferably has an electromagnetic wave shielding property for shielding (shielding) electromagnetic waves of 5 dB or more, more preferably 30 dB or more, and further preferably 50 dB or more. It can be said that the electromagnetic wave shielding layer 3 having such an electromagnetic wave shielding property has an excellent electromagnetic wave shielding property, and can more reliably block electromagnetic waves.

また、電磁波遮断層3は、その150℃における貯蔵弾性率が1.0E+05〜1.0E+09Paであるのが好ましく、5.0E+05〜5.0E+08Paであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム100の加熱の後、基材層1からの押圧力により、基板5上の凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込むことで、この凹凸6を被覆する際に、前記基材層1からの押圧力に応じて、電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層3の凹凸6に対する形状追従性を向上させることができる。   Moreover, it is preferable that the storage elastic modulus in 150 degreeC of the electromagnetic wave shielding layer 3 is 1.0E + 05-1.0E + 09Pa, and it is more preferable that it is 5.0E + 05-5.0E + 08Pa. By setting the storage elastic modulus within such a range, in the pasting step, after heating the electromagnetic wave shielding film 100, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave are formed on the unevenness 6 on the substrate 5 by pressing force from the base material layer 1. By pressing the blocking layer 3, the electromagnetic wave blocking layer 3 can be deformed corresponding to the shape of the unevenness 6 according to the pressing force from the base material layer 1 when covering the unevenness 6. That is, the shape followability of the electromagnetic wave shielding layer 3 with respect to the unevenness 6 can be improved.

なお、前述のとおり、電磁波遮断層3は、反射層と吸収層とのいずれであってもよいが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有する場合には、吸収層であるのが好ましい。吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断するため、この吸収により電磁波が消滅することから、反射層のように反射した電磁波が電磁波遮断層3で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができる。   As described above, the electromagnetic wave shielding layer 3 may be either a reflection layer or an absorption layer. However, when the electromagnetic wave shielding layer 3 has substantially the same electromagnetic wave shielding properties, it is preferably an absorption layer. In the absorption layer, the electromagnetic wave incident on the absorption layer is absorbed and blocked by converting it into thermal energy. This absorption causes the electromagnetic wave to disappear, so that the reflected electromagnetic wave is covered with the electromagnetic wave blocking layer 3 as in the reflective layer. It is possible to reliably prevent adverse effects such as malfunctions from being exerted on other members that are not provided.

以上のような構成の電磁波シールド用フィルム100は、基板5上に電子部品4を搭載することで形成された凹凸6に温度150℃、圧力2MPa、時間5分の条件で熱圧着した際の形状追従性が、500μm以上であることが好ましく、800μm以上であることがより好ましく、さらに好ましくは1000μm以上である。すなわち、凸部61の上面と凹部62の上面との高さの差である凹凸6の高さが500μm以上のものを電磁波シールド用フィルム100で被覆できるのが好ましく、800μm以上のものを被覆できるのがより好ましく、1000μm以上のものを被覆できるのがさらに好ましい。このように凹凸6の高さが高い(段差が大きい)凹凸6であっても被覆できる電磁波シールド用フィルム100を、優れた形状追従性を有するものと言うことができ、絶縁層2および電磁波遮断層3により、凹凸6に対して優れた埋め込み率をもって被覆することができる。   The electromagnetic wave shielding film 100 having the above-described configuration is a shape when thermocompression bonding is performed on the unevenness 6 formed by mounting the electronic component 4 on the substrate 5 at a temperature of 150 ° C., a pressure of 2 MPa, and a time of 5 minutes. The followability is preferably 500 μm or more, more preferably 800 μm or more, and still more preferably 1000 μm or more. That is, the electromagnetic wave shielding film 100 can preferably cover the unevenness 6 having a height of 500 μm or more, which is the difference in height between the upper surface of the convex portion 61 and the upper surface of the concave portion 62, and can cover a thickness of 800 μm or more. More preferably, it is more preferable that a film having a thickness of 1000 μm or more can be coated. Thus, it can be said that the electromagnetic wave shielding film 100 that can be covered even with the unevenness 6 having a high height (a large level difference) has excellent shape followability, and the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding. The layer 3 can cover the unevenness 6 with an excellent filling rate.

なお、前記形状追従性は、以下のようにして求めることができる。
すなわち、まず、縦100mm×横100mm×高さ2mmのプリント配線板(マザーボード)に、幅0.2mm、各必要段差の溝を、0.2mm間隔で碁盤目状に形成することにより、プリント配線基板を得る。その後、電磁波シールド用フィルムを、真空加圧式ラミネーターを用いて、150℃×2MPa×5分間の条件で、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、電磁波シールド用フィルムから基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた遮断層および絶縁層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。なお、空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察し、評価した。
The shape following property can be obtained as follows.
That is, first, a printed wiring board (motherboard) having a length of 100 mm × width 100 mm × height 2 mm has a width of 0.2 mm and grooves of each necessary step are formed in a grid pattern at intervals of 0.2 mm. Get the substrate. Then, the film for electromagnetic wave shielding is pressure-bonded to the printed wiring board under a condition of 150 ° C. × 2 MPa × 5 minutes using a vacuum pressurizing laminator, and attached to the printed wiring board. After pasting, the base material layer is peeled off from the electromagnetic wave shielding film, and it is determined whether or not there is a gap between the blocking layer and insulating layer stuck on the printed wiring board and the groove on the printed wiring board. In addition, it observed and evaluated with the microscope and the microscope whether there was a space | gap.

<電子部品の被覆方法>
次に、本発明の電子部品の被覆方法について説明する。
<Method of coating electronic parts>
Next, the method for coating an electronic component according to the present invention will be described.

本発明の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする。   The method for coating an electronic component according to the present invention includes a pasting step of pasting the electromagnetic shielding film on the unevenness on the substrate so that the electromagnetic wave shielding layer or the insulating layer and the electronic component are bonded, and after the pasting step And a peeling step for peeling off the base material layer.

図2は、図1に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。   FIG. 2 is a longitudinal sectional view for explaining a method of coating an electronic component using the electromagnetic wave shielding film shown in FIG.

以下、電子部品の被覆方法の各工程について、順次説明する。
(貼付工程)
前記貼付工程とは、例えば、図2(a)に示すように、基板5上に設けられた凹凸6に、電磁波シールド用フィルム100を貼付する工程である。
Hereafter, each process of the coating method of an electronic component is demonstrated sequentially.
(Attaching process)
The affixing step is a step of affixing the electromagnetic wave shielding film 100 to the unevenness 6 provided on the substrate 5, for example, as shown in FIG.

貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形が挙げられる。
真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム100で基板5上の凹凸6を被覆する方法であり、まず、真空雰囲気下とし得る閉空間内に、基板5の凹凸6が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム100の絶縁層2側の面とが対向するように、基板5と電磁波シールド用フィルム100とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを加熱下において、電磁波シールド用フィルム100側から均一に電磁波シールド用フィルム100と基板5とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧することにより実施される。
The method for attaching is not particularly limited, and examples thereof include vacuum / pressure forming.
Vacuum / pressure forming is, for example, a method of covering the irregularities 6 on the substrate 5 with the electromagnetic wave shielding film 100 using a vacuum pressurizing laminator. First, the substrate 5 is placed in a closed space that can be in a vacuum atmosphere. The substrate 5 and the electromagnetic wave shielding film 100 are set in an overlapped state so that the surface on which the unevenness 6 is formed and the surface on the insulating layer 2 side of the electromagnetic wave shielding film 100 face each other, and thereafter In the heating process, the closed space is placed in a vacuum atmosphere and then pressurized so that the electromagnetic wave shielding film 100 and the substrate 5 approach each other uniformly from the electromagnetic wave shielding film 100 side.

この際、本発明では、基材層1の150℃における貯蔵弾性率が2.0E+05〜2.0E+08Paとなっている。そのため、基材層1は、真空圧空成形の加熱時に、凹凸6に対して優れた形状追従性を発揮するものとなる。   Under the present circumstances, in this invention, the storage elastic modulus in 150 degreeC of the base material layer 1 is 2.0E + 05-2.0E + 08Pa. Therefore, the base material layer 1 exhibits excellent shape followability with respect to the irregularities 6 during heating in vacuum / pressure forming.

したがって、この状態で、電磁波シールド用フィルム100側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、基材層1が凹凸6の形状に対応して変形し、さらに、この変形に併せて、基材層1よりも基板5側に位置する、絶縁層2および電磁波遮断層3が凹凸6の形状に対応して変形する。これにより、凹凸6の形状に対応して絶縁層2および電磁波遮断層3が押し込まれた状態で、絶縁層2および電磁波遮断層3により凹凸6が被覆される。   Therefore, in this state, the base layer 1 is deformed in accordance with the shape of the irregularities 6 by uniformly pressing from the electromagnetic wave shielding film 100 side while making the closed space under a vacuum atmosphere. Along with the deformation, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 located closer to the substrate 5 than the base material layer 1 are deformed corresponding to the shape of the irregularities 6. Accordingly, the unevenness 6 is covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in a state where the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed in corresponding to the shape of the unevenness 6.

このような貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、100℃以上、200℃以下であることが好ましく、より好ましくは120℃以上、180℃以下である。   In such a pasting step, the temperature for pasting is not particularly limited, but is preferably 100 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, more preferably 120 ° C. or higher and 180 ° C. or lower.

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、0.5MPa以上、5.0MPa以下であることが好ましく、より好ましくは1.0MPa以上、3.0MPa以下である。   Moreover, the pressure to stick is not particularly limited, but is preferably 0.5 MPa or more and 5.0 MPa or less, more preferably 1.0 MPa or more and 3.0 MPa or less.

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、1分以上、30分以下であることが好ましく、より好ましくは5分以上、15分以下である。   Furthermore, although the time to stick is not specifically limited, It is preferable that it is 1 minute or more and 30 minutes or less, More preferably, it is 5 minutes or more and 15 minutes or less.

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、基板5上の凹凸6に対して絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込んだ状態で、これら絶縁層2および電磁波遮断層3により凹凸6を確実に被覆することができる。   By setting the conditions in the pasting step within the above range, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed into the concave and convex portions 6 on the substrate 5, and the concave and convex portions 6 are formed by the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3. It can be reliably coated.

(剥離工程)
前記剥離工程とは、例えば、図2(b)に示すように、前記貼付工程の後、基材層1を電磁波シールド用フィルム100から剥離する工程である。
(Peeling process)
The said peeling process is a process of peeling the base material layer 1 from the film 100 for electromagnetic wave shields after the said sticking process, for example, as shown in FIG.2 (b).

この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100における基材層1と絶縁層2との界面において、剥離が生じ、その結果、絶縁層2から基材層1が剥離される。これにより、絶縁層2から基材層1を剥離した状態で、絶縁層2および電磁波遮断層3により凹凸6が被覆される。   By this peeling process, in this embodiment, peeling arises in the interface of the base material layer 1 and the insulating layer 2 in the electromagnetic wave shielding film 100, and as a result, the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2. Thus, the unevenness 6 is covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in a state where the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2.

なお、このような電磁波シールド用フィルム100を用いた絶縁層2および電磁波遮断層3による凹凸6の被覆では、図2に示したように、貼付する電磁波シールド用フィルム100の形状が対応して、凹凸6を絶縁層2および電磁波遮断層3で被覆することができる。そのため、被覆すべき凹凸6の形状に対応して電磁波シールド用フィルム100の形状を適宜設定することにより、被覆すべき凹凸6を選択的に絶縁層2および電磁波遮断層3で被覆することができる。すなわち、絶縁層2および電磁波遮断層3による凹凸6の選択的な電磁波シールドが可能となる。   In addition, in the covering of the unevenness 6 with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 using such an electromagnetic wave shielding film 100, as shown in FIG. 2, the shape of the electromagnetic wave shielding film 100 to be applied corresponds, The unevenness 6 can be covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3. Therefore, the unevenness 6 to be covered can be selectively covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 by appropriately setting the shape of the electromagnetic wave shielding film 100 corresponding to the shape of the unevenness 6 to be covered. . That is, the electromagnetic wave can be selectively shielded from the unevenness 6 by the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3.

また、基材層1を剥離する方法としては、特に限定されないが、真空圧空成形(上記の貼付工程)後の電磁波シールド用フィルム100が高温の状態では、基材層1が伸びてしまい、樹脂残り等が発生し、剥離作業性が低下する可能性があるので、手作業による剥離が挙げられる。   Further, the method for peeling the base material layer 1 is not particularly limited. However, when the electromagnetic wave shielding film 100 after the vacuum pressure forming (the pasting step) is in a high temperature state, the base material layer 1 is stretched and resin Since the remainder etc. generate | occur | produce and peeling workability | operativity may fall, the peeling by manual work is mentioned.

この手作業による剥離では、例えば、まず、基材層1の一方の端部を把持し、この把持した端部から基材層1を絶縁層2から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次基材層1を引き剥がすことにより、絶縁層2から基材層1が剥離される。   In this manual peeling, for example, first, one end portion of the base material layer 1 is gripped, the base material layer 1 is peeled off from the insulating layer 2 from the gripped end portion, and then the central portion is cut from the end portion. Furthermore, the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2 by sequentially peeling the base material layer 1 to the other end.

剥離する温度は、180℃以下であることが好ましく、より好ましくは150℃以下、さらに好ましくは100℃以下である。   The peeling temperature is preferably 180 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower, and further preferably 100 ° C. or lower.

以上のような工程を経ることにより、絶縁層2から基材層1を剥離した状態で、絶縁層2および電磁波遮断層3により凹凸6を被覆することができる。   By passing through the above processes, the unevenness | corrugation 6 can be coat | covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in the state which peeled the base material layer 1 from the insulating layer 2. FIG.

なお、本実施形態では、図1に示したように、電磁波シールド用フィルム100として、その上面側から、基材層1(第1の層11、第2の層13、第3の層12)、絶縁層2、電磁波遮断層3がこの順で積層されたものを用いて、絶縁層2および電磁波遮断層3で、基板5上の凹凸6を被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルム100の層構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような第2〜第7実施形態のような層構成をなしている電磁波シールド用フィルム100であってもよい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, as the electromagnetic wave shielding film 100, the base material layer 1 (first layer 11, second layer 13, third layer 12) from the upper surface side. The case where the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are laminated in this order to cover the unevenness 6 on the substrate 5 with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 has been described. The layer configuration of 100 is not limited to this case, and may be, for example, the electromagnetic shielding film 100 having the layer configuration as shown in the second to seventh embodiments as described below.

<第2実施形態>
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第2実施形態について説明する。
Second Embodiment
Hereinafter, 2nd Embodiment of the film for electromagnetic wave shielding of this invention is described.

図3は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第2実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図3中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a second embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 3 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図3に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。   Hereinafter, although the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 3 will be described, the description will focus on differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1, and description of similar matters will be omitted.

図3に示す電磁波シールド用フィルム100では、基材層1が備える第1の層11の形成が省略されていること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。   The electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 3 is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 except that the formation of the first layer 11 included in the base material layer 1 is omitted.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第2の層13、第3の層12からなる基材層1と、絶縁層2と、電磁波遮断層3とが、この順で積層された積層体をなしている。   That is, in the present embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes the base material layer 1 including the second layer 13 and the third layer 12, the insulating layer 2, and the electromagnetic wave shielding layer 3 laminated in this order. The laminated body is made.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、貼付工程において、基板5上の凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第2の層13との離型性を備えており、これにより、第1の層11の形成が省略される。   In the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, the pressing portion of the vacuum pressurizing laminator or the like used when the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pressed into the unevenness 6 on the substrate 5 in the attaching step is the second layer. 13, so that the formation of the first layer 11 is omitted.

この場合、前記押圧部の第2の層13と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、20〜40mN/mであるのが好ましく、25〜35mN/mであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、第2の層13から押圧部を確実に剥離させることができる。   In this case, the degree of releasability of the contact surface in contact with the second layer 13 of the pressing portion can be expressed by the surface tension of the contact surface, and the surface tension of the contact surface is 20 to 40 mN / m. It is preferable that it is 25-35 mN / m. When the contact surface has a surface tension within such a range, the pressing portion can be reliably peeled off from the second layer 13 after pressing using a vacuum pressurizing laminator or the like.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。   The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

<第3実施形態>
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第3実施形態について説明する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

図4は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第3実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図4中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a third embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 4 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図4に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。   Hereinafter, the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 4 will be described. However, the difference from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 will be mainly described, and the description of the same matters will be omitted.

図4に示す電磁波シールド用フィルム100では、基材層1が備える第3の層12の形成が省略されていること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。   The electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 4 is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 except that the formation of the third layer 12 included in the base material layer 1 is omitted.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第1の層11、第2の層13からなる基材層1と、絶縁層2と、電磁波遮断層3とが、この順で積層された積層体をなしている。   That is, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes the base material layer 1 including the first layer 11 and the second layer 13, the insulating layer 2, and the electromagnetic wave shielding layer 3 laminated in this order. The laminated body is made.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、剥離工程において、基材層1を絶縁層2から剥離する際に、第2の層13と絶縁層2との界面において基材層1が絶縁層2から剥離される。このような剥離では、絶縁層2が第2の層13との離型性を備えており、これにより、第3の層12の形成が省略される。   In the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, when the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2 in the peeling step, the base material layer 1 is separated from the insulating layer 2 at the interface between the second layer 13 and the insulating layer 2. It is peeled off. In such peeling, the insulating layer 2 has releasability from the second layer 13, whereby the formation of the third layer 12 is omitted.

この場合、絶縁層2の第2の層13と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、20〜40mN/mであるのが好ましく、25〜35mN/mであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、絶縁層2から第2の層13を確実に剥離させることができる。   In this case, the degree of releasability of the contact surface in contact with the second layer 13 of the insulating layer 2 can be expressed by the surface tension of the contact surface, and the surface tension of the contact surface is 20 to 40 mN / m. It is preferable that it is 25-35 mN / m. When the contact surface has a surface tension within such a range, the second layer 13 can be reliably peeled off from the insulating layer 2 after being pressed using a vacuum pressure laminator or the like.

このような、表面張力を有する絶縁層2としては、例えば、熱可塑性ポリエステルやαオレフィン等が挙げられる。   Examples of the insulating layer 2 having surface tension include thermoplastic polyester and α-olefin.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。   The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

<第4実施形態>
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第4実施形態について説明する。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

図5は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第4実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図5中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a fourth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 5 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図5に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。   Hereinafter, although the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 5 will be described, differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 will be mainly described, and description of similar matters will be omitted.

図5に示す電磁波シールド用フィルム100では、基材層1が備える第3の層12の形成が省略され、さらに、絶縁層2および電磁波遮断層3の積層順が逆転していること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。   In the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 5, the formation of the third layer 12 included in the base material layer 1 is omitted, and the stacking order of the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 is reversed, This is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第1の層11、第2の層13からなる基材層1と、電磁波遮断層3と、絶縁層2とが、この順で積層された積層体をなしている。   That is, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes the base material layer 1 including the first layer 11 and the second layer 13, the electromagnetic wave shielding layer 3, and the insulating layer 2 laminated in this order. The laminated body is made.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、剥離工程において、基材層1を電磁波遮断層3から剥離する際に、第2の層13と電磁波遮断層3との界面において基材層1が電磁波遮断層3から剥離される。このような剥離では、電磁波遮断層3が第2の層13との離型性を備えており、これにより、第3の層12の形成が省略される。   In the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, when the base material layer 1 is peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 in the peeling step, the base material layer 1 is shielded from electromagnetic waves at the interface between the second layer 13 and the electromagnetic wave shielding layer 3. Peel from layer 3. In such peeling, the electromagnetic wave shielding layer 3 has releasability from the second layer 13, and thus the formation of the third layer 12 is omitted.

この場合、電磁波遮断層3の第2の層13と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、20〜40mN/mであるのが好ましく、25〜35mN/mであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、電磁波遮断層3から第2の層13を確実に剥離させることができる。   In this case, the degree of releasability of the contact surface in contact with the second layer 13 of the electromagnetic wave shielding layer 3 can be expressed by the surface tension of the contact surface, and the surface tension of the contact surface is 20 to 40 mN / m is preferable, and 25 to 35 mN / m is more preferable. When the contact surface has a surface tension within such a range, the second layer 13 can be reliably peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 after being pressed using a vacuum pressurizing laminator or the like.

このような、表面張力を有する電磁波遮断層3としては、例えば、炭素系材料や導電性高分子をポリウレタン等の熱硬化性樹脂中に分散させたもの等が挙げられる。   Examples of the electromagnetic wave shielding layer 3 having surface tension include a material obtained by dispersing a carbon-based material or a conductive polymer in a thermosetting resin such as polyurethane.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。   The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

<第5実施形態>
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第5実施形態について説明する。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

図6は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第5実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図6中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a fifth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIG. 6 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図6に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。   Hereinafter, although the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 6 will be described, the description will focus on differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1, and description of similar matters will be omitted.

図6に示す電磁波シールド用フィルム100では、絶縁層2および電磁波遮断層3の積層順が逆転していること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。   The electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 6 is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 except that the stacking order of the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 is reversed.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第1の層11、第2の層13、第3の層12からなる基材層1と、絶縁層2と、電磁波遮断層3とが、この順で積層された積層体をなしている。このように積層された電磁波遮断層3および絶縁層2を備える電磁波シールド用フィルム100を用いて基板5上の凹凸6を被覆することで、基板5および電子部品4に電磁波遮断層3が接触し、基板5側から電磁波遮断層3、絶縁層2の順で被覆することとなる。   That is, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes the base material layer 1 including the first layer 11, the second layer 13, and the third layer 12, the insulating layer 2, and the electromagnetic wave shielding layer 3. The laminated body is laminated in this order. The electromagnetic wave shielding layer 3 comes into contact with the substrate 5 and the electronic component 4 by coating the unevenness 6 on the substrate 5 using the electromagnetic wave shielding film 100 including the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 laminated in this manner. The electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 are coated in this order from the substrate 5 side.

このように、本実施形態では、電磁波遮断層3は、基板5および電子部品4を、これらに接触した状態で被覆し、これにより、基板5および電子部品4を、絶縁層2を介して基板5と反対側に位置する電磁波遮断層3および他の部材(電子部品等)から絶縁する。   As described above, in the present embodiment, the electromagnetic wave shielding layer 3 covers the substrate 5 and the electronic component 4 in contact with them, whereby the substrate 5 and the electronic component 4 are disposed via the insulating layer 2. 5 is insulated from the electromagnetic wave shielding layer 3 and other members (electronic parts, etc.) located on the side opposite to the side 5.

そのため、かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、例えば、電磁波遮断層3が導電性材料を含む構成のものであったとしても、隣接する電子部品4同士を絶縁層2により確実に絶縁することができる。   Therefore, in the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, for example, even when the electromagnetic wave shielding layer 3 includes a conductive material, the adjacent electronic components 4 can be reliably insulated by the insulating layer 2. it can.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。   The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

<第6実施形態>
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第6実施形態について説明する。
<Sixth Embodiment>
Next, a sixth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

図7は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第6実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図7中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a sixth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 7 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図7に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。   Hereinafter, although the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 7 will be described, differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 will be mainly described, and description of similar matters will be omitted.

図7に示す電磁波シールド用フィルム100では、電磁波遮断層3が単層構成ではなく、吸収層31および反射層32からなる積層体をなし、基材層1の下面(一方の面)側から、吸収層31が絶縁層2に接触して、その順で積層されていること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。   In the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 7, the electromagnetic wave shielding layer 3 is not a single layer structure, but a laminated body composed of an absorption layer 31 and a reflective layer 32, and from the lower surface (one surface) side of the base material layer 1, The electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 except that the absorbing layer 31 contacts the insulating layer 2 and is laminated in that order.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第1の層11、第2の層13、第3の層12からなる基材層1と、絶縁層2と、吸収層31、反射層32からなる電磁波遮断層3とが、この順で積層された積層体をなしている。このような積層体で構成された電磁波遮断層3を備える電磁波シールド用フィルム100を用いて基板5上の凹凸6を被覆することで、吸収層31を凹凸6に対して外側に、反射層32を凹凸6に対して内側に配置した状態で、凹凸6が絶縁層2および電磁波遮断層3で被覆される。このように、本実施形態では、電磁波遮断層3が吸収層31と、反射層32とからなる積層体で構成されるため、電磁波遮断層3による電磁波シールド性をより向上させることができる。   That is, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes the base material layer 1 including the first layer 11, the second layer 13, and the third layer 12, the insulating layer 2, the absorption layer 31, and the reflection layer. The electromagnetic wave shielding layer 3 made of 32 forms a laminated body laminated in this order. By coating the unevenness 6 on the substrate 5 using the electromagnetic wave shielding film 100 including the electromagnetic wave shielding layer 3 constituted of such a laminate, the absorbing layer 31 is disposed outside the unevenness 6, and the reflective layer 32. Is disposed on the inner side with respect to the unevenness 6, and the unevenness 6 is covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3. Thus, in this embodiment, since the electromagnetic wave shielding layer 3 is composed of a laminated body including the absorption layer 31 and the reflective layer 32, the electromagnetic wave shielding property by the electromagnetic wave shielding layer 3 can be further improved.

また、かかる構成の電磁波遮断層3において、吸収層31は、その150℃における貯蔵弾性率が1.0E+05〜1.0E+09Paであるのが好ましく、5.0E+05〜5.0E+08Paであるのがより好ましい。   Moreover, in the electromagnetic wave shielding layer 3 having such a configuration, the absorption layer 31 preferably has a storage elastic modulus at 150 ° C. of 1.0E + 05 to 1.0E + 09 Pa, and more preferably 5.0E + 05 to 5.0E + 08 Pa. .

さらに、反射層32は、その150℃における貯蔵弾性率が1.0E+05〜1.0E+09Paであるのが好ましく、5.0E+05〜5.0E+08Paであるのがより好ましい。   Furthermore, the reflective layer 32 preferably has a storage elastic modulus at 150 ° C. of 1.0E + 05 to 1.0E + 09 Pa, and more preferably 5.0E + 05 to 5.0E + 08 Pa.

上記のような順で積層される吸収層31および反射層32における貯蔵弾性率を、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、前記基材層1からの押圧力に応じて、吸収層31および反射層32を備える電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応してより確実に変形させることができる。   By setting the storage elastic modulus in the absorption layer 31 and the reflection layer 32 laminated in the order as described above within the ranges, respectively, the absorption layer 31 and the absorption layer 31 according to the pressing force from the base material layer 1 The electromagnetic wave shielding layer 3 including the reflective layer 32 can be more reliably deformed corresponding to the shape of the irregularities 6.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。   The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

<第7実施形態>
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第7実施形態について説明する。
<Seventh embodiment>
Next, a seventh embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

図8は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第7実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図8中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing a seventh embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 8 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図8に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。   Hereinafter, although the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 8 will be described, differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 will be mainly described, and description of similar matters will be omitted.

図8に示す電磁波シールド用フィルム100では、電磁波遮断層3が単層構成ではなく、反射層32および吸収層31からなる積層体をなし、基材層1の下面(一方の面)側から、反射層32が絶縁層2に接触して、その順で積層されていること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。   In the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 8, the electromagnetic wave shielding layer 3 is not a single layer structure, but a laminated body composed of the reflective layer 32 and the absorbing layer 31, and from the lower surface (one surface) side of the base material layer 1, Except that the reflective layer 32 is in contact with the insulating layer 2 and laminated in that order, it is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第1の層11、第2の層13、第3の層12からなる基材層1と、絶縁層2と、反射層32、吸収層31からなる電磁波遮断層3とが、この順で積層された積層体をなしている。このような積層体で構成された電磁波遮断層3を備える電磁波シールド用フィルム100を用いて基板5上の凹凸6を被覆することで、反射層32を凹凸6に対して外側に、吸収層31を凹凸6に対して内側に配置した状態で、凹凸6が絶縁層2および電磁波遮断層3で被覆される。このように、本実施形態では、電磁波遮断層3が反射層32と、吸収層31とからなる積層体で構成されるため、電磁波遮断層3による電磁波シールド性をより向上させることができる。   That is, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes the base material layer 1 including the first layer 11, the second layer 13, and the third layer 12, the insulating layer 2, the reflection layer 32, and the absorption layer. The electromagnetic wave shielding layer 3 composed of 31 forms a laminated body laminated in this order. By covering the unevenness 6 on the substrate 5 with the electromagnetic wave shielding film 100 including the electromagnetic wave shielding layer 3 constituted of such a laminate, the reflective layer 32 is placed outside the unevenness 6, and the absorbing layer 31. Is disposed on the inner side with respect to the unevenness 6, and the unevenness 6 is covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3. Thus, in this embodiment, since the electromagnetic wave shielding layer 3 is composed of a laminated body including the reflective layer 32 and the absorbing layer 31, the electromagnetic wave shielding property by the electromagnetic wave shielding layer 3 can be further improved.

また、かかる構成の電磁波遮断層3において、反射層32は、その150℃における貯蔵弾性率が1.0E+05〜1.0E+09Paであるのが好ましく、5.0E+05〜5.0E+08Paであるのがより好ましい。   Moreover, in the electromagnetic wave shielding layer 3 having such a configuration, the reflection layer 32 preferably has a storage elastic modulus at 150 ° C. of 1.0E + 05 to 1.0E + 09 Pa, and more preferably 5.0E + 05 to 5.0E + 08 Pa. .

さらに、吸収層31は、その150℃における貯蔵弾性率が1.0E+05〜1.0E+09Paであるのが好ましく、5.0E+05〜5.0E+08Paであるのがより好ましい。   Furthermore, the absorption layer 31 preferably has a storage elastic modulus at 150 ° C. of 1.0E + 05 to 1.0E + 09 Pa, and more preferably 5.0E + 05 to 5.0E + 08 Pa.

上記のような順で積層される反射層32および吸収層31における貯蔵弾性率を、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、前記基材層1からの押圧力に応じて、反射層32および吸収層31を備える電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応してより確実に変形させることができる。   By setting the storage elastic modulus in the reflecting layer 32 and the absorbing layer 31 laminated in the order as described above within the above range, the reflecting layer 32 and the reflecting layer 32 and the absorbing layer 31 are set according to the pressing force from the base material layer 1. The electromagnetic wave shielding layer 3 including the absorption layer 31 can be more reliably deformed corresponding to the shape of the irregularities 6.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。   The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

なお、前記第6実施形態の電磁波シールド用フィルムと、前記第7実施形態の電磁波シールド用フィルムとでは、電磁波遮断層3が有する反射層32と吸収層31との積層順序が異なること以外は、互いに同一であるが、前述のとおり、吸収層31では、吸収層31に入射した電磁波を吸収することで遮断するため、この吸収により電磁波が消滅することから、反射層32のように反射した電磁波が電磁波遮断層3で被覆されていない他の部材等に対して悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという利点が得られる。そのため、これら第6および第7実施形態の電磁波シールド用フィルムでは、吸収層31を凹凸6に対して外側に位置する第6実施形態の電磁波シールド用フィルムとするのが好ましい。   The electromagnetic wave shielding film of the sixth embodiment and the electromagnetic wave shielding film of the seventh embodiment, except that the order of lamination of the reflective layer 32 and the absorbing layer 31 of the electromagnetic wave shielding layer 3 is different. Although the same as each other, as described above, the absorption layer 31 is blocked by absorbing the electromagnetic wave incident on the absorption layer 31, and the electromagnetic wave disappears due to this absorption. Can be reliably prevented from adversely affecting other members not covered with the electromagnetic wave shielding layer 3. Therefore, in the electromagnetic wave shielding films of the sixth and seventh embodiments, it is preferable that the absorbing layer 31 is the electromagnetic wave shielding film of the sixth embodiment positioned outside the unevenness 6.

また、前記第6実施形態の電磁波シールド用フィルムと、前記第7実施形態の電磁波シールド用フィルムとでは、電磁波遮断層3を反射層32と吸収層31とをそれぞれ1層ずつ備える2層構成の積層体としたが、電磁波遮断層3は、このような2層構成の積層体に限らず、少なくとも反射層32と吸収層31とのうちのいずれか一方を2層以上備える、3層以上の積層体で構成されていてもよい。   Further, the electromagnetic wave shielding film of the sixth embodiment and the electromagnetic wave shielding film of the seventh embodiment have a two-layer configuration in which the electromagnetic wave shielding layer 3 includes one reflective layer 32 and one absorbing layer 31 respectively. The electromagnetic wave shielding layer 3 is not limited to such a two-layer laminated body, but includes three or more layers including at least one of the reflective layer 32 and the absorbing layer 31. You may be comprised with the laminated body.

また、前記実施形態では、絶縁層2は、電磁波遮断層3の上面または下面の何れか一方に1つの層が積層される場合について説明したが、かかる場合に限定されず、電磁波遮断層3の上面および下面の双方に1層ずつ別層として積層されていてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the insulating layer 2 demonstrated the case where one layer was laminated | stacked on either the upper surface or the lower surface of the electromagnetic wave shielding layer 3, it is not limited to such a case, The electromagnetic wave shielding layer 3 One layer may be laminated as a separate layer on both the upper surface and the lower surface.

以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。   As mentioned above, although the film for electromagnetic wave shielding of this invention and the coating method of an electronic component were demonstrated, this invention is not limited to these.

例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムでは、前記第1〜第7実施形態の任意の構成を組み合わせることもできる。   For example, in the electromagnetic wave shielding film of the present invention, the arbitrary configurations of the first to seventh embodiments can be combined.

また、本発明の電磁波シールド用フィルムには、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。   Moreover, the arbitrary layers which can exhibit the same function may be added to the film for electromagnetic wave shielding of this invention.

さらに、本発明の電子部品の被覆方法には、1または2以上の任意の工程が追加されていてもよい。   Furthermore, one or two or more arbitrary steps may be added to the method for coating an electronic component of the present invention.

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited to this.

1.電磁波シールド用フィルムの層構成に関する検討
(実施例1A)
<電磁波シールド用フィルムの製造>
電磁波シールド用フィルムを得るために、第1の層(第1離型層)を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)を準備した。第3の層(第2離型層)を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)を準備した。第2の層(クッション層)を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体(住友化学(株)社製、商品名:アクリフトWD106)を準備した。絶縁層を構成する樹脂として、ポリオレフィン系エマルジョン(ユニチカ(株)社製、商品名:アローベースTC−4010)を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、導電性接着剤層(東洋紡(株)社製、商品名:DW−260H−1)を準備した。
1. Study on layer structure of electromagnetic shielding film (Example 1A)
<Manufacture of electromagnetic shielding film>
In order to obtain an electromagnetic wave shielding film, syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zalec S107) was prepared as a resin constituting the first layer (first release layer). Syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zarek S107) was prepared as a resin constituting the third layer (second release layer). As the resin constituting the second layer (cushion layer), an ethylene-methyl acrylate copolymer (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ACRIFT WD106) was prepared. A polyolefin emulsion (manufactured by Unitika Ltd., trade name: Arrow Base TC-4010) was prepared as a resin constituting the insulating layer. As a resin constituting the electromagnetic wave shielding layer, a conductive adhesive layer (manufactured by Toyobo Co., Ltd., trade name: DW-260H-1) was prepared.

第1の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第3の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第2の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層として前記導電性接着剤層を、また、絶縁層として前記ポリオレフィン系エマルジョンを、この順で基材層にコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。   The syndiotactic polystyrene as the first layer, the syndiotactic polystyrene as the third layer, and the ethylene-methyl acrylate copolymer as the second layer are combined using a feed block and a multi-manifold die. A film was formed by extrusion. A film for electromagnetic wave shielding was prepared by coating the base material layer with the conductive adhesive layer as an electromagnetic wave shielding layer and the polyolefin emulsion as an insulating layer in this order.

実施例1Aの電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、160μmであり、第1の層の厚みは30μm、第3の層の厚みは30μm、第2の層の厚みは60μm、絶縁層の厚みは20μm、電磁波遮断層の厚みは20μmであった。   The total thickness of the electromagnetic wave shielding film of Example 1A is 160 μm, the thickness of the first layer is 30 μm, the thickness of the third layer is 30 μm, the thickness of the second layer is 60 μm, and the thickness of the insulating layer is The thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 20 μm.

また、実施例1Aの電磁波シールド用フィルムにおける、第1の層、第2の層および第3の層の平均線膨張係数を測定したところ、それぞれ、420、2400および420ppm/℃であった。   Moreover, when the average linear expansion coefficient of the 1st layer, the 2nd layer, and the 3rd layer in the electromagnetic wave shielding film of Example 1A was measured, they were 420, 2400, and 420 ppm / ° C., respectively.

さらに、基材層および電磁波遮断層の150℃における貯蔵弾性率を測定したところ、それぞれ、1.8E+07Pa、1.2E+07Paであった。   Furthermore, when the storage elastic modulus in 150 degreeC of the base material layer and the electromagnetic wave shielding layer was measured, they were 1.8E + 07 Pa and 1.2E + 07 Pa, respectively.

<電子部品の製造>
得られた電磁波シールド用フィルムを、パソコン用メモリー基板(サムスン(株)社製、商品名:DDR2 667 M470T6554EZ3−CE6 PC2−5300)(段差1,000μm)の表面に、温度150度、圧力2.0MPaの条件で、5分間、真空圧空成形を行い、貼付を行った。貼付後、基材層のみ手作業で剥離し、電子部品を製造した。
<Manufacture of electronic components>
The obtained electromagnetic wave shielding film was placed on the surface of a personal computer memory substrate (trade name: DDR2 667 M470T6554EZ3-CE6 PC2-5300, manufactured by Samsung Corp.) (step: 1,000 μm) at a temperature of 150 ° C. and a pressure of 2. Affixing was performed by vacuum-pressure forming for 5 minutes under the condition of 0 MPa. After pasting, only the base material layer was peeled off manually to produce an electronic component.

(実施例2A)
第1の層の厚みを80μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 2A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the first layer was 80 μm.

(実施例3A)
第1の層の厚みを10μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 3A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the first layer was 10 μm.

(実施例4A)
第2の層の厚みを90μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 4A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the second layer was 90 μm.

(実施例5A)
第2の層の厚みを20μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 5A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the second layer was 20 μm.

(実施例6A)
第3の層の厚みを10μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 6A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the third layer was 10 μm.

(実施例7A)
第3の層の厚みを90μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 7A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the third layer was 90 μm.

(実施例8A)
絶縁層の厚みを5μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 8A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the insulating layer was changed to 5 μm.

(実施例9A)
絶縁層の厚みを50μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 9A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the insulating layer was 50 μm.

(実施例10A)
電磁波遮断層の厚みを5μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 10A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 5 μm.

(実施例11A)
電磁波遮断層の厚みを150μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 11A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 150 μm.

(実施例12A)
第1の層として、シンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)とスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体(クラレ(株)社製、商品名:セプトンS8007)を重量パーセント濃度で各々60wt%、40wt%の配合品を準備した以外は、実施例1Aと同様に準備した。
(Example 12A)
As the first layer, syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zarek S107) and styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (Kuraray Co., Ltd., trade name: Septon S8007) ) Was prepared in the same manner as in Example 1A, except that 60 wt% and 40 wt% of the blended products were prepared in weight percent concentrations.

(実施例13A)
第1の層として、シンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)とスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体(クラレ(株)社製、商品名:セプトンS8007)の重量パーセント濃度で各々80wt%、20wt%配合品を準備した以外は、実施例1Aと同様に準備した。
(Example 13A)
As the first layer, syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zarek S107) and styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (Kuraray Co., Ltd., trade name: Septon S8007) ) Was prepared in the same manner as in Example 1A except that 80 wt% and 20 wt% blended products were prepared.

(実施例14A)
第1の層として、ポリメチルペンテン(三井化学(株)社製、商品名:TPX MX004)を準備した以外は、実施例1Aと同様に準備した。
(Example 14A)
The first layer was prepared in the same manner as in Example 1A except that polymethylpentene (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., trade name: TPX MX004) was prepared.

(実施例15A)
第1の層として、ポリブチレンテレフタレート(三菱エンジニアリングプラスチックス(株)社製、商品名:ノバデュラン5505S)を準備した以外は、実施例1Aと同様に準備した。
(Example 15A)
The first layer was prepared in the same manner as in Example 1A, except that polybutylene terephthalate (Mitsubishi Engineering Plastics Co., Ltd., trade name: Nova Duran 5505S) was prepared.

(実施例16A)
第2の層として、エチレン−メチルアクリレート共重合体(住友化学(株)社製、商品名:アクリフトWD106)とポリプロピレン(住友化学(株)社製、商品名:ノーブレンFS2011DG2)を重量パーセント濃度で各々70wt%、30wt%の配合品を準備した以外は、実施例1Aと同様に準備した。
(Example 16A)
As a second layer, ethylene-methyl acrylate copolymer (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ACRIFT WD106) and polypropylene (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: Nobrene FS2011DG2) in a weight percent concentration. Preparations were made in the same manner as in Example 1A, except that 70 wt% and 30 wt% blends were prepared.

(実施例17A)
第2の層として、エチレン−メチルアクリレート共重合体(住友化学(株)社製、商品名:アクリフトWD106)とポリエチレン(宇部興産(株)社製、商品名:UBEポリエチレンF222NH)を重量パーセント濃度で各々70wt%、30wt%の配合品を準備した以外は、実施例1Aと同様に準備した。
(Example 17A)
As a second layer, ethylene-methyl acrylate copolymer (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ACRIFT WD106) and polyethylene (manufactured by Ube Industries, Ltd., trade name: UBE polyethylene F222NH) are in a concentration by weight. Were prepared in the same manner as in Example 1A except that 70 wt% and 30 wt% blended products were prepared.

(実施例18A)
第2の層として、エチレン−メチルアクリレート共重合体(住友化学(株)社製、商品名:アクリフトWD106)とポリエチレン(宇部興産(株)社製、商品名:UBEポリエチレンF222NH)とポリプロピレン(住友化学(株)社製、商品名:ノーブレンFS2011DG2)を重量パーセント濃度で各々60wt%、20wt%、20wt%の配合品を準備した以外は、実施例1Aと同様に準備した。
(Example 18A)
As the second layer, an ethylene-methyl acrylate copolymer (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ACRIFT WD106), polyethylene (manufactured by Ube Industries, Ltd., trade name: UBE polyethylene F222NH) and polypropylene (Sumitomo). A product manufactured by Chemical Co., Ltd., trade name: Nobrene FS2011DG2) was prepared in the same manner as Example 1A except that 60 wt%, 20 wt%, and 20 wt% of the blended products were prepared in weight percent concentrations.

(実施例19A)
絶縁層として、飽和共重合ポリエステルエマルジョン(ユニチカ(株)社製、商品名:エリーテルKT−8803)を準備した以外は、実施例1Aと同様に準備した。
(Example 19A)
The insulating layer was prepared in the same manner as in Example 1A except that a saturated copolymerized polyester emulsion (trade name: Elitel KT-8803, manufactured by Unitika Ltd.) was prepared.

(実施例20A)
第1の層の厚みを5μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 20A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the first layer was 5 μm.

(実施例21A)
第2の層の厚みを120μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 21A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the second layer was 120 μm.

(実施例22A)
第3の層の厚みを3μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 22A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the third layer was 3 μm.

(実施例23A)
第2の層の厚みを80μm、第1の層の厚みを10μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 23A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the second layer was 80 μm and the thickness of the first layer was 10 μm.

(実施例24A)
第1の層の厚みを5μm、第2の層の厚みを80μm、第3の層の厚みを5μmとした以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 24A)
The same operation as in Example 1A was performed except that the thickness of the first layer was 5 μm, the thickness of the second layer was 80 μm, and the thickness of the third layer was 5 μm.

(実施例25A)
第1の層の形成を省略し、電磁波遮断層に導電性高分子ポリアニリン分散液(レグルス社製PANI−PD)を用いたこと以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 25A)
The formation was performed in the same manner as in Example 1A except that the formation of the first layer was omitted and a conductive polymer polyaniline dispersion (PANI-PD manufactured by Regulus Co., Ltd.) was used for the electromagnetic wave shielding layer.

(実施例26A)
第3の層の形成を省略したこと以外は、実施例1Aと同様に行った。
(Example 26A)
The same procedure as in Example 1A was performed except that the formation of the third layer was omitted.

(比較例1A)
基材層として、ポリエチレンテレフタレート(東レ(株)社製、商品名:ルミラーS10)のみを準備し、基材層の厚みを30μmとした以外は、実施例1Aと同様に準備した。
(Comparative Example 1A)
As a base material layer, only polyethylene terephthalate (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name: Lumirror S10) was prepared, and prepared in the same manner as in Example 1A, except that the thickness of the base material layer was 30 μm.

(比較例2A)
基材層として、ポリエチレンテレフタレート(東レ(株)社製、商品名:ルミラーS10)のみを準備し、基材層の厚みを100μmとした以外は、実施例1Aと同様に準備した。
(Comparative Example 2A)
As a base material layer, only polyethylene terephthalate (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name: Lumirror S10) was prepared, and prepared in the same manner as in Example 1A, except that the thickness of the base material layer was 100 μm.

<評価試験>
実施例1A〜26A、および比較例1A、2Aで作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品について、形状追従性、離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第2の層シミ出し性、耐熱性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性の評価を行った。以下に、これらの評価方法について説明する。
<Evaluation test>
For the electromagnetic wave shielding films or electronic parts produced in Examples 1A to 26A and Comparative Examples 1A and 2A, shape followability, releasability, gouge folding resistance, second layer spotting property of the base material layer, The heat resistance and electromagnetic wave shield cutting / punching workability were evaluated. Below, these evaluation methods are demonstrated.

<<形状追従性>>
前記形状追従性は、以下のようにして求めることができる。
<< Shape followability >>
The shape following property can be obtained as follows.

縦100mm×横100mm×高さ3mmのプリント配線板(マザーボード)に、幅0.2mm、各必要段差の溝を、0.2mm間隔で碁盤目状に形成する。その後、電磁波シールド用フィルムを、真空圧空成形装置を用いて、150℃×1MPa×10分間、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた電磁波遮断層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。なお、空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察し、評価した。   On a printed wiring board (motherboard) having a length of 100 mm, a width of 100 mm, and a height of 3 mm, grooves having a width of 0.2 mm and each necessary step are formed in a grid pattern at intervals of 0.2 mm. Thereafter, the film for electromagnetic wave shielding is pressure-bonded to the printed wiring board at 150 ° C. × 1 MPa × 10 minutes using a vacuum / pressure forming apparatus, and is attached to the printed wiring board. After sticking, the base material layer is peeled off, and it is determined whether or not there is a gap between the electromagnetic wave shielding layer attached to the printed wiring board and the groove on the printed wiring board. In addition, it observed and evaluated with the microscope and the microscope whether there was a space | gap.

各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
× :段差 500μm未満
○ :段差 500μm以上、1000μm未満
◎ :段差1000μm以上、2000μm未満
◎◎ :段差2000μm以上
Each code | symbol is as follows. X was rejected, and the others were determined to be acceptable.
×: Step is less than 500 μm ○: Step is 500 μm or more and less than 1000 μm ◎: Step is 1000 μm or more and less than 2000 μm ◎: Step is 2000 μm or more

<<離型性>>
前記離型性は、以下のようにして求めることができる。
<< Releasability >>
The releasability can be determined as follows.

上記形状追従性の評価方法と同様のプリント配線板に、電磁波シールド用フィルムを熱圧着させた後、基材層のみを手作業で剥離する際の剥がれやすさで評価した。
各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
The film for electromagnetic wave shielding was thermocompression-bonded to the same printed wiring board as in the method for evaluating shape followability, and then evaluated by the ease of peeling when only the base material layer was manually peeled off.
Each code | symbol is as follows. X was rejected, and the others were determined to be acceptable.

×:基材層に樹脂残りが発生
○:基材層に樹脂残りは発生してないが、剥離が若干重い
◎:基材層に樹脂残りもなく、容易に剥離できる
×: Residual residue is generated in the base material layer ○: Residual residue is not generated in the base material layer, but peeling is slightly heavy ◎: There is no residual resin in the base material layer, and it can be easily peeled off

<<耐ハゼ折り性>>
前記耐ハゼ折り性は、以下のようにして求めることができる。
<< Haze fold resistance >>
The goblet folding resistance can be determined as follows.

電磁波シールド用フィルムを、屈曲性のある基板、例えば、フレキシブル回路基板等に貼り、貼り合せたものをハゼ折りし、その折り曲げ箇所を顕微鏡により観察した。但し、折り曲げは手により行い、折り曲げは1回のみ。   The film for electromagnetic wave shielding was attached to a flexible substrate, for example, a flexible circuit substrate, and the bonded one was folded in a goblet, and the bent portion was observed with a microscope. However, the folding is done by hand and the folding is done only once.

各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
×:折り曲げ部にクラック発生あり
○:折り曲げ部に若干のシワあり
◎:折り曲げ部にクラック発生なし
Each code | symbol is as follows. X was rejected, and the others were determined to be acceptable.
×: Cracks occur in the bent part ○: Some wrinkles in the bent part ◎: No cracks occur in the bent part

<<第2の層シミ出し性>>
前記基材層の第2の層シミ出し性は、以下のようにして求めることができる。
<< Second layer spotting ability >>
The second layer smearing property of the base material layer can be determined as follows.

基材層を、150℃×2.0MPa×5分間、熱プレスし、シミ出した第2の層の最大長さをノギス等で測定した。   The base material layer was hot-pressed at 150 ° C. × 2.0 MPa × 5 minutes, and the maximum length of the second layer that was stained was measured with a caliper or the like.

各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
×:シミ出した第2の層の最大長さが1.0mm以上
○:シミ出した第2の層の最大長さが0.5mm以上、1.0mm未満
◎:シミ出した第2の層の最大長さが0.5mm未満
Each code | symbol is as follows. X was rejected, and the others were determined to be acceptable.
×: The maximum length of the second layer that is smeared out is 1.0 mm or more ○: The maximum length of the second layer that is smeared out is 0.5 mm or more and less than 1.0 mm ◎: The second layer that is smeared out Maximum length of less than 0.5mm

<<耐熱性>>
前記基材層の耐熱性は、以下のようにして求めることができる。
<< Heat resistance >>
The heat resistance of the base material layer can be determined as follows.

前記形状追従性の評価方法と同様に、電磁波シールド用フィルムを、真空圧空成形装置を用いて、150℃×2MPa×5分間、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた電磁波遮断層および絶縁層にシワがあるかどうかを目視観察で判断する。   In the same manner as the method for evaluating the shape following property, the electromagnetic wave shielding film is pressure-bonded to a printed wiring board at 150 ° C. × 2 MPa × 5 minutes using a vacuum / pressure forming apparatus, and is attached to the printed wiring board. After pasting, the base material layer is peeled off, and it is judged by visual observation whether or not there are wrinkles in the electromagnetic wave shielding layer and the insulating layer stuck on the printed wiring board.

各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
×:電磁波遮断層および絶縁層にシワが発生している
○:電磁波遮断層および絶縁層に微細なシワが発生している
◎:電磁波遮断層および絶縁層にシワが発生していない
Each code | symbol is as follows. X was rejected, and the others were determined to be acceptable.
×: Wrinkles are generated in the electromagnetic wave blocking layer and the insulating layer ○: Fine wrinkles are generated in the electromagnetic wave blocking layer and the insulating layer ◎: No wrinkles are generated in the electromagnetic wave blocking layer and the insulating layer

<<カット・打ち抜き作業性>>
前記電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性は、以下のようにして求めることができる。
<< Cut / Punching workability >>
The workability of cutting and punching the electromagnetic wave shield can be obtained as follows.

電磁波シールド用フィルムを所定のサイズおよび形状にカット、打ち抜く際に工数がかかり、著しく作業性が低下するかどうかで判断する。   Judgment is made by whether man-hours are required when cutting and punching the electromagnetic wave shielding film into a predetermined size and shape, and workability is significantly reduced.

各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
×:作業性が著しく低下する
○:作業性が若干低下する
◎:作業性で問題なし
以上の各実施例、比較例の評価結果を表1に示す。
Each code | symbol is as follows. X was rejected, and the others were determined to be acceptable.
X: Workability is remarkably lowered. ○: Workability is slightly lowered. A: Workability is not problematic. Table 1 shows the evaluation results of each of the above Examples and Comparative Examples.

Figure 2014057041
Figure 2014057041

表1から明らかなように、実施例1A〜26Aは、良好な形状追従性を示し、さらに離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第2の層シミ出し性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性に関してもバランスよく優れているのに対し、比較例1A、2Aは、実施例1A〜26Aと比較すると、形状追従性が十分でないという結果になった。   As is apparent from Table 1, Examples 1A to 26A show good shape followability, and further, release property, goblet folding resistance, second layer spotting property of the base material layer, electromagnetic wave shield cut In comparison with Examples 1A to 26A, Comparative Examples 1A and 2A resulted in inadequate shape followability, while the punching workability was excellent in a well-balanced manner.

2.基材層の貯蔵弾性率に関する検討
(実施例1B)
<電磁波シールド用フィルムの製造>
電磁波シールド用フィルムを得るために、第1の層(第1離型層)を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)を準備した。第3の層(第2離型層)を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)を準備した。第2の層(クッション層)を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体(住友化学(株)社製、商品名:アクリフトWD106)を準備した。絶縁層を構成する樹脂として、ポリオレフィン系エマルジョン(ユニチカ(株)社製、商品名:アローベースTC−4010)を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、導電性接着剤層(東洋紡(株)社製、商品名:DW−260H−1)を準備した。
2. Study on storage elastic modulus of base material layer (Example 1B)
<Manufacture of electromagnetic shielding film>
In order to obtain an electromagnetic wave shielding film, syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zalec S107) was prepared as a resin constituting the first layer (first release layer). Syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zarek S107) was prepared as a resin constituting the third layer (second release layer). As the resin constituting the second layer (cushion layer), an ethylene-methyl acrylate copolymer (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ACRIFT WD106) was prepared. A polyolefin emulsion (manufactured by Unitika Ltd., trade name: Arrow Base TC-4010) was prepared as a resin constituting the insulating layer. As a resin constituting the electromagnetic wave shielding layer, a conductive adhesive layer (manufactured by Toyobo Co., Ltd., trade name: DW-260H-1) was prepared.

第1の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第3の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第2の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層として前記導電性接着剤層を、また、絶縁層として前記ポリオレフィン系エマルジョンを、この順で基材層にコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。   The syndiotactic polystyrene as the first layer, the syndiotactic polystyrene as the third layer, and the ethylene-methyl acrylate copolymer as the second layer are combined using a feed block and a multi-manifold die. A film was formed by extrusion. A film for electromagnetic wave shielding was prepared by coating the base material layer with the conductive adhesive layer as an electromagnetic wave shielding layer and the polyolefin emulsion as an insulating layer in this order.

実施例1Bの電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、160μmであり、第1の層の厚みは30μm、第3の層の厚みは30μm、第2の層の厚みは60μm、絶縁層の厚みは20μm、電磁波遮断層の厚みは20μmであった。   The total thickness of the electromagnetic wave shielding film of Example 1B is 160 μm, the thickness of the first layer is 30 μm, the thickness of the third layer is 30 μm, the thickness of the second layer is 60 μm, and the thickness of the insulating layer is The thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 20 μm.

また、実施例1Bの電磁波シールド用フィルムにおける、第1の層、第2の層および第3の層の平均線膨張係数を測定したところ、それぞれ、420、2400および420ppm/℃であった。   Moreover, when the average linear expansion coefficient of the 1st layer in the film for electromagnetic wave shields of Example 1B, the 2nd layer, and the 3rd layer was measured, they were 420, 2400, and 420 ppm / degreeC, respectively.

さらに、基材層および電磁波遮断層の150℃における貯蔵弾性率を測定したところ、それぞれ、1.8E+07Pa、1.2E+07Paであった。   Furthermore, when the storage elastic modulus in 150 degreeC of the base material layer and the electromagnetic wave shielding layer was measured, they were 1.8E + 07 Pa and 1.2E + 07 Pa, respectively.

<電子部品の製造>
得られた電磁波シールド用フィルムを、パソコン用メモリー基板(サムスン(株)社製、商品名:DDR2 667 M470T6554EZ3−CE6 PC2−5300)(段差1,000μm)の表面に、温度150℃、圧力2.0MPaの条件で、5分真空圧空成形を行い、貼付を行った。貼付後、基材層のみ手作業で剥離し、電子部品を製造した。
<Manufacture of electronic components>
The obtained electromagnetic wave shielding film was placed on the surface of a personal computer memory substrate (trade name: DDR2 667 M470T6554EZ3-CE6 PC2-5300, manufactured by Samsung Corp.) (step: 1,000 μm) at a temperature of 150 ° C. and a pressure of 2. Under the condition of 0 MPa, vacuum / pressure forming was performed for 5 minutes, and pasting was performed. After pasting, only the base material layer was peeled off manually to produce an electronic component.

(実施例2B)
第2の層として、エチレン−メチルアクリレート共重合体(住友化学(株)社製、商品名:アクリフトWD106)とポリプロピレン(住友化学(株)社製、商品名:ノーブレンFS2011DG2)を重量パーセント濃度で各々70wt%、30wt%の配合品を準備した以外は、実施例1Bと同様に準備した。
(Example 2B)
As a second layer, ethylene-methyl acrylate copolymer (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ACRIFT WD106) and polypropylene (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: Nobrene FS2011DG2) in a weight percent concentration. Preparations were made in the same manner as in Example 1B, except that 70 wt% and 30 wt% blends were prepared.

(実施例3B)
第1の層の厚みを10μmとした以外は、実施例1Bと同様に行った。
(Example 3B)
The same operation as in Example 1B was performed except that the thickness of the first layer was 10 μm.

(実施例4B)
第2の層の厚みを90μmとした以外は、実施例1Bと同様に行った。
(Example 4B)
The same operation as in Example 1B was performed except that the thickness of the second layer was 90 μm.

(実施例5B)
第1の層として、シンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)とスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体(クラレ(株)社製、商品名:セプトンS8007)を重量パーセント濃度で各々60wt%、40wt%の配合品を準備した以外は、実施例1Bと同様に行った。
(Example 5B)
As the first layer, syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zarek S107) and styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (Kuraray Co., Ltd., trade name: Septon S8007) ) Was carried out in the same manner as in Example 1B, except that preparations of 60 wt% and 40 wt% in weight percent concentration were prepared.

(実施例6B)
第1の層の厚みを80μmとした以外は、実施例1Bと同様に行った。
(Example 6B)
The same operation as in Example 1B was performed except that the thickness of the first layer was 80 μm.

(実施例7B)
第1の層の厚みを100μmとした以外は、実施例1Bと同様に行った。
(Example 7B)
The same operation as in Example 1B was performed except that the thickness of the first layer was 100 μm.

(実施例8B)
第1の層として、シンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)とポリプロピレン(住友化学(株)社製、商品名:ノーブレンFS2011DG2)を重量パーセント濃度で各々60wt%、40wt%の配合品を準備した以外は、実施例1Bと同様に行った。
(Example 8B)
As the first layer, syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zarek S107) and polypropylene (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: Nobrene FS2011DG2) are each 60 wt% in weight percent concentration. , Except that a 40 wt% blended product was prepared.

(実施例9B)
第2の層として、ポリプロピレン(住友化学(株)社製、商品名:ノーブレンFS2011DG2)を準備した以外は、実施例1Bと同様に行った。
(Example 9B)
The same procedure as in Example 1B was performed except that polypropylene (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: Nobrene FS2011DG2) was prepared as the second layer.

(実施例10B)
第1の層として、ポリブチレンテレフタレート(三菱エンジニアリングプラスチックス(株)社製、商品名:ノバデュラン5020)を準備した以外は、実施例1Bと同様に準備した。
(Example 10B)
The first layer was prepared in the same manner as in Example 1B except that polybutylene terephthalate (Mitsubishi Engineering Plastics Co., Ltd., trade name: NOVADURAN 5020) was prepared.

(比較例1B)
基材層として、環状オレフィン系共重合体(ポリプラスチックス(株)社製、商品名:TOPAS6017)を準備した以外は、実施例1Bと同様に準備した。
(Comparative Example 1B)
As a base material layer, it prepared similarly to Example 1B except having prepared the cyclic olefin type copolymer (Polyplastics Co., Ltd. make, brand name: TOPAS6017).

(比較例2B)
第3の層の厚みを1μm、第1の層の厚みを1μmとした以外は、実施例1Bと同様に準備した。
(Comparative Example 2B)
Prepared in the same manner as in Example 1B except that the thickness of the third layer was 1 μm and the thickness of the first layer was 1 μm.

<評価試験>
実施例1B〜10B、および比較例1B、2Bで作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品についても、実施例1A〜26A、および比較例1A、2Aで作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品について実施したのと同様にして、形状追従性、離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第2の層シミ出し性、耐熱性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性の評価を行った。
以上の各実施例、比較例の評価結果を表2に示す。
<Evaluation test>
Regarding the electromagnetic wave shielding films or electronic parts produced in Examples 1B to 10B and Comparative Examples 1B and 2B, the electromagnetic wave shielding films or electronic parts produced in Examples 1A to 26A and Comparative Examples 1A and 2A In the same manner as performed, the shape followability, mold release property, goby folding resistance, base layer second layer spotting property, heat resistance, and electromagnetic wave shielding / punching workability were evaluated.
Table 2 shows the evaluation results of the above examples and comparative examples.

Figure 2014057041
Figure 2014057041

表2から明らかなように、実施例1B〜10Bでは、基材層の150℃における貯蔵弾性率が適切な範囲内に設定されていることに起因して、良好な形状追従性を示し、さらに離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第2の層シミ出し性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性に関してもバランスよく優れている結果となった。   As is apparent from Table 2, in Examples 1B to 10B, the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer is set within an appropriate range, and thus good shape followability is exhibited. The results were excellent in balance with respect to releasability, gouge folding resistance, second layer spotting of the base material layer, and electromagnetic wave shield cutting / punching workability.

これに対して、比較例1B、2Bでは、基材層の150℃における貯蔵弾性率が適切な範囲内に設定されておらず、形状追従性が十分でないという結果になった。   On the other hand, in Comparative Examples 1B and 2B, the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer was not set within an appropriate range, which resulted in insufficient shape following ability.

3.遮断層の層構成および貯蔵弾性率に関する検討
(実施例1C)
<電磁波シールド用フィルムの製造>
電磁波シールド用フィルムを得るために、第1の層(第1離型層)を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)を準備した。第3の層(第2離型層)を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)を準備した。第2の層(クッション層)を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体(住友化学(株)社製、商品名:アクリフトWD106)を準備した。絶縁層を構成する樹脂として、ポリオレフィン系エマルジョン(ユニチカ(株)社製、商品名:アローベースTC−4010)を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、導電性接着剤層(東洋紡(株)社製、商品名:DW−260H−1)を準備した。
3. Examination on layer structure and storage elastic modulus of barrier layer (Example 1C)
<Manufacture of electromagnetic shielding film>
In order to obtain an electromagnetic wave shielding film, syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zalec S107) was prepared as a resin constituting the first layer (first release layer). Syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zarek S107) was prepared as a resin constituting the third layer (second release layer). As the resin constituting the second layer (cushion layer), an ethylene-methyl acrylate copolymer (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ACRIFT WD106) was prepared. A polyolefin emulsion (manufactured by Unitika Ltd., trade name: Arrow Base TC-4010) was prepared as a resin constituting the insulating layer. As a resin constituting the electromagnetic wave shielding layer, a conductive adhesive layer (manufactured by Toyobo Co., Ltd., trade name: DW-260H-1) was prepared.

第1の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第3の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第2の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層として前記導電性接着剤層を、また、絶縁層として前記ポリオレフィン系エマルジョンを、この順で基材層にコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。   The syndiotactic polystyrene as the first layer, the syndiotactic polystyrene as the third layer, and the ethylene-methyl acrylate copolymer as the second layer are combined using a feed block and a multi-manifold die. A film was formed by extrusion. A film for electromagnetic wave shielding was prepared by coating the base material layer with the conductive adhesive layer as an electromagnetic wave shielding layer and the polyolefin emulsion as an insulating layer in this order.

実施例1Cの電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、160μmであり、第1の層の厚みは30μm、第3の層の厚みは30μm、第2の層の厚みは60μm、絶縁層の厚みは20μm、電磁波遮断層の厚みは20μmであった。   The total thickness of the electromagnetic wave shielding film of Example 1C is 160 μm, the thickness of the first layer is 30 μm, the thickness of the third layer is 30 μm, the thickness of the second layer is 60 μm, and the thickness of the insulating layer is The thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 20 μm.

また、実施例1Cの電磁波シールド用フィルムにおける、第1の層、第2の層および第3の層の平均線膨張係数を測定したところ、それぞれ、420、2400および420であった。   Moreover, when the average linear expansion coefficient of the 1st layer in the film for electromagnetic wave shields of Example 1C, the 2nd layer, and the 3rd layer was measured, they were 420, 2400, and 420, respectively.

さらに、基材層および電磁波遮断層の150℃における貯蔵弾性率を測定したところ、それぞれ、1.8E+07Pa、1.2E+07Paであった。   Furthermore, when the storage elastic modulus in 150 degreeC of the base material layer and the electromagnetic wave shielding layer was measured, they were 1.8E + 07 Pa and 1.2E + 07 Pa, respectively.

<電子部品の製造>
得られた電磁波シールド用フィルムを、パソコン用メモリー基板(サムスン(株)社製、商品名:DDR2 667 M470T6554EZ3−CE6 PC2−5300)(段差1,000μm)の表面に、温度150℃、圧力2.0MPaの条件で、5分間、真空圧空成形を行い、貼付を行った。貼付後、基材層のみ手作業で剥離し、電子部品を製造した。
<Manufacture of electronic components>
The obtained electromagnetic wave shielding film was placed on the surface of a personal computer memory substrate (trade name: DDR2 667 M470T6554EZ3-CE6 PC2-5300, manufactured by Samsung Corp.) (step: 1,000 μm) at a temperature of 150 ° C. and a pressure of 2. Affixing was performed by vacuum-pressure forming for 5 minutes under the condition of 0 MPa. After pasting, only the base material layer was peeled off manually to produce an electronic component.

(実施例2C)
電磁波遮断層として、導電性接着剤層(東洋紡(株)社製、商品名:DW−250H−5)とした以外は、実施例1Cと同様に行った。
(Example 2C)
The same operation as in Example 1C was performed except that a conductive adhesive layer (trade name: DW-250H-5, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was used as the electromagnetic wave shielding layer.

(実施例3C)
電磁波遮断層として、導電性接着剤層(東洋紡(株)社製、商品名:DW−250H−23)とした以外は、実施例1Cと同様に行った。
(Example 3C)
The same operation as in Example 1C was performed except that a conductive adhesive layer (trade name: DW-250H-23, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was used as the electromagnetic wave shielding layer.

(実施例4C)
電磁波遮断層として、導電性接着剤層(大研化学工業(株)社製、商品名:CA−2503−4B)とした以外は、実施例1Cと同様に行った。
(Example 4C)
The same operation as in Example 1C was performed except that a conductive adhesive layer (trade name: CA-2503-4B, manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd.) was used as the electromagnetic wave shielding layer.

(実施例5C)
遮断層を構成する樹脂として、吸収層として機能する導電吸収層にポリアニリン分散液(レグルス社製、商品名:PANI−PD、厚さ20μm)を準備したこと以外は、実施例1Cと同様に行った。
(Example 5C)
The same procedure as in Example 1C was performed except that a polyaniline dispersion (trade name: PANI-PD, thickness: 20 μm) manufactured by Regulus Co., Ltd. was prepared for the conductive absorption layer functioning as the absorption layer as the resin constituting the barrier layer. It was.

(実施例6C)
遮断層を構成する樹脂として、吸収層として機能する誘電吸収層に多層カーボンナノチューブ分散液(保土谷化学社製、商品名:NT−7K、厚さ20μm)を準備したこと以外は、実施例1Cと同様に行った。
(Example 6C)
Example 1C, except that a multilayer carbon nanotube dispersion (trade name: NT-7K, thickness: 20 μm, manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.) was prepared in the dielectric absorption layer functioning as the absorption layer as the resin constituting the barrier layer. As well as.

(実施例7C)
遮断層を構成する樹脂として、吸収層として機能する導電吸収層にPEDOT/PSS(中京油脂社製、商品名:S−941、厚さ20μm)を準備したこと以外は、実施例1Cと同様に行った。
(Example 7C)
As in Example 1C, except that PEDOT / PSS (manufactured by Chukyo Yushi Co., Ltd., trade name: S-941, thickness 20 μm) was prepared as the resin constituting the barrier layer in the conductive absorption layer functioning as the absorption layer. went.

(実施例8C)
遮断層を構成する樹脂として、反射層として機能する導電性接着剤層(東洋紡社製、商品名:DW260−H1、厚さ10μm)と、吸収層として機能する導電吸収層にポリアニリン分散液(レグルス社製、商品名:PANI−PD、厚さ10μm)とを準備し、これらをフィルムに、反射層、吸収層の順でコーティングしたこと以外は、実施例1Cと同様に行った。
(Example 8C)
As a resin constituting the blocking layer, a conductive adhesive layer (trade name: DW260-H1, manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness 10 μm) functioning as a reflective layer, and a polyaniline dispersion (Regulus) on a conductive absorption layer functioning as an absorption layer The product was manufactured in the same manner as Example 1C except that a product name, PANI-PD, thickness 10 μm) was prepared, and the film was coated on the film in the order of the reflective layer and the absorbing layer.

(実施例9C)
遮断層を構成する樹脂として、反射層として機能する導電性接着剤層(大研化学工業(株)社製、商品名:CA−2503−4B、厚さ10μm)と、吸収層として機能する誘電吸収層(PEDOT/PSS(中京油脂(株)社製、商品名:S−941、厚さ10μm)とを準備し、これらをフィルムに、反射層、吸収層の順でコーティングしたこと以外は、実施例1Cと同様に行った。
(Example 9C)
As a resin constituting the barrier layer, a conductive adhesive layer functioning as a reflective layer (manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: CA-2503-4B, thickness 10 μm), and a dielectric functioning as an absorption layer Absorbing layer (PEDOT / PSS (manufactured by Chukyo Yushi Co., Ltd., trade name: S-941, thickness 10 μm)), except that these were coated on the film in the order of the reflective layer and the absorbing layer, Performed in the same manner as Example 1C.

(実施例10C)
遮断層を構成する樹脂として、反射層として機能する導電性接着剤層(東洋紡社製、商品名:DW260−H1、厚さ10μm)と、吸収層として機能する導電吸収層にポリアニリン分散液(レグルス社製、商品名:PANI−PD、厚さ10μm)とを準備し、これらをフィルムに、吸収層、反射層の順でコーティングしたこと以外は、実施例1Cと同様に行った。
(Example 10C)
As a resin constituting the blocking layer, a conductive adhesive layer (trade name: DW260-H1, manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness 10 μm) functioning as a reflective layer, and a polyaniline dispersion (Regulus) on a conductive absorption layer functioning as an absorption layer The product was manufactured in the same manner as Example 1C, except that the product was manufactured by the company, trade name: PANI-PD, thickness 10 μm), and these were coated on the film in the order of the absorption layer and the reflection layer.

(実施例11C)
遮断層を構成する樹脂として、反射層として機能する導電性接着剤層(大研化学工業(株)社製、商品名:CA−2503−4B、厚さ10μm)と、吸収層として機能する誘電吸収層(PEDOT/PSS(中京油脂社製、商品名:S−941、厚さ10μm)とを準備し、これらをフィルムに、吸収層、反射層の順でコーティングしたこと以外は、実施例1Cと同様に行った。
(Example 11C)
As a resin constituting the barrier layer, a conductive adhesive layer functioning as a reflective layer (manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: CA-2503-4B, thickness 10 μm), and a dielectric functioning as an absorption layer Example 1C, except that an absorbent layer (PEDOT / PSS (manufactured by Chukyo Yushi Co., Ltd., trade name: S-941, thickness 10 μm)) was prepared, and these were coated on the film in the order of the absorbent layer and the reflective layer. As well as.

<評価試験>
実施例1C〜11Cで作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品についても、実施例1A〜26A、および比較例1A、2Aで作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品について実施したのと同様にして、形状追従性、離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第2の層シミ出し性、耐熱性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性の評価を行った。
以上の各実施例、比較例の評価結果を表3に示す。
<Evaluation test>
Regarding the electromagnetic wave shielding films or electronic parts produced in Examples 1C to 11C, the same method as that carried out for the electromagnetic wave shielding films or electronic parts produced in Examples 1A to 26A and Comparative Examples 1A and 2A was used. The shape following property, mold release property, goby folding resistance, base layer second layer spotting property, heat resistance, and electromagnetic wave shielding / punching workability were evaluated.
Table 3 shows the evaluation results of the above examples and comparative examples.

Figure 2014057041
Figure 2014057041

表3から明らかなように、実施例1C〜11Cに示したとおり、基材層の150℃における貯蔵弾性率を適切な範囲内に設定するばかりでなく、電磁波遮断層の150℃における貯蔵弾性率を適切な範囲内に設定することにより、良好な形状追従性を示し、さらに離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第2の層シミ出し性、耐熱性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性に関してもバランスよく優れたものとし得ることが判った。   As apparent from Table 3, as shown in Examples 1C to 11C, not only the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer was set within an appropriate range, but also the storage elastic modulus at 150 ° C. of the electromagnetic wave shielding layer. By setting the value within the appropriate range, good shape followability is exhibited, and further, mold release property, gond folding resistance, second layer spot bleeding property of the base material layer, heat resistance, electromagnetic wave shield cutting and punching It was found that the workability could be excellent in a balanced manner.

本発明に係る電磁波シールド用フィルムは、基板の設計自由度を高め、かつ軽量化・薄型化を図ることが可能であるとともに、500μm以上の凹凸6に対して、良好な形状追従性を有する電磁波シールド用フィルムである。   The electromagnetic wave shielding film according to the present invention increases the degree of design freedom of the substrate, can be reduced in weight and thickness, and has an excellent shape following property with respect to irregularities 6 of 500 μm or more. This is a shielding film.

100 電磁波シールド用フィルム
1 基材層
11 第1の層
12 第3の層
13 第2の層
2 絶縁層
3 電磁波遮断層
31 吸収層
32 反射層
4 電子部品
5 基板
6 凹凸
61 凸部
62 凹部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Electromagnetic wave shielding film 1 Base material layer 11 1st layer 12 3rd layer 13 2nd layer 2 Insulating layer 3 Electromagnetic wave shielding layer 31 Absorbing layer 32 Reflecting layer 4 Electronic component 5 Substrate 6 Concavity and convexity 61 Convex part 62 Concave part

Claims (17)

基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、
基材層と、該基材層の一方の面側に積層された絶縁層および電磁波遮断層とを含んで構成され、
前記基材層は、150℃における貯蔵弾性率が2.0E+05〜2.0E+08Paであることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
An electromagnetic wave shielding film used to coat unevenness on a substrate,
Comprising a base material layer, an insulating layer and an electromagnetic wave shielding layer laminated on one surface side of the base material layer,
The base material layer has a storage elastic modulus at 150 ° C. of 2.0E + 05 to 2.0E + 08 Pa.
前記基材層の120℃における貯蔵弾性率をA[Pa]とし、前記基材層の150℃における貯蔵弾性率をB[Pa]としたとき、0.02≦A/B≦1.00なる関係を満足する請求項1に記載の電磁波シールド用フィルム。   When the storage elastic modulus at 120 ° C. of the base material layer is A [Pa] and the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer is B [Pa], 0.02 ≦ A / B ≦ 1.00. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, which satisfies the relationship. 前記基材層は、第1の層と、第2の層と、第3の層とが他方の面側からこの順で積層された3層構成をなす積層体である請求項1または2に記載の電磁波シールド用フィルム。   The said base material layer is a laminated body which makes | forms the 3 layer structure on which the 1st layer, the 2nd layer, and the 3rd layer were laminated | stacked in this order from the other surface side. The film for electromagnetic wave shielding as described. 前記第1の層は、25〜150℃における平均線膨張係数が50〜1000[ppm/℃]である請求項3に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to claim 3, wherein the first layer has an average linear expansion coefficient at 25 to 150 ° C. of 50 to 1000 [ppm / ° C.]. 前記第1の層の厚みT(A)は、5μm以上、100μm以下である請求項3または4に記載の電磁波シールド用フィルム。   5. The electromagnetic wave shielding film according to claim 3, wherein a thickness T (A) of the first layer is 5 μm or more and 100 μm or less. 前記第3の層は、25〜150℃における平均線膨張係数が50〜1000[ppm/℃]である請求項3ないし5のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to any one of claims 3 to 5, wherein the third layer has an average linear expansion coefficient at 25 to 150 ° C of 50 to 1000 [ppm / ° C]. 前記第3の層の厚みT(B)は、5μm以上、100μm以下である請求項3ないし6のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to any one of claims 3 to 6, wherein a thickness T (B) of the third layer is 5 µm or more and 100 µm or less. 前記第2の層は、25〜150℃における平均線膨張係数が500以上[ppm/℃]である請求項3ないし7のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 3 to 7, wherein the second layer has an average linear expansion coefficient at 25 to 150 ° C of 500 or more [ppm / ° C]. 前記第2の層の厚みT(C)は、10μm以上、100μm以下である請求項3ないし8のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   9. The electromagnetic wave shielding film according to claim 3, wherein a thickness T (C) of the second layer is 10 μm or more and 100 μm or less. 前記第1の層の厚みT(A)と、前記第3の層の厚みT(B)と、前記第2の層の厚みT(C)は、下記関係式(I)を満たす請求項3ないし9のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。
0.05<T(C)/(T(A)+T(B))<10 ・・・ (I)
The thickness T (A) of the first layer, the thickness T (B) of the third layer, and the thickness T (C) of the second layer satisfy the following relational expression (I). The film for electromagnetic wave shields of any one of thru | or 9.
0.05 <T (C) / (T (A) + T (B)) <10 (I)
前記絶縁層と前記電磁波遮断層とは、前記一方の面側からこの順で積層された積層体をなしている請求項1ないし10のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to any one of claims 1 to 10, wherein the insulating layer and the electromagnetic wave shielding layer form a laminated body laminated in this order from the one surface side. 前記絶縁層は、熱可塑性を有する絶縁樹脂で構成されている請求項11に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to claim 11, wherein the insulating layer is made of an insulating resin having thermoplasticity. 前記絶縁層の厚みT(D)は、3μm以上、50μm以下である請求項11または12に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to claim 11 or 12, wherein a thickness T (D) of the insulating layer is 3 µm or more and 50 µm or less. 前記電磁波遮断層は、150℃における貯蔵弾性率が1.0E+05〜1.0E+09Paである請求項1ないし13のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding layer according to any one of claims 1 to 13, wherein the electromagnetic wave shielding layer has a storage elastic modulus at 150 ° C of 1.0E + 05 to 1.0E + 09Pa. 前記電磁波遮断層は、反射層と、吸収層とで構成され、これらが前記一方の面側からこの順で積層された積層体である請求項1ないし14のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding layer according to any one of claims 1 to 14, wherein the electromagnetic wave shielding layer is composed of a reflective layer and an absorbing layer, which are laminated in this order from the one surface side. Film. 当該電磁波シールド用フィルムを前記基板上の凹凸に温度150℃、圧力2MPa、時間5分の条件で熱圧着した際の形状追従性が、500μm以上、3,000μm以下である請求項1ないし15のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The shape following property when the electromagnetic wave shielding film is thermocompression bonded to the unevenness on the substrate under conditions of a temperature of 150 ° C, a pressure of 2 MPa, and a time of 5 minutes is 500 µm or more and 3,000 µm or less. The electromagnetic wave shielding film according to any one of the above items. 前記基板上の凹凸に、請求項1ないし16のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程と、
前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする電子部品の被覆方法。
An attaching step of attaching the electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 16 to the irregularities on the substrate so that the electromagnetic wave shielding layer or the insulating layer and the electronic component are adhered,
An electronic component coating method comprising: a peeling step of peeling the base material layer after the sticking step.
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