JP2017050427A - Electromagnetic wave shielding film, and electronic component mounting board - Google Patents

Electromagnetic wave shielding film, and electronic component mounting board Download PDF

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明徳 橋本
Akinori Hashimoto
明徳 橋本
白石 史広
Fumihiro Shiraishi
史広 白石
雅彦 渡邊
Masahiko Watanabe
雅彦 渡邊
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic wave shielding film capable of shielding up to the electromagnetic waves of high frequency band by absorption while reducing the weight and thickness, and to provide an electronic component mounting board where an electronic component mounted on the board is coated with an electromagnetic wave shielding layer by using such an electromagnetic wave shielding film.SOLUTION: An electromagnetic wave shielding film 10 includes an electromagnetic wave shielding layer 3 including a first layer 31 containing metallic particles including at least one kind of metal and metal oxide, and a second layer 32 not containing the metallic particles. This electromagnetic wave shielding layer 3 coats an electronic component while placing the second layer 32 on the side of the electronic component mounted on the board. Since the second layer 32 is interposed between the first layer 31 and the electronic component, the clearance of the first layer 31 and electronic component is set to 10-200 μm.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板に関するものである。   The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film and an electronic component mounting substrate.

従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサ、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。   Conventionally, electronic components that are easily affected by electromagnetic waves, such as mobile phones and medical devices, exothermic electronic components such as semiconductor elements, various electronic components such as capacitors and coils, or these electronic components are mounted on a circuit board. In order to reduce the influence of noise caused by electromagnetic waves, an electromagnetic shielding film has been attached to the surface of the electronic devices.

このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる保護層(基材層)と、保護層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが開発されている(例えば、特許文献1参照。)。   As such an electromagnetic wave shielding film, for example, a film having a protective layer (base material layer) made of an insulating material and a metal layer laminated on one or both surfaces of the protective layer has been developed (for example, , See Patent Document 1).

しかしながら、特許文献1に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。   However, as described in Patent Document 1, when the electromagnetic wave shielding film has a configuration having a metal layer, there is a problem that it is not possible to cope with the reduction in weight and thickness that has been increasingly demanded in recent years.

また、上述の通り、電磁波シールド用フィルムを貼付する電子機器が多様化し、これに応じて、遮断すべきノイズである電磁波の周波数も多様化しているが、このような電磁波を遮断する機能を発揮する電磁波遮断層としては、例えば、反射層と、吸収層とがある。   In addition, as described above, the electronic equipment to which the electromagnetic wave shielding film is attached has been diversified, and the frequency of electromagnetic waves, which is noise to be blocked, has also been diversified accordingly. However, the function of blocking such electromagnetic waves is demonstrated. Examples of the electromagnetic wave blocking layer that can be used include a reflective layer and an absorbing layer.

ここで、反射層では、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断(遮蔽)し、吸収層では、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで、電磁波を消滅させて遮断する。これらのうち反射層では、反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼすという欠点を有する。そのため、近年、吸収層で構成された電磁波遮断層について研究がなされ、特に、高周波帯域のものまで効果的に吸収により遮断し得る電磁波遮断層(吸収層)を備える電磁波シールド用フィルムの開発がなされている。   Here, in the reflection layer, the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer is blocked (shielded), and in the absorbing layer, the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer is absorbed and converted into thermal energy, thereby converting the electromagnetic wave. Disappear and block. Among these, the reflective layer has a drawback that the reflected electromagnetic waves have an adverse effect such as malfunction on other members not covered with the electromagnetic wave shielding layer. Therefore, in recent years, research has been conducted on an electromagnetic wave shielding layer composed of an absorbing layer, and in particular, an electromagnetic shielding film including an electromagnetic wave shielding layer (absorbing layer) capable of effectively blocking even a high frequency band has been developed. ing.

特開2006−156946公報JP 2006-156946 A

本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、高周波帯域の電磁波まで吸収により遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供することにある。   An object of the present invention is to reduce the weight and thickness of the electromagnetic wave shielding film capable of blocking even electromagnetic waves in a high frequency band by absorption, and an electron mounted on a substrate using the electromagnetic wave shielding film. An object of the present invention is to provide an electronic component mounting substrate in which the component is covered with an electromagnetic wave shielding layer.

このような目的は、下記(1)〜(12)に記載の本発明により達成される。
(1) 金属および金属酸化物のうちの少なくとも1種を含む金属系粒子を含有する第1の層と、前記金属系粒子を含有しない第2の層とを含む電磁波遮断層を備え、
前記電磁波遮断層は、前記第2の層を、基板上に搭載された電子部品側にして、前記電子部品を被覆するものであり、
前記第1の層と前記電子部品との間に、前記第2の層が介在することで、前記第1の層と前記電子部品との離間距離が10μm以上200μm以下となるように構成されていることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (12).
(1) An electromagnetic wave shielding layer including a first layer containing metal-based particles containing at least one of a metal and a metal oxide, and a second layer not containing the metal-based particles,
The electromagnetic wave shielding layer covers the electronic component with the second layer facing the electronic component mounted on the substrate.
Since the second layer is interposed between the first layer and the electronic component, the separation distance between the first layer and the electronic component is 10 μm or more and 200 μm or less. An electromagnetic wave shielding film characterized by comprising:

(2) 前記電磁波遮断層は、周波数0.1GHz以上3GHz以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が3dB以下である上記(1)に記載の電磁波シールド用フィルム。   (2) The electromagnetic wave shielding film according to (1), wherein the electromagnetic wave shielding layer has a mismatch loss of 3 dB or less when measured using a microstripline method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz to 3 GHz. .

(3) 前記電磁波遮断層は、周波数0.01GHz以上1GHz以下の電磁波における、KEC法(電界)を用いて測定した際の電磁波シールド効果が30dB以上である上記(1)または(2)に記載の電磁波シールド用フィルム。   (3) The electromagnetic wave shielding layer described in (1) or (2) above, wherein the electromagnetic wave shielding effect when measured using the KEC method (electric field) in an electromagnetic wave having a frequency of 0.01 GHz or more and 1 GHz or less is 30 dB or more. Electromagnetic shielding film.

(4) 前記第2の層は、導電性高分子およびバインダー樹脂のうちの少なくとも1種を含むものである上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (4) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (3), wherein the second layer includes at least one of a conductive polymer and a binder resin.

(5) 前記導電性高分子は、ポリアニリン、PEDOT/PSS、ポリピロールおよびポリチオフェンのうちの少なくとも1種である上記(4)に記載の電磁波シールド用フィルム。   (5) The electromagnetic shielding film according to (4), wherein the conductive polymer is at least one of polyaniline, PEDOT / PSS, polypyrrole, and polythiophene.

(6) 前記金属系粒子は、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、または、これらを含む合金のうちの少なくとも1種である上記(1)ないし(5)のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (6) The electromagnetic shielding material according to any one of (1) to (5), wherein the metal-based particles are at least one of silver, copper, iron, nickel and aluminum, or an alloy containing these. the film.

(7) 前記第1の層は、さらにバインダー樹脂を含み、前記第1の層における、前記金属系粒子の含有量は、60wt%以上80wt%以下である上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (7) Any of the above (1) to (6), wherein the first layer further includes a binder resin, and the content of the metal-based particles in the first layer is 60 wt% or more and 80 wt% or less. The film for electromagnetic wave shielding as described in crab.

(8) 前記第1の層は、その平均層厚みが10μm以上1000μm以下である上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (8) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (7), wherein the first layer has an average layer thickness of 10 μm to 1000 μm.

(9) 前記第2の層は、その平均層厚みが10μm以上200μm以下である上記(1)ないし(8)のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (9) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (8), wherein the second layer has an average layer thickness of 10 μm to 200 μm.

(10) 当該電磁波シールド用フィルムは、さらに、前記電磁波遮断層の前記第1の層側に積層された保護シートを含む上記(1)ないし(9)のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (10) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (9), wherein the electromagnetic wave shielding film further includes a protective sheet laminated on the first layer side of the electromagnetic wave shielding layer.

(11) 当該電磁波シールド用フィルムは、波長300nm以上800nm以下における光線透過率が0.01%以上30%以下である上記(1)ないし(10)のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (11) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (10), wherein the electromagnetic wave shielding film has a light transmittance of 0.01% to 30% at a wavelength of 300 nm to 800 nm.

(12) 基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および前記電子部品を被覆する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、金属および金属酸化物のうちの少なくとも1種を含む金属系粒子を含有する第1の層と、前記金属系粒子を含有しない第2の層とを含み、前記第1の層と前記電子部品との間に、前記第2の層が介在することで、前記第1の層と前記電子部品との離間距離が10μm以上200μm以下となるように構成されていることを特徴する電子部品搭載基板。
(12) An electronic component mounting substrate having a substrate, an electronic component mounted on the substrate, and an electromagnetic wave shielding layer that covers the substrate and the electronic component from the side of the substrate on which the electronic component is mounted Because
The electromagnetic wave shielding layer includes a first layer containing metal-based particles containing at least one of a metal and a metal oxide, and a second layer not containing the metal-based particles, Since the second layer is interposed between the layer and the electronic component, the separation distance between the first layer and the electronic component is 10 μm or more and 200 μm or less. Electronic component mounting board.

本発明では、電磁波シールド用フィルムを、金属および金属酸化物のうちの少なくとも1種を含む金属系粒子を含有する第1の層と、前記金属系粒子を含有しない第2の層とを含む電磁波遮断層を備え、該電磁波遮断層を、前記第2の層を、基板上に搭載された電子部品側にして、前記電子部品を被覆するものとし、これにより、前記第1の層と前記電子部品との間に、前記第2の層が介在して、前記第1の層と前記電子部品との離間距離を10μm以上200μm以下となるよう構成している。   In the present invention, the electromagnetic wave shielding film includes an electromagnetic wave including a first layer containing metal-based particles containing at least one of a metal and a metal oxide, and a second layer not containing the metal-based particles. A shielding layer, and the electromagnetic wave shielding layer covers the electronic component with the second layer facing the electronic component mounted on the substrate, whereby the first layer and the electron The second layer is interposed between the component and the separation distance between the first layer and the electronic component is 10 μm or more and 200 μm or less.

かかる構成の本発明によれば、電磁波シールド用フィルムを、周波数0.1GHz以上3GHz以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が3dB以下であり、さらに、周波数0.01GHz以上1GHz以下の電磁波における、KEC法(電界)を用いて測定した際の電磁波シールド効果が3dB以上であるものとすることができる。したがって、電磁波シールド用フィルムは、軽量化・薄膜化が図られているとともに、電磁波遮断層により電磁波を吸収により効果的に遮断しているものと言うことができる。   According to the present invention having such a configuration, the mismatch loss when the electromagnetic wave shielding film is measured using the microstrip line method in electromagnetic waves having a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less is 3 dB or less. The electromagnetic wave shielding effect when measured using the KEC method (electric field) in an electromagnetic wave of .01 GHz or more and 1 GHz or less can be 3 dB or more. Therefore, it can be said that the electromagnetic wave shielding film is reduced in weight and thickness, and effectively shields the electromagnetic wave by absorption by the electromagnetic wave shielding layer.

本発明の電磁波シールド用フィルムの実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 図1に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第1の被覆方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the 1st coating method of the coating method of the electronic component using the film for electromagnetic wave shielding shown in FIG. 図1に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第2の被覆方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the 2nd coating method of the coating method of the electronic component using the electromagnetic wave shielding film shown in FIG. 図1に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第3の被覆方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the 3rd coating method of the coating method of the electronic component using the film for electromagnetic wave shielding shown in FIG. マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波の周波数と不整合損との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the frequency of electromagnetic waves at the time of measuring using a microstrip line method, and mismatch loss. KEC法(電界)を用いて測定した際の電磁波の周波数とシールド効果との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the frequency of electromagnetic waves when measured using the KEC method (electric field) and the shielding effect.

以下、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。   Hereinafter, an electromagnetic wave shielding film and an electronic component mounting substrate of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

本発明の電磁波シールド用フィルム10は、金属および金属酸化物のうちの少なくとも1種を含む金属系粒子を含有する第1の層31と、前記金属系粒子を含有しない第2の層32とを含む電磁波遮断層3を備え、この電磁波遮断層3は、第2の層32を、基板5上に搭載された電子部品4側にして、この電子部品4を被覆するものであり、第1の層31と電子部品4との間に、第2の層32が介在することで、第1の層31と前記電子部品との離間距離が10μm以上200μm以下となるように構成されていることを特徴とする。   The electromagnetic wave shielding film 10 of the present invention comprises a first layer 31 containing metal particles containing at least one of a metal and a metal oxide, and a second layer 32 not containing the metal particles. The electromagnetic wave shielding layer 3 includes an electromagnetic wave shielding layer 3 that covers the electronic component 4 with the second layer 32 facing the electronic component 4 mounted on the substrate 5. That the second layer 32 is interposed between the layer 31 and the electronic component 4 so that the separation distance between the first layer 31 and the electronic component is 10 μm or more and 200 μm or less. Features.

かかる構成の電磁波シールド用フィルム10によれば、電磁波シールド用フィルムを、周波数0.1GHz以上3GHz以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が3dB以下であり、さらに、周波数0.01GHz以上1GHz以下の電磁波における、KEC法(電界)を用いて測定した際の電磁波シールド効果が30dB以上であるものとすることができる。すなわち、電磁波シールド用フィルム10は、軽量化・薄膜化が図られているとともに、電磁波遮断層3により電磁波を吸収により効果的に遮断し得るものであると言うことができる。   According to the electromagnetic wave shielding film 10 having such a configuration, the mismatch loss when the electromagnetic wave shielding film is measured using the microstrip line method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less is 3 dB or less. The electromagnetic wave shielding effect when measured using the KEC method (electric field) in electromagnetic waves having a frequency of 0.01 GHz to 1 GHz can be 30 dB or more. That is, it can be said that the electromagnetic wave shielding film 10 is light and thin, and can effectively block electromagnetic waves by absorbing the electromagnetic wave through the electromagnetic wave blocking layer 3.

以下、この電磁波シールド用フィルムについて説明する。
<電磁波シールド用フィルム>
図1は、本発明の電磁波シールド用フィルムの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
Hereinafter, the electromagnetic wave shielding film will be described.
<Electromagnetic wave shielding film>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of an electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIG. 1 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

電磁波シールド用フィルム10は、基板5上の凹凸6を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムである。   The electromagnetic wave shielding film 10 is an electromagnetic wave shielding film used for covering the irregularities 6 on the substrate 5.

図1に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム10は、保護層(保護シート)1と、第1の層31および第2の層32を備える電磁波遮断層3とを含んで構成され、電磁波遮断層3は、保護層1の下面(一方の面)に、第1の層31を保護層1側にして、接触して積層されている。   As shown in FIG. 1, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 10 includes a protective layer (protective sheet) 1 and an electromagnetic wave blocking layer 3 including a first layer 31 and a second layer 32. The electromagnetic wave shielding layer 3 is laminated on the lower surface (one surface) of the protective layer 1 in contact with the first layer 31 facing the protective layer 1 side.

なお、以下では、基板5上に電子部品4が搭載(載置)され、この電子部品4の搭載により基板5上に凸部65と凹部66とからなる凹凸6が形成されており、この凹凸6を電磁波シールド用フィルム10で被覆する場合について説明する。すなわち、基板5上に搭載された電子部品4を電磁波シールド用フィルム10で被覆する場合について説明する。なお、基板5上に搭載する電子部品4としては、例えば、フレキシブル回路基板(FPC)上に搭載されているLCDドライバーIC、タッチパネル周辺のIC+コンデンサまたは電子回路基板(マザーボード)が挙げられる。   In the following description, the electronic component 4 is mounted (placed) on the substrate 5, and the unevenness 6 including the convex portions 65 and the concave portions 66 is formed on the substrate 5 by mounting the electronic component 4. The case where 6 is covered with the electromagnetic wave shielding film 10 will be described. That is, the case where the electronic component 4 mounted on the substrate 5 is covered with the electromagnetic wave shielding film 10 will be described. Examples of the electronic component 4 mounted on the substrate 5 include an LCD driver IC mounted on a flexible circuit board (FPC), an IC + capacitor around the touch panel, or an electronic circuit board (motherboard).

以下、電磁波シールド用フィルム10が備える各層1、3について説明する。
<保護層1>
まず、保護層1について説明する。
Hereinafter, the layers 1 and 3 included in the electromagnetic wave shielding film 10 will be described.
<Protective layer 1>
First, the protective layer 1 will be described.

保護層(保護シート)1は、電磁波遮断層3の酸化による劣化を防止する機能を有する。さらに、保護層1は、可撓性を備え、後述する電子部品の被覆方法の貼付工程において、電磁波シールド用フィルム10を用いて、基板5上の凹凸6に電磁波遮断層3を押し込むことで、この凹凸6を被覆する場合に、押し込まれた電磁波遮断層3が破断するのを防止する保護(緩衝)材として機能するものである。   The protective layer (protective sheet) 1 has a function of preventing deterioration of the electromagnetic wave shielding layer 3 due to oxidation. Furthermore, the protective layer 1 has flexibility, and in the attaching step of the electronic component coating method described later, the electromagnetic wave shielding layer 3 is pushed into the unevenness 6 on the substrate 5 by using the electromagnetic wave shielding film 10. When covering this unevenness | corrugation 6, it functions as a protective (buffer) material which prevents the electromagnetic wave blocking layer 3 that has been pressed from breaking.

この保護層1の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、無軸延伸ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン等のポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン、スチレンエラストマー樹脂、スチレンブタジエンゴムのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、無軸延伸ポリプロピレンを用いることが好ましい。これにより、保護層1の電磁波遮断層3に対する保護性、さらには耐熱性を向上させることができる。   The constituent material of the protective layer 1 is not particularly limited. For example, syndiotactic polystyrene, polymethylpentene, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polypropylene such as non-axially oriented polypropylene and biaxially oriented polypropylene, cyclic olefin polymers, Examples thereof include resin materials such as silicone, styrene elastomer resin, and styrene butadiene rubber. Among these, it is preferable to use non-axially stretched polypropylene. Thereby, the protection property with respect to the electromagnetic wave shielding layer 3 of the protective layer 1 and also the heat resistance can be improved.

また、保護層1の常温(25℃)における貯蔵弾性率は、2.0E+02〜5.0E+10Paであるのが好ましく、2.0E+03〜5.0E+09Paであるのがより好ましく、2.0E+04〜3.0E+09Paであるのがさらに好ましい。このように、保護層1の常温(25℃)における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、保護層1は可撓性を有するものであると言うことができ、電磁波シールド用フィルム10を用いて、基板5上の凹凸6を被覆する際に、電磁波遮断層3に破断を生じさせることなく電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応した状態で押し込むことができる。その結果、この凹凸6が設けられた基板5が、破断の発生が防止された電磁波遮断層3をもって、凹凸6の形状に追従した状態で被覆されるようになるため、この電磁波遮断層3による凹凸6が設けられた基板5に対する電磁波シールド(遮断)性が向上することとなる。   The storage elastic modulus of the protective layer 1 at normal temperature (25 ° C.) is preferably 2.0E + 02 to 5.0E + 10 Pa, more preferably 2.0E + 03 to 5.0E + 09 Pa, and 2.0E + 04 to 3. More preferably, it is 0E + 09 Pa. Thus, by setting the storage elastic modulus at normal temperature (25 ° C.) of the protective layer 1 within the above range, it can be said that the protective layer 1 has flexibility, and an electromagnetic shielding film. 10, when the unevenness 6 on the substrate 5 is covered, the electromagnetic wave shielding layer 3 can be pushed in a state corresponding to the shape of the unevenness 6 without causing the electromagnetic wave shielding layer 3 to break. As a result, the substrate 5 provided with the unevenness 6 is covered with the electromagnetic wave blocking layer 3 in which the occurrence of breakage is prevented, following the shape of the unevenness 6. The electromagnetic wave shielding (blocking) property to the substrate 5 provided with the unevenness 6 is improved.

保護層1の厚みは、特に限定されないが、3μm以上、20μm以下であることが好ましく、5μm以上、15μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは7μm以上、12μm以下である。保護層1の厚みが前記下限値未満である場合、保護層1ひいては電磁波遮断層3が破断し、その電磁波シールド性が低下するおそれがある。また、保護層1の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム10を用いて被覆する基板5の設計によっては、基板5を電磁波シールド用フィルム10で被覆した積層体の軽量化・薄型化が実現されないおそれがある。   Although the thickness of the protective layer 1 is not specifically limited, It is preferable that they are 3 micrometers or more and 20 micrometers or less, It is more preferable that they are 5 micrometers or more and 15 micrometers or less, More preferably, they are 7 micrometers or more and 12 micrometers or less. When the thickness of the protective layer 1 is less than the lower limit value, the protective layer 1 and thus the electromagnetic wave shielding layer 3 may be broken, and the electromagnetic shielding property may be deteriorated. Further, when the thickness of the protective layer 1 exceeds the upper limit, depending on the design of the substrate 5 covered with the electromagnetic wave shielding film 10, the weight and thickness of the laminate in which the substrate 5 is covered with the electromagnetic wave shielding film 10 can be reduced. May not be realized.

さらに、保護層1は、その電磁波遮断層3側の面に、粘着剤層を備えるものであってもよい。すなわち、電磁波遮断層3は、粘着剤層を介して保護層1に接合されたものであってもよい。これにより、保護層1と電磁波遮断層3との粘着性(密着性)の向上が図られる。   Furthermore, the protective layer 1 may include a pressure-sensitive adhesive layer on the surface on the electromagnetic wave shielding layer 3 side. That is, the electromagnetic wave shielding layer 3 may be bonded to the protective layer 1 via the pressure-sensitive adhesive layer. Thereby, the adhesiveness (adhesiveness) of the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 is improved.

この粘着剤層は、例えば、主として、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤およびゴム系粘着剤等のうちの少なくとも1種からなる粘着剤で構成される。   This pressure-sensitive adhesive layer is mainly composed of, for example, a pressure-sensitive adhesive made of at least one of an acrylic pressure-sensitive adhesive, a silicone pressure-sensitive adhesive, and a rubber-based pressure-sensitive adhesive.

アクリル系粘着剤としては、例えば、(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、(メタ)アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体(例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等)との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を2種類以上混合したものが挙げられる。   Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof, and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate). , Styrene, acrylonitrile and the like) and the like. Moreover, what mixed 2 or more types of these resin is mentioned.

また、これらの中でも、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチルヘキシルおよび(メタ)アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる1種以上と、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる1種以上との共重合体が好ましい。これにより、粘着層が粘着する電磁波遮断層3との密着性や粘着性の制御が容易になる。   Among these, one or more selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and hydroxyethyl (meth) acrylate and vinyl acetate A copolymer with one or more selected is preferred. Thereby, control of adhesiveness and adhesiveness with the electromagnetic wave shielding layer 3 to which the adhesive layer adheres becomes easy.

この場合、粘着剤層には、粘着性(接着性)を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート)等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーが含まれていてもよい。   In this case, the pressure-sensitive adhesive layer has a urethane acrylate, an acrylate monomer, a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate), etc. in order to control adhesiveness (adhesiveness). Monomers and oligomers such as isocyanate compounds may be included.

また、ゴム系粘着剤としては、例えば、天然ゴム系、イソプレンゴム系、スチレン−ブタジエン系、再生ゴム系、ポリイソブチレン系のものや、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン等のゴムを含むブロック共重合体を主とするもの等が挙げられる。   Examples of rubber-based adhesives include natural rubber-based, isoprene rubber-based, styrene-butadiene-based, recycled rubber-based, and polyisobutylene-based rubbers, and rubbers such as styrene-isoprene-styrene and styrene-butadiene-styrene. The thing etc. which mainly have the block copolymer containing are mentioned.

さらに、シリコーン系粘着剤としては、例えば、ジメチルシロキサン系、ジフェニルシロキサン系のもの等が挙げられる。   Furthermore, examples of the silicone-based pressure-sensitive adhesive include dimethylsiloxane-based and diphenylsiloxane-based ones.

なお、粘着剤層に含まれる粘着剤は、硬化型および非硬化型のいずれであってもよいが、硬化型の場合、粘着剤層には、架橋剤が添加されていてもよい。この架橋剤としては、例えば、エポキシ系化合物、イソシアナート系化合物、金属キレート化合物、金属アルコキシド、金属塩、アミン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド系化合物等が挙げられる。   The pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer may be either a curable type or a non-curable type, but in the case of a curable type, a crosslinking agent may be added to the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the crosslinking agent include epoxy compounds, isocyanate compounds, metal chelate compounds, metal alkoxides, metal salts, amine compounds, hydrazine compounds, aldehyde compounds, and the like.

また、硬化型の場合、粘着剤層には、粘着剤層を紫外線等の光の照射により硬化させる光重合開始剤が添加されていてもよい。この光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフエノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等が挙げられる。   In the case of the curable type, a photopolymerization initiator that cures the pressure-sensitive adhesive layer by irradiation with light such as ultraviolet rays may be added to the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the photopolymerization initiator include methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl]- Acetophenone compounds such as 2-morpholinopropane-1, benzophenone compounds, benzoin compounds, benzoin isobutyl ether compounds, benzoin methyl benzoate compounds, benzoin benzoic acid compounds, benzoin methyl ether compounds, benzylfinyl sulfide compounds Compounds, benzyl compounds, dibenzyl compounds, diacetyl compounds and the like.

さらに、粘着剤層には、その接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等が添加されていてもよい。   Furthermore, the adhesive layer has a rosin resin, terpene resin, coumarone resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, aliphatic aromatic for the purpose of increasing its adhesive strength and shear strength. A tackifier such as a petroleum petroleum resin may be added.

また、粘着剤層には、例えば、可塑剤、粘着付与剤、増粘剤、充填剤、老化防止剤、防腐剤、防カビ剤、染料、顔料等の各種添加剤が必要に応じ添加されていてもよい。   In addition, various additives such as a plasticizer, a tackifier, a thickener, a filler, an anti-aging agent, an antiseptic, an antifungal agent, a dye, and a pigment are added to the adhesive layer as necessary. May be.

<電磁波遮断層3>
次に、電磁波遮断層(遮断層)3について説明する。
<Electromagnetic wave blocking layer 3>
Next, the electromagnetic wave blocking layer (blocking layer) 3 will be described.

電磁波遮断層3は、基板5上に設けられた電子部品4と、この電磁波遮断層3を介して、基板5(電子部品4)と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断(シールド)する機能を有し、特に、電子部品4から生じる電磁波をより効果的に遮断する機能を有する。   The electromagnetic wave shielding layer 3 includes an electronic component 4 provided on the substrate 5, and other electronic components located on the opposite side of the substrate 5 (electronic component 4) via the electromagnetic wave shielding layer 3. It has a function of blocking (shielding) electromagnetic waves generated from one side, and in particular, has a function of blocking electromagnetic waves generated from the electronic component 4 more effectively.

ここで、電磁波を遮断する機能を発揮するには、前述のとおり、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断(遮蔽)する反射層と、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収することにより遮断(遮蔽)する吸収層とが知られている。   Here, in order to exert the function of blocking the electromagnetic wave, as described above, the reflection layer that blocks (shields) the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer and the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer are absorbed. Absorbing layers that are shielded (shielded) by the above are known.

このような反射層と吸収層とでは、これらが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有していると仮定した場合、吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断して、この吸収により電磁波を消滅させる。そのため、反射層のように反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという観点から、電磁波遮断層を吸収層で構成するのが好ましい。   In such a reflection layer and an absorption layer, assuming that they have almost the same electromagnetic shielding properties, the absorption layer absorbs electromagnetic waves incident on the absorption layer and converts them into thermal energy. The electromagnetic wave is extinguished by this absorption. Therefore, from the standpoint that it is possible to reliably prevent the reflected electromagnetic wave, such as the reflective layer, from adversely affecting the other members that are not covered with the electromagnetic wave blocking layer. The layer is preferably composed of an absorbent layer.

このような特性が求められる電磁波遮断層の一例として、金属および金属酸化物のうちの少なくとも1種を含む金属系粒子を含有する構成のものがある。しかしながら、かかる構成の電磁波遮断層は、一般的に、優れた遮断性を備えるものの、電磁波を反射することにより遮断する反射層としての性質が優位であることが知られている。そこで、本発明者は、このような電磁波遮断層が、優れた遮断性を備えつつ、電磁波を吸収することにより遮断する吸収層としての性質を優位に発揮する構成について検討を行った。その結果、前記金属系粒子を含有する構成の電磁波遮断層では、電磁波を発生する電子部品との離間距離が、電磁波の反射または吸収に関係することが判ってきた。   As an example of the electromagnetic wave shielding layer for which such characteristics are required, there is a configuration containing metal-based particles containing at least one of a metal and a metal oxide. However, it is known that the electromagnetic wave blocking layer having such a configuration generally has excellent blocking properties, but is superior in properties as a reflective layer that blocks electromagnetic waves by reflecting them. Therefore, the present inventor has studied a configuration in which such an electromagnetic wave blocking layer exhibits superior properties as an absorbing layer that blocks by absorbing electromagnetic waves while having excellent blocking properties. As a result, it has been found that in the electromagnetic wave blocking layer having the configuration containing the metal particles, the distance from the electronic component that generates the electromagnetic wave is related to the reflection or absorption of the electromagnetic wave.

そして、本発明者は、この電磁波遮断層と電子部品との離間距離と、電磁波の吸収との関係について、さらに鋭意検討を行った結果、電磁波遮断層と電子部品との離間距離を大きくすること、具体的には、前記離間距離を10μm以上に設定することにより、反射ではなく吸収により優位に電磁波を遮断する吸収層とし得ることを見出した。また、電磁波遮断層(電磁波シールド用フィルム)の軽量化・薄型化を図るという観点からは、前記離間距離を200μm以下に設定することで、実現し得ることを見出した。   Then, the inventor conducted further earnest studies on the relationship between the distance between the electromagnetic wave shielding layer and the electronic component and the absorption of the electromagnetic wave, and as a result, increased the distance between the electromagnetic wave shielding layer and the electronic component. Specifically, it has been found that by setting the separation distance to 10 μm or more, it is possible to provide an absorption layer that shields electromagnetic waves by absorption rather than reflection. Moreover, it discovered that it could implement | achieve by setting the said separation distance to 200 micrometers or less from a viewpoint of achieving weight reduction and thickness reduction of an electromagnetic wave shielding layer (electromagnetic wave shielding film).

したがって、電磁波遮断層3を、図1に示すように、金属および金属酸化物のうちの少なくとも1種を含む金属系粒子を含有する第1の層31と、前記金属系粒子を含有しない第2の層32とが積層され、第2の層32を、電子部品4側にしてこの電子部品4を被覆するものとし、第2の層32が、第1の層31と電子部品4との間に介在することで、第1の層31と電子部品4との離間距離を10μm以上200μm以下となるように構成することで、電磁波遮断層3(電磁波シールド用フィルム)の軽量化・薄型化を図りつつ、電磁波遮断層3に吸収層としての機能を優位に発揮させ得ることから、本発明を完成するに至った。   Therefore, as shown in FIG. 1, the electromagnetic wave shielding layer 3 includes a first layer 31 containing metal-based particles containing at least one of a metal and a metal oxide, and a second layer not containing the metal-based particles. The second layer 32 is placed on the electronic component 4 side to cover the electronic component 4, and the second layer 32 is disposed between the first layer 31 and the electronic component 4. By interposing, the separation distance between the first layer 31 and the electronic component 4 is configured to be 10 μm or more and 200 μm or less, thereby reducing the weight and thickness of the electromagnetic wave shielding layer 3 (electromagnetic wave shielding film). The present invention has been completed since the electromagnetic wave blocking layer 3 can exert its function as an absorbing layer preferentially.

ところで、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断しているのか、または、電磁波を吸収することにより遮断しているのかを評価する方法として、マイクロストリップライン法(MSL法)が知られている。   By the way, a microstrip line method (MSL method) is known as a method for evaluating whether the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer is blocked by reflecting or by blocking the electromagnetic wave. ing.

このMSL法を用いた測定は、例えば、IEC規格62333−2に準拠して、50Ωのインピーダンスを有するマイクロストリップラインと、ネットワークアナライザーとを用いて、反射成分S11と透過成分S21を測定することにより行われる。 The MSL technique measured using, for example, according to IEC standard 62333-2, the microstrip line having a 50Ω impedance, using a network analyzer to measure the reflected component S 11 and the transmission component S 21 Is done.

これらのうち反射成分S11は、入射波に対する反射波の電圧(振幅)強度をdBで表したものとして測定される。そして、この反射成分S11を用いて、下記式(1)から、入射波に対する反射成分以外の電力強度をdBで表した不整合損を求めることができる。
不整合損 = −10・log{1−10^(2S11/10)}[dB](1)
Of these, the reflection component S 11 is measured as a voltage (amplitude) intensity of the reflected wave with respect to the incident wave expressed in dB. Then, by using the reflection component S 11, the following equation (1) can be obtained mismatching loss representing the power strength of the non-reflected components with respect to an incident wave in dB.
Mismatch loss = -10 · log {1-10 ^ ( 2S 11/10)} [dB] (1)

不整合損における、反射成分以外の成分としては、吸収成分および透過成分が挙げられる。そのため、不整合損の値が大きくなると反射成分が大きく、不整合損の値が小さくなると吸収成分および透過成分が大きくなっていると言うことができる。   Components other than the reflection component in the mismatch loss include an absorption component and a transmission component. Therefore, it can be said that the reflection component increases when the mismatch loss value increases, and the absorption component and transmission component increase when the mismatch loss value decreases.

したがって、透過成分が小さいと仮定した場合、不整合損の値が小さくなっていれば、吸収成分が大きくなっていると言うことができる。なお、反射成分が小さくなるのは、電磁波遮断層により回路上のインピーダンス変化が小さくなり、これにより、回路内での反射を抑制しているものと推察される。   Therefore, assuming that the transmission component is small, it can be said that the absorption component is large if the mismatch loss value is small. The reason why the reflection component is reduced is presumed that the impedance change on the circuit is reduced by the electromagnetic wave blocking layer, thereby suppressing the reflection in the circuit.

そこで、本発明では、周波数0.1GHz以上3GHz以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が3dB以下であることが好ましく、2dB以下であるのがより好ましい。このような電磁波遮断層であれば、高周波帯域の電磁波における不整合損の値が小さくなっていると言うことができ、透過成分が小さくなっていれば、吸収成分が大きくなっており、この電磁波遮断層3が吸収層で構成されているものであると言うことができる。   Therefore, in the present invention, the mismatch loss when measured using the microstrip line method for electromagnetic waves having a frequency of 0.1 GHz to 3 GHz is preferably 3 dB or less, and more preferably 2 dB or less. With such an electromagnetic wave blocking layer, it can be said that the value of mismatch loss in electromagnetic waves in a high frequency band is small, and when the transmission component is small, the absorption component is large. It can be said that the blocking layer 3 is composed of an absorption layer.

さらに、電磁波遮断層に入射した電磁波の遮断を評価する方法として、上述したMSL法の他に、関西電子工業振興センターで開発されたKEC法が知られている。   In addition to the MSL method described above, a KEC method developed by the Kansai Electronics Industry Promotion Center is known as a method for evaluating the blocking of electromagnetic waves incident on the electromagnetic wave blocking layer.

ここで、KEC法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、電磁波を吸収することにより遮断する吸収性(吸収成分)と電磁波を反射することにより遮断する反射性(反射成分)とが加算された値として測定される。   Here, according to the KEC method, the electromagnetic shielding property for blocking electromagnetic waves is based on the characteristics of the measurement method described below, and absorbs (absorbs components) that blocks by absorbing electromagnetic waves and reflects by blocking electromagnetic waves. It is measured as a value obtained by adding the property (reflection component).

すなわち、このKEC法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ(送信用の治具)から送信された電磁波を、シート状をなす電磁波遮断層3(測定試料)を介して、受信アンテナ(受信用の治具)で受信することで実施することができ、かかるKEC法では、受信アンテナにおいて、電磁波遮断層3を通過(透過)した電磁波が測定されるすなわち、送信された電磁波(信号)が電磁波遮断層3により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定されることから、電磁波を遮断(シールド)する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射成分と電磁波を吸収する吸収成分との双方を合算した状態で求められる。   In other words, this KEC method is a method for evaluating the shielding effect of electromagnetic waves generated in the near field separately for electric and magnetic fields, and the measurement using this method was transmitted from a transmitting antenna (transmission jig). It can be carried out by receiving electromagnetic waves with a receiving antenna (receiving jig) through an electromagnetic wave blocking layer 3 (measurement sample) in the form of a sheet. In such a KEC method, electromagnetic waves are blocked at the receiving antenna. The electromagnetic wave passing through (transmitting) the layer 3 is measured, that is, how much the transmitted electromagnetic wave (signal) is attenuated on the receiving antenna side by the electromagnetic wave blocking layer 3, so that the electromagnetic wave is blocked (shielded). The electromagnetic wave shielding property to be obtained is obtained in a state in which both a reflection component that reflects electromagnetic waves and an absorption component that absorbs electromagnetic waves are combined.

よって、電磁波遮断層3は、周波数0.01GHz以上1GHz以下の電磁波における、KEC法(電界)を用いて測定した際の電磁波シールド効果が30dB以上であるものであることが好ましく、40dB以上80dB以下であるものであることがより好ましい。このような電磁波遮断層3であれば、高周波帯域の電磁波を高精度に遮断していると言うことができ、この電磁波遮断層を、吸収成分および反射成分を遮断する遮断層であると言える。   Therefore, the electromagnetic wave shielding layer 3 preferably has an electromagnetic wave shielding effect of 30 dB or more when measured using the KEC method (electric field) in electromagnetic waves having a frequency of 0.01 GHz or more and 1 GHz or less, and 40 dB or more and 80 dB or less. It is more preferable that it is. Such an electromagnetic wave blocking layer 3 can be said to block high-frequency electromagnetic waves with high accuracy, and this electromagnetic wave blocking layer can be said to be a blocking layer that blocks absorption and reflection components.

したがって、電磁波遮断層が、周波数0.1GHz以上3GHz以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が3dB以下である際に、周波数0.01GHz以上1GHz以下の電磁波における、KEC法(電界)を用いて測定した際の電磁波シールド効果が30dB以上であることを満足すれば、すなわち、電磁波遮断層3において、MSL法を用いて測定された不整合損の値が小さく、かつ、KEC法(電界)を用いて測定された電磁波シールド性(吸収成分+反射成分)が大きくなっていれば、電磁波遮断層3を、反射成分および透過成分を小さくした状態で、吸収成分により電磁波を優位に遮断している吸収層であると言うことができる。   Accordingly, when the electromagnetic wave shielding layer has an inconsistency loss of 3 dB or less when measured using the microstrip line method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz to 3 GHz, the electromagnetic wave has a frequency of 0.01 GHz to 1 GHz. If the electromagnetic shielding effect when measured using the KEC method (electric field) is 30 dB or more, that is, the mismatch loss value measured using the MSL method is small in the electromagnetic wave shielding layer 3. If the electromagnetic wave shielding property (absorption component + reflection component) measured using the KEC method (electric field) is increased, the electromagnetic wave blocking layer 3 is reduced in the reflection component and transmission component in the reduced state. It can be said that it is an absorption layer that shields electromagnetic waves predominantly.

このような電磁波遮断層3は、前述のとおり、本発明では、金属および金属酸化物のうちの少なくとも1種を含む金属系粒子を含有する第1の層31と、前記金属系粒子を含有しない第2の層32とが積層され、第2の層32を、電子部品4側にしてこの電子部品4を被覆するものである。そして、第2の層32が、第1の層31と電子部品4との間に介在することで、第1の層31と電子部品4との離間距離が10μm以上200μm以下となるように構成されている。   As described above, in the present invention, such an electromagnetic wave shielding layer 3 does not contain the first layer 31 containing metal-based particles including at least one of metal and metal oxide, and the metal-based particles. The second layer 32 is laminated, and the second layer 32 is placed on the electronic component 4 side to cover the electronic component 4. The second layer 32 is interposed between the first layer 31 and the electronic component 4 so that the separation distance between the first layer 31 and the electronic component 4 is 10 μm or more and 200 μm or less. Has been.

以下、電磁波遮断層3を構成する、これら第1の層31および第2の層32について説明する。   Hereinafter, the first layer 31 and the second layer 32 constituting the electromagnetic wave shielding layer 3 will be described.

(第1の層)
第1の層31は、金属および金属酸化物のうちの少なくとも1種を含む金属系粒子を含有し、これにより、電磁波遮断層3に電磁波を遮断する遮断層としての機能を発揮させるためのものである。
(First layer)
The first layer 31 contains metal-based particles containing at least one of a metal and a metal oxide, thereby causing the electromagnetic wave blocking layer 3 to function as a blocking layer that blocks electromagnetic waves. It is.

金属系粒子としては、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、またはこれらを含む合金のような金属、および、AFe(式中、Aは、Mn、Co、Ni、CuまたはZnである)で表されるフェライト、ITO、ATO、FTOのような金属酸化物等を含むものが挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the metal-based particles include metals such as gold, silver, copper, iron, nickel and aluminum, or alloys containing these, and AFe 2 O 4 (where A is Mn, Co, Ni, Cu Or a metal oxide such as ITO, ATO, FTO, etc., which can be used alone or in combination of two or more thereof.

また、金属系粒子の平均粒径は、1.0μm以上10.0μm以下であるのが好ましく、4.5μm以上7.5μm以下であるのがより好ましい。これにより、金属系粒子を第1の層31中に均一に分散させることができる。そのため、第1の層31を、このものとしての特性を均質に発揮するものとできる。   The average particle size of the metal-based particles is preferably 1.0 μm or more and 10.0 μm or less, and more preferably 4.5 μm or more and 7.5 μm or less. Thereby, the metal-based particles can be uniformly dispersed in the first layer 31. Therefore, the first layer 31 can exhibit the characteristics as this uniformly.

さらに、第1の層31は、その構成材料として、金属系粒子の他に、バインダー樹脂を含有するものであることが好ましい。これにより、金属系粒子を第1の層31中により均一に分散させることができるため、第1の層31を、第1の層31としての特性を均質に発揮するものとできる。また、導電性材料を、それぞれ、容易に目的とする含有量に設定することができるようになるため、第1の層31としての機能を確実に発揮させることができる。   Furthermore, the first layer 31 preferably contains a binder resin in addition to the metal-based particles as a constituent material. Thereby, since metal-type particle | grains can be disperse | distributed more uniformly in the 1st layer 31, the 1st layer 31 can be made to exhibit the characteristic as the 1st layer 31 uniformly. In addition, the conductive material can be easily set to a target content, so that the function as the first layer 31 can be surely exhibited.

また、バインダー樹脂としては、各種樹脂材料を用いることができ特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、熱硬化性エラストマー等の熱硬化性樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマーのような熱可塑性エラストマー等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   In addition, as the binder resin, various resin materials can be used and are not particularly limited. For example, epoxy resins, phenol resins, amino resins, unsaturated polyester resins, thermosetting resins such as thermosetting elastomers, acrylic resins, Examples include thermoplastic resins such as polyester resins, vinyl chloride resins, styrene resins, styrene thermoplastic elastomers, thermoplastic elastomers such as olefin thermoplastic elastomers, and one or more of these are used in combination. be able to.

また、第1の層31における金属系粒子の含有量は、60wt%以上80wt%以下であることが好ましく、65wt%以上75wt%以下であることがより好ましい。これにより、第1の層31に電磁波遮断層としての機能を確実に発揮させつつ、第1の層31と電子部品4との間に第2の層32を介在させて、第1の層31と電子部品4との離間距離を10μm以上200μm以下の範囲内に設定した際に、電磁波を吸収により優位に遮断する吸収層としての機能を電磁波遮断層3に確実に発揮させることができる。   Further, the content of the metal particles in the first layer 31 is preferably 60 wt% or more and 80 wt% or less, and more preferably 65 wt% or more and 75 wt% or less. Thereby, the second layer 32 is interposed between the first layer 31 and the electronic component 4 while the first layer 31 is surely exhibiting the function as an electromagnetic wave blocking layer, so that the first layer 31 is provided. When the distance between the electronic component 4 and the electronic component 4 is set within a range of 10 μm or more and 200 μm or less, the electromagnetic wave blocking layer 3 can reliably exhibit the function as an absorbing layer that blocks electromagnetic waves by absorption.

さらに、第1の層31の平均層厚みT1は、特に限定されないが、10μm以上、1000μm以下であることが好ましく、50μm以上、500μm以下であることがより好ましい。第1の層31の厚みが前記下限値未満である場合、第1の層31の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、第1の層31の厚みが前記上限値を超える場合、第1の層31の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みT1としても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、第1の層31の厚みT1の薄膜化を実現すること、ひいては、基板5上において電磁波遮断層3で被覆された電子部品4が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。   Furthermore, the average layer thickness T1 of the first layer 31 is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 1000 μm or less, and more preferably 50 μm or more and 500 μm or less. When the thickness of the first layer 31 is less than the lower limit, depending on the constituent material of the first layer 31, there is a possibility of breaking at the end of the board-mounted component. Moreover, when the thickness of the 1st layer 31 exceeds the said upper limit, depending on the constituent material of the 1st layer 31, etc., there exists a possibility that shape followability may be insufficient. Further, even when the thickness T1 is within such a range, excellent electromagnetic shielding properties can be exhibited, so that the thickness T1 of the first layer 31 can be reduced, and the electromagnetic wave blocking layer 3 on the substrate 5 can be realized. It is possible to reduce the weight of the electronic component mounting board on which the electronic component 4 covered with is mounted.

(第2の層)
第2の層32は、前記金属系粒子を含有しておらず、電子部品4を被覆したときに、第1の層31と電子部品4との間に介在し、これにより、第1の層31と電子部品4との離間距離を10μm以上200μm以下とするためのスペーサとしての機能を発揮するものである。このような第2の層32が介在することで、第1の層31と電子部品4との間の離間距離が適切な範囲内に設定されるため、電磁波シールド用フィルム10の軽量化・薄膜化を図りつつ、第1の層31に電磁波を吸収により遮断する吸収層としての起用を優位に発揮さることができる。
(Second layer)
The second layer 32 does not contain the metal-based particles, and is interposed between the first layer 31 and the electronic component 4 when the electronic component 4 is covered, whereby the first layer It functions as a spacer for setting the separation distance between 31 and the electronic component 4 to 10 μm or more and 200 μm or less. Since such a second layer 32 is interposed, the separation distance between the first layer 31 and the electronic component 4 is set within an appropriate range. Therefore, the use of the first layer 31 as an absorption layer for blocking electromagnetic waves by absorption can be achieved.

このような第2の層32は、前記金属系粒子を含有しておらず、金属および金属酸化物を含有しないものであれば、如何なる構成のものであってもよく、例えば、導電性高分子およびバインダー樹脂のうちの少なくとも1種を含むものが挙げられる。ここで、電磁波遮断層3により被覆される電子部品4自体により絶縁性が確保されている場合、第2の層32は、導電性高分子およびバインダー樹脂の双方を含有するものであることが好ましい。導電性高分子を含む電磁波遮断層は、一般的に、吸収により電磁波を遮断する吸収層としての機能を発揮するものとして知られていることから、第2の層32を、かかる構成のものとすることにより、第2の層32に、スペーサとしての機能ばかりでなく、吸収層としての機能をも発揮させることができる。また、電子部品4自体により絶縁性が確保されていない場合、第2の層32は、バインダー樹脂で構成されるものであることが好ましい。すなわち、樹脂材料により単独で構成されるものであることが好ましい。第2の層32を、かかる構成のものとすることにより、基板5上に複数の電子部品4が搭載される際には、第2の層32により電子部品4同士を確実に絶縁することができる。したがって、第2の層32に、スペーサとしての機能ばかりでなく、絶縁層としての機能をも確実に発揮させることができる。   Such a second layer 32 may have any configuration as long as it does not contain the metal-based particles and does not contain a metal and a metal oxide. And those containing at least one of binder resins. Here, when the insulating property is ensured by the electronic component 4 itself covered with the electromagnetic wave shielding layer 3, the second layer 32 preferably contains both the conductive polymer and the binder resin. . Since the electromagnetic wave blocking layer containing a conductive polymer is generally known to exhibit a function as an absorbing layer that blocks electromagnetic waves by absorption, the second layer 32 is configured as described above. By doing so, the second layer 32 can exhibit not only a function as a spacer but also a function as an absorption layer. Moreover, when the insulating property is not ensured by the electronic component 4 itself, the second layer 32 is preferably made of a binder resin. That is, it is preferable that it is comprised independently by the resin material. By configuring the second layer 32 to have such a configuration, when the plurality of electronic components 4 are mounted on the substrate 5, the electronic components 4 can be reliably insulated from each other by the second layer 32. it can. Therefore, the second layer 32 can reliably exhibit not only a function as a spacer but also a function as an insulating layer.

また、第2の層32が、導電性高分子とバインダー樹脂とを含有するものである場合、第2の層32における導電性高分子の含有量は、20wt%以上60wt%以下であることが好ましく、30wt%以上50wt%以下であることがより好ましい。これにより、第2の層32に吸収層としての機能を確実に発揮させることができる。   When the second layer 32 contains a conductive polymer and a binder resin, the content of the conductive polymer in the second layer 32 may be 20 wt% or more and 60 wt% or less. Preferably, it is 30 wt% or more and 50 wt% or less. Thereby, the function as an absorption layer can be reliably exhibited by the second layer 32.

導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、PEDOT(poly−ethylenedioxythiophene)、PEDOT/PSS、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ(p−フェニレン)、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ポリアニリン、PEDOT/PSS、ポリピロールおよびポリチオフェンであるのが好ましい。これらによれば、前述した導電性高分子を用いることにより得られる効果をより顕著に発揮させることができる。   Examples of the conductive polymer include polyacetylene, polypyrrole, PEDOT (poly-ethylenedioxythiophene), PEDOT / PSS, polythiophene, polyaniline, poly (p-phenylene), polyfluorene, polycarbazole, polysilane, and derivatives thereof. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, polyaniline, PEDOT / PSS, polypyrrole and polythiophene are preferable. According to these, the effect acquired by using the conductive polymer mentioned above can be exhibited more notably.

また、バインダー樹脂としては、第1の層31において説明したのと同様のものを用いることができる。   As the binder resin, the same resin as that described in the first layer 31 can be used.

なお、第1の層31と電子部品4との離間距離は、10μm以上200μm以下であればよいが、20μm以上100μm以下であることが好ましく、30μm以上70μm以下であることがより好ましい。これにより前述した効果をより顕著に発揮させることができる。   In addition, although the separation distance of the 1st layer 31 and the electronic component 4 should just be 10 micrometers or more and 200 micrometers or less, it is preferable that they are 20 micrometers or more and 100 micrometers or less, and it is more preferable that they are 30 micrometers or more and 70 micrometers or less. Thereby, the effect mentioned above can be exhibited more notably.

また、第2の層32の平均層厚みT2は、第2の層32がスペーサとしての機能を発揮し、第1の層31と電子部品4との離間距離が前記範囲内に設定されるように、設定すべき前記離間距離と同様の大きさに設定され、10μm以上200μm以下であればよいが、20μm以上100μm以下であることが好ましく、30μm以上70μm以下であることがより好ましい。   The average layer thickness T2 of the second layer 32 is such that the second layer 32 functions as a spacer, and the separation distance between the first layer 31 and the electronic component 4 is set within the above range. Further, it is set to the same size as the separation distance to be set, and may be 10 μm or more and 200 μm or less.

なお、電磁波遮断層3は、その150℃における貯蔵弾性率が1.0E+05〜1.0E+09Paであるのが好ましく、5.0E+05〜5.0E+08Paであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム10の加熱の後、保護層1からの押圧力により、基板5上の凹凸6に電磁波遮断層3を押し込むことで、この凹凸6を被覆する際に、前記保護層1からの押圧力に応じて、電磁波遮断層3を凹凸6の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層3の凹凸6に対する形状追従性を向上させることができる。   In addition, as for the electromagnetic wave shielding layer 3, it is preferable that the storage elastic modulus in 150 degreeC is 1.0E + 05-1.0E + 09Pa, and it is more preferable that it is 5.0E + 05-5.0E + 08Pa. By setting the storage elastic modulus within such a range, the electromagnetic wave shielding layer 3 is pushed into the irregularities 6 on the substrate 5 by the pressing force from the protective layer 1 after the heating of the electromagnetic wave shielding film 10 in the attaching step. Thus, when the unevenness 6 is covered, the electromagnetic wave shielding layer 3 can be deformed corresponding to the shape of the unevenness 6 according to the pressing force from the protective layer 1. That is, the shape followability of the electromagnetic wave shielding layer 3 with respect to the unevenness 6 can be improved.

電磁波シールド用フィルム10を、上記のような構成の保護層1および電磁波遮断層3を備えるものとすることにより、電磁波シールド用フィルム10の軽量化・薄型化を図ることができる。   When the electromagnetic wave shielding film 10 includes the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 having the above-described configuration, the electromagnetic wave shielding film 10 can be reduced in weight and thickness.

また、電磁波シールド用フィルム10は、波長300nm以上、800nm以下における光線透過率が0.01%以上、30%以下であることが好ましく、0.01%以上、10%以下であることがより好ましい。これにより、光を吸収、遮断し電磁波遮断層3で被覆している内部すなわち電子部品4を見えなくすることができるため、例えば、電磁波遮断層3で被覆された電子部品搭載基板の流通時における電子部品4の秘匿性を担保することができるという利点が得られる。
なお、前記光線透過率は、例えば、紫外可視分光光度計により求めることができる。
The electromagnetic wave shielding film 10 preferably has a light transmittance of 0.01% or more and 30% or less at a wavelength of 300 nm or more and 800 nm or less, more preferably 0.01% or more and 10% or less. . As a result, it is possible to absorb and block light and to hide the inside covered with the electromagnetic wave shielding layer 3, that is, the electronic component 4, so that, for example, at the time of distribution of the electronic component mounting substrate coated with the electromagnetic wave shielding layer 3 The advantage that the secrecy of the electronic component 4 can be secured is obtained.
In addition, the said light transmittance can be calculated | required with an ultraviolet visible spectrophotometer, for example.

<電子部品の被覆方法>
(第1の被覆方法)
以上のような構成の電磁波シールド用フィルム10を用いて、例えば、以下のようにして、基板5上に搭載された電子部品4が被覆される。
<Method of coating electronic parts>
(First coating method)
Using the electromagnetic wave shielding film 10 having the above configuration, for example, the electronic component 4 mounted on the substrate 5 is covered as follows.

図2は、図1に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第1の被覆方法を説明するための縦断面図である。   FIG. 2 is a longitudinal sectional view for explaining a first coating method of the electronic component coating method using the electromagnetic wave shielding film shown in FIG.

以下の電子部品の第1の被覆方法は、基板5上に、電磁波シールド用フィルム10を電磁波遮断層3が備える第2の層32と電子部品4とが接着するように貼付する貼付工程を有する。   The following first covering method for electronic parts has a sticking step of sticking the electromagnetic shielding film 10 on the substrate 5 so that the second layer 32 provided in the electromagnetic wave shielding layer 3 and the electronic parts 4 are adhered. .

(貼付工程)
前記貼付工程とは、図2(a)に示すように、本実施形態では、基板5上に電子部品4を搭載することで設けられた凹凸6に、電磁波シールド用フィルム10を追従するように貼付する工程である。
(Attaching process)
As shown in FIG. 2A, in the present embodiment, the affixing step is performed so that the electromagnetic shielding film 10 follows the unevenness 6 provided by mounting the electronic component 4 on the substrate 5. It is a process of sticking.

凹凸6に追従して貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、以下のような方法が挙げられる。   Although it does not specifically limit as a method of sticking following the unevenness | corrugation 6, For example, the following methods are mentioned.

すなわち、まず、基板5の凹凸6が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム10の第2の層32側の面とが対向するように、基板5と電磁波シールド用フィルム10とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを常温下において、電磁波シールド用フィルム10側から均一に電磁波シールド用フィルム10と基板5とが互いに接近するように、加圧することにより実施される。   That is, first, the substrate 5 and the electromagnetic wave shielding film 10 are arranged so that the surface of the substrate 5 on which the unevenness 6 is formed and the surface of the electromagnetic wave shielding film 10 on the second layer 32 side face each other. These are set in a superposed state, and thereafter, these are pressed by applying pressure so that the electromagnetic wave shielding film 10 and the substrate 5 approach each other uniformly from the electromagnetic wave shielding film 10 side at room temperature.

このように電磁波シールド用フィルム10側から均一に加圧することで、保護層1が凹凸6の形状に追従し、さらに、これに併せて、保護層1よりも基板5側に位置する、電磁波遮断層3も凹凸6の形状に追従する。これにより、凹凸6の形状に保護層1および電磁波遮断層3が追従した状態で、保護層1および電磁波遮断層3により凹凸6が被覆される。   Thus, by uniformly pressing from the electromagnetic wave shielding film 10 side, the protective layer 1 follows the shape of the irregularities 6, and in addition to this, the electromagnetic wave blocking located on the substrate 5 side than the protective layer 1. Layer 3 also follows the shape of irregularities 6. Thereby, the unevenness 6 is covered with the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in a state where the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 follow the shape of the unevenness 6.

このような貼付工程において、貼付する温度は、常温であり、具体的には、5℃以上、35℃以下であることが好ましく、20℃以上、30℃以下であることがより好ましく、25℃であることがさらに好ましい。   In such a pasting step, the temperature to be pasted is normal temperature, specifically, preferably 5 ° C. or higher and 35 ° C. or lower, more preferably 20 ° C. or higher and 30 ° C. or lower, more preferably 25 ° C. More preferably.

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、0.05MPa以上、0.5MPa以下であることが好ましく、より好ましくは0.1MPa以上、0.3MPa以下である。   The pressure to be applied is not particularly limited, but is preferably 0.05 MPa or more and 0.5 MPa or less, more preferably 0.1 MPa or more and 0.3 MPa or less.

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、1秒以上、60秒以下であることが好ましく、より好ましくは5秒以上、30秒以下である。   Furthermore, the sticking time is not particularly limited, but is preferably 1 second or longer and 60 seconds or shorter, more preferably 5 seconds or longer and 30 seconds or shorter.

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム10側からの加圧による電子部品4の破損を招くことなく、基板5上の凹凸6に対して電磁波遮断層3が追従した状態で、電磁波遮断層3により凹凸6を確実に被覆することができる。   By setting the conditions in the pasting step within the above range, the electromagnetic wave shielding layer 3 follows the unevenness 6 on the substrate 5 without causing damage to the electronic component 4 due to pressurization from the electromagnetic wave shielding film 10 side. In this state, the unevenness 6 can be reliably covered with the electromagnetic wave shielding layer 3.

以上のような工程を経ることにより、保護層1および電磁波遮断層3により凹凸6を追従するように被覆することができる。なお、本実施形態のように、被覆した凹凸6に保護層1が残存する被覆方法では、基板5の反対側に位置する他の部材(電子部品等)と電磁波遮断層3とを絶縁する絶縁層としての機能を保護層1が発揮する。   By passing through the above processes, it can coat | cover so that the unevenness | corrugation 6 may follow with the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3. FIG. In the covering method in which the protective layer 1 remains on the coated unevenness 6 as in the present embodiment, insulation that insulates the electromagnetic wave blocking layer 3 from other members (such as electronic components) located on the opposite side of the substrate 5. The protective layer 1 exhibits the function as a layer.

(第2の被覆方法)
また、電子部品4の被覆は、電磁波シールド用フィルム10で凹凸6に追従して被覆する上述した方法の他、凹凸6に追従することなく、電子部品4を被覆するように行ってもよい。
(Second coating method)
Further, the electronic component 4 may be coated so as to cover the electronic component 4 without following the unevenness 6 in addition to the above-described method of covering the unevenness 6 with the electromagnetic wave shielding film 10.

図3は、図1に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第2の被覆方法を説明するための縦断面図である。   FIG. 3 is a longitudinal sectional view for explaining a second coating method of the electronic component coating method using the electromagnetic wave shielding film shown in FIG.

以下の電子部品の第2の被覆方法は、第1の被覆方法と同様に、基板5上に、電磁波シールド用フィルム10を第2の層32と電子部品4が接着するように貼付する貼付工程を有する。   The following second electronic component coating method is similar to the first coating method, in which the electromagnetic wave shielding film 10 is applied on the substrate 5 so that the second layer 32 and the electronic component 4 are adhered. Have

(貼付工程)
この貼付工程では、図3(a)に示すように、本実施形態では、基板5上に電子部品4を搭載することで設けられた凹凸6に、電磁波シールド用フィルム10を追従することなく貼付する。
(Attaching process)
In this pasting step, as shown in FIG. 3A, in this embodiment, the electromagnetic wave shielding film 10 is pasted on the unevenness 6 provided by mounting the electronic component 4 on the substrate 5 without following it. To do.

凹凸6に追従することなく貼付するには、例えば、前記第1の被覆方法で説明した貼付工程において、電磁波シールド用フィルム10と基板5とが互いに接近するように、電磁波シールド用フィルム10側から均一に加圧する際に、この加圧条件を設定することにより実現できる。すなわち、前記加圧条件を、凹凸6に追従させる際の圧力よりも低く設定すること、および、凹凸6に追従させる際の時間よりも短く設定することにより、凹凸6に追従することなく電磁波シールド用フィルム10を貼付することができる。   In order to attach without following the irregularities 6, for example, from the electromagnetic wave shielding film 10 side so that the electromagnetic wave shielding film 10 and the substrate 5 come close to each other in the attaching step described in the first covering method. This can be realized by setting the pressurizing condition when pressurizing uniformly. That is, by setting the pressurizing condition lower than the pressure when following the unevenness 6 and setting the pressure condition shorter than the time when following the unevenness 6, the electromagnetic wave shield without following the unevenness 6. The film 10 for use can be affixed.

このような被覆方法により、凹凸6の形状に保護層1および電磁波遮断層3が追従していない状態で、保護層1および電磁波遮断層3により凹凸6が被覆される。   By such a coating method, the unevenness 6 is covered by the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in a state where the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 do not follow the shape of the unevenness 6.

なお、このように、電磁波シールド用フィルム10を凹凸6の形状に追従させない場合、電磁波遮断層3が破断するのを防止する保護(緩衝)材として機能する保護層1の形成を省略することもできる。   In addition, when the electromagnetic wave shielding film 10 does not follow the shape of the unevenness 6 as described above, the formation of the protective layer 1 that functions as a protective (buffer) material that prevents the electromagnetic wave shielding layer 3 from breaking may be omitted. it can.

(第3の被覆方法)
さらに、電子部品4の被覆は、電磁波シールド用フィルム10で被覆する方法、すなわち、保護層1および電磁波遮断層3で被覆する上述した第1の被覆方法の他、電磁波シールド用フィルム10から保護層1を剥離して、電磁波遮断層3により、電子部品4を被覆するようにしてもよい。
(Third coating method)
Furthermore, the coating of the electronic component 4 is a method of coating with the electromagnetic wave shielding film 10, that is, the first coating method of coating with the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3, and the protective layer from the electromagnetic wave shielding film 10. 1 may be peeled off and the electronic component 4 may be covered with the electromagnetic wave shielding layer 3.

図4は、図1に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第3の被覆方法を説明するための縦断面図である。   FIG. 4 is a longitudinal sectional view for explaining a third coating method of the electronic component coating method using the electromagnetic wave shielding film shown in FIG.

以下の電子部品の第3の被覆方法は、基板5上に、電磁波シールド用フィルム10を第2の層32と電子部品4が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、保護層1を剥離する剥離工程とを有する。   The third electronic component covering method described below includes a step of attaching the electromagnetic wave shielding film 10 on the substrate 5 so that the second layer 32 and the electronic component 4 are adhered, and protection after the application step. A peeling step for peeling the layer 1.

(貼付工程)
貼付工程では、図2で説明した電子部品の被覆方法(第1の被覆方法)と同様に、図4(a)に示すように、基板5上に電子部品4を搭載することで設けられた凹凸6に、電磁波シールド用フィルム10を追従するように貼付する。
(Attaching process)
As shown in FIG. 4A, the attaching step is provided by mounting the electronic component 4 on the substrate 5, as in the electronic component covering method (first covering method) described in FIG. The electromagnetic wave shielding film 10 is attached to the unevenness 6 so as to follow.

(剥離工程)
剥離工程では、例えば、図4(b)に示すように、前記貼付工程の後、保護層1を電磁波シールド用フィルム10から剥離する。
(Peeling process)
In the peeling step, for example, as shown in FIG. 4B, the protective layer 1 is peeled from the electromagnetic shielding film 10 after the pasting step.

この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム10における保護層1と電磁波遮断層3(第1の層31)との界面において、剥離が生じ、その結果、電磁波遮断層3から保護層1が剥離される。これにより、電磁波遮断層3から保護層1を剥離した状態で、電磁波遮断層3により凹凸6が被覆される。   By this peeling process, in this embodiment, peeling occurs at the interface between the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 (first layer 31) in the electromagnetic wave shielding film 10, and as a result, from the electromagnetic wave shielding layer 3 to the protective layer. 1 is peeled off. Accordingly, the unevenness 6 is covered with the electromagnetic wave shielding layer 3 in a state where the protective layer 1 is peeled off from the electromagnetic wave shielding layer 3.

なお、保護層1を剥離する方法としては、特に限定されないが、例えば、手作業による剥離が挙げられる。   In addition, although it does not specifically limit as a method of peeling the protective layer 1, For example, peeling by manual work is mentioned.

この手作業による剥離では、まず、保護層1の一方の端部を把持し、この把持した端部から保護層1を電磁波遮断層3から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次保護層1を引き剥がすことにより、電磁波遮断層3から保護層1が剥離される。   In this manual peeling, first, one end portion of the protective layer 1 is gripped, the protective layer 1 is peeled off from the electromagnetic wave shielding layer 3 from the gripped end portion, and then further from the end portion to the central portion. The protective layer 1 is peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 by sequentially peeling the protective layer 1 to the other end.

以上のような工程を経ることにより、電磁波遮断層3から保護層1を剥離した状態で、電磁波遮断層3により凹凸6を被覆することができる。かかる被覆方法によれば、電磁波遮断層3で電磁波を遮断する際のさらなる軽量化・薄型化を図ることができる。   By passing through the above processes, the unevenness | corrugation 6 can be coat | covered with the electromagnetic wave shielding layer 3 in the state which peeled the protective layer 1 from the electromagnetic wave shielding layer 3. FIG. According to such a coating method, it is possible to further reduce the weight and thickness when the electromagnetic wave blocking layer 3 blocks the electromagnetic wave.

また、第2の被覆方法と第3の被覆方法とを組み合わせるようにしてもよい。すなわち、凹凸6に、電磁波シールド用フィルム10を追従させることなく貼付した後に、電磁波シールド用フィルム10から保護層1を剥離して、凹凸6に追従していない電磁波遮断層3により、電子部品4を被覆するようにしてもよい。   Further, the second coating method and the third coating method may be combined. That is, after pasting the electromagnetic wave shielding film 10 on the unevenness 6 without following it, the protective layer 1 is peeled off from the electromagnetic shielding film 10, and the electromagnetic wave blocking layer 3 not following the unevenness 6 makes the electronic component 4. You may make it coat | cover.

なお、前記実施形態では、図1に示したように、電磁波シールド用フィルム10が備える保護層1が1層で構成される場合について説明したが、かかる構成のものに限定されず、例えば、保護層1は、第1の層、第2の層がこの順で積層された2層の積層体であってもよいし、第1の層、第2の層、第3の層がこの順で積層された3層の積層体であってもよい。   In addition, in the said embodiment, as shown in FIG. 1, although the case where the protective layer 1 with which the film 10 for electromagnetic wave shielding was comprised was comprised by 1 layer, it is not limited to the thing of this structure, For example, protection The layer 1 may be a two-layer stack in which the first layer and the second layer are stacked in this order, or the first layer, the second layer, and the third layer in this order. It may be a laminated body of three layers.

2層の積層体の構成とする場合、第1の層としては、前記実施形態で説明した、保護層1と同様の構成のものを用いることができる。   When it is set as the structure of a 2 layer laminated body, the thing of the structure similar to the protective layer 1 demonstrated in the said embodiment can be used as a 1st layer.

第2の層は、第1の層と電磁波遮断層3との間に位置して、電磁波シールド用フィルムの製造方法の第1の工程において、電磁波遮断層3に保護層(保護シート)1を貼付する際に、第1の層を電磁波遮断層3に粘着(貼付)させる粘着層として機能するものである。   The second layer is located between the first layer and the electromagnetic wave shielding layer 3, and in the first step of the method for producing the electromagnetic wave shielding film, the protective layer (protective sheet) 1 is applied to the electromagnetic wave shielding layer 3. When pasting, the first layer functions as an adhesive layer that adheres (sticks) to the electromagnetic wave shielding layer 3.

この第2の層は、特に限定されないが、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ポリイミド系接着剤およびシアネート系接着剤等の各種接着剤を用いて形成される。   Although this 2nd layer is not specifically limited, For example, it forms using various adhesive agents, such as an epoxy adhesive, an acrylic adhesive, a polyimide adhesive, and a cyanate adhesive.

第2の層の厚みT(C)は、特に限定されないが、1μm以上、10μm以下であることが好ましく、3μm以上、8μm以下であることがより好ましい。第2の層の厚みが前記下限値未満である場合、第2の層の構成材料の種類によっては、第2の層による粘着性が十分に発揮されないおそれがある。また、第2の層の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム10を用いて被覆する基板5の設計によっては、基板5を電磁波シールド用フィルム10で被覆した積層体の軽量化・薄型化が実現されないおそれがある。   The thickness T (C) of the second layer is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more and 10 μm or less, and more preferably 3 μm or more and 8 μm or less. When the thickness of the second layer is less than the lower limit, depending on the type of the constituent material of the second layer, there is a possibility that the adhesiveness due to the second layer is not sufficiently exhibited. When the thickness of the second layer exceeds the upper limit, depending on the design of the substrate 5 covered with the electromagnetic wave shielding film 10, the weight of the laminate in which the substrate 5 is covered with the electromagnetic wave shielding film 10 can be reduced. Thinning may not be realized.

さらに、3層の積層体の構成とする場合、第1の層および第3の層としては、前記実施形態で説明した、保護層1と同様の構成のものを用いることができる。   Furthermore, when it is set as the structure of a 3 layer laminated body, the thing of the structure similar to the protective layer 1 demonstrated in the said embodiment can be used as a 1st layer and a 3rd layer.

第2の層は、電子部品の被覆方法の貼付工程において、保護層1を押し込み用の保護として用いて基板5上の凹凸6に対して電磁波遮断層3を押し込む際に、第3の層を、凹凸6に対して押し込む(埋め込む)ためのクッション機能を有するものである。また、第2の層は、この押し込む力を、第3の層、さらには、この第3の層を介して電磁波遮断層3に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、電磁波遮断層3と凹凸6との間にボイドを発生させることなく、電磁波遮断層3を凹凸6に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。   When the electromagnetic wave shielding layer 3 is pushed into the unevenness 6 on the substrate 5 using the protective layer 1 as a push-in protection in the attaching step of the electronic component coating method, the second layer is It has a cushion function for pushing (embedding) into the irregularities 6. In addition, the second layer has a function of causing the pushing force to uniformly act on the third layer and further on the electromagnetic wave shielding layer 3 through the third layer. The electromagnetic wave blocking layer 3 can be pushed into the unevenness 6 with excellent sealing properties without generating a void between the blocking layer 3 and the unevenness 6.

この第2の層(クッション層)の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、(メタ)アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと(メタ)アクリル酸との共重合体(EMMA)、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第3の層の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第2の層に、第3の層を凹凸6に対して押し込む(埋め込む)ためのクッション機能を確実に付与することができる。   Examples of the constituent material of the second layer (cushion layer) include α-olefin polymers such as polyethylene and polypropylene, and α-olefins having ethylene, propylene, butene, pentene, hexene, methylpentene, and the like as copolymer components. Engineering plastics resins such as copolymer, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, etc., may be used singly or in combination. Among these, it is preferable to use an α-olefin copolymer. Specifically, a copolymer of α-olefin such as ethylene and (meth) acrylic acid ester, a copolymer of ethylene and vinyl acetate, a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid (EMMA), And a partial ion cross-linked product thereof. Since the α-olefin copolymer is excellent in shape followability and further excellent in flexibility as compared with the constituent material of the third layer, the third layer is formed in the second layer composed of the constituent material. A cushion function for pushing (embedding) the layer into the unevenness 6 can be surely imparted.

第2の層の厚みT(C)は、特に限定されないが、10μm以上、100μm以下であることが好ましく、20μm以上、80μm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは30μm以上、60μm以下である。第2の層の厚みが前記下限値未満である場合、第2の層の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸6への追従性が不足するというおそれがある。また、第2の層の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第2の層からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。   The thickness T (C) of the second layer is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 100 μm or less, more preferably 20 μm or more and 80 μm or less, and further preferably 30 μm or more and 60 μm or less. . When the thickness of the second layer is less than the lower limit value, the shape followability of the second layer is insufficient, and the followability to the unevenness 6 may be insufficient in the thermocompression bonding step. In addition, when the thickness of the second layer exceeds the upper limit, in the thermocompression bonding process, the resin is more likely to be smeared out from the second layer, and adheres to the hot platen of the crimping apparatus, thereby reducing workability. There is a fear.

また、第2の層の25〜150℃における平均線膨張係数は、500以上[ppm/℃]であるのが好ましく、1000以上[ppm/℃]であるのがより好ましい。第2の層の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム10の加熱時において、第2の層を、第3の層と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第2の層、さらには電磁波遮断層3の凹凸6に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   The average linear expansion coefficient of the second layer at 25 to 150 ° C. is preferably 500 or more [ppm / ° C.], more preferably 1000 or more [ppm / ° C.]. By setting the average linear expansion coefficient of the second layer within such a range, the second layer has more excellent stretchability than the third layer when the electromagnetic wave shielding film 10 is heated. Can be made easy with stuff. Therefore, the shape followability of the second layer and the electromagnetic wave shielding layer 3 with respect to the unevenness 6 can be improved more reliably.

また、前記実施形態では、基板への電子部品の搭載により、基板上に凹凸が形成されており、この凹凸を電磁波シールド用フィルムで被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルムによる被覆は、このような凹凸に対する被覆に限定されず、例えば、筐体等が備える平坦(フラット)な領域に対して施すようにしてもよい。   Further, in the above-described embodiment, the unevenness is formed on the substrate by mounting the electronic component on the substrate, and the case where the unevenness is covered with the electromagnetic wave shielding film has been described. The coating is not limited to such unevenness, and for example, it may be applied to a flat region provided in a housing or the like.

以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。   The electromagnetic shielding film and the electronic component mounting substrate of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these.

例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。   For example, an arbitrary layer capable of exhibiting the same function may be added to the electromagnetic wave shielding film of the present invention and the electronic component mounting substrate of the present invention.

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited to this.

(実施例1)
<電磁波シールド性評価用フィルムの製造>
まず、電磁波遮断層が備える第1の層を形成するための樹脂系材料として、導電性高分子としてのポリアニリン(株式会社レグルス社製、商品名:PANT)と、金属系粒子としての銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業社製、商品名:Ag−XF301)と、バインダーとしてのポリエステル樹脂(東洋紡社製、商品名:バイロン63SS)とを、重量比で10%:70%:20%含むものを準備し、また、第2の層を形成するための材料としてスチレン系エラストマー(東亞合成(株)社製、品番:PPET−1501SG30)を準備した。
Example 1
<Manufacture of film for evaluating electromagnetic shielding properties>
First, as a resin material for forming the first layer included in the electromagnetic wave shielding layer, polyaniline (trade name: PANT, manufactured by Regulus Co., Ltd.) as a conductive polymer and silver as metal particles are used. Spherical particles (trade name: Ag-XF301, manufactured by Fukuda Metal Foil Co., Ltd.) and polyester resin (trade name: Byron 63SS, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) as a binder are 10% by weight: 70%: 20%. In addition, a styrene-based elastomer (manufactured by Toagosei Co., Ltd., product number: PPET-1501SG30) was prepared as a material for forming the second layer.

次いで、ポリエチレンテレフタラートフィルム(帝人デュポン製、A−314、厚み38μm)を用意し、第1の層を形成するための前記樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、第1の層を形成した。   Next, a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin DuPont, A-314, thickness 38 μm) is prepared, coated with the resin material for forming the first layer, heated and dried, and then the first layer. Formed.

さらに、ポリエチレンテレフタラートフィルム(帝人デュポン製、A−314、厚み38μm)上に、前記スチレン系エラストマー(東亞合成(株)社製、品番PPET−1501SG30)を10μmコーティングした後、加熱・乾燥させて、第2の層を形成した。   Furthermore, on the polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont, A-314, thickness 38 μm), 10 μm of the styrene elastomer (manufactured by Toagosei Co., Ltd., product number PPET-1501SG30) was coated, and then heated and dried. A second layer was formed.

次いで、前記第1の層と第2の層とをラミネートし、ポリエチレンテレフタラートフィルムを剥離することで電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。   Next, the first layer and the second layer were laminated, and the polyethylene terephthalate film was peeled off to produce an electromagnetic wave shielding evaluation film.

なお、実施例1の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、第2の層の厚みは10μmであった。   In the film for evaluating electromagnetic shielding properties of Example 1, the thickness of the second layer was 10 μm.

(実施例2)
第2の層として、スチレン系エラストマー(東亞合成(株)社製、品番PPET−1501SG30)を30μmコーティングしたこと以外は、前記実施例1と同様にして、実施例2の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。
(Example 2)
The film for evaluating electromagnetic wave shielding properties of Example 2 in the same manner as in Example 1 except that the second layer was coated with 30 μm of a styrene elastomer (product number PPET-1501SG30 manufactured by Toagosei Co., Ltd.). Was made.

(実施例3)
第2の層として、スチレン系エラストマー(東亞合成(株)社製、品番PPET−1501SG30)を43μmコーティングしたこと以外は、前記実施例1と同様にして、実施例3の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。
(Example 3)
The film for evaluating electromagnetic wave shielding properties of Example 3 in the same manner as in Example 1 except that the second layer was coated with 43 μm of a styrene elastomer (manufactured by Toagosei Co., Ltd., product number PPET-1501SG30). Was made.

(実施例4)
第2の層として、スチレン系エラストマー(東亞合成(株)社製、品番PPET−1501SG30)を63μmコーティングしたこと以外は、前記実施例1と同様にして、実施例4の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。
Example 4
The film for evaluating electromagnetic shielding properties of Example 4 in the same manner as in Example 1 except that the second layer was coated with 63 μm of a styrene elastomer (manufactured by Toagosei Co., Ltd., product number PPET-1501SG30). Was made.

(実施例5)
まず、電磁波遮断層が備える第1の層を形成するための樹脂系材料として、導電性高分子としてのポリアニリン(株式会社レグルス社製、商品名:PANT)と、金属系粒子としての銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業社製、商品名:Ag−XF301)と、バインダーとしてのポリエステル樹脂(東洋紡社製、商品名:バイロン63SS)とを、重量比で10%:70%:20%含むものを準備した。
(Example 5)
First, as a resin material for forming the first layer included in the electromagnetic wave shielding layer, polyaniline (trade name: PANT, manufactured by Regulus Co., Ltd.) as a conductive polymer and silver as metal particles are used. Spherical particles (trade name: Ag-XF301, manufactured by Fukuda Metal Foil Co., Ltd.) and polyester resin (trade name: Byron 63SS, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) as a binder are 10% by weight: 70%: 20%. Prepared to include.

次いで、ポリエチレンテレフタラートフィルム(帝人デュポン製、A−314、厚み38μm)を用意し、第1の層を形成するための前記樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、第1の層を形成した。   Next, a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin DuPont, A-314, thickness 38 μm) is prepared, coated with the resin material for forming the first layer, heated and dried, and then the first layer. Formed.

さらに、第1の層にPET芯片面アクリル樹脂(日栄化工(株)製、GL-5B)をラミネートした後に、ポリエチレンテレフタラートフィルムを剥離することで、第1の層上に、5μmのアクリル樹脂層を形成した。その後、このアクリル樹脂層上に、厚さ125μmのポリエチレンテレフタラートフィルム(パナック社製、ルミラ−125S10)を積層することで、厚さ130μmの第2の層を備える実施例5の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。   Furthermore, after laminating a PET core single-sided acrylic resin (manufactured by Niei Kaiko Co., Ltd., GL-5B) on the first layer, the polyethylene terephthalate film is peeled off, so that a 5 μm acrylic resin is formed on the first layer. A layer was formed. Thereafter, a 125 μm thick polyethylene terephthalate film (manufactured by Panac, Lumila-125S10) is laminated on the acrylic resin layer to evaluate the electromagnetic shielding properties of Example 5 including the second layer having a thickness of 130 μm. A film was prepared.

(参考例1)
まず、電磁波遮断層が備える第1の層を形成するための樹脂系材料として、導電性高分子としてのポリアニリン(株式会社レグルス社製、商品名:PANT)と、金属系粒子としての銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業社製、商品名:Ag−XF301)と、バインダーとしてのポリエステル樹脂(東洋紡社製、商品名:バイロン63SS)とを、重量比で10%:70%:20%含むものを準備した。
(Reference Example 1)
First, as a resin material for forming the first layer included in the electromagnetic wave shielding layer, polyaniline (trade name: PANT, manufactured by Regulus Co., Ltd.) as a conductive polymer and silver as metal particles are used. Spherical particles (trade name: Ag-XF301, manufactured by Fukuda Metal Foil Co., Ltd.) and polyester resin (trade name: Byron 63SS, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) as a binder are 10% by weight: 70%: 20%. Prepared to include.

次いで、ポリエチレンテレフタラートフィルム(帝人デュポン製、A−314、厚み38μm)を用意し、第1の層を形成するための前記樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、第1の層を形成した。   Next, a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin DuPont, A-314, thickness 38 μm) is prepared, coated with the resin material for forming the first layer, heated and dried, and then the first layer. Formed.

さらに、第1の層にPET芯片面アクリル樹脂(日栄化工(株)製、GL-5B)をラミネートした後に、ポリエチレンテレフタラートフィルムを剥離することで、第1の層上に、5μmのアクリル樹脂層を形成した。その後、このアクリル樹脂層上に、厚さ125μmのポリエチレンテレフタラートフィルム(パナック社製、ルミラ−125S10)を2枚重ねて積層することで、厚さ255μmの第2の層を備える参考例1の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。   Furthermore, after laminating a PET core single-sided acrylic resin (manufactured by Niei Kaiko Co., Ltd., GL-5B) on the first layer, the polyethylene terephthalate film is peeled off, so that a 5 μm acrylic resin is formed on the first layer. A layer was formed. Then, on this acrylic resin layer, a 125 μm thick polyethylene terephthalate film (Plumac Corp., Lumira-125S10) is laminated and laminated, whereby a second layer having a thickness of 255 μm is provided. A film for evaluating electromagnetic shielding properties was produced.

(比較例1)
ポリエチレンテレフタラートフィルム(帝人デュポン製、A−314、厚み38μm)上に、第1の層を形成するための前記樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、厚さ30μmの第1の層を形成したものを、比較例1の電磁波シールド性評価用フィルム、すなわち、第2の層の形成が省略された第1の層で構成された電磁波遮断層からなる電磁波シールド性評価用フィルムとして作製した。
(Comparative Example 1)
After coating the resin-based material for forming the first layer on a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin DuPont, A-314, thickness 38 μm), the coating is heated and dried to obtain a first 30 μm thick first What formed the layer as an electromagnetic wave shielding property evaluation film of Comparative Example 1, that is, an electromagnetic wave shielding property evaluation film composed of an electromagnetic wave shielding layer composed of the first layer in which the formation of the second layer is omitted. Produced.

(比較例2)
まず、電磁波遮断層が備える第1の層を形成するための樹脂系材料として、導電性高分子としてのポリアニリン(株式会社レグルス社製、商品名:PANT)と、金属系粒子としての銀からなる球状粒子(福田金属箔粉工業社製、商品名:Ag−XF301)と、バインダーとしてのポリエステル樹脂(東洋紡社製、商品名:バイロン63SS)とを、重量比で10%:70%:20%含むものを準備した。
(Comparative Example 2)
First, as a resin material for forming the first layer included in the electromagnetic wave shielding layer, polyaniline (trade name: PANT, manufactured by Regulus Co., Ltd.) as a conductive polymer and silver as metal particles are used. Spherical particles (trade name: Ag-XF301, manufactured by Fukuda Metal Foil Co., Ltd.) and polyester resin (trade name: Byron 63SS, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) as a binder are 10% by weight: 70%: 20%. Prepared to include.

次いで、ポリエチレンテレフタラートフィルム(帝人デュポン製、A−314、厚み38μm)を用意し、第1の層を形成するための前記樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、第1の層を形成した。   Next, a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin DuPont, A-314, thickness 38 μm) is prepared, coated with the resin material for forming the first layer, heated and dried, and then the first layer. Formed.

さらに、第1の層にPET芯片面アクリル樹脂(日栄化工(株)製、GL-5B)をラミネートした後に、ポリエチレンテレフタラートフィルムを剥離することで、第2の層として5μmのアクリル樹脂層を備える比較例2の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。   Furthermore, after laminating the PET core single-sided acrylic resin (GL-5B, manufactured by Niei Kaiko Co., Ltd.) on the first layer, the polyethylene terephthalate film is peeled off, so that a 5 μm acrylic resin layer is formed as the second layer. A film for evaluating electromagnetic shielding properties of Comparative Example 2 provided was prepared.

<評価試験>
<<不整合損>>
各実施例(参考例)および各比較例で作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数0.1〜10GHzの範囲内における不整合損の値を測定し、周波数0.1GHz以上3GHz以下の範囲内における不整合損の最大値を求めた。
<Evaluation test>
<< Inconsistency loss >>
Using the above-described microstrip line method, the value of mismatch loss in the frequency range of 0.1 to 10 GHz was measured for the films for evaluating electromagnetic shielding properties produced in each Example (Reference Example) and each Comparative Example. The maximum value of mismatch loss within the frequency range of 0.1 GHz to 3 GHz was determined.

<<電磁波シールド性>>
各実施例(参考例)および各比較例で使用した電磁波遮断層が備える第1の層について、前述したKEC法(電界)を用いて、周波数0.001〜1GHzの範囲内における電磁波シールド効果の値を測定し、周波数0.01GHz以上1GHz以下の範囲内における電磁波シールド効果の最小値を求めた。
<< Electromagnetic wave shielding properties >>
About the 1st layer with which the electromagnetic wave shielding layer used by each Example (reference example) and each comparative example is provided, the electromagnetic shielding effect in the range of frequency 0.001-1GHz is used using the KEC method (electric field) mentioned above. The value was measured, and the minimum value of the electromagnetic wave shielding effect within the frequency range of 0.01 GHz to 1 GHz was determined.

以上の各実施例(参考例)および各比較例の評価試験の結果を表1および図5、6に示す。   Table 1 and FIGS. 5 and 6 show the results of the evaluation tests of the above Examples (Reference Examples) and Comparative Examples.

Figure 2017050427
Figure 2017050427

表1に示した通り、第2の層の膜厚を規定して、電磁波シールド用フィルムで電磁波を遮断すべき電子部品と第1の層との間の離間距離を適切な範囲内に適宜設定することにより、各実施例のように、周波数0.1GHz以上3GHz以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損を3dB以下に設定することができた。また、第1の層を、金属系粒子を含有するものとすることで、周波数0.01GHz以上1GHz以下の電磁波における、KEC法(電界)を用いて測定した際の電磁波シールド効果を30dB以上に設定することができた。これらのことから、電磁波遮断層を、基盤回路内部での反射成分を小さくした状態で、吸収成分および反射成分により電磁波を遮断しているものとできることが判った。   As shown in Table 1, the thickness of the second layer is defined, and the separation distance between the electronic component that should block electromagnetic waves with the electromagnetic wave shielding film and the first layer is appropriately set within an appropriate range. Thus, as in each example, the mismatch loss when measured using the microstrip line method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz to 3 GHz could be set to 3 dB or less. Moreover, the electromagnetic wave shielding effect at the time of measuring using the KEC method (electric field) in the electromagnetic wave with a frequency of 0.01 GHz or more and 1 GHz or less by making the first layer contain metal-based particles is 30 dB or more. I was able to set it. From these facts, it was found that the electromagnetic wave shielding layer can shield the electromagnetic wave by the absorbing component and the reflective component in a state where the reflective component inside the substrate circuit is reduced.

10 電磁波シールド用フィルム
1 保護層
3 電磁波遮断層
31 第1の層
32 第2の層
4 電子部品
5 基板
6 凹凸
65 凸部
66 凹部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Electromagnetic wave shielding film 1 Protective layer 3 Electromagnetic wave shielding layer 31 1st layer 32 2nd layer 4 Electronic component 5 Substrate 6 Concavity and convexity 65 Convex part 66 Concave part

Claims (12)

金属および金属酸化物のうちの少なくとも1種を含む金属系粒子を含有する第1の層と、前記金属系粒子を含有しない第2の層とを含む電磁波遮断層を備え、
前記電磁波遮断層は、前記第2の層を、基板上に搭載された電子部品側にして、前記電子部品を被覆するものであり、
前記第1の層と前記電子部品との間に、前記第2の層が介在することで、前記第1の層と前記電子部品との離間距離が10μm以上200μm以下となるように構成されていることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
An electromagnetic wave shielding layer including a first layer containing metal-based particles containing at least one of a metal and a metal oxide, and a second layer not containing the metal-based particles;
The electromagnetic wave shielding layer covers the electronic component with the second layer facing the electronic component mounted on the substrate.
Since the second layer is interposed between the first layer and the electronic component, the separation distance between the first layer and the electronic component is 10 μm or more and 200 μm or less. An electromagnetic wave shielding film characterized by comprising:
前記電磁波遮断層は、周波数0.1GHz以上3GHz以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が3dB以下である請求項1に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding layer has a mismatch loss of 3 dB or less when measured using a microstripline method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz to 3 GHz. 前記電磁波遮断層は、周波数0.01GHz以上1GHz以下の電磁波における、KEC法(電界)を用いて測定した際の電磁波シールド効果が30dB以上である請求項1または2に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding layer has an electromagnetic wave shielding effect of 30 dB or more when measured using the KEC method (electric field) in an electromagnetic wave having a frequency of 0.01 GHz to 1 GHz. 前記第2の層は、導電性高分子およびバインダー樹脂のうちの少なくとも1種を含むものである請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 3, wherein the second layer contains at least one of a conductive polymer and a binder resin. 前記導電性高分子は、ポリアニリン、PEDOT/PSS、ポリピロールおよびポリチオフェンのうちの少なくとも1種である請求項4に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to claim 4, wherein the conductive polymer is at least one of polyaniline, PEDOT / PSS, polypyrrole, and polythiophene. 前記金属系粒子は、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、または、これらを含む合金のうちの少なくとも1種である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   6. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the metal-based particles are at least one of silver, copper, iron, nickel and aluminum, or an alloy containing these. 6. 前記第1の層は、さらにバインダー樹脂を含み、前記第1の層における、前記金属系粒子の含有量は、60wt%以上80wt%以下である請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The first layer according to any one of claims 1 to 6, wherein the first layer further includes a binder resin, and the content of the metal-based particles in the first layer is 60 wt% or more and 80 wt% or less. Film for electromagnetic wave shielding. 前記第1の層は、その平均層厚みが10μm以上1000μm以下である請求項1ないし7のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to claim 1, wherein the first layer has an average layer thickness of 10 μm or more and 1000 μm or less. 前記第2の層は、その平均層厚みが10μm以上200μm以下である請求項1ないし8のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the second layer has an average layer thickness of 10 μm or more and 200 μm or less. 当該電磁波シールド用フィルムは、さらに、前記電磁波遮断層の前記第1の層側に積層された保護シートを含む請求項1ないし9のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 9, wherein the electromagnetic wave shielding film further includes a protective sheet laminated on the first layer side of the electromagnetic wave shielding layer. 当該電磁波シールド用フィルムは、波長300nm以上800nm以下における光線透過率が0.01%以上30%以下である請求項1ないし10のいずれか1項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding film has a light transmittance of 0.01% to 30% at a wavelength of 300 nm to 800 nm. 基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および前記電子部品を被覆する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、金属および金属酸化物のうちの少なくとも1種を含む金属系粒子を含有する第1の層と、前記金属系粒子を含有しない第2の層とを含み、前記第1の層と前記電子部品との間に、前記第2の層が介在することで、前記第1の層と前記電子部品との離間距離が10μm以上200μm以下となるように構成されていることを特徴する電子部品搭載基板。
An electronic component mounting substrate comprising: a substrate; an electronic component mounted on the substrate; and an electromagnetic wave shielding layer that covers the substrate and the electronic component from a side of the substrate on which the electronic component is mounted. ,
The electromagnetic wave shielding layer includes a first layer containing metal-based particles containing at least one of a metal and a metal oxide, and a second layer not containing the metal-based particles, Since the second layer is interposed between the layer and the electronic component, the separation distance between the first layer and the electronic component is 10 μm or more and 200 μm or less. Electronic component mounting board.
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