JP2016009809A - Film for electromagnetic wave shield and electronic component mounting board - Google Patents

Film for electromagnetic wave shield and electronic component mounting board Download PDF

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雅彦 渡邊
Masahiko Watanabe
雅彦 渡邊
白石 史広
Fumihiro Shiraishi
史広 白石
明徳 橋本
Akinori Hashimoto
明徳 橋本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a film for electromagnetic wave shield, capable of effectively shielding even an electromagnetic wave in a high frequency band such as a GHz order while being lightened in weight and reduced in thickness; and an electronic component mounting board on which an electronic component is mounted, the electronic component being covered with an electromagnetic wave shielding layer using the film for electromagnetic wave shield.SOLUTION: A film for electromagnetic wave shield includes a base material layer and an electromagnetic wave shielding layer laminated on the base material layer. The electromagnetic wave shielding layer contains carbon fibers and a thermoplastic resin, and the content of the carbon fibers in the electromagnetic wave shielding layer is 30 mass% or more. The thermoplastic resin is preferably a thermoplastic elastomer.

Description

本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板に関するものである。   The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film and an electronic component mounting substrate.

従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。   Conventionally, electronic components that are easily affected by electromagnetic waves, such as mobile phones and medical devices, exothermic electronic components such as semiconductor elements, various electronic components such as capacitors and coils, or these electronic components are mounted on a circuit board. In order to reduce the influence of noise caused by electromagnetic waves, an electromagnetic shielding film has been attached to the surface of the electronic devices.

このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる基材層と、基材層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが開発されている(例えば、特許文献1参照。)。   As such an electromagnetic wave shielding film, for example, a film having a base material layer made of an insulating material and a metal layer laminated on one or both surfaces of the base material layer has been developed (for example, Patent Documents). 1).

しかしながら、特許文献1に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。   However, as described in Patent Document 1, when the electromagnetic wave shielding film has a configuration having a metal layer, there is a problem that it is not possible to cope with the reduction in weight and thickness that has been increasingly demanded in recent years.

さらに、上述の通り、電磁波シールド用フィルムを貼付する電子機器が多様化し、これに応じて、遮断すべきノイズである電磁波の周波数も多様化しており、電磁波シールド用フィルムは、GHzオーダーのように高周波帯域のものまで効果的に遮断し得ることが求められている。   Furthermore, as described above, the electronic devices to which the electromagnetic wave shielding film is attached are diversified, and accordingly, the frequency of electromagnetic waves, which are noises to be blocked, is diversified, and the electromagnetic wave shielding film is in the order of GHz. It is demanded that even the high frequency band can be effectively cut off.

特開2006−156946公報JP 2006-156946 A

本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、GHzオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供することにある。   An object of the present invention is to reduce the weight and thickness, and to effectively shield electromagnetic waves in a high frequency band as in the GHz order, and a substrate using such an electromagnetic wave shielding film. It is an object of the present invention to provide an electronic component mounting substrate in which an electronic component mounted thereon is covered with an electromagnetic wave shielding layer.

このような目的は、下記(1)〜(9)に記載の本発明により達成される。
(1)電磁波遮断層を有するフィルムであって、
前記電磁波遮断層は、カーボンファイバーと、熱可塑性樹脂を含有し、カーボンファイバーが、前記電磁波遮断層中、30質量%以上含有することを特徴する電磁波シールド用フィルム。
(2)前記熱可塑性樹脂が熱可塑性エラストマーであることを特徴とする(1)記載の電磁波シールド用フィルム。
(3)前記熱可塑性エラストマーがスチレン系エラストマーであることを特徴とする(1)または(2)に記載の電磁波シールド用フィルム。
(4)前記カーボンファイバーの、アスペクト比が5以上200以下であることを特徴とする(1)ないし(3)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。
(5)前記電磁波遮断層は、周波数0.2〜1GHzの電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が5dB以上である(1)ないし(4)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。
(6)前記電磁波遮断層は、周波数0.2〜1GHzの電磁波における、KEC法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が7dB以上である(1)ないし(5)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。
(7)前記電磁波遮断層の厚さは、1μm以上、150μm以下である(1)ないし(6)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。
(8)前記電磁波遮断層の片面に積層された基材層を備える(1)ないし(7)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。
(9)前記電磁波遮断層の片面に積層された絶縁層を備える(1)ないし(7)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。
(10)前記電磁波遮断層の片面に積層された基材層を備え、さらに前記基材層と反対側の面に積層された絶縁層を備える(1)ないし(7)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。
(11)当該電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる(1)ないし(10)のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。
(11)基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および電子部品を被覆する、電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、カーボンファイバーと、熱可塑性樹脂を含有することを特徴する電子部品搭載基板。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (9).
(1) A film having an electromagnetic wave shielding layer,
The electromagnetic wave shielding layer contains carbon fiber and a thermoplastic resin, and the carbon fiber contains 30% by mass or more in the electromagnetic wave shielding layer.
(2) The electromagnetic shielding film according to (1), wherein the thermoplastic resin is a thermoplastic elastomer.
(3) The electromagnetic shielding film according to (1) or (2), wherein the thermoplastic elastomer is a styrene elastomer.
(4) The film for electromagnetic wave shield according to any one of (1) to (3), wherein the carbon fiber has an aspect ratio of 5 or more and 200 or less.
(5) Any one of (1) to (4), wherein the electromagnetic wave shielding layer has an electromagnetic wave shielding effect of 5 dB or more when measured using a microstripline method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.2 to 1 GHz. Film for electromagnetic wave shielding as described in 2.
(6) The electromagnetic wave shielding layer according to any one of (1) to (5), wherein the electromagnetic wave shielding layer has an electromagnetic wave shielding effect of 7 dB or more when measured using the KEC method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.2 to 1 GHz. Electromagnetic shielding film.
(7) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (6), wherein the electromagnetic wave shielding layer has a thickness of 1 μm or more and 150 μm or less.
(8) The film for electromagnetic wave shielding according to any one of (1) to (7), comprising a base material layer laminated on one surface of the electromagnetic wave shielding layer.
(9) The film for electromagnetic wave shielding according to any one of (1) to (7), comprising an insulating layer laminated on one side of the electromagnetic wave shielding layer.
(10) The method according to any one of (1) to (7), further including a base material layer laminated on one side of the electromagnetic wave shielding layer, and further comprising an insulating layer laminated on a surface opposite to the base material layer. The film for electromagnetic wave shielding as described.
(11) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (10), wherein the electromagnetic wave shielding film is used for covering irregularities on a substrate.
(11) An electronic component mounting substrate having a substrate, an electronic component mounted on the substrate, and an electromagnetic wave shielding layer that covers the substrate and the electronic component from the side of the substrate on which the electronic component is mounted. Because
The electronic component mounting substrate, wherein the electromagnetic wave shielding layer contains carbon fiber and a thermoplastic resin.

本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが、基材層と、カーボンファイバーと、熱可塑性樹脂を主材料として含有する電磁波遮断層とを含んで構成されることにより、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、GHzオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる。   According to the present invention, the electromagnetic wave shielding film comprises a base material layer, a carbon fiber, and an electromagnetic wave shielding layer containing a thermoplastic resin as a main material, thereby reducing the weight of the electromagnetic wave shielding layer. The thickness can be reduced, and electromagnetic waves in a high frequency band can be effectively blocked as in the GHz order.

本発明の電磁波シールド用フィルムの第1実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 1st Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 図1に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the coating method of an electronic component using the electromagnetic wave shielding film shown in FIG. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第2実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 2nd Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第3実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 3rd Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第4実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 4th Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第5実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 5th Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第5実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 5th Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 本発明の電磁波シールド用フィルムの第5実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 5th Embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention.

以下、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。   Hereinafter, an electromagnetic wave shielding film and an electronic component mounting substrate of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

本発明の電磁波シールド用フィルムは、カーボンファイバーと、熱可塑性樹脂を含有する電磁波遮断層とを含んで構成されることを特徴する。   The electromagnetic wave shielding film of the present invention is characterized by comprising a carbon fiber and an electromagnetic wave shielding layer containing a thermoplastic resin.

このような電磁波シールド用フィルムによれば、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図る
ことができるとともに、GHzオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断す
ることができる。
<電磁波シールド用フィルム>
<第1実施形態>
図1は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第1実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
According to such an electromagnetic wave shielding film, the electromagnetic wave shielding layer can be reduced in weight and thickness, and can effectively block electromagnetic waves in a high frequency band as in the GHz order.
<Electromagnetic wave shielding film>
<First Embodiment>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of an electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIG. 1 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

なお、本実施形態では、本発明の電磁波シールド用フィルムを、基板5上の凹凸6を被覆するために用いる場合を、一例に説明する。   In the present embodiment, a case where the electromagnetic wave shielding film of the present invention is used to cover the unevenness 6 on the substrate 5 will be described as an example.

図1に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム100は、基材層1と、絶縁層2と、電磁波遮断層3とを含んで構成され、絶縁層2および電磁波遮断層3は、基材層1の下面(一方の面)側から、絶縁層2が基材層1に接触して、この順で積層されている。   As shown in FIG. 1, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes a base material layer 1, an insulating layer 2, and an electromagnetic wave shielding layer 3, and the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are The insulating layer 2 contacts the base material layer 1 from the lower surface (one surface) side of the base material layer 1 and is laminated in this order.

また、基材層1は、第1の層11と、第2の層13と、第3の層12とで構成され、これらが基材層1の上面(他方の面)側から、この順で積層されている。   The base material layer 1 includes a first layer 11, a second layer 13, and a third layer 12, which are arranged in this order from the upper surface (the other surface) side of the base material layer 1. Are stacked.

なお、以下では、基板5上に電子部品4が搭載(載置)され、この電子部品4の搭載により基板5上に凸部61と凹部62とからなる凹凸6が形成されており、この凹凸6を電磁波シールド用フィルム100で被覆する場合について説明する。なお、基板5上に搭載する電子部品4としては、例えば、フレキシブル回路基板(FPC)上に搭載されているLCDドライバーIC、タッチパネル周辺のIC+コンデンサーまたは電子回路基板(マザーボード)が挙げられる。   In the following description, the electronic component 4 is mounted (placed) on the substrate 5, and the unevenness 6 including the convex portions 61 and the concave portions 62 is formed on the substrate 5 by mounting the electronic component 4. The case where 6 is covered with the electromagnetic wave shielding film 100 will be described. Examples of the electronic component 4 mounted on the substrate 5 include an LCD driver IC mounted on a flexible circuit board (FPC), an IC + capacitor around the touch panel, or an electronic circuit board (motherboard).

<基材層1>
まず、基材層1について説明する。
<Base material layer 1>
First, the base material layer 1 will be described.

基材層1は、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム100を用いて、基板5上の凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込むことで、この凹凸6を被覆する際に、絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込み(埋め込み)、これら絶縁層2および電磁波遮断層3の凹凸6に対する形状追従性を向上させるための基材として機能するものである。また、剥離工程において、凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込んだ状態で、これらから剥離するものである。   When the base material layer 1 covers the unevenness 6 by pressing the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 into the unevenness 6 on the substrate 5 using the electromagnetic wave shielding film 100 in the attaching step, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pressed (embedded), and the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 function as a base material for improving the shape followability to the unevenness 6. Further, in the peeling step, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pressed into the unevenness 6 and peeled from these.

また、この基材層1の150℃における貯蔵弾性率は、2.0E+05〜2.0E+08Paであるのが好ましく、1.0E+06〜1.0E+08Paであるのがより好ましく、3.0E+06〜6.0E+07Paであるのがさらに好ましい。前記貯蔵弾性率を前記範囲内とすることにより、基板5に設けられた凹凸6における段差が500μm以上、好ましくは1.0〜3.0mmのもののように段差が大きいものであったり、前記凹凸6における凸部61同士の離間距離(ピッチ)が200μm以下、好ましくは100μm〜150μmのもののように離間距離が小さいものであったとしても、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。   Moreover, it is preferable that the storage elastic modulus in 150 degreeC of this base material layer 1 is 2.0E + 05-2.0E + 08Pa, It is more preferable that it is 1.0E + 06-1.0E + 08Pa, 3.0E + 06-6.0E + 07Pa More preferably. By setting the storage elastic modulus within the above range, the step in the unevenness 6 provided on the substrate 5 is 500 μm or more, preferably a large step such as 1.0 to 3.0 mm, or the unevenness 6, the separation distance (pitch) between the convex portions 61 is 200 μm or less, preferably 100 μm to 150 μm, even if the separation distance is small. It can be pushed in reliably in the corresponding state.

また、基材層1は、25℃における貯蔵弾性率が1.0E+07〜1.0E+10Paであるのが好ましく、5.0E+08〜5.0E+09Paであるのがより好ましい。このように、常温(室温)時、すなわち25℃における貯蔵弾性率を前記範囲内に設定することにより、基材層1を、電磁波シールド用フィルム100の加熱前には液状ではなく固形状をなし、電磁波シールド用フィルム100の加熱時には半固形状(ゲル状)をなすものとすることができる。そのため、基材層1(電磁波シールド用フィルム100)の基板5への貼付時には、基材層1を基板5に対してシワ等を生じさせることなく貼付することができ、また規定のサイズにカットする際の作業性も向上するとともに、基板5に設けられた凹凸6への押し込み時には、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6が有する凹部62内に、この基材層1をもって確実に押し込むことができる。なお、かかる貯蔵弾性率の特性を有する基材層1は、少なくとも第1の層11および第3の層12が熱可塑性樹脂で構成され、貼付工程における電磁波シールド用フィルム100の加熱後においても、その25℃における貯蔵弾性率が前記範囲内を維持しているのが好ましい。これにより、剥離工程において、絶縁層2から基材層1を容易に剥離させることができる。   Moreover, it is preferable that the storage elastic modulus in 25 degreeC is 1.0E + 07-1.0E + 10Pa, and, as for the base material layer 1, it is more preferable that it is 5.0E + 08-5.0E + 09Pa. Thus, by setting the storage elastic modulus at room temperature (room temperature), that is, at 25 ° C., within the above range, the base material layer 1 is not liquid but solid before heating the electromagnetic shielding film 100. When the electromagnetic wave shielding film 100 is heated, it may be semi-solid (gel). Therefore, when the base material layer 1 (electromagnetic wave shielding film 100) is attached to the substrate 5, the base material layer 1 can be attached to the substrate 5 without causing wrinkles or the like, and cut to a specified size. In addition to improving the workability, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are surely pushed into the concave portion 62 of the concave and convex portion 6 with the base material layer 1 when pushed into the concave and convex portion 6 provided on the substrate 5. be able to. In addition, the base material layer 1 having such storage elastic modulus characteristics is such that at least the first layer 11 and the third layer 12 are made of a thermoplastic resin, and even after the heating of the electromagnetic wave shielding film 100 in the attaching step, The storage elastic modulus at 25 ° C. is preferably maintained within the above range. Thereby, the base material layer 1 can be easily peeled from the insulating layer 2 in the peeling step.

さらに、基材層1の120℃における貯蔵弾性率をA[Pa]とし、基材層1の150℃における貯蔵弾性率をB[Pa]としたとき、0.02≦A/B≦1.00なる関係を満足するのが好ましく、0.02≦A/B≦0.50なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足する基材層1は、その加熱時において、加熱時の温度変化に起因する基材層1の貯蔵弾性率の変化の幅が小さいものと言うことができる。したがって、加熱時の温度条件をたとえ変化させたとしても、この温度変化に起因する基材層1の貯蔵弾性率の変化の幅を必要最小限にとどめることができるため、室温および、加温時に、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6が有する凹部62内に、この基材層1をもってより確実に押し込むことができる。   Furthermore, when the storage elastic modulus at 120 ° C. of the base material layer 1 is A [Pa] and the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer 1 is B [Pa], 0.02 ≦ A / B ≦ 1. It is preferable to satisfy the relationship of 00, and it is more preferable to satisfy the relationship of 0.02 ≦ A / B ≦ 0.50. It can be said that the base material layer 1 satisfying such a relationship has a small range of change in the storage elastic modulus of the base material layer 1 due to the temperature change during the heating. Therefore, even if the temperature condition at the time of heating is changed, the range of change in the storage elastic modulus of the base material layer 1 due to this temperature change can be kept to the minimum necessary. The insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 can be more reliably pushed into the concave portion 62 of the concave and convex portion 6 by the base material layer 1.

このように、絶縁層2および電磁波遮断層3の凹凸6に対する形状追従性を向上させるための基材として機能する基材層1の加熱時における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム100を用いて、基板5上の凹凸6を被覆する際に、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。その結果、この凹凸6が設けられた基板5を、電磁波遮断層3をもって確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層3による凹凸6が設けられた基板5に対する電磁波シールド(遮断)性が向上することとなる。   Thus, by setting the storage elastic modulus at the time of heating of the base material layer 1 functioning as a base material for improving the shape followability to the unevenness 6 of the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 within the above range. When the unevenness 6 on the substrate 5 is covered using the electromagnetic wave shielding film 100, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 can be reliably pushed in a state corresponding to the shape of the unevenness 6. As a result, since the substrate 5 provided with the unevenness 6 can be reliably covered with the electromagnetic wave shielding layer 3, the electromagnetic wave shielding (blocking) property to the substrate 5 provided with the unevenness 6 by the electromagnetic wave shielding layer 3 is provided. Will be improved.

なお、各層の25℃、120℃および150℃における貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置(セイコーインスツルメント社製、「DMS6100」)を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、25〜200℃まで、49mNの一定荷重の引張モードで昇温速度5℃/分、周波数1Hzで測定し、25℃、120℃および150℃での貯蔵弾性率を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。   In addition, the storage elastic modulus in 25 degreeC, 120 degreeC, and 150 degreeC of each layer is the storage elastic modulus of each layer which should be measured, for example using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (the Seiko Instruments company make, "DMS6100"). Is measured from 25 to 200 ° C. in a tensile mode with a constant load of 49 mN at a heating rate of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz, and the storage elastic moduli at 25 ° C., 120 ° C. and 150 ° C. are respectively read. be able to.

本実施形態では、基材層1は、第1の層11と、第2の層13と、第3の層12とで構成され、これらが基材層1の上面(他方の面)側から、この順で積層されたものであり、上述したように、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応して押し込むことができるように、これら各層11〜13の種類、および厚さ等が適宜組み合わされる。   In the present embodiment, the base material layer 1 includes a first layer 11, a second layer 13, and a third layer 12, which are from the upper surface (the other surface) side of the base material layer 1. These layers are laminated in this order, and as described above, the types and thicknesses of these layers 11 to 13 can be pressed so that the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 can be pressed in accordance with the shape of the irregularities 6. Etc. are appropriately combined.

以下、これら各層11〜13について、それぞれ、説明する。   Hereinafter, each of these layers 11 to 13 will be described.

第1の層11は、貼付工程において、基板5上の凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を、例えば、真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込む際に、真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部との離型性の機能を付与するためのものである。また、第2の層13側に押圧部からの押圧力を伝播するためのものである。   The first layer 11 is a pressing force possessed by a vacuum pressure laminator or the like when the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed into the unevenness 6 on the substrate 5 using, for example, a vacuum pressure laminator or the like in the pasting step. This is to provide a function of releasability with the part. Moreover, it is for propagating the pressing force from a pressing part to the 2nd layer 13 side.

この第1の層(第1離型層)11の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するものを用いることにより、ポリスチレンを、結晶性を備えるものとすることができるため、これに起因して、第1の層11の装置との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。   The constituent material of the first layer (first release layer) 11 is not particularly limited. For example, a resin such as syndiotactic polystyrene, polymethylpentene, polybutylene terephthalate, polypropylene, cyclic olefin polymer, and silicone. Materials. Among these, it is preferable to use syndiotactic polystyrene. Thus, since polystyrene can be provided with crystallinity by using what has a syndiotactic structure as polystyrene, the mold release from the apparatus of the 1st layer 11 originates in this. Properties, heat resistance and shape followability can be improved.

第1の層11に前記シンジオタクチックポリスチレンを用いる場合、その含有量は、特に制限されないが、60重量%以上であることが好ましく、70重量%以上、95重量%以下であることがより好ましく、さらには80重量%以上、90重量%以下であることが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第1の層11の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第1の層11の形状追従性が不足するおそれがある。   When the syndiotactic polystyrene is used for the first layer 11, the content thereof is not particularly limited, but is preferably 60% by weight or more, more preferably 70% by weight or more and 95% by weight or less. Further, it is preferably 80% by weight or more and 90% by weight or less. When content of syndiotactic polystyrene is less than the said lower limit, there exists a possibility that the releasability of the 1st layer 11 may fall. Moreover, when content of syndiotactic polystyrene exceeds the said upper limit, there exists a possibility that the shape followability of the 1st layer 11 may become insufficient.

なお、第1の層11は、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わない。また、第1の層11は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。  The first layer 11 may be composed of only syndiotactic polystyrene. The first layer 11 may further contain a styrene elastomer, polyethylene, polypropylene, or the like in addition to the syndiotactic polystyrene.

第1の層11の厚みT(A)は、特に限定されないが、5μm以上、100μm以下であることが好ましく、10μm以上、70μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは20μm以上、50μm以下である。第1の層11の厚みが前記下限値未満である場合、第1の層11が破断し、その離型性が低下するおそれがある。また、第1の層11の厚みが前記上限値を超える場合、基材層1の形状追従性が低下し、電磁波遮断層3および絶縁層2の形状追従性が低下するおそれがある。   The thickness T (A) of the first layer 11 is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably 10 μm or more and 70 μm or less, and further preferably 20 μm or more and 50 μm or less. is there. When the thickness of the 1st layer 11 is less than the said lower limit, the 1st layer 11 may fracture | rupture and there exists a possibility that the release property may fall. Moreover, when the thickness of the 1st layer 11 exceeds the said upper limit, the shape followability of the base material layer 1 may fall, and there exists a possibility that the shape followability of the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 may fall.

また、第1の層11の25〜150℃における平均線膨張係数は、50〜1000[ppm/℃]であるのが好ましく、100〜700[ppm/℃]であるのがより好ましい。第1の層11の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム100の加熱時において、第1の層11は、優れた伸縮性を有するものとなるため、電磁波遮断層3および絶縁層2の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。  Moreover, it is preferable that the average linear expansion coefficient in 25-150 degreeC of the 1st layer 11 is 50-1000 [ppm / degrees C], and it is more preferable that it is 100-700 [ppm / degrees C]. By setting the average linear expansion coefficient of the first layer 11 within such a range, the first layer 11 has excellent stretchability when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. The shape followability with respect to the unevenness 6 of the layer 3 and the insulating layer 2 can be improved more reliably.

なお、各層の平均線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置(セイコーインスツルメント社製、「TMASS6100」)を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、25〜200℃まで、49mNの一定荷重の引張モードで昇温速度5℃/分で測定し、25℃〜150℃での平均線膨張係数を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。  In addition, the average linear expansion coefficient of each layer is, for example, a storage elastic modulus of each layer to be measured from 25 to 200 ° C., 49 mN using a thermomechanical analyzer (“TMASS6100” manufactured by Seiko Instruments Inc.). The average linear expansion coefficient at 25 ° C. to 150 ° C. can be obtained by measuring at a temperature rising rate of 5 ° C./min in a constant load tension mode.

さらに、第1の層11の表面張力は、20〜40[mN/m]であるのが好ましく、25〜35[mN/m]であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第1の層11を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第1の層11を剥離させることができる。  Furthermore, the surface tension of the first layer 11 is preferably 20 to 40 [mN / m], and more preferably 25 to 35 [mN / m]. The first layer 11 having a surface tension within such a range can be said to have excellent releasability, and the first layer 11 is peeled from the pressing portion after being pressed using a vacuum pressure laminator or the like. Can be made.

第3の層12は、貼付工程において、基板5上の凹凸6に対する絶縁層2および電磁波遮断層3の押し込みを、真空加圧式ラミネーター等を用いて実施した後に、剥離工程において、基材層1を絶縁層2から剥離する際に、基材層1に剥離性の機能を付与するためのものである。また、基板5上の凹凸形状に応じて、第3の層12が追従する追従性の機能を有し、かつ、絶縁層2側に、押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つものである。  The third layer 12 is formed by pressing the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 against the unevenness 6 on the substrate 5 using a vacuum pressure laminator or the like in the attaching step, and then in the peeling step. When the layer is peeled from the insulating layer 2, the base layer 1 is provided with a peelable function. Moreover, according to the uneven | corrugated shape on the board | substrate 5, it has the function of the tracking property which the 3rd layer 12 follows, and also has the function to propagate the pressing force from a press part on the insulating layer 2 side. is there.

この第3の層(第2離型層)12の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するものを用いることにより、ポリスチレンを、結晶性を備えるものとすることができるため、これに起因して、第3の層12の絶縁層2との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。  The constituent material of the third layer (second release layer) 12 is not particularly limited. For example, syndiotactic polystyrene, polymethylpentene, polybutylene terephthalate, polypropylene, cyclic olefin polymer, resin such as silicone Materials. Among these, it is preferable to use syndiotactic polystyrene. Thus, since polystyrene can be provided with crystallinity by using what has a syndiotactic structure as polystyrene, it originates in this, and with the insulating layer 2 of the 3rd layer 12 The mold releasability, as well as the heat resistance and shape followability can be improved.

第3の層12における前記シンジオタクチックポリスチレンの含有量は、特に制限されず、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わないが、60重量%以上であることが好ましく、70重量%以上、95重量%以下であることがより好ましく、さらには80重量%以上、90重量%以下であることが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第3の層12の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第3の層12の形状追従性が不足するおそれがある。  The content of the syndiotactic polystyrene in the third layer 12 is not particularly limited and may be composed only of syndiotactic polystyrene, but is preferably 60% by weight or more, and 70% by weight or more. 95% by weight or less, more preferably 80% by weight or more and 90% by weight or less. When content of syndiotactic polystyrene is less than the said lower limit, there exists a possibility that the mold release property of the 3rd layer 12 may fall. Moreover, when content of a syndiotactic polystyrene exceeds the said upper limit, there exists a possibility that the shape followability of the 3rd layer 12 may become insufficient.

なお、第3の層12は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。また、第3の層12と、前記第1の層11とを構成する樹脂は、同じであっても異なっていても構わない。  The third layer 12 may further contain a styrene elastomer, polyethylene, polypropylene, or the like in addition to the syndiotactic polystyrene. Further, the resin constituting the third layer 12 and the first layer 11 may be the same or different.

第3の層12の厚みT(B)は、特に限定されないが、5μm以上、100μm以下であることが好ましく、10μm以上、70μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは20μm以上、50μm以下である。第3の層12の厚みが前記下限値未満である場合、耐熱性が不足し、熱圧着工程で基材層の耐熱性が不足し、変形が発生し、電磁波遮断層および絶縁層が変形するおそれがある。また、第3の層12の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム全体の総厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下するおそれがあり、また、コスト面でも経済的ではない。  The thickness T (B) of the third layer 12 is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably 10 μm or more and 70 μm or less, and further preferably 20 μm or more and 50 μm or less. is there. When the thickness of the third layer 12 is less than the lower limit, the heat resistance is insufficient, the heat resistance of the base material layer is insufficient in the thermocompression bonding process, deformation occurs, and the electromagnetic wave shielding layer and the insulating layer are deformed. There is a fear. Moreover, when the thickness of the 3rd layer 12 exceeds the said upper limit, the total thickness of the whole film for electromagnetic wave shielding becomes thick, there exists a possibility that workability | operativity, such as a cut, may fall, and it is not economical also in terms of cost. .

なお、第3の層12と、第1の層11の厚みは、同じであっても異なっていても構わない。  The thicknesses of the third layer 12 and the first layer 11 may be the same or different.

また、第3の層12の25〜150℃における平均線膨張係数は、50〜1000[ppm/℃]であるのが好ましく、100〜700[ppm/℃]であるのがより好ましい。第3の層12の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム100の加熱時において、第3の層12は、優れた伸縮性を有するものとなるため、第3の層12、さらには電磁波遮断層3および絶縁層2の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   Moreover, it is preferable that the average linear expansion coefficient in 25-150 degreeC of the 3rd layer 12 is 50-1000 [ppm / degreeC], and it is more preferable that it is 100-700 [ppm / degreeC]. By setting the average linear expansion coefficient of the third layer 12 within this range, the third layer 12 has excellent stretchability when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. The shape followability of the layer 12 and the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 with respect to the irregularities 6 can be improved more reliably.

さらに、第3の層12の表面張力は、20〜40[mN/m]であるのが好ましく、25〜35[mN/m]であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第3の層12を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、基材層1を絶縁層2から剥離する際に、第3の層12と絶縁層2との界面において、基材層1を確実に剥離させることができる。   Furthermore, the surface tension of the third layer 12 is preferably 20 to 40 [mN / m], and more preferably 25 to 35 [mN / m]. The third layer 12 having a surface tension within such a range can be said to have excellent releasability, and the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2 after being pushed in using a vacuum pressure laminator or the like. In doing so, the base material layer 1 can be reliably peeled off at the interface between the third layer 12 and the insulating layer 2.

第2の層13は、貼付工程において、基材層1を押し込み用の基材として用いて基板5上の凹凸6に対して絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込む際に、第3の層12を、凹凸6に対して押し込む(埋め込む)ためのクッション機能を有するものである。また、第2の層13は、この押し込む力を、第3の層12、さらには、この第3の層12を介して絶縁層2および電磁波遮断層3に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、電磁波遮断層3と凹凸6との間にボイドを発生させることなく、絶縁層2および電磁波遮断層3を凹凸6に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。  The second layer 13 is a third layer when the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pressed into the unevenness 6 on the substrate 5 using the base material layer 1 as a pressing base material in the attaching step. 12 has a cushioning function for pushing (embedding) 12 into the irregularities 6. Further, the second layer 13 has a function of causing the pushing force to uniformly act on the third layer 12 and further on the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 via the third layer 12. Thus, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 can be pushed into the irregularities 6 with excellent sealing properties without generating voids between the electromagnetic wave shielding layer 3 and the irregularities 6.

この第2の層(クッション層)13の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、(メタ)アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと(メタ)アクリル酸との共重合体(EMMA)、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第3の層12の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第2の層13に、第3の層12を凹凸6に対して押し込む(埋め込む)ためのクッション機能を確実に付与することができる。   As a constituent material of the second layer (cushion layer) 13, for example, an α-olefin polymer such as polyethylene or polypropylene, ethylene, propylene, butene, pentene, hexene, methylpentene, or the like is included as a copolymer component. Engineering plastics resins such as α-olefin copolymer, polyethersulfone, polyphenylene sulfide and the like may be used, and these may be used alone or in combination. Among these, it is preferable to use an α-olefin copolymer. Specifically, a copolymer of α-olefin such as ethylene and (meth) acrylic acid ester, a copolymer of ethylene and vinyl acetate, a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid (EMMA), And a partial ion cross-linked product thereof. Since the α-olefin copolymer is excellent in shape followability and further excellent in flexibility as compared with the constituent material of the third layer 12, the second layer 13 made of the constituent material has the The cushion function for pushing (embedding) the third layer 12 into the unevenness 6 can be surely provided.

第2の層13の厚みT(C)は、特に限定されないが、10μm以上、100μm以下であることが好ましく、20μm以上、80μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは30μm以上、60μm以下である。第2の層13の厚みが前記下限値未満である場合、第2の層13の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸6への追従性が不足するというおそれがある。また、第2の層13の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第2の層13からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。  The thickness T (C) of the second layer 13 is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 100 μm or less, more preferably 20 μm or more and 80 μm or less, and further preferably 30 μm or more and 60 μm or less. is there. When the thickness of the second layer 13 is less than the lower limit value, the shape followability of the second layer 13 is insufficient, and the followability to the unevenness 6 may be insufficient in the thermocompression bonding step. Further, when the thickness of the second layer 13 exceeds the upper limit value, the resin from the second layer 13 is increased in the thermocompression bonding process, and adheres to the hot platen of the crimping apparatus, thereby reducing workability. There is a risk of doing.

また、第2の層13の25〜150℃における平均線膨張係数は、500以上[ppm/℃]であるのが好ましく、1000以上[ppm/℃]であるのがより好ましい。第2の層13の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム100の加熱時において、第2の層13を、第3の層12と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第2の層13、さらには電磁波遮断層3および絶縁層2の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。  The average linear expansion coefficient of the second layer 13 at 25 to 150 ° C. is preferably 500 or more [ppm / ° C.], more preferably 1000 or more [ppm / ° C.]. By setting the average linear expansion coefficient of the second layer 13 within such a range, the second layer 13 can be expanded and contracted more excellently than the third layer 12 when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. It can be made easy to have a property. Therefore, the shape followability of the second layer 13 and the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 with respect to the irregularities 6 can be improved more reliably.

なお、各層11〜13の平均線膨張係数を、それぞれ、前述した範囲内において適宜設定することで、基材層1の150℃における貯蔵弾性率を2.0E+05〜2.0E+08Paの範囲内に容易に設定することができる。  In addition, it is easy to set the storage elastic modulus at 150 ° C. of the base material layer 1 within the range of 2.0E + 05 to 2.0E + 08 Pa by appropriately setting the average linear expansion coefficient of each layer 11 to 13 within the above-described range. Can be set to

また、第1の層11の厚みT(A)と、第3の層12の厚みT(B)と、第2の層13の厚みT(C)とは、例えば、次の関係式を満たすことが好ましく、
0.05<T(C)/(T(A)+T(B))<10、
次の関係式を満たすことがより好ましく、
0.14<T(C)/(T(A)+T(B))<4、
さらに好ましくは次の関係式を満たすことである、
0.3<T(C)/(T(A)+T(B))<1.5。
The thickness T (A) of the first layer 11, the thickness T (B) of the third layer 12, and the thickness T (C) of the second layer 13 satisfy the following relational expression, for example. Preferably
0.05 <T (C) / (T (A) + T (B)) <10,
More preferably, the following relational expression is satisfied:
0.14 <T (C) / (T (A) + T (B)) <4,
More preferably, the following relational expression is satisfied:
0.3 <T (C) / (T (A) + T (B)) <1.5.

第1の層11の厚みT(A)と、第3の層12の厚みT(B)と、第2の層13の厚みT(C)とが、前記関係式を満たすことにより、形状追従性がより向上する。  When the thickness T (A) of the first layer 11, the thickness T (B) of the third layer 12, and the thickness T (C) of the second layer 13 satisfy the relational expression, the shape follows. More improved.

基材層1の全体の厚みT(F)は、特に限定されないが、20μm以上、300μm以下であることが好ましく、40μm以上、220μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは70μm以上、160μm以下である。基材層1の全体の厚みが前記下限値未満である場合、第1の層11が破断し、基材層1の離型性が低下するというおそれがある。また、基材層1の全体の厚みが前記上限値を超える場合、基材層1の形状追従性が低下し、電磁波遮断層3および絶縁層2の形状追従性が低下するというおそれがある。
<絶縁層2>
次に、絶縁層2について説明する。
The total thickness T (F) of the base material layer 1 is not particularly limited, but is preferably 20 μm or more and 300 μm or less, more preferably 40 μm or more and 220 μm or less, and further preferably 70 μm or more and 160 μm or less. It is. When the whole thickness of the base material layer 1 is less than the said lower limit, the 1st layer 11 may fracture | rupture and there exists a possibility that the releasability of the base material layer 1 may fall. Moreover, when the whole thickness of the base material layer 1 exceeds the said upper limit, there exists a possibility that the shape followability of the base material layer 1 may fall and the shape followability of the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 may fall.
<Insulating layer 2>
Next, the insulating layer 2 will be described.

絶縁層2は、本実施形態では、基材層1(第3の層12)に接触して設けられ、基材層1側から絶縁層2、電磁波遮断層3の順で積層されている。このように積層された絶縁層2および電磁波遮断層3を備える電磁波シールド用フィルム100を用いて基板5上の凹凸6を被覆することで、基板5および電子部品4に電磁波遮断層3が接触し、基板5側から電磁波遮断層3、絶縁層2の順で被覆することとなる。  In this embodiment, the insulating layer 2 is provided in contact with the base material layer 1 (third layer 12), and is laminated in the order of the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 from the base material layer 1 side. The electromagnetic wave shielding layer 3 comes into contact with the substrate 5 and the electronic component 4 by covering the unevenness 6 on the substrate 5 with the electromagnetic wave shielding film 100 including the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 laminated in this manner. The electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 are coated in this order from the substrate 5 side.

このように、本実施形態では、絶縁層2は、基板5および電子部品4を、電磁波遮断層3を介して被覆し、これにより、基板5、電子部品4および電磁波遮断層3を、絶縁層2を介して基板5と反対側に位置する他の部材(電子部品等)から絶縁する。  Thus, in the present embodiment, the insulating layer 2 covers the substrate 5 and the electronic component 4 via the electromagnetic wave shielding layer 3, whereby the substrate 5, the electronic component 4 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are covered with the insulating layer. 2 to insulate from other members (such as electronic components) located on the opposite side of the substrate 5.

この絶縁層2としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂(絶縁フィルム)が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、貼付工程において、基材層1を押し込み用の基材として用いて基板5上の凹凸6に対して絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込む際に、絶縁層2を、凹凸6の形状に対応して確実に追従させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。  Examples of the insulating layer 2 include a thermosetting insulating resin or a thermoplastic insulating resin (insulating film). Among these, it is preferable to use an insulating resin having thermoplasticity. Since the insulating resin having thermoplasticity is a film having excellent flexibility, the insulating layer 2 and the electromagnetic waves are formed on the unevenness 6 on the substrate 5 by using the base material layer 1 as a pressing base material in the attaching step. When the blocking layer 3 is pushed in, the insulating layer 2 can be made to reliably follow the shape of the irregularities 6. In addition, an insulating resin having thermoplasticity is particularly useful when repairing a substrate because it can be re-peeled from the substrate to be bonded when heated to its softening point temperature.

熱可塑性を有する絶縁樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリエステル、α−オレフィン、酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、エチレン酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル、ポリアミド、セルロースが挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル、α−オレフィンを用いることが好ましい。    Examples of the thermoplastic insulating resin include thermoplastic polyester, α-olefin, vinyl acetate, polyvinyl acetal, ethylene vinyl acetate, vinyl chloride, acrylic, polyamide, and cellulose. Among these, it is preferable to use thermoplastic polyesters and α-olefins because they are excellent in adhesion to the substrate, flexibility and chemical resistance.

さらに、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、後述する導電性接着剤層の場合と同様に、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加してもよい。  Furthermore, the insulating resin having thermoplasticity is a phenolic resin, a silicone resin, a urea resin, an acrylic resin, a polyester resin, a polyamide resin, as long as the performance such as heat resistance and flex resistance is not impaired. A polyimide resin or the like can be contained. In addition, in the insulating resin having thermoplasticity, as in the case of the conductive adhesive layer described later, a silane coupling agent, an antioxidant, a pigment, a dye, as long as the adhesiveness and solder reflow resistance are not deteriorated. You may add tackifying resin, a plasticizer, a ultraviolet absorber, an antifoamer, a leveling regulator, a filler, a flame retardant, etc.

絶縁層2の厚みT(D)は、特に限定されないが、3μm以上、50μm以下であることが好ましく、4μm以上、30μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは5μm以上、20μm以下である。絶縁層2の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸6への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、導電性接着剤層の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層2の厚みT(D)を前記範囲内に設定することにより、絶縁層2を屈曲性により優れたものとすることができ、貼付工程において、基材層1を押し込み用の基材として用いて基板5上の凹凸6に対して絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込む際に、絶縁層2を、凹凸6の形状に対応してより確実に追従させることができる。  The thickness T (D) of the insulating layer 2 is not particularly limited, but is preferably 3 μm or more and 50 μm or less, more preferably 4 μm or more and 30 μm or less, and further preferably 5 μm or more and 20 μm or less. When the thickness of the insulating layer 2 is less than the lower limit value, the resistance to goby folds is insufficient, cracks are generated at the bent portions after thermocompression bonding to the projections and depressions 6, the film strength decreases, and the conductive adhesive layer It is difficult to play a role as an insulating support. If the upper limit is exceeded, shape followability may be insufficient. That is, by setting the thickness T (D) of the insulating layer 2 within the above range, the insulating layer 2 can be made more flexible, and the base material layer 1 can be used as a base for pushing in the attaching step. When the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed into the unevenness 6 on the substrate 5 by using as a material, the insulating layer 2 can be made to follow more reliably corresponding to the shape of the unevenness 6.

また、絶縁層2の25〜150℃における平均線膨張係数は、50〜1000[ppm/℃]であるのが好ましく、100〜700[ppm/℃]であるのがより好ましい。絶縁層2の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム100の加熱時において、絶縁層2は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層2、さらには電磁波遮断層3の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。  Moreover, it is preferable that the average linear expansion coefficient in 25-150 degreeC of the insulating layer 2 is 50-1000 [ppm / degrees C], and it is more preferable that it is 100-700 [ppm / degrees C]. By setting the average linear expansion coefficient of the insulating layer 2 within this range, the insulating layer 2 has excellent stretchability when the electromagnetic wave shielding film 100 is heated. The shape following property with respect to the unevenness 6 of the electromagnetic wave shielding layer 3 can be improved more reliably.

なお、この絶縁層2は、図1、2で示したように、1層で構成されるものの他、上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた2層以上の積層体であってもよい。
<電磁波遮断層3>
次に、電磁波遮断層(遮断層)3について説明する。
In addition, as shown in FIGS. 1 and 2, the insulating layer 2 may be a laminated body of two or more layers obtained by laminating different ones of the above-described insulating films in addition to the one constituted by one layer. .
<Electromagnetic wave blocking layer 3>
Next, the electromagnetic wave blocking layer (blocking layer) 3 will be described.

電磁波遮断層3は、基板5上に設けられた電子部品4と、この電磁波遮断層3を介して、基板5(電子部品4)と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断(シールド)する機能を有する。   The electromagnetic wave shielding layer 3 includes an electronic component 4 provided on the substrate 5, and other electronic components located on the opposite side of the substrate 5 (electronic component 4) via the electromagnetic wave shielding layer 3. It has a function of shielding (shielding) electromagnetic waves generated from one side.

ここで、一般的に、電磁波を遮断する機能を発揮するには、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断(遮蔽)する反射層と、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収することにより遮断(遮蔽)する吸収層とが知られている。   Here, in general, in order to exert the function of blocking electromagnetic waves, a reflection layer that blocks (shields) the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer and absorbs the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer. Absorbing layers that are shielded (shielded) by the above are known.

このような反射層と吸収層とでは、これらが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有していると仮定した場合、吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断して、この吸収により電磁波を消滅させる。そのため、反射層のように反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという観点から、電磁波遮断層を吸収層で構成するのが好ましい。  In such a reflection layer and an absorption layer, assuming that they have almost the same electromagnetic shielding properties, the absorption layer absorbs electromagnetic waves incident on the absorption layer and converts them into thermal energy. The electromagnetic wave is extinguished by this absorption. Therefore, from the standpoint that it is possible to reliably prevent the reflected electromagnetic wave, such as the reflective layer, from adversely affecting the other members that are not covered with the electromagnetic wave blocking layer. The layer is preferably composed of an absorbent layer.

そこで、本発明者は、電磁波を遮断する電磁波遮断層として知られるπ共役系炭素材料を主材料として含有する電磁波遮断層に着目し、かかる電磁波遮断層について、鋭意検討した結果、カーボンファイバーを使用することで、反射層としての機能を電磁波遮蔽層が優位に発揮することなく、吸収層としての機能を電磁波遮蔽層が優位に発揮することがわかってきた。   Therefore, the present inventor paid attention to an electromagnetic wave blocking layer containing a π-conjugated carbon material known as an electromagnetic wave blocking layer for blocking electromagnetic waves as a main material, and as a result of earnestly examining such an electromagnetic wave blocking layer, carbon fiber was used. Thus, it has been found that the electromagnetic wave shielding layer exerts the function as an absorbing layer without the electromagnetic wave shielding layer exerting the function as a reflective layer.

すなわち、電磁波遮断層が、カーボンファイバーを含むことで、吸収層としての機能を的確に発揮させることができ、GHzオーダーのように高周波帯域の電磁波まで、電磁波の吸収により電磁波を効果的に遮断し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。   In other words, when the electromagnetic wave blocking layer contains carbon fiber, the function as an absorbing layer can be exhibited accurately, and electromagnetic waves are effectively blocked by absorbing electromagnetic waves up to electromagnetic waves in the high frequency band as in the GHz order. The present invention has been found and the present invention has been completed.

カーボンファイバーは、PAN系でも、ピッチ系でも良いが、添加量に対する導電性の観点からPAN系が好ましい。これによって良好なシールド性を得ることができる。   The carbon fiber may be PAN-based or pitch-based, but PAN-based is preferable from the viewpoint of conductivity with respect to the added amount. As a result, good shielding properties can be obtained.

カーボンファイバーのアスペクト比は、5以上200以下であるのが好ましい。これにより、より高周波帯域での電磁波であってもより効果的に遮蔽することができる。   The aspect ratio of the carbon fiber is preferably 5 or more and 200 or less. Thereby, even an electromagnetic wave in a higher frequency band can be shielded more effectively.

このようなカーボンファイバーの粒径は、平均繊維径が5μm以上、30μm以下であることが好ましい。   The carbon fiber preferably has an average fiber diameter of 5 μm or more and 30 μm or less.

このようなカーボンファイバーの長さは、平均長さが25μ以上、6000μm以下であることが好ましい。   The length of such carbon fibers is preferably 25 μm or more and 6000 μm or less in average length.

カーボンファイバーの粒径、長さを前記範囲内に設定することで、カーボンファイバーのアスペクト比を容易に前記範囲内に設定することができる。   By setting the particle size and length of the carbon fiber within the above range, the aspect ratio of the carbon fiber can be easily set within the above range.

また、電磁波遮断層3におけるカーボンファイバーの含有量は、30以上、90以下であるのが好ましく、30以上、75以下であるのがより好ましい。前記範囲内であると電磁波シールド性とフィルム性が保たれるため好ましい。  Further, the content of the carbon fiber in the electromagnetic wave shielding layer 3 is preferably 30 or more and 90 or less, and more preferably 30 or more and 75 or less. Within the above range, the electromagnetic wave shielding property and the film property are maintained, which is preferable.

次にバインダー樹脂について説明する。   Next, the binder resin will be described.

バインダー樹脂は、電磁波遮断層3を製膜化する機能を有する。   The binder resin has a function of forming the electromagnetic wave shielding layer 3 into a film.

ここで、電磁波遮断層3を製膜化するのに用いられるバインダー樹脂は、熱可塑性樹脂を含む。   Here, the binder resin used to form the electromagnetic wave shielding layer 3 includes a thermoplastic resin.

前述したカーボンファイバーは、アスペクト比が高いため、電磁波遮蔽性を有するように多量に配合すると、電磁波遮蔽層3の形状安定性が悪化する。また、電磁波遮蔽層3にカーボンファイバーを均一に分散させることが困難となり、層中における、電磁波遮蔽層3の機能の均一化をはかることが困難となる。   Since the above-mentioned carbon fiber has a high aspect ratio, the shape stability of the electromagnetic wave shielding layer 3 is deteriorated when blended in a large amount so as to have an electromagnetic wave shielding property. Further, it becomes difficult to uniformly disperse the carbon fiber in the electromagnetic wave shielding layer 3, and it becomes difficult to make the function of the electromagnetic wave shielding layer 3 uniform in the layer.

ここで熱可塑性樹脂として、オレフィン系樹脂を使用することで、オレフィン系樹脂の流動性により、電磁波遮蔽層3の形状安定性を発現させることが可能となる。   Here, by using an olefin resin as the thermoplastic resin, the shape stability of the electromagnetic wave shielding layer 3 can be expressed by the fluidity of the olefin resin.

オレフィン系樹脂としては特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。これらの中でも特にポリプロピレンが好ましい。これにより形状安定性及び凹凸への形状追従性を発現させることができる。   Although it does not specifically limit as an olefin resin, Polyethylene, a polypropylene, etc. are mentioned. Among these, polypropylene is particularly preferable. Thereby, shape stability and shape followability to unevenness can be expressed.

また、バインダー樹脂として、熱可塑性エラストマーを含むことで、熱可塑性エラストマーの流動性と、低弾性率により、電磁波遮蔽層3の形状安定性と、機能の均一化を発現させることが可能となる。  In addition, by including a thermoplastic elastomer as the binder resin, it is possible to develop the shape stability and uniform function of the electromagnetic wave shielding layer 3 due to the fluidity and low elastic modulus of the thermoplastic elastomer.

熱可塑性エラストマーとしては特に限定されないが、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリアミド系エラストマーなどが挙げられる。これらの中でも特にスチレン系エラストマーが好ましい。これにより、形状安定性及び凹凸への形状追従性を発現させることができる。   Although it does not specifically limit as a thermoplastic elastomer, A styrene-type elastomer, a polyester-type elastomer, an olefin-type elastomer, a vinyl chloride-type elastomer, a polyurethane-type elastomer, a polyamide-type elastomer etc. are mentioned. Of these, styrene-based elastomers are particularly preferable. Thereby, shape stability and the shape followability to an unevenness | corrugation can be expressed.

バインダー樹脂としては、前記熱可塑性樹脂を必須とするが、他の樹脂を併用しても良い。他の樹脂としては特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等を使用することができる。  As the binder resin, the thermoplastic resin is essential, but other resins may be used in combination. Although it does not specifically limit as other resin, An epoxy resin, a phenol resin, a polyester resin, a polyurethane resin, an acrylic resin, a melamine resin, a polyimide resin, a polyamideimide resin etc. can be used.

また、電磁波遮断層3における熱可塑性樹脂の含有量は、20質量%以上、85質量%以下であるのが好ましく、25質量%以上、70質量%以下であるのがより好ましい。前記範囲内であると電磁波シールド性とフィルム性が保たれるため好ましい。  Further, the content of the thermoplastic resin in the electromagnetic wave shielding layer 3 is preferably 20% by mass or more and 85% by mass or less, and more preferably 25% by mass or more and 70% by mass or less. Within the above range, the electromagnetic wave shielding property and the film property are maintained, which is preferable.

電磁波遮断層3の厚みTは、特に限定されないが、1μm以上、150μm以下であることが好ましく、2μm以上、100μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは、3μm以上、80μm以下である。電磁波遮断層3の厚みが前記下限値未満である場合、電磁波遮断層3の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、電磁波遮断層3の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波遮断層3の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みTとしても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、電磁波遮断層3の厚みTの薄膜化を実現すること、ひいては、基板5上において絶縁層2および電磁波遮断層3で被覆された電子部品4が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。  The thickness T of the electromagnetic wave shielding layer 3 is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more and 150 μm or less, more preferably 2 μm or more and 100 μm or less, and further preferably 3 μm or more and 80 μm or less. When the thickness of the electromagnetic wave shielding layer 3 is less than the lower limit value, depending on the constituent material of the electromagnetic wave shielding layer 3, there is a possibility of breaking at the end portion of the board mounted component. Moreover, when the thickness of the electromagnetic wave shielding layer 3 exceeds the upper limit, the shape following property may be insufficient depending on the constituent material of the electromagnetic wave shielding layer 3 or the like. Moreover, since the excellent electromagnetic wave shielding property can be exhibited even when the thickness T is within such a range, it is possible to reduce the thickness T of the electromagnetic wave shielding layer 3, and thus the insulating layer 2 and the electromagnetic wave on the substrate 5. The weight reduction of the electronic component mounting board on which the electronic component 4 covered with the blocking layer 3 is mounted can be realized.

以上のような電磁波遮断層3は、マイクロストリップライン法(MSL法)を用いて測定した、周波数0.2〜1GHzにおける、電磁波を遮断(シールド)する電磁波シールド性(吸収性)が5dB以上であるのが好ましく、6dB以上であるのがより好ましく、7dB以上であるのがさらに好ましい。ここで、MSL法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、主として電磁波を吸収することにより遮断する吸収性(吸収能)を表す値として測定される。したがって、前記範囲内の電磁波シールド性(吸収性)を有する電磁波遮断層3であれば、電磁波遮断層3に入射した電磁波を吸収することにより遮断(遮蔽)することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層(吸収層)3と言うことができ、GHzオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。  The electromagnetic wave shielding layer 3 as described above has an electromagnetic wave shielding property (absorbability) of 5 dB or more for shielding (shielding) an electromagnetic wave at a frequency of 0.2 to 1 GHz, measured using a microstrip line method (MSL method). Preferably, it is 6 dB or more, more preferably 7 dB or more. Here, in the MSL method, the electromagnetic wave shielding property for blocking electromagnetic waves is measured as a value representing the absorbability (absorbing ability) blocking mainly by absorbing electromagnetic waves from the characteristics of the measurement method described below. Therefore, the electromagnetic wave shielding layer 3 having the electromagnetic wave shielding property (absorbing property) within the above range exhibits excellent electromagnetic wave shielding property by shielding (shielding) by absorbing the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave shielding layer 3. It can be said that the electromagnetic wave blocking layer (absorbing layer) 3 is capable of blocking even high frequency electromagnetic waves as in the GHz order.

なお、MSL法を用いた測定は、例えば、IEC規格62333−2に準拠して、50Ωのインピーダンスを有するマイクロストリップラインと、ネットワークアナライザーとを用いて、反射成分S11と透過成分S21を測定することにより行われ、電磁波シールド性(吸収性)は、下記式(1)および下記式(2)を用いることにより求めることができる。  The measurement using the MSL method is, for example, measuring the reflection component S11 and the transmission component S21 using a microstrip line having an impedance of 50Ω and a network analyzer in accordance with IEC standard 62333-2. The electromagnetic wave shielding property (absorbability) can be obtained by using the following formula (1) and the following formula (2).

ロス率(P(loss)/P(in))=1−(S112+S212)/1 (1)
電磁波シールド性(伝送減衰率) = −10・log[10^(S21/10)/{1−10^(S11/10)}](2)
さらに、電磁波遮断層3は、関西電子工業振興センターで開発されたKEC法を用いて測定した周波数0.2〜1GHzにおける、電磁波を遮断(シールド)する電磁波シールド性(吸収性+反射性)が7dB以上であるのが好ましく、7.5dB以上であるのがより好ましく、8dB以上であるのがさらに好ましい。ここで、KEC法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、電磁波を吸収することにより遮断する吸収性(吸収能)と電磁波を反射することにより遮断する反射性(反射能)とが加算された値として測定される。したがって、MSL法を用いて測定された電磁波シールド性(吸収性)が前記範囲内であり、かつ、KEC法を用いて測定された電磁波シールド性(吸収性+反射性)が前記範囲内であれば、電磁波遮断層3に入射した電磁波を吸収および反射することにより遮断(遮蔽)することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層3と言うことができ、GHzオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。
Loss rate (P (loss) / P (in)) = 1− (S112 + S212) / 1 (1)
Electromagnetic shielding property (transmission attenuation factor) = − 10 · log [10 ^ (S21 / 10) / {1-10 ^ (S11 / 10)}] (2)
Furthermore, the electromagnetic wave shielding layer 3 has an electromagnetic wave shielding property (absorbing property + reflective property) for shielding (shielding) electromagnetic waves at a frequency of 0.2 to 1 GHz measured using the KEC method developed at the Kansai Electronics Industry Promotion Center. It is preferably 7 dB or more, more preferably 7.5 dB or more, and even more preferably 8 dB or more. Here, in the KEC method, the electromagnetic wave shielding property for blocking electromagnetic waves is based on the characteristics of the measuring method described below, and absorbs (absorbs) the light by absorbing the electromagnetic wave and reflects by blocking the electromagnetic wave. It is measured as a value obtained by adding the property (reflectivity). Therefore, the electromagnetic wave shielding property (absorbing property) measured using the MSL method is within the above range, and the electromagnetic wave shielding property (absorbing property + reflecting property) measured using the KEC method is within the above range. For example, it can be said that the electromagnetic wave shielding layer 3 exhibits excellent electromagnetic shielding properties by absorbing and reflecting the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave shielding layer 3 and blocking (shielding) it. Even electromagnetic waves can be reliably blocked.

なお、KEC法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ(送信用の治具)から送信された電磁波を、シート状をなす電磁波遮断層3(測定試料)を介して、受信アンテナ(受信用の治具)で受信することで実施することができ、かかるKEC法では、受信アンテナにおいて、電磁波遮断層3を通過(透過)した電磁波が測定されるすなわち、送信された電磁波(信号)が電磁波遮断層3により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定されることから、電磁波を遮断(シールド)する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射性と電磁波を吸収する吸収性との双方を合算した状態で求められる。  The KEC method is a method for evaluating the shielding effect of electromagnetic waves generated in the near field separately for electric and magnetic fields, and measurement using this method is based on electromagnetic waves transmitted from a transmission antenna (transmission jig). Can be received by a receiving antenna (receiving jig) through an electromagnetic wave shielding layer 3 (measurement sample) in the form of a sheet. In such a KEC method, an electromagnetic wave shielding layer is formed in the receiving antenna. The electromagnetic wave passing through (transmitting) 3 is measured, that is, how much the transmitted electromagnetic wave (signal) is attenuated by the electromagnetic wave blocking layer 3 on the receiving antenna side, so that the electromagnetic wave is blocked (shielded). The electromagnetic wave shielding property is obtained in a state where both the reflectivity for reflecting electromagnetic waves and the absorbency for absorbing electromagnetic waves are added together.

また、電磁波遮断層3は、その150℃における貯蔵弾性率が1.0E+05〜1.0E+09Paであるのが好ましく、5.0E+05〜5.0E+08Paであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム100の加熱の後、基材層1からの押圧力により、基板5上の凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込むことで、この凹凸6を被覆する際に、前記基材層1からの押圧力に応じて、電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層3の凹凸6に対する形状追従性を向上させることができる。  Moreover, it is preferable that the storage elastic modulus in 150 degreeC of the electromagnetic wave shielding layer 3 is 1.0E + 05-1.0E + 09Pa, and it is more preferable that it is 5.0E + 05-5.0E + 08Pa. By setting the storage elastic modulus within such a range, in the pasting step, after heating the electromagnetic wave shielding film 100, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave are formed on the unevenness 6 on the substrate 5 by pressing force from the base material layer 1. By pressing the blocking layer 3, the electromagnetic wave blocking layer 3 can be deformed corresponding to the shape of the unevenness 6 according to the pressing force from the base material layer 1 when covering the unevenness 6. That is, the shape followability of the electromagnetic wave shielding layer 3 with respect to the unevenness 6 can be improved.

さらに、電磁波シールド用フィルム100は、基板5上に電子部品4を搭載することで形成された凹凸6に温度150℃、圧力2MPa、時間5分の条件で熱圧着した際の形状追従性が、500μm以上であることが好ましく、800μm以上であることがより好ましく、さらに好ましくは1000μm以上である。すなわち、凸部61の上面と凹部62の上面との高さの差である凹凸6の高さが500μm以上のものを電磁波シールド用フィルム100で被覆できるのが好ましく、800μm以上のものを被覆できるのがより好ましく、1000μm以上のものを被覆できるのがさらに好ましい。このように高さが高い(段差が大きい)凹凸6であっても被覆できる電磁波シールド用フィルム100を、優れた形状追従性を有するものと言うことができ、絶縁層2および電磁波遮断層3により、凹凸6に対して優れた埋め込み率をもって被覆することができる。  Further, the electromagnetic wave shielding film 100 has shape conformability when thermocompression bonding is performed on the unevenness 6 formed by mounting the electronic component 4 on the substrate 5 at a temperature of 150 ° C., a pressure of 2 MPa, and a time of 5 minutes. The thickness is preferably 500 μm or more, more preferably 800 μm or more, and still more preferably 1000 μm or more. That is, the electromagnetic wave shielding film 100 can preferably cover the unevenness 6 having a height of 500 μm or more, which is the difference in height between the upper surface of the convex portion 61 and the upper surface of the concave portion 62, and can cover a thickness of 800 μm or more. More preferably, it is more preferable that a film having a thickness of 1000 μm or more can be coated. Thus, it can be said that the electromagnetic wave shielding film 100 that can be covered even with the unevenness 6 having a high height (a large level difference) has excellent shape followability, and the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 It is possible to cover the unevenness 6 with an excellent filling rate.

なお、前記形状追従性は、以下のようにして求めることができる。  The shape following property can be obtained as follows.

すなわち、まず、縦100mm×横100mm×高さ2mmのプリント配線板(マザーボード)に、幅0.2mm、各必要段差の溝を、0.2mm間隔で碁盤目状に形成するとにより、プリント配線基板を得る。その後、電磁波シールド用フィルムを、真空加圧式ラミネーターを用いて、150℃×2MPa×5分間の条件で、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、電磁波シールド用フィルムから基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた遮断層および絶縁層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。なお、空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察することにより評価される。  That is, first, a printed wiring board having a width of 0.2 mm and a groove of each necessary step is formed in a grid pattern at intervals of 0.2 mm on a printed wiring board (motherboard) having a length of 100 mm × width of 100 mm × height of 2 mm Get. Then, the film for electromagnetic wave shielding is pressure-bonded to the printed wiring board under a condition of 150 ° C. × 2 MPa × 5 minutes using a vacuum pressurizing laminator, and attached to the printed wiring board. After pasting, the base material layer is peeled off from the electromagnetic wave shielding film, and it is determined whether or not there is a gap between the blocking layer and insulating layer stuck on the printed wiring board and the groove on the printed wiring board. In addition, it is evaluated by observing with a microscope or a microscope whether there exists a space | gap.

<電子部品の被覆方法>
次に、電子部品の被覆方法について説明する。
<Method of coating electronic parts>
Next, a method for coating an electronic component will be described.

本実施形態の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有する。  The electronic component covering method according to the present embodiment includes an attaching step of attaching the electromagnetic wave shielding film to the unevenness on the substrate so that the electromagnetic wave shielding layer or the insulating layer and the electronic component adhere to each other. And a peeling step of peeling the base material layer.

図2は、図1に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。  FIG. 2 is a longitudinal sectional view for explaining a method of coating an electronic component using the electromagnetic wave shielding film shown in FIG.

以下、電子部品の被覆方法の各工程について、順次説明する。  Hereafter, each process of the coating method of an electronic component is demonstrated sequentially.

(貼付工程)
前記貼付工程とは、例えば、図2(a)に示すように、基板5上に設けられた凹凸6に、電磁波シールド用フィルム100を貼付する工程である。
(Attaching process)
The affixing step is a step of affixing the electromagnetic wave shielding film 100 to the unevenness 6 provided on the substrate 5, for example, as shown in FIG.

貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形が挙げられる。  The method for attaching is not particularly limited, and examples thereof include vacuum / pressure forming.

真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム100で基板5上の凹凸6を被覆する方法であり、まず、真空雰囲気下とし得る閉空間内に、基板5の凹凸6が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム100の絶縁層2側の面とが対向するように、基板5と電磁波シールド用フィルム100とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを加熱下において、電磁波シールド用フィルム100側から均一に電磁波シールド用フィルム100と基板5とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧することにより実施される。  Vacuum / pressure forming is, for example, a method of covering the irregularities 6 on the substrate 5 with the electromagnetic wave shielding film 100 using a vacuum pressurizing laminator. First, the substrate 5 is placed in a closed space that can be in a vacuum atmosphere. The substrate 5 and the electromagnetic wave shielding film 100 are set in an overlapped state so that the surface on which the unevenness 6 is formed and the surface on the insulating layer 2 side of the electromagnetic wave shielding film 100 face each other, and thereafter In the heating process, the closed space is placed in a vacuum atmosphere and then pressurized so that the electromagnetic wave shielding film 100 and the substrate 5 approach each other uniformly from the electromagnetic wave shielding film 100 side.

この際、基材層1が上述したような構成のものであることから、基材層1は、真空圧空成形の加熱時に、凹凸6に対して優れた形状追従性を発揮する。  Under the present circumstances, since the base material layer 1 is a thing as the above-mentioned structure, the base material layer 1 exhibits the shape followability excellent with respect to the unevenness | corrugation 6 at the time of the heating of vacuum pressure forming.

したがって、この状態で、電磁波シールド用フィルム100側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、基材層1が凹凸6の形状に対応して変形し、さらに、この変形に併せて、基材層1よりも基板5側に位置する、絶縁層2および電磁波遮断層3が凹凸6の形状に対応して変形する。これにより、凹凸6の形状に対応して絶縁層2および電磁波遮断層3が押し込まれた状態で、絶縁層2および電磁波遮断層3により凹凸6が被覆される。  Therefore, in this state, the base layer 1 is deformed in accordance with the shape of the irregularities 6 by uniformly pressing from the electromagnetic wave shielding film 100 side while making the closed space under a vacuum atmosphere. Along with the deformation, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 located closer to the substrate 5 than the base material layer 1 are deformed corresponding to the shape of the irregularities 6. Accordingly, the unevenness 6 is covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in a state where the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed in corresponding to the shape of the unevenness 6.

このような貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、100℃以上、200℃以下であることが好ましく、より好ましくは120℃以上、180℃以下である。  In such a pasting step, the temperature for pasting is not particularly limited, but is preferably 100 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, more preferably 120 ° C. or higher and 180 ° C. or lower.

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、0.05MPa以上、5.0MPa以下であることが好ましく、より好ましくは0.07MPa以上、3.0MPa以下である。  The pressure to be applied is not particularly limited, but is preferably 0.05 MPa or more and 5.0 MPa or less, more preferably 0.07 MPa or more and 3.0 MPa or less.

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、1秒以上、30分以下であることが好ましく、より好ましくは20秒分以上、5分以下である。  Furthermore, the sticking time is not particularly limited, but is preferably 1 second or longer and 30 minutes or shorter, and more preferably 20 seconds or longer and 5 minutes or shorter.

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、基板5上の凹凸6に対して絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込んだ状態で、これら絶縁層2および電磁波遮断層3により凹凸6を確実に被覆することができる。
(剥離工程)
前記剥離工程とは、例えば、図2(b)に示すように、前記貼付工程の後、基材層1を電磁波シールド用フィルム100から剥離する工程である。
By setting the conditions in the pasting step within the above range, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed into the concave and convex portions 6 on the substrate 5, and the concave and convex portions 6 are formed by the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3. It can be reliably coated.
(Peeling process)
The said peeling process is a process of peeling the base material layer 1 from the film 100 for electromagnetic wave shields after the said sticking process, for example, as shown in FIG.2 (b).

この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100における基材層1と絶縁層2との界面において、剥離が生じ、その結果、絶縁層2から基材層1が剥離される。これにより、絶縁層2から基材層1を剥離した状態で、絶縁層2および電磁波遮断層3により凹凸6が被覆される。  By this peeling process, in this embodiment, peeling arises in the interface of the base material layer 1 and the insulating layer 2 in the electromagnetic wave shielding film 100, and as a result, the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2. Thus, the unevenness 6 is covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in a state where the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2.

なお、このような電磁波シールド用フィルム100を用いた絶縁層2および電磁波遮断層3による凹凸6の被覆では、図2に示したように、貼付する電磁波シールド用フィルム100の形状が対応して、凹凸6を絶縁層2および電磁波遮断層3で被覆することができる。そのため、被覆すべき凹凸6の形状に対応して電磁波シールド用フィルム100の形状を適宜設定することにより、被覆すべき凹凸6を選択的に絶縁層2および電磁波遮断層3で被覆することができる。すなわち、絶縁層2および電磁波遮断層3による凹凸6の選択的な電磁波シールドが可能となる。  In addition, in the covering of the unevenness 6 with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 using such an electromagnetic wave shielding film 100, as shown in FIG. 2, the shape of the electromagnetic wave shielding film 100 to be applied corresponds, The unevenness 6 can be covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3. Therefore, the unevenness 6 to be covered can be selectively covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 by appropriately setting the shape of the electromagnetic wave shielding film 100 corresponding to the shape of the unevenness 6 to be covered. . That is, the electromagnetic wave can be selectively shielded from the unevenness 6 by the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3.

また、基材層1を剥離する方法としては、特に限定されないが、真空圧空成形(上記の貼付工程)後の電磁波シールド用フィルム100が高温の状態では、基材層1が伸びてしまい、樹脂残り等が発生し、剥離作業性が低下する可能性があるので、手作業による剥離が挙げられる。  Further, the method for peeling the base material layer 1 is not particularly limited. However, when the electromagnetic wave shielding film 100 after the vacuum pressure forming (the pasting step) is in a high temperature state, the base material layer 1 is stretched and resin Since the remainder etc. generate | occur | produce and peeling workability | operativity may fall, the peeling by manual work is mentioned.

この手作業による剥離では、例えば、まず、基材層1の一方の端部を把持し、この把持した端部から基材層1を絶縁層2から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次基材層1を引き剥がすことにより、絶縁層2から基材層1が剥離される。  In this manual peeling, for example, first, one end portion of the base material layer 1 is gripped, the base material layer 1 is peeled off from the insulating layer 2 from the gripped end portion, and then the central portion is cut from the end portion. Furthermore, the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2 by sequentially peeling the base material layer 1 to the other end.

剥離する温度は、180℃以下であることが好ましく、より好ましくは150℃以下、さらに好ましくは100℃以下である。  The peeling temperature is preferably 180 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower, and further preferably 100 ° C. or lower.

以上のような工程を経ることにより、絶縁層2から基材層1を剥離した状態で、絶縁層2および電磁波遮断層3により凹凸6を被覆することができる。  By passing through the above processes, the unevenness | corrugation 6 can be coat | covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in the state which peeled the base material layer 1 from the insulating layer 2. FIG.

なお、本実施形態では、図1に示したように、電磁波シールド用フィルム100として、その上面側から、基材層1(第1の層11、第2の層13、第3の層12)、絶縁層2、電磁波遮断層3がこの順で積層されたものを用いて、絶縁層2および電磁波遮断層3で、基板5上の凹凸6を被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルム100の層構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような第2〜第5実施形態のような層構成をなしている電磁波シールド用フィルム100であってもよい。  In the present embodiment, as shown in FIG. 1, as the electromagnetic wave shielding film 100, the base material layer 1 (first layer 11, second layer 13, third layer 12) from the upper surface side. The case where the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are laminated in this order to cover the unevenness 6 on the substrate 5 with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 has been described. The layer configuration of 100 is not limited to this case, and may be, for example, the electromagnetic wave shielding film 100 having the layer configuration as shown in the second to fifth embodiments as described below.

<第2実施形態>
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第2実施形態について説明する。
Second Embodiment
Hereinafter, 2nd Embodiment of the film for electromagnetic wave shielding of this invention is described.

図3は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第2実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図3中の上側を「上」、下側を「下」と言う。  FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a second embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 3 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図3に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。  Hereinafter, although the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 3 will be described, the description will focus on differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1, and description of similar matters will be omitted.

図3に示す電磁波シールド用フィルム100では、基材層1が備える第1の層11の形成が省略されていること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。  The electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 3 is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 except that the formation of the first layer 11 included in the base material layer 1 is omitted.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第2の層13、第3の層12からなる基材層1と、絶縁層2と、電磁波遮断層3とが、この順で積層された積層体をなしている。  That is, in the present embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes the base material layer 1 including the second layer 13 and the third layer 12, the insulating layer 2, and the electromagnetic wave shielding layer 3 laminated in this order. The laminated body is made.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、貼付工程において、基板5上の凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第2の層13との離型性を備えており、これにより、第1の層11の形成が省略される。  In the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, the pressing portion of the vacuum pressurizing laminator or the like used when the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pressed into the unevenness 6 on the substrate 5 in the attaching step is the second layer. 13, so that the formation of the first layer 11 is omitted.

この場合、前記押圧部の第2の層13と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、20〜40mN/mであるのが好ましく、25〜35mN/mであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、第2の層13から押圧部を確実に剥離させることができる。  In this case, the degree of releasability of the contact surface in contact with the second layer 13 of the pressing portion can be expressed by the surface tension of the contact surface, and the surface tension of the contact surface is 20 to 40 mN / m. It is preferable that it is 25-35 mN / m. When the contact surface has a surface tension within such a range, the pressing portion can be reliably peeled off from the second layer 13 after pressing using a vacuum pressurizing laminator or the like.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。  The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

<第3実施形態>
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第3実施形態について説明する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

図4は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第3実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図4中の上側を「上」、下側を「下」と言う。  FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a third embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 4 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図4に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その
説明を省略する。
Hereinafter, the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 4 will be described, but the description will focus on the differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1, and the description of the same matters will be omitted.

図4に示す電磁波シールド用フィルム100では、基材層1が備える第3の層12の形成が省略されていること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。  The electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 4 is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 except that the formation of the third layer 12 included in the base material layer 1 is omitted.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第1の層11、第2の層13からなる基材層1と、絶縁層2と、電磁波遮断層3とが、この順で積層された積層体をなしている。  That is, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes the base material layer 1 including the first layer 11 and the second layer 13, the insulating layer 2, and the electromagnetic wave shielding layer 3 laminated in this order. The laminated body is made.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、剥離工程において、基材層1を絶縁層2から剥離する際に、第2の層13と絶縁層2との界面において基材層1が絶縁層2から剥離される。このような剥離では、絶縁層2が第2の層13との離型性を備えており、これにより、第3の層12の形成が省略される。   In the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, when the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2 in the peeling step, the base material layer 1 is separated from the insulating layer 2 at the interface between the second layer 13 and the insulating layer 2. It is peeled off. In such peeling, the insulating layer 2 has releasability from the second layer 13, whereby the formation of the third layer 12 is omitted.

この場合、絶縁層2の第2の層13と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、20〜40mN/mであるのが好ましく、25〜35mN/mであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、絶縁層2から第2の層13を確実に剥離させることができる。  In this case, the degree of releasability of the contact surface in contact with the second layer 13 of the insulating layer 2 can be expressed by the surface tension of the contact surface, and the surface tension of the contact surface is 20 to 40 mN / m. It is preferable that it is 25-35 mN / m. When the contact surface has a surface tension within such a range, the second layer 13 can be reliably peeled off from the insulating layer 2 after being pressed using a vacuum pressure laminator or the like.

このような、表面張力を有する絶縁層2としては、例えば、熱可塑性ポリエステルやαオレフィン等が挙げられる。  Examples of the insulating layer 2 having surface tension include thermoplastic polyester and α-olefin.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。  The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

<第4実施形態>
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第4実施形態について説明する。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

図5は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第4実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図5中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a fourth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 5 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図5に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。  Hereinafter, although the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 5 will be described, differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 will be mainly described, and description of similar matters will be omitted.

図5に示す電磁波シールド用フィルム100では、基材層1が備える第1の層11と第3の層12の形成が省略されていること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。  The electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 5 is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 except that the formation of the first layer 11 and the third layer 12 included in the base material layer 1 is omitted. It is the same.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第2の層13からなる基材層1と、絶縁層2と、電磁波遮断層3とが、この順で積層された積層体をなしている。  That is, in the present embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 forms a laminate in which the base material layer 1 composed of the second layer 13, the insulating layer 2, and the electromagnetic wave shielding layer 3 are laminated in this order. Yes.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、貼付工程において、基板5上の凹凸6に絶縁層2および電磁波遮断層3を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第2の層13との離型性を備えており、これにより、第1の層11の形成が省略される。剥離工程において、基材層1を絶縁層2から剥離する際に、第2の層13と絶縁層2との界面において基材層1が絶縁層2から剥離される。このような剥離では、絶縁層2が第2の層13との離型性を備えており、これにより、第3の層12の形成が省略される。   In the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, the pressing portion of the vacuum pressurizing laminator or the like used when the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pressed into the unevenness 6 on the substrate 5 in the attaching step is the second layer. 13, so that the formation of the first layer 11 is omitted. In the peeling process, when the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2, the base material layer 1 is peeled from the insulating layer 2 at the interface between the second layer 13 and the insulating layer 2. In such peeling, the insulating layer 2 has releasability from the second layer 13, whereby the formation of the third layer 12 is omitted.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、基材層1の第2の層13を構成する樹脂としてポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエステル、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられる。  In the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, the resin constituting the second layer 13 of the base material layer 1 is an α-olefin polymer such as polyethylene or polypropylene, ethylene, propylene, butene, pentene, hexene, methylpentene, or the like. Engineering plastics resins such as α-olefin copolymers, polyesters, polyethersulfones, and polyphenylene sulfides.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。  The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

<第5実施形態>
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第5実施形態について説明する。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

図6は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第5実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図5中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a fifth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 5 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図6に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。  Hereinafter, although the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 6 will be described, the description will focus on differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1, and description of similar matters will be omitted.

図6に示す電磁波シールド用フィルム100では、基材層1が備える第3の層12の形成が省略され、さらに、絶縁層2および電磁波遮断層3の積層順が逆転していること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。  In the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 6, the formation of the third layer 12 included in the base material layer 1 is omitted, and the stacking order of the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 is reversed. This is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第1の層11、第2の層13からなる基材層1と、電磁波遮断層3と、絶縁層2とが、この順で積層された積層体をなしている。  That is, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes the base material layer 1 including the first layer 11 and the second layer 13, the electromagnetic wave shielding layer 3, and the insulating layer 2 laminated in this order. The laminated body is made.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、剥離工程において、基材層1を電磁波遮断層3から剥離する際に、第2の層13と電磁波遮断層3との界面において基材層1が電磁波遮断層3から剥離される。このような剥離では、電磁波遮断層3が第2の層13との離型性を備えており、これにより、第3の層12の形成が省略される。  In the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, when the base material layer 1 is peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 in the peeling step, the base material layer 1 is shielded from electromagnetic waves at the interface between the second layer 13 and the electromagnetic wave shielding layer 3. Peel from layer 3. In such peeling, the electromagnetic wave shielding layer 3 has releasability from the second layer 13, and thus the formation of the third layer 12 is omitted.

この場合、電磁波遮断層3の第2の層13と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、20〜40mN/mであるのが好ましく、25〜35mN/mであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、電磁波遮断層3から第2の層13を確実に剥離させることができる。  In this case, the degree of releasability of the contact surface in contact with the second layer 13 of the electromagnetic wave shielding layer 3 can be expressed by the surface tension of the contact surface, and the surface tension of the contact surface is 20 to 40 mN / m is preferable, and 25 to 35 mN / m is more preferable. When the contact surface has a surface tension within such a range, the second layer 13 can be reliably peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 after being pressed using a vacuum pressurizing laminator or the like.

このような、表面張力を有する電磁波遮断層3としては、例えば、炭素同素体や導電性高分子をポリウレタン等の熱硬化性樹脂中に分散させたもの等が挙げられる。  As such an electromagnetic wave shielding layer 3 having surface tension, for example, a carbon allotrope or a conductive polymer dispersed in a thermosetting resin such as polyurethane can be used.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。  The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

<第6実施形態>
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第6実施形態について説明する。
<Sixth Embodiment>
Next, a sixth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

図7は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第6実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図7中の上側を「上」、下側を「下」と言う。  FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a sixth embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 7 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図7に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図1に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。  Hereinafter, although the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 7 will be described, differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 will be mainly described, and description of similar matters will be omitted.

図7に示す電磁波シールド用フィルム100では、絶縁層2および電磁波遮断層3の積
層順が逆転していること以外は、図1に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。
The electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 7 is the same as the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 1 except that the stacking order of the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 is reversed.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第1の層11、第2の層13、第3の層12からなる基材層1と、電磁波遮断層3と、絶縁層2とが、この順で積層された積層体をなしている。このように積層された電磁波遮断層3および絶縁層2を備える電磁波シールド用フィルム100を用いて基板5上の凹凸6を被覆することで、基板5および電子部品4に絶縁層2が接触し、基板5側から絶縁層2、電磁波遮断層3の順で被覆することとなる。   That is, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 includes the base material layer 1 including the first layer 11, the second layer 13, and the third layer 12, the electromagnetic wave shielding layer 3, and the insulating layer 2. The laminated body is laminated in this order. By covering the unevenness 6 on the substrate 5 using the electromagnetic wave shielding film 100 including the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 laminated in this manner, the insulating layer 2 comes into contact with the substrate 5 and the electronic component 4, The insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are coated in this order from the substrate 5 side.

このように、本実施形態では、絶縁層2は、基板5および電子部品4を、これらに接触した状態で被覆し、これにより、基板5および電子部品4を、絶縁層2を介して基板5と反対側に位置する電磁波遮断層3および他の部材(電子部品等)から絶縁する。   As described above, in the present embodiment, the insulating layer 2 covers the substrate 5 and the electronic component 4 in contact with them, whereby the substrate 5 and the electronic component 4 are covered via the insulating layer 2. It insulates from the electromagnetic wave shielding layer 3 and other members (electronic parts etc.) located on the opposite side.

そのため、かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、例えば、電磁波遮断層3が導電性材料を含む構成のものであったとしても、隣接する電子部品4同士を絶縁層2により確実に絶縁することができる。   Therefore, in the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, for example, even when the electromagnetic wave shielding layer 3 includes a conductive material, the adjacent electronic components 4 can be reliably insulated by the insulating layer 2. it can.

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。   The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

また、前記実施形態では、絶縁層2は、電磁波遮断層3の上面または下面の何れか一方に1つの層が積層される場合について説明したが、かかる場合に限定されず、例えば、電磁波遮断層3の上面および下面の双方に1層ずつ別層として積層されていてもよいし、その形成を省略するようにしてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the insulating layer 2 demonstrated the case where one layer was laminated | stacked on either the upper surface or the lower surface of the electromagnetic wave shielding layer 3, it is not limited to such a case, For example, an electromagnetic wave shielding layer One layer may be laminated as a separate layer on each of the upper surface and the lower surface of 3, or the formation thereof may be omitted.

さらに、前記実施形態では、基板への電子部品の搭載により、基板上に凹凸が形成されており、この凹凸を電磁波シールド用フィルムで被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルムによる被覆は、このような凹凸に対する被覆に限定されず、例えば筐体等が備える平坦(フラット)な領域に対して施すようにしてもよい。   Furthermore, in the above-described embodiment, unevenness is formed on the substrate by mounting the electronic component on the substrate, and the case where the unevenness is covered with the electromagnetic shielding film has been described. The coating is not limited to such unevenness, and for example, it may be applied to a flat region provided in a housing or the like.

<第7実施形態>
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第7実施形態について説明する。
<Seventh embodiment>
Next, a seventh embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described.

図8は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第7実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図8中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing a seventh embodiment of the electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 8 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、図8に示す電磁波シールド用フィルム100について説明するが、図6に示す電磁波シールド用フィルム100との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。  Hereinafter, although the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 8 will be described, the description will focus on the differences from the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 6, and description of similar matters will be omitted.

図8に示す電磁波シールド用フィルム100では、基材層1が備える第1の層11と第3の層12の形成が省略されていること以外は、図6に示した電磁波シールド用フィルム100と同様である。  In the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. 8, except that the formation of the first layer 11 and the third layer 12 included in the base material layer 1 is omitted, the electromagnetic wave shielding film 100 shown in FIG. It is the same.

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム100は、第2の層13からなる基材層1と、電磁波遮断層3と、絶縁層2とが、この順で積層された積層体をなしている。  That is, in the present embodiment, the electromagnetic wave shielding film 100 forms a laminated body in which the base material layer 1 composed of the second layer 13, the electromagnetic wave shielding layer 3, and the insulating layer 2 are laminated in this order. Yes.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、貼付工程において、基板5上の凹凸6に電磁波遮断層3および絶縁層2を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第2の層13との離型性を備えており、これにより、第1の層11の形成が省略される。剥離工程において、基材層1を電磁波遮断層3から剥離する際に、第2の層13と電磁波遮断層3との界面において基材層1が電磁波遮断層3から剥離される。このような剥離では、絶縁層2が第2の層13との離型性を備えており、これにより、第3の層12の形成が省略される。   In the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, the pressing portion of the vacuum pressure laminator or the like used when the electromagnetic wave blocking layer 3 and the insulating layer 2 are pressed into the unevenness 6 on the substrate 5 in the attaching step is the second layer. 13, so that the formation of the first layer 11 is omitted. In the peeling step, when peeling the base material layer 1 from the electromagnetic wave shielding layer 3, the base material layer 1 is peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 at the interface between the second layer 13 and the electromagnetic wave shielding layer 3. In such peeling, the insulating layer 2 has releasability from the second layer 13, whereby the formation of the third layer 12 is omitted.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム100では、基材層1の第2の層13を構成する樹脂としてポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエステル、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられる。
このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム100も、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様にして使用することができ、前記第1実施形態の電磁波シールド用フィルム100と同様の効果が得られる。
In the electromagnetic wave shielding film 100 having such a configuration, the resin constituting the second layer 13 of the base material layer 1 is an α-olefin polymer such as polyethylene or polypropylene, ethylene, propylene, butene, pentene, hexene, methylpentene, or the like. Engineering plastics resins such as α-olefin copolymers, polyesters, polyethersulfones, and polyphenylene sulfides.
The electromagnetic wave shielding film 100 of this embodiment having such a configuration can also be used in the same manner as the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment, and is similar to the electromagnetic wave shielding film 100 of the first embodiment. The effect is obtained.

前記、第1実施形態〜第7実施形態では、貼付工程の後、基材層1を電磁波シールド用フィルム100から剥離する工程を有していたが、剥離することなく、基材層1を部品の保護層として使用し、剥離せず用いてもよい。   In the first embodiment to the seventh embodiment, after the pasting step, there is a step of peeling the base material layer 1 from the electromagnetic wave shielding film 100. The protective layer may be used without peeling off.

以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板について説明した
が、本発明は、これらに限定されるものではない。
The electromagnetic shielding film and the electronic component mounting substrate of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these.

例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムでは、前記第1〜第7実施形態の任意の構
成を組み合わせることもできる。
For example, in the electromagnetic wave shielding film of the present invention, the arbitrary configurations of the first to seventh embodiments can be combined.

また、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様
の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。
Moreover, the arbitrary layers which can exhibit the same function may be added to the film for electromagnetic wave shields of this invention, and the electronic component mounting substrate of this invention.

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。  EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited to this.

(実施例1)
<ペレットの作製>
30質量部のPAN系カーボンファイバー(東邦テナックス(株)社製、商品名:テナックス炭素繊維ミルドファイバー HT M800 160MU 繊維径7μm、長さ160μm)及び70質量部のSIS樹脂(スチレンイソプレンブロックコポリマー、日本ゼオン(株)社製、商品名:クインタック 3280)をシリンダー径45mmの二軸押出機に投入して混練し、ペレットを作製した。
Example 1
<Preparation of pellet>
30 parts by mass of PAN-based carbon fiber (manufactured by Toho Tenax Co., Ltd., trade name: Tenax carbon fiber milled fiber HT M800 160MU, fiber diameter 7 μm, length 160 μm) and 70 parts by mass of SIS resin (styrene isoprene block copolymer, Japan Zeon Co., Ltd., trade name: QUINTAC 3280) was put into a twin screw extruder with a cylinder diameter of 45 mm and kneaded to prepare pellets.

<電磁波シールド層フィルムの製造>
前記ペレットを電気加熱プレス機上に配置し、温度220℃圧力20Mpaの条件でフィルム状に成型して、電磁波シールド層フィルムを得た。
<Manufacture of electromagnetic wave shielding layer film>
The pellet was placed on an electric heating press and molded into a film under conditions of a temperature of 220 ° C. and a pressure of 20 Mpa to obtain an electromagnetic wave shielding layer film.

このとき、電磁波シールド層は100μmとなった。  At this time, the electromagnetic wave shielding layer was 100 μm.

<電磁波シールド性>
実施例1で作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数1GHzにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。さらに、前述したKEC法を用いて、周波数1GHzにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。
<Electromagnetic wave shielding>
About the electromagnetic wave shielding property evaluation film produced in Example 1, the electromagnetic wave shielding property which blocks | interrupts the electromagnetic wave in frequency 1GHz was measured using the microstrip line method mentioned above. Furthermore, the electromagnetic shielding property which interrupts | blocks the electromagnetic wave in frequency 1GHz was measured using KEC method mentioned above.

<電磁波シールド用フィルムの製造>
電磁波シールド用フィルムを得るために、第1の層(第1離型層)を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)を準備した。第3の層(第2離型層)を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン(出光興産(株)社製、商品名:ザレックS107)を準備した。第2の層(クッション層)を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体(住友化学(株)社製、商品名:アクリフトWD106)を準備した。絶縁層を構成する樹脂として、ポリオレフィン系エマルジョン(ユニチカ(株)社製、商品名:アローベースTC−4010)を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、前記で調整した電磁波シールド層フィルムを準備した。
<Manufacture of electromagnetic shielding film>
In order to obtain an electromagnetic wave shielding film, syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zalec S107) was prepared as a resin constituting the first layer (first release layer). Syndiotactic polystyrene (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: Zarek S107) was prepared as a resin constituting the third layer (second release layer). As the resin constituting the second layer (cushion layer), an ethylene-methyl acrylate copolymer (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ACRIFT WD106) was prepared. A polyolefin emulsion (manufactured by Unitika Ltd., trade name: Arrow Base TC-4010) was prepared as a resin constituting the insulating layer. As the resin constituting the electromagnetic wave shielding layer, the electromagnetic wave shielding layer film prepared as described above was prepared.

第1の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第3の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第2の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層として前記導電性電磁波シールド層フィルムを基材層にラミネートし、また、絶縁層として前記ポリオレフィン系エマルジョンを電磁波シールドフィルムにコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。
実施例1の電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、240μmであり、第1の層の厚みは30μm、第3の層の厚みは30μm、第2の層の厚みは60μm、絶縁層の厚みは20μm、電磁波遮断層の厚みは100μmであった。
The syndiotactic polystyrene as the first layer, the syndiotactic polystyrene as the third layer, and the ethylene-methyl acrylate copolymer as the second layer are combined using a feed block and a multi-manifold die. A film was formed by extrusion. The conductive electromagnetic wave shielding layer film was laminated on a base material layer as an electromagnetic wave shielding layer, and the electromagnetic wave shielding film was coated with the polyolefin emulsion as an insulating layer to produce an electromagnetic wave shielding film.
The total thickness of the electromagnetic wave shielding film of Example 1 is 240 μm, the thickness of the first layer is 30 μm, the thickness of the third layer is 30 μm, the thickness of the second layer is 60 μm, and the thickness of the insulating layer is The thickness of 20 μm and the electromagnetic wave shielding layer was 100 μm.

(実施例2)
50重量部のPAN系カーボンファイバー(東邦テナックス(株)社製、商品名:テナックス炭素繊維ミルドファイバー HT M800 160MU)及び50重量部のSIS樹脂(日本ゼオン(株)社製、商品名:クインタック 3280)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ペレットを作製し、電磁波シールド層フィルム、電磁波シールド用フィルムを作製した。
(Example 2)
50 parts by weight of PAN-based carbon fiber (manufactured by Toho Tenax Co., Ltd., trade name: Tenax carbon fiber milled fiber HT M800 160MU) and 50 parts by weight of SIS resin (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., trade name: QUINTAC) Except that 3280) was used, pellets were prepared in the same manner as in Example 1 to prepare an electromagnetic wave shielding layer film and an electromagnetic wave shielding film.

(実施例3)
50重量部のピッチ系カーボンファイバー(サイテック社製、商品名:THORNEL DKD繊維径10μm、長さ200μm)及び50重量部のSIS樹脂(日本ゼオン(株)社製、商品名:クインタック 3280)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ペレットを作製し、電磁波シールド層フィルム、電磁波シールド用フィルムを作製した。
(Example 3)
50 parts by weight of pitch-based carbon fiber (manufactured by Cytec, trade name: THORNEL DKD fiber diameter 10 μm, length 200 μm) and 50 parts by weight of SIS resin (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., trade name: QUINTAC 3280) Except having used, it carried out similarly to Example 1, and produced the pellet, and produced the electromagnetic wave shielding layer film and the film for electromagnetic wave shielding.

(実施例4)
70重量部のピッチ系カーボンファイバー(サイテック社製、商品名:THORNEL DKD)及び30重量部のSIS樹脂(日本ゼオン(株)社製、商品名:クインタック 3280)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ペレットを作製し、電磁波シールド層フィルム、電磁波シールド用フィルムを作製した。
Example 4
Example except that 70 parts by weight of pitch-based carbon fiber (made by Cytec, trade name: THORNEL DKD) and 30 parts by weight of SIS resin (made by Nippon Zeon Co., Ltd., trade name: QUINTAC 3280) were used. In the same manner as in Example 1, pellets were prepared, and an electromagnetic wave shielding layer film and an electromagnetic wave shielding film were produced.

(実施例5)
70重量部のピッチ系カーボンファイバー((株)クレハ社製、商品名:KCF−100 M1009S 繊維径14.5μm、長さ100μm)及び30重量部のSIS樹脂(日本ゼオン(株)社製、商品名:クインタック 3280)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ペレットを作製し、電磁波シールド層フィルム、電磁波シールド用フィルムを作製した。
(Example 5)
70 parts by weight of pitch-based carbon fiber (manufactured by Kureha Co., Ltd., trade name: KCF-100 M1009S, fiber diameter: 14.5 μm, length: 100 μm) and 30 parts by weight of SIS resin (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., product) A pellet was prepared in the same manner as in Example 1 except that name: QUINTAC 3280) was used, and an electromagnetic wave shielding layer film and an electromagnetic wave shielding film were produced.

(実施例6)
70重量部のピッチ系カーボンファイバー(大阪ガスケミカル(株)社製、商品名:S−242 繊維径13μm、長さ370μm)及び30重量部のSIS樹脂(日本ゼオン(株)社製、商品名:クインタック 3280)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ペレットを作製し、電磁波シールド層フィルム、電磁波シールド用フィルムを作製した。
(Example 6)
70 parts by weight of pitch-based carbon fiber (manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., trade name: S-242, fiber diameter 13 μm, length 370 μm) and 30 parts by weight of SIS resin (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., trade name) : Quintac 3280) was used in the same manner as in Example 1 except that pellets were produced, and an electromagnetic wave shielding layer film and an electromagnetic wave shielding film were produced.

(実施例7)
70重量部のピッチ系カーボンファイバー(サイテック社製、商品名:THORNEL DKD)及び30重量部のSEBS樹脂(水添スチレン系熱可塑性エラストマー アロン化成(株)社製、商品名:AR−FL−75N)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ペレットを作製し、電磁波シールド層フィルム、電磁波シールド用フィルムを作製した。
(Example 7)
70 parts by weight of pitch-based carbon fiber (made by Cytec, trade name: THORNEL DKD) and 30 parts by weight of SEBS resin (hydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer, made by Aron Kasei Co., Ltd., trade name: AR-FL-75N Except that was used, pellets were prepared in the same manner as in Example 1 to prepare an electromagnetic wave shielding layer film and an electromagnetic wave shielding film.

(実施例8)
70重量部のピッチ系カーボンファイバー(サイテック社製、商品名:THORNEL DKD)及び30重量部のポリプロピレン樹脂(住友化学(株)社製、商品名:ノーブレンFS2011DG2)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ペレットを作製し、電磁波シールド層フィルム、電磁波シールド用フィルムを作製した。
(Example 8)
Example 1 except that 70 parts by weight of pitch-based carbon fiber (Cytech, trade name: THORNEL DKD) and 30 parts by weight of polypropylene resin (Sumitomo Chemical Co., trade name: Nobrene FS2011DG2) were used. In the same manner as above, pellets were prepared, and an electromagnetic wave shielding layer film and an electromagnetic wave shielding film were produced.

(比較例1)
20重量部のピッチ系カーボンファイバー(サイテック社製、商品名:THORNEL DKD)及び80重量部のSIS樹脂(日本ゼオン(株)社製、商品名:クインタック 3280)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ペレットを作製し、電磁波シールド層フィルム、電磁波シールド用フィルムを作製した。
(Comparative Example 1)
Except for using 20 parts by weight of pitch-based carbon fiber (product name: THORNEL DKD) manufactured by Cytec Co., Ltd. and 80 parts by weight of SIS resin (product name: QUINTAC 3280 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) In the same manner as in Example 1, pellets were prepared, and an electromagnetic wave shielding layer film and an electromagnetic wave shielding film were produced.

(比較例2)
20重量部のピッチ系カーボンファイバー((株)クレハ社製、商品名:KCF−100)及び80重量部のSIS樹脂(日本ゼオン(株)社製、商品名:クインタック 3280)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ペレットを作製し、電磁波シールド層フィルム、電磁波シールド用フィルムを作製した。
(Comparative Example 2)
Except for using 20 parts by weight of pitch-based carbon fiber (manufactured by Kureha Co., Ltd., trade name: KCF-100) and 80 parts by weight of SIS resin (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., trade name: QUINTAC 3280) In the same manner as in Example 1, pellets were produced, and an electromagnetic wave shielding layer film and an electromagnetic wave shielding film were produced.

(比較例3)
20重量部のピッチ系カーボンファイバー(大阪ガスケミカル(株)社製、商品名:S−242)及び80重量部のSIS樹脂(日本ゼオン(株)社製、商品名:クインタック 3280)を用いた以外は、実施例1と同様にして、ペレットを作製し、電磁波シールド層フィルム、電磁波シールド用フィルムを作製した。
(Comparative Example 3)
20 parts by weight of pitch-based carbon fiber (manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., trade name: S-242) and 80 parts by weight of SIS resin (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., trade name: QUINTAC 3280) are used. Except for the above, pellets were produced in the same manner as in Example 1, and an electromagnetic wave shielding layer film and an electromagnetic wave shielding film were produced.

結果を表1に示す。  The results are shown in Table 1.

表1から明らかなように、実施例1〜8では、1GHzのように高周波帯域の電磁波であっても、電磁波を吸収することで効果的に遮断されている結果が得られた。 As is apparent from Table 1, in Examples 1 to 8, even if the electromagnetic wave was in a high frequency band such as 1 GHz, the result of being effectively blocked by absorbing the electromagnetic wave was obtained.

これに対して、比較例では、実施例1〜8と比較すると、高周波帯域の電磁波が効果的に遮断されているとはいえない結果であった。  On the other hand, in the comparative example, compared with Examples 1-8, it was a result that it cannot be said that the electromagnetic wave of a high frequency band was interrupted | blocked effectively.

100 電磁波シールド用フィルム
1 基材層
11 第1の層
12 第3の層
13 第2の層
2 絶縁層
3 電磁波遮断層
4 電子部品
5 基板
6 凹凸
61 凸部
62 凹部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Electromagnetic wave shielding film 1 Base material layer 11 1st layer 12 3rd layer 13 2nd layer 2 Insulating layer 3 Electromagnetic wave blocking layer 4 Electronic component 5 Substrate 6 Concavity and convexity 61 Convex part

Claims (12)

電磁波遮断層を有するフィルムであって、
前記電磁波遮断層は、カーボンファイバーと、熱可塑性樹脂を含有し、カーボンファイバーが、前記電磁波遮断層中、30質量%以上含有することを特徴する電磁波シールド用フィルム。
A film having an electromagnetic wave shielding layer,
The electromagnetic wave shielding layer contains carbon fiber and a thermoplastic resin, and the carbon fiber contains 30% by mass or more in the electromagnetic wave shielding layer.
前記熱可塑性樹脂が熱可塑性エラストマーであることを特徴とする請求項1記載の電磁波シールド用フィルム。  2. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the thermoplastic resin is a thermoplastic elastomer. 前記熱可塑性エラストマーがスチレン系エラストマーであることを特徴とする請求項1または2に記載の電磁波シールド用フィルム。  The electromagnetic shielding film according to claim 1, wherein the thermoplastic elastomer is a styrene elastomer. 前記カーボンファイバーの、アスペクト比が5以上200以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。  The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 3, wherein the carbon fiber has an aspect ratio of 5 or more and 200 or less. 前記電磁波遮断層は、周波数0.2〜1GHzの電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が5dB以上である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。  5. The electromagnetic wave shielding according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding layer has an electromagnetic wave shielding effect of 5 dB or more when measured using a microstrip line method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.2 to 1 GHz. Film. 前記電磁波遮断層は、周波数0.2〜1GHzの電磁波における、KEC法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が7dB以上である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。  The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 5, wherein the electromagnetic wave shielding layer has an electromagnetic wave shielding effect of 7 dB or more when measured using a KEC method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.2 to 1 GHz. . 前記電磁波遮断層の厚さは、1μm以上、150μm以下である請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。  The film for electromagnetic wave shielding according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding layer has a thickness of 1 μm or more and 150 μm or less. 前記電磁波遮断層の片面に積層された基材層を備える請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。  The film for electromagnetic wave shielding of any one of Claims 1 thru | or 7 provided with the base material layer laminated | stacked on the single side | surface of the said electromagnetic wave shielding layer. 前記電磁波遮断層の片面に積層された絶縁層を備える請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。  The film for electromagnetic wave shielding of any one of Claim 1 thru | or 7 provided with the insulating layer laminated | stacked on the single side | surface of the said electromagnetic wave shielding layer. 前記電磁波遮断層の片面に積層された基材層を備え、さらに前記基材層と反対側の面に積層された絶縁層を備える請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。  The electromagnetic wave according to any one of claims 1 to 7, further comprising a base material layer laminated on one side of the electromagnetic wave shielding layer, and further comprising an insulating layer laminated on a surface opposite to the base material layer. Shield film. 当該電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる請求項1ないし10のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。  The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 10, wherein the electromagnetic wave shielding film is used for covering irregularities on a substrate. 基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および電子部品を被覆する、電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、カーボンファイバーと、熱可塑性樹脂を含有することを特徴する電子部品搭載基板。
An electronic component mounting substrate comprising: a substrate; an electronic component mounted on the substrate; and an electromagnetic wave shielding layer that covers the substrate and the electronic component from a side of the substrate on which the electronic component is mounted. ,
The electronic component mounting substrate, wherein the electromagnetic wave shielding layer contains carbon fiber and a thermoplastic resin.
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