JP2016146401A - Electromagnetic wave shielding film, and electronic component mounting board - Google Patents

Electromagnetic wave shielding film, and electronic component mounting board Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic wave shielding film capable of cutting off until the electromagnetic waves of high frequency band effectively, while reducing the weight and thickness, and to provide an electronic component mounting board where an electronic component mounted on the board is coated with an electromagnetic wave cutoff layer, by using such an electromagnetic wave shielding film.SOLUTION: An electromagnetic wave shielding film 10 is composed to contain an electromagnetic wave cutoff layer 3 containing a conductive material, and having a mismatch loss of 1 dB or less, in electromagnetic waves of 0.1-3 GHz, when measured by a microstrip line method, and an electromagnetic wave shield effect of 3 dB or more, in electromagnetic waves of 0.01-1 GHz, when measured by a KEC method (electric field).SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板に関するものである。   The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film and an electronic component mounting substrate.

従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。   Conventionally, electronic components that are easily affected by electromagnetic waves, such as mobile phones and medical devices, exothermic electronic components such as semiconductor elements, various electronic components such as capacitors and coils, or these electronic components are mounted on a circuit board. In order to reduce the influence of noise caused by electromagnetic waves, an electromagnetic shielding film has been attached to the surface of the electronic devices.

このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる保護層（基材層）と、保護層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。   As such an electromagnetic wave shielding film, for example, a film having a protective layer (base material layer) made of an insulating material and a metal layer laminated on one or both surfaces of the protective layer has been developed (for example, , See Patent Document 1).

しかしながら、特許文献１に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。   However, as described in Patent Document 1, when the electromagnetic wave shielding film has a configuration having a metal layer, there is a problem that it is not possible to cope with the reduction in weight and thickness that has been increasingly demanded in recent years.

さらに、上述の通り、電磁波シールド用フィルムを貼付する電子機器が多様化し、これに応じて、遮断すべきノイズである電磁波の周波数も多様化しており、電磁波シールド用フィルムは、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域のものまで効果的に遮断し得ることが求められている。   Furthermore, as described above, the electronic devices to which the electromagnetic wave shielding film is attached are diversified, and accordingly, the frequency of electromagnetic waves, which are noises to be blocked, is diversified, and the electromagnetic wave shielding film is in the order of GHz. It is demanded that even the high frequency band can be effectively cut off.

特開２００６−１５６９４６公報JP 2006-156946 A

本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供することにある。   An object of the present invention is to reduce the weight and thickness of the electromagnetic wave shielding film that can effectively block electromagnetic waves in a high frequency band, and mounted on a substrate using the electromagnetic wave shielding film. An object of the present invention is to provide an electronic component mounting substrate in which the electronic component is covered with an electromagnetic wave shielding layer.

このような目的は、下記（１）〜（１０）に記載の本発明により達成される。
（１） 導電性材料を含み、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が１ｄＢ以下であり、
かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上である電磁波遮断層を含んで構成されることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。 Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (10).
(1) A mismatch loss when measured using a microstripline method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less, including a conductive material, is 1 dB or less,
And for electromagnetic wave shielding, comprising an electromagnetic wave shielding layer having an electromagnetic wave shielding effect of 3 dB or more when measured using the KEC method (electric field) in electromagnetic waves having a frequency of 0.01 GHz to 1 GHz. the film.

（２） 前記導電性材料は、導電性高分子と、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子とを含有する上記（１）に記載の電磁波シールド用フィルム。   (2) The electromagnetic shielding film according to (1), wherein the conductive material contains a conductive polymer and metal-based particles including at least one of a metal and a metal oxide.

（３） 前記導電性高分子は、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリピロールおよびポリチオフェンのうちの少なくとも１種である上記（２）に記載の電磁波シールド用フィルム。   (3) The electromagnetic shielding film according to (2), wherein the conductive polymer is at least one of polyaniline, PEDOT / PSS, polypyrrole, and polythiophene.

（４） 前記金属系粒子は、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、または、これらを含む合金のうちの少なくとも１種である上記（２）または（３）に記載の電磁波シールド用フィルム。   (4) The said metal particle is a film for electromagnetic wave shield as described in said (2) or (3) which is at least 1 sort (s) of silver, copper, iron, nickel, aluminum, or an alloy containing these.

（５） 前記電磁波遮断層における、前記金属系粒子の含有量は、６０ｗｔ％以下である上記（２）ないし（４）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (5) The film for electromagnetic wave shielding according to any one of (2) to (4), wherein the content of the metal-based particles in the electromagnetic wave shielding layer is 60 wt% or less.

（６） 当該電磁波シールド用フィルムは、さらに、前記電磁波遮断層の一方の面側に積層された保護シートを含む上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (6) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (5), wherein the electromagnetic wave shielding film further includes a protective sheet laminated on one surface side of the electromagnetic wave shielding layer.

（７） 絶縁層が、前記電磁波遮断層の他方の面側に接触して設けられ、保護シート側から電磁波遮断層、絶縁層の順で積層されている上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (7) Any of the above (1) to (6), wherein the insulating layer is provided in contact with the other surface side of the electromagnetic wave shielding layer, and is laminated in the order of the electromagnetic wave shielding layer and the insulating layer from the protective sheet side. The film for electromagnetic wave shielding as described in crab.

（８） 前記電磁波遮断層の厚さは、５μｍ以上、１００μｍ以下である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (8) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (7), wherein a thickness of the electromagnetic wave shielding layer is 5 μm or more and 100 μm or less.

（９） 当該電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。   (9) The electromagnetic wave shielding film according to any one of (1) to (8), wherein the electromagnetic wave shielding film has a light transmittance of 0.01% to 30% at a wavelength of 300 nm to 800 nm. .

（１０） 基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および電子部品を被覆する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、導電性材料を含み、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が１ｄＢ以下であり、
かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上であることを特徴する電子部品搭載基板。 (10) An electronic component mounting substrate having a substrate, an electronic component mounted on the substrate, and an electromagnetic wave shielding layer that covers the substrate and the electronic component from the side of the substrate on which the electronic component is mounted There,
The electromagnetic wave shielding layer contains a conductive material, and an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less has a mismatch loss of 1 dB or less when measured using a microstrip line method,
And the electronic component mounting board | substrate characterized by the electromagnetic wave shielding effect at the time of measuring using KEC method (electric field) in electromagnetic waves with a frequency of 0.01 GHz or more and 1 GHz or less being 3 dB or more.

本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが、導電性材料を含み、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が１ｄＢ以下であり、かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上である電磁波遮断層を含んで構成されることにより、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる。   According to the present invention, the electromagnetic wave shielding film contains a conductive material, and the mismatch loss when measured using the microstripline method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less is 1 dB or less, and By including an electromagnetic wave shielding layer having an electromagnetic wave shielding effect of 3 dB or more when measured using the KEC method (electric field) in electromagnetic waves having a frequency of 0.01 GHz to 1 GHz, the weight of the electromagnetic wave shielding layer is reduced. -It can be thinned and can effectively block electromagnetic waves in a high frequency band.

本発明の電磁波シールド用フィルムの実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows embodiment of the film for electromagnetic wave shields of this invention. 図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the coating method of the electronic component using the film for electromagnetic wave shields shown in FIG. 図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の他の被覆方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the other coating method of the coating method of the electronic component using the film for electromagnetic wave shields shown in FIG. マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波の周波数と不整合損との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the frequency of electromagnetic waves at the time of measuring using a microstrip line method, and mismatch loss. KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波の周波数とシールド効果との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the frequency of electromagnetic waves when measured using the KEC method (electric field) and the shielding effect.

以下、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。   Hereinafter, an electromagnetic wave shielding film and an electronic component mounting substrate of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

本発明の電磁波シールド用フィルムは、導電性材料を含み、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が１ｄＢ以下であり、かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上である電磁波遮断層を含んで構成されることを特徴とする。   The electromagnetic wave shielding film of the present invention contains a conductive material, has an incommensurate loss of 1 dB or less when measured using an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less using a microstrip line method, and a frequency of 0 An electromagnetic wave shielding layer having an electromagnetic wave shielding effect of 3 dB or more when measured using the KEC method (electric field) in an electromagnetic wave of .01 GHz or more and 1 GHz or less is characterized.

このような電磁波シールド用フィルムによれば、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、高周波帯域の電磁波（ＧＨｚオーダーのように特に高周波帯域のもの）まで効果的に遮断することができる。   According to such a film for electromagnetic wave shielding, the electromagnetic wave shielding layer can be reduced in weight and thickness, and can effectively block electromagnetic waves in a high frequency band (especially in the high frequency band as in the GHz order). Can do.

＜電磁波シールド用フィルム＞
図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 <Electromagnetic wave shielding film>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of an electromagnetic wave shielding film of the present invention. In the following description, for convenience of description, the upper side in FIG. 1 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

電磁波シールド用フィルムは、基板５上の凹凸６を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムである。   The electromagnetic wave shielding film is an electromagnetic wave shielding film used for covering the unevenness 6 on the substrate 5.

図１に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１０は、保護層（保護シート）１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とを含んで構成され、電磁波遮断層３および絶縁層２は、保護層１の下面（一方の面）側から、電磁波遮断層３が保護層１に接触して、この順で積層されている。   As shown in FIG. 1, in the present embodiment, the electromagnetic wave shielding film 10 includes a protective layer (protective sheet) 1, an electromagnetic wave blocking layer 3, and an insulating layer 2. The layer 2 is laminated in this order with the electromagnetic wave shielding layer 3 coming into contact with the protective layer 1 from the lower surface (one surface) side of the protective layer 1.

なお、以下では、基板５上に電子部品４が搭載（載置）され、この電子部品４の搭載により基板５上に凸部６５と凹部６６とからなる凹凸６が形成されており、この凹凸６を電磁波シールド用フィルム１０で被覆する場合について説明する。なお、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）上に搭載されているＬＣＤドライバーＩＣ、タッチパネル周辺のＩＣ＋コンデンサーまたは電子回路基板（マザーボード）が挙げられる。   In the following description, the electronic component 4 is mounted (placed) on the substrate 5, and the unevenness 6 including the convex portions 65 and the concave portions 66 is formed on the substrate 5 by mounting the electronic component 4. The case where 6 is covered with the electromagnetic wave shielding film 10 will be described. Examples of the electronic component 4 mounted on the substrate 5 include an LCD driver IC mounted on a flexible circuit board (FPC), an IC + capacitor around the touch panel, or an electronic circuit board (motherboard).

＜保護層１＞
まず、保護層１について説明する。 <Protective layer 1>
First, the protective layer 1 will be described.

保護層（保護シート）１は、電磁波遮断層３の酸化による劣化を防止する機能を有する。さらに、保護層１は、可撓性を備え、後述する電子部品の被覆方法の貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０を用いて、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、押し込まれた絶縁層２および電磁波遮断層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能するものである。   The protective layer (protective sheet) 1 has a function of preventing deterioration of the electromagnetic wave shielding layer 3 due to oxidation. Further, the protective layer 1 has flexibility, and the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are formed on the unevenness 6 on the substrate 5 by using the electromagnetic wave shielding film 10 in the attaching step of the electronic component coating method described later. By pressing, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 that have been pressed function as a protective (buffer) material that prevents breakage when the unevenness 6 is covered.

この保護層１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、無軸延伸ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン等のポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン、スチレンエラストマー樹脂、スチレンブタジエンゴムのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、無軸延伸ポリプロピレンを用いることが好ましい。これにより、保護層１の絶縁層２および電磁波遮断層３に対する保護性、さらには耐熱性を向上させることができる。   The constituent material of the protective layer 1 is not particularly limited. For example, syndiotactic polystyrene, polymethylpentene, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polypropylene such as non-axially oriented polypropylene and biaxially oriented polypropylene, cyclic olefin polymers, Examples thereof include resin materials such as silicone, styrene elastomer resin, and styrene butadiene rubber. Among these, it is preferable to use non-axially stretched polypropylene. Thereby, the protection with respect to the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 of the protective layer 1 and further the heat resistance can be improved.

また、保護層１の常温（２５℃）における貯蔵弾性率は、２．０Ｅ＋０２〜５．０Ｅ＋１０Ｐａであるのが好ましく、２．０Ｅ＋０３〜５．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがより好ましく、２．０Ｅ＋０４〜３．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがさらに好ましい。このように、保護層１の常温（２５℃）における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、保護層１は可撓性を有するものであると言うことができ、電磁波シールド用フィルム１０を用いて、基板５上の凹凸６を被覆する際に、絶縁層２および電磁波遮断層３に破断を生じさせることなく絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で押し込むことができる。その結果、この凹凸６が設けられた基板５が、破断の発生が防止された電磁波遮断層３をもって確実に被覆されるようになるため、この電磁波遮断層３による凹凸６が設けられた基板５に対する電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。   The storage elastic modulus of the protective layer 1 at normal temperature (25 ° C.) is preferably 2.0E + 02 to 5.0E + 10 Pa, more preferably 2.0E + 03 to 5.0E + 09 Pa, and 2.0E + 04 to 3. More preferably, it is 0E + 09 Pa. Thus, by setting the storage elastic modulus at normal temperature (25 ° C.) of the protective layer 1 within the above range, it can be said that the protective layer 1 has flexibility, and an electromagnetic shielding film. 10 is used to cover the irregularities 6 on the substrate 5 without causing the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 to break, so that the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 correspond to the shapes of the irregularities 6. Can be pushed in. As a result, the substrate 5 provided with the unevenness 6 is surely covered with the electromagnetic wave shielding layer 3 in which the occurrence of breakage is prevented. Therefore, the substrate 5 provided with the unevenness 6 by the electromagnetic wave shielding layer 3 is provided. The electromagnetic wave shielding (blocking) property against is improved.

保護層１の厚みは、特に限定されないが、３μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上、１５μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは７μｍ以上、１２μｍ以下である。保護層１の厚みが前記下限値未満である場合、保護層１ひいては絶縁層２および電磁波遮断層３が破断し、その電磁波シールド性が低下するおそれがある。また、保護層１の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム１０を用いて被覆する基板５の設計によっては、基板５を電磁波シールド用フィルム１０で被覆した積層体の軽量化・薄型化が実現されないおそれがある。   Although the thickness of the protective layer 1 is not specifically limited, It is preferable that they are 3 micrometers or more and 20 micrometers or less, It is more preferable that they are 5 micrometers or more and 15 micrometers or less, More preferably, they are 7 micrometers or more and 12 micrometers or less. When the thickness of the protective layer 1 is less than the lower limit, the protective layer 1 and thus the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 may be broken, and the electromagnetic shielding properties thereof may be reduced. Further, when the thickness of the protective layer 1 exceeds the upper limit, depending on the design of the substrate 5 covered with the electromagnetic wave shielding film 10, the weight and thickness of the laminate in which the substrate 5 is covered with the electromagnetic wave shielding film 10 can be reduced. May not be realized.

さらに、保護層１は、その電磁波遮断層３側の面に、粘着剤層を備えるものであってもよい。すなわち、電磁波遮断層３は、粘着剤層を介して保護層１に接合されたものであってもよい。これにより、保護層１と電磁波遮断層３との粘着性（密着性）の向上が図られる。   Furthermore, the protective layer 1 may include a pressure-sensitive adhesive layer on the surface on the electromagnetic wave shielding layer 3 side. That is, the electromagnetic wave shielding layer 3 may be bonded to the protective layer 1 via the pressure-sensitive adhesive layer. Thereby, the adhesiveness (adhesiveness) of the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 is improved.

この粘着剤層は、例えば、主として、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤およびゴム系粘着剤等のうちの少なくとも１種からなる粘着剤で構成される。   This pressure-sensitive adhesive layer is mainly composed of, for example, a pressure-sensitive adhesive made of at least one of an acrylic pressure-sensitive adhesive, a silicone pressure-sensitive adhesive, and a rubber-based pressure-sensitive adhesive.

アクリル系粘着剤としては、例えば、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合したものが挙げられる。   Examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive include resins composed of (meth) acrylic acid and esters thereof, (meth) acrylic acid and esters thereof, and unsaturated monomers copolymerizable therewith (for example, vinyl acetate). , Styrene, acrylonitrile and the like) and the like. Moreover, what mixed 2 or more types of these resin is mentioned.

また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、粘着層が粘着する電磁波遮断層３との密着性や粘着性の制御が容易になる。   Among these, one or more selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and hydroxyethyl (meth) acrylate and vinyl acetate A copolymer with one or more selected is preferred. Thereby, control of adhesiveness and adhesiveness with the electromagnetic wave shielding layer 3 to which the adhesive layer adheres becomes easy.

この場合、粘着剤層には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーが含まれていてもよい。   In this case, the pressure-sensitive adhesive layer has a urethane acrylate, an acrylate monomer, a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate), etc. in order to control adhesiveness (adhesiveness). Monomers and oligomers such as isocyanate compounds may be included.

また、ゴム系粘着剤としては、例えば、天然ゴム系、イソプレンゴム系、スチレン−ブタジエン系、再生ゴム系、ポリイソブチレン系のものや、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン等のゴムを含むブロック共重合体を主とするもの等が挙げられる。   Examples of rubber-based adhesives include natural rubber-based, isoprene rubber-based, styrene-butadiene-based, recycled rubber-based, and polyisobutylene-based rubbers, and rubbers such as styrene-isoprene-styrene and styrene-butadiene-styrene. The thing etc. which mainly have the block copolymer containing are mentioned.

さらに、シリコーン系粘着剤としては、例えば、ジメチルシロキサン系、ジフェニルシロキサン系のもの等が挙げられる。   Furthermore, examples of the silicone-based pressure-sensitive adhesive include dimethylsiloxane-based and diphenylsiloxane-based ones.

なお、粘着剤層に含まれる粘着剤は、硬化型および非硬化型のいずれであってもよいが、硬化型の場合、粘着剤層には、架橋剤が添加されていてもよい。この架橋剤としては、例えば、エポキシ系化合物、イソシアナート系化合物、金属キレート化合物、金属アルコキシド、金属塩、アミン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド系化合物等が挙げられる。   The pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer may be either a curable type or a non-curable type, but in the case of a curable type, a crosslinking agent may be added to the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the crosslinking agent include epoxy compounds, isocyanate compounds, metal chelate compounds, metal alkoxides, metal salts, amine compounds, hydrazine compounds, aldehyde compounds, and the like.

また、硬化型の場合、粘着剤層には、粘着剤層を紫外線等の光の照射により硬化させる光重合開始剤が添加されていてもよい。この光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等が挙げられる。   In the case of the curable type, a photopolymerization initiator that cures the pressure-sensitive adhesive layer by irradiation with light such as ultraviolet rays may be added to the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the photopolymerization initiator include methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl]- Acetophenone compounds such as 2-morpholinopropane-1, benzophenone compounds, benzoin compounds, benzoin isobutyl ether compounds, benzoin methyl benzoate compounds, benzoin benzoic acid compounds, benzoin methyl ether compounds, benzylfinyl sulfide compounds Compounds, benzyl compounds, dibenzyl compounds, diacetyl compounds and the like.

さらに、粘着剤層には、その接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等が添加されていてもよい。   Furthermore, the adhesive layer has a rosin resin, terpene resin, coumarone resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, aliphatic aromatic for the purpose of increasing its adhesive strength and shear strength. A tackifier such as a petroleum petroleum resin may be added.

また、粘着剤層には、例えば、可塑剤、粘着付与剤、増粘剤、充填剤、老化防止剤、防腐剤、防カビ剤、染料、顔料等の各種添加剤が必要に応じ添加されていてもよい。   In addition, various additives such as a plasticizer, a tackifier, a thickener, a filler, an anti-aging agent, an antiseptic, an antifungal agent, a dye, and a pigment are added to the adhesive layer as necessary. May be.

＜電磁波遮断層３＞
次に、電磁波遮断層（遮断層）３について説明する。 <Electromagnetic wave blocking layer 3>
Next, the electromagnetic wave blocking layer (blocking layer) 3 will be described.

電磁波遮断層３は、基板５上に設けられた電子部品４と、この電磁波遮断層３を介して、基板５（電子部品４）と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。   The electromagnetic wave shielding layer 3 includes an electronic component 4 provided on the substrate 5, and other electronic components located on the opposite side of the substrate 5 (electronic component 4) via the electromagnetic wave shielding layer 3. It has a function of shielding (shielding) electromagnetic waves generated from one side.

ここで、一般的に、電磁波を遮断する機能を発揮するには、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）する反射層と、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが知られている。   Here, in general, in order to exert the function of blocking electromagnetic waves, a reflection layer that blocks (shields) the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer and absorbs the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer. Absorbing layers that are shielded (shielded) by the above are known.

このような反射層と吸収層とでは、これらが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有していると仮定した場合、吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断して、この吸収により電磁波を消滅させる。そのため、反射層のように反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという観点から、電磁波遮断層を吸収層で構成するのが好ましい。   In such a reflection layer and an absorption layer, assuming that they have almost the same electromagnetic shielding properties, the absorption layer absorbs electromagnetic waves incident on the absorption layer and converts them into thermal energy. The electromagnetic wave is extinguished by this absorption. Therefore, from the standpoint that it is possible to reliably prevent the reflected electromagnetic wave, such as the reflective layer, from adversely affecting the other members that are not covered with the electromagnetic wave blocking layer. The layer is preferably composed of an absorbent layer.

ところで、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断しているのか、または、電磁波を吸収することにより遮断しているのかを評価する方法として、マイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）が知られている。   By the way, a microstrip line method (MSL method) is known as a method for evaluating whether the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave blocking layer is blocked by reflecting or by blocking the electromagnetic wave. ing.

このＭＳＬ法を用いた測定は、例えば、ＩＥＣ規格６２３３３−２に準拠して、５０Ωのインピーダンスを有するマイクロストリップラインと、ネットワークアナライザーとを用いて、反射成分Ｓ１１と透過成分Ｓ２１を測定することにより行われる。 The MSL technique measured using, for example, according to IEC standard 62333-2, the microstrip line having a 50Ω impedance, using a network analyzer to measure the reflected component S 11 and the transmission component S 21 Is done.

これらのうち反射成分Ｓ１１は、入射波に対する反射波の電圧（振幅）強度をｄＢで表したものとして測定される。そして、この反射成分Ｓ１１を用いて、下記式（１）から、入射波に対する反射成分以外の電力強度をｄＢで表した不整合損を求めることができる。
不整合損 ＝ −１０・ｌｏｇ｛１−１０＾（２Ｓ１１／１０）｝［ｄＢ］（１） Of these, the reflection component S 11 is measured as a voltage (amplitude) intensity of the reflected wave with respect to the incident wave expressed in dB. Then, by using the reflection component S 11, the following equation (1) can be obtained mismatching loss representing the power strength of the non-reflected components with respect to an incident wave in dB.
Mismatch loss = -10 · log {1-10 ^ ( 2S 11/10)} [dB] (1)

不整合損における、反射成分以外の成分としては、吸収成分および透過成分が挙げられる。そのため、不整合損の値が大きくなると反射成分が大きく、不整合損の値が小さくなると吸収成分および透過成分が大きくなっていると言うことができる。   Components other than the reflection component in the mismatch loss include an absorption component and a transmission component. Therefore, it can be said that the reflection component increases when the mismatch loss value increases, and the absorption component and transmission component increase when the mismatch loss value decreases.

したがって、透過成分が小さいと仮定した場合、不整合損の値が小さくなっていれば、吸収成分が大きくなっていると言うことができる。なお、反射成分が小さくなるのは、電磁波遮断層により回路上のインピーダンス変化が小さくなり、これにより、回路内での反射を抑制しているものと推察される。   Therefore, assuming that the transmission component is small, it can be said that the absorption component is large if the mismatch loss value is small. The reason why the reflection component is reduced is presumed that the impedance change on the circuit is reduced by the electromagnetic wave blocking layer, thereby suppressing the reflection in the circuit.

よって、本発明のように、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が１ｄＢ以下である電磁波遮断層であれば、高周波帯域の電磁波における不整合損の値が小さくなっていると言うことができ、透過成分が小さくなっていれば、吸収成分が大きくなっており、この電磁波遮断層が吸収層で構成されているものであると言える。   Therefore, as in the present invention, if the electromagnetic wave shielding layer has a mismatch loss of 1 dB or less when measured using the microstripline method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz to 3 GHz, the electromagnetic wave in the high frequency band It can be said that the value of mismatch loss is small. If the transmission component is small, the absorption component is large, and it can be said that this electromagnetic wave blocking layer is composed of the absorption layer. .

さらに、電磁波遮断層に入射した電磁波の遮断を評価する方法として、上述したＭＳＬ法の他に、関西電子工業振興センターで開発されたKEC法が知られている。   In addition to the MSL method described above, a KEC method developed by the Kansai Electronics Industry Promotion Center is known as a method for evaluating the blocking of electromagnetic waves incident on the electromagnetic wave blocking layer.

ここで、KEC法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収成分）と電磁波を反射することにより遮断する反射性（反射成分）とが加算された値として測定される。   Here, according to the KEC method, the electromagnetic shielding property for blocking electromagnetic waves is based on the characteristics of the measurement method described below, and absorbs (absorbs components) that blocks by absorbing electromagnetic waves and reflects by blocking electromagnetic waves. It is measured as a value obtained by adding the property (reflection component).

すなわち、このKEC法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす電磁波遮断層３（測定試料）を介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるKEC法では、受信アンテナにおいて、電磁波遮断層３を通過（透過）した電磁波が測定されるすなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波遮断層３により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定されることから、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射成分と電磁波を吸収する吸収成分との双方を合算した状態で求められる。   In other words, this KEC method is a method for evaluating the shielding effect of electromagnetic waves generated in the near field separately for electric and magnetic fields, and the measurement using this method was transmitted from a transmitting antenna (transmission jig). It can be carried out by receiving electromagnetic waves with a receiving antenna (receiving jig) through an electromagnetic wave blocking layer 3 (measurement sample) in the form of a sheet. In such a KEC method, electromagnetic waves are blocked at the receiving antenna. The electromagnetic wave passing through (transmitting) the layer 3 is measured, that is, how much the transmitted electromagnetic wave (signal) is attenuated on the receiving antenna side by the electromagnetic wave blocking layer 3, so that the electromagnetic wave is blocked (shielded). The electromagnetic wave shielding property to be obtained is obtained in a state in which both a reflection component that reflects electromagnetic waves and an absorption component that absorbs electromagnetic waves are combined.

よって、本発明のように、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上である電磁波遮断層であれば、高周波帯域の電磁波を高精度に遮断していると言うことができ、この電磁波遮断層を、吸収成分および反射成分を遮断する遮断層であると言える。   Therefore, as in the present invention, if the electromagnetic wave shielding layer has an electromagnetic wave shielding effect of 3 dB or more when measured using the KEC method (electric field) in an electromagnetic wave having a frequency of 0.01 GHz to 1 GHz, an electromagnetic wave in a high frequency band It can be said that the electromagnetic wave blocking layer is a blocking layer that blocks the absorption component and the reflection component.

したがって、電磁波遮断層が、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が１ｄＢ以下であり、かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上であることを満足すれば、すなわち、電磁波遮断層３において、ＭＳＬ法を用いて測定された不整合損の値が小さく、かつ、KEC法（電界）を用いて測定された電磁波シールド性（吸収成分＋反射成分）が大きくなっていれば、電磁波遮断層３を、反射成分および透過成分を小さくした状態で、吸収成分により電磁波を遮断している吸収層であると言うことができる。   Therefore, the electromagnetic wave shielding layer has an incompatibility loss of 1 dB or less when measured using the microstripline method in an electromagnetic wave with a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less, and an electromagnetic wave with a frequency of 0.01 GHz or more and 1 GHz or less. If the electromagnetic wave shielding effect when measured using the KEC method (electric field) is 3 dB or more, that is, the mismatch loss value measured using the MSL method is small in the electromagnetic wave shielding layer 3. If the electromagnetic wave shielding property (absorption component + reflection component) measured using the KEC method (electric field) is increased, the electromagnetic wave blocking layer 3 is reduced in the reflection component and transmission component in the reduced state. Therefore, it can be said that the absorption layer blocks electromagnetic waves.

なお、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損は、１ｄＢ以下であればよいが、０．５ｄＢ以下であるのが好ましく、０．３ｄＢ以下であるのがより好ましい。さらに、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果は、３ｄＢ以上であればよいが、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における電磁波シールド効果が１０ｄＢ以上３０ｄＢ以下であるのが好ましい。前記関係を満足することにより、より高周波帯域の電磁波であっても、反射成分および透過成分が大きくなるのを防止しつつ、より効果的に吸収成分により遮断していると言える。   In addition, the mismatch loss in the electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less when measured using the microstrip line method may be 1 dB or less, preferably 0.5 dB or less, and 0.3 dB. The following is more preferable. Furthermore, the electromagnetic wave shielding effect when measured using the KEC method (electric field) for electromagnetic waves having a frequency of 0.01 GHz to 1 GHz may be 3 dB or more, but the electromagnetic shielding for electromagnetic waves having a frequency of 0.01 GHz to 1 GHz. The effect is preferably 10 dB or more and 30 dB or less. By satisfying the above relationship, it can be said that even an electromagnetic wave in a higher frequency band is more effectively blocked by the absorbing component while preventing the reflection component and the transmission component from increasing.

このような電磁波遮断層３の構成材料は、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損およびKEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が前述した関係を満足するものであれば、如何なる導電性材料で構成されるものであってもよいが、例えば、導電性高分子と、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子とを含有するものであることが好ましい。かかる構成材料で電磁波遮断層３を構成することにより、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた吸収性を発揮するため、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損およびKEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果の値を前記範囲内に設定することができる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。   The constituent material of such an electromagnetic wave shielding layer 3 satisfies the relationship described above in terms of the mismatch loss when measured using the microstrip line method and the electromagnetic shielding effect when measured using the KEC method (electric field). Any conductive material may be used as long as it contains, for example, a conductive polymer and metal-based particles including at least one of a metal and a metal oxide. Preferably there is. Even if the film thickness (thickness) is set to be relatively thin by configuring the electromagnetic wave shielding layer 3 with such a constituent material, in order to exhibit particularly excellent absorbency, when measured using the microstrip line method The value of the electromagnetic wave shielding effect when measured using mismatch loss and the KEC method (electric field) can be set within the above range. In addition, since the particle size of the material contained in the layer is small and the amount of addition can be reduced, the film thickness can be set relatively easily and the weight can be reduced.

なお、導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリピロールおよびポリチオフェンであるのが好ましい。これらによれば、電磁波遮断層３のマイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損およびKEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果の値を前記範囲内により容易に設定することができるようになる。より具体的には、特に、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損の大きさをより確実に小さくして、１ｄＢ以下に設定することができる。   As the conductive polymer, for example, polyacetylene, polypyrrole, PEDOT (poly-ethylenedioxythiophene), PEDOT / PSS, polythiophene, polyaniline, poly (p-phenylene), polyfluorene, polycarbazole, polysilane, or a derivative thereof may be used. 1 type or 2 types or more of these can be used in combination. Among these, polyaniline, PEDOT / PSS, polypyrrole and polythiophene are preferable. According to these, the mismatch loss when the electromagnetic wave shielding layer 3 is measured using the microstrip line method and the value of the electromagnetic wave shielding effect when measured using the KEC method (electric field) are more easily set within the above range. Will be able to. More specifically, in particular, the magnitude of the mismatch loss when measured using the microstrip line method can be more reliably reduced and set to 1 dB or less.

さらに、導電性高分子としてポリアニリンを用いる場合、電磁波遮断層３中に含まれるポリアニリンは、その分子量が大きいものを選択するのが好ましい。これにより、特に、電磁波遮断層３のマイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損の値を前記範囲内に容易に設定することができるようになる。   Furthermore, when polyaniline is used as the conductive polymer, it is preferable to select a polyaniline contained in the electromagnetic wave shielding layer 3 having a large molecular weight. Thereby, in particular, the value of the mismatch loss when measured using the microstrip line method of the electromagnetic wave shielding layer 3 can be easily set within the above range.

また、金属系粒子としては、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、またはこれらを含む合金のような金属、および、ＡＦｅ２Ｏ４（式中、Ａは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕまたはＺｎである）で表されるフェライト、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＦＴＯのような金属酸化物等が挙げられる。これらの中でも、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、または、これらを含む合金のうちの少なくとも１種であるであるのが好ましい。これらによれば、電磁波遮断層３のマイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損およびKEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果の値を前記範囲内により容易に設定することができるようになる。より具体的には、特に、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果の値をより確実に大きくして、３ｄＢ以上に設定することができる。 Examples of the metal-based particles include gold, silver, copper, iron, nickel and aluminum, or a metal such as an alloy containing these, and AFe 2 O 4 (where A is Mn, Co, Ni , Cu or Zn), and metal oxides such as ITO, ATO, and FTO. Among these, it is preferable that it is at least 1 sort (s) of silver, copper, iron, nickel, aluminum, or an alloy containing these. According to these, the mismatch loss when the electromagnetic wave shielding layer 3 is measured using the microstrip line method and the value of the electromagnetic wave shielding effect when measured using the KEC method (electric field) are more easily set within the above range. Will be able to. More specifically, in particular, the value of the electromagnetic shielding effect when measured using the KEC method (electric field) can be more reliably increased and set to 3 dB or more.

また、金属系粒子の平均粒径は、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であるのが好ましく、４．５μｍ以上７．５μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、金属系粒子を電磁波遮断層３中に均一に分散させることができる。そのため、電磁波遮断層３を、前述した特性を均質に発揮するものとできる。   The average particle size of the metal-based particles is preferably 1.0 μm or more and 10.0 μm or less, and more preferably 4.5 μm or more and 7.5 μm or less. Thereby, the metal particles can be uniformly dispersed in the electromagnetic wave shielding layer 3. Therefore, the electromagnetic wave shielding layer 3 can exhibit the above-described characteristics uniformly.

さらに、電磁波遮断層３は、その構成材料として、導電性高分子および金属系粒子の他に、バインダー樹脂を含有するものであることが好ましい。これにより、金属系粒子を電磁波遮断層３中により均一に分散させることができるため、電磁波遮断層３を、前述した特性を均質に発揮するものとできる。また、導電性高分子と金属系粒子とを、それぞれ、容易に目的する含有量に設定することができるようになるため、電磁波遮断層３のマイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損およびKEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果の値を、目的とする範囲内により容易に設定することができるようになる。   Furthermore, the electromagnetic wave shielding layer 3 preferably contains a binder resin as a constituent material in addition to the conductive polymer and the metal particles. Thereby, since metal type particle | grains can be disperse | distributed more uniformly in the electromagnetic wave shielding layer 3, the electromagnetic wave shielding layer 3 can exhibit the characteristic mentioned above uniformly. In addition, since the conductive polymer and the metal-based particles can be easily set to the intended contents, mismatching when measured using the microstrip line method of the electromagnetic wave shielding layer 3 The value of the electromagnetic wave shielding effect when measured using the loss and the KEC method (electric field) can be easily set within the target range.

なお、バインダー樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the binder resin include thermosetting resins such as epoxy resins, phenol resins, amino resins, and unsaturated polyester resins, and thermoplastic resins such as acrylic resins, polyester resins, vinyl chloride resins, and styrene resins. One or more of these can be used in combination.

また、電磁波遮断層３における金属系粒子の含有量は、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損の値（ｄＢ）を小さくするという観点からは、６０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることがより好ましく、０ｗｔ％であることがさらに好ましい。さらに、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果の値（ｄＢ）を大きくするという観点からは、０ｗｔ％以上であることが好ましく、２０ｗｔ％以上であることがより好ましく、４０ｗｔ％以上であることがさらに好ましい。したがって、電磁波遮断層３における金属系粒子の含有量は、目的とすべき、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損の値、およびKEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果の値に応じて、上記範囲内において適宜設定される。   In addition, the content of the metal particles in the electromagnetic wave shielding layer 3 is preferably 60 wt% or less from the viewpoint of reducing the mismatch loss value (dB) when measured using the microstrip line method. 30 wt% or less, more preferably 0 wt%. Furthermore, from the viewpoint of increasing the electromagnetic shielding effect value (dB) when measured using the KEC method (electric field), it is preferably 0 wt% or more, more preferably 20 wt% or more, and 40 wt%. % Or more is more preferable. Therefore, the content of the metal particles in the electromagnetic wave shielding layer 3 is the value of the mismatch loss when measured using the microstrip line method and the value when measured using the KEC method (electric field). It is appropriately set within the above range according to the value of the electromagnetic shielding effect.

さらに、電磁波遮断層３における導電性高分子の含有量は、１０ｗｔ％以上、９０ｗｔ％以下であるのが好ましく、４０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損の値（ｄＢ）を小さくすることができるとともに、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果の値（ｄＢ）を前記範囲に設定することができる。   Furthermore, the content of the conductive polymer in the electromagnetic wave shielding layer 3 is preferably 10 wt% or more and 90 wt% or less, and more preferably 40 wt% or more and 80 wt% or less. The mismatch loss value (dB) when measured using the microstrip line method can be reduced, and the electromagnetic shielding effect value (dB) when measured using the KEC method (electric field) is within the above range. Can be set to

さらに、電磁波遮断層３の厚みＴは、特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは、１０μｍ以上、５０μｍ以下である。電磁波遮断層３の厚みが前記下限値未満である場合、電磁波遮断層３の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、電磁波遮断層３の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波遮断層３の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴとしても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、電磁波遮断層３の厚みＴの薄膜化を実現すること、ひいては、基板５上において絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。   Further, the thickness T of the electromagnetic wave shielding layer 3 is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably 10 μm or more and 80 μm or less, and further preferably 10 μm or more and 50 μm or less. . When the thickness of the electromagnetic wave shielding layer 3 is less than the lower limit value, depending on the constituent material of the electromagnetic wave shielding layer 3, there is a possibility of breaking at the end portion of the board mounted component. Moreover, when the thickness of the electromagnetic wave shielding layer 3 exceeds the upper limit, the shape following property may be insufficient depending on the constituent material of the electromagnetic wave shielding layer 3 or the like. Moreover, since the excellent electromagnetic wave shielding property can be exhibited even when the thickness T is within such a range, it is possible to reduce the thickness T of the electromagnetic wave shielding layer 3, and thus the insulating layer 2 and the electromagnetic wave on the substrate 5. The weight reduction of the electronic component mounting board on which the electronic component 4 covered with the blocking layer 3 is mounted can be realized.

また、電磁波遮断層３は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０の加熱の後、保護層１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記保護層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。   Moreover, it is preferable that the storage elastic modulus in 150 degreeC of the electromagnetic wave shielding layer 3 is 1.0E + 05-1.0E + 09Pa, and it is more preferable that it is 5.0E + 05-5.0E + 08Pa. By setting the storage elastic modulus within such a range, in the pasting process, after heating the electromagnetic shielding film 10, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding are formed on the irregularities 6 on the substrate 5 by pressing force from the protective layer 1. By pressing the layer 3, the electromagnetic wave shielding layer 3 can be deformed corresponding to the shape of the unevenness 6 according to the pressing force from the protective layer 1 when the unevenness 6 is covered. That is, the shape followability of the electromagnetic wave shielding layer 3 with respect to the unevenness 6 can be improved.

＜絶縁層２＞
次に、絶縁層２について説明する。 <Insulating layer 2>
Next, the insulating layer 2 will be described.

絶縁層２は、電磁波遮断層３に接触して設けられ、保護層１側から電磁波遮断層３、絶縁層２の順で積層されている。このように積層された絶縁層２および電磁波遮断層３を備える電磁波シールド用フィルム１０を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に絶縁層２が接触し、基板５側から絶縁層２、電磁波遮断層３の順で被覆することとなる。   The insulating layer 2 is provided in contact with the electromagnetic wave shielding layer 3, and the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 are laminated in this order from the protective layer 1 side. The insulating layer 2 is in contact with the substrate 5 and the electronic component 4 by covering the unevenness 6 on the substrate 5 using the electromagnetic wave shielding film 10 including the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 laminated in this manner, The insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are coated in this order from the substrate 5 side.

このように、本実施形態では、絶縁層２は、基板５および電子部品４を被覆し、これにより、基板５上で隣接する電子部品４同士を絶縁するとともに、基板５および電子部品４を、絶縁層２を介して基板５と反対側に位置する他の部材（電子部品等）から絶縁する。   Thus, in the present embodiment, the insulating layer 2 covers the substrate 5 and the electronic component 4, thereby insulating the adjacent electronic components 4 on the substrate 5, and the substrate 5 and the electronic component 4. It insulates from other members (electronic parts etc.) located on the opposite side to substrate 5 via insulating layer 2.

この絶縁層２としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂（絶縁フィルム）が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、後述する貼付工程において、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して容易に追従させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。   Examples of the insulating layer 2 include a thermosetting insulating resin or a thermoplastic insulating resin (insulating film). Among these, it is preferable to use an insulating resin having thermoplasticity. Since the insulating resin having thermoplasticity is a film having excellent flexibility, when the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed into the unevenness 6 on the substrate 5 in the pasting step described later, the insulating layer 2 Can be easily followed in accordance with the shape of the irregularities 6. In addition, an insulating resin having thermoplasticity is particularly useful when repairing a substrate because it can be re-peeled from the substrate to be bonded when heated to its softening point temperature.

熱可塑性を有する絶縁樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートのような熱可塑性ポリエステル、α−オレフィン、酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、エチレン酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル、ポリアミド、セルロースが挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル、α−オレフィンを用いることが好ましい。   Examples of the insulating resin having thermoplasticity include thermoplastic polyesters such as polyethylene terephthalate, α-olefin, vinyl acetate, polyvinyl acetal, ethylene vinyl acetate, vinyl chloride, acrylic, polyamide, and cellulose. Among these, it is preferable to use thermoplastic polyesters and α-olefins because they are excellent in adhesion to the substrate, flexibility and chemical resistance.

さらに、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、後述する導電性接着剤層の場合と同様に、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加してもよい。   Furthermore, the insulating resin having thermoplasticity is a phenolic resin, a silicone resin, a urea resin, an acrylic resin, a polyester resin, a polyamide resin, as long as the performance such as heat resistance and flex resistance is not impaired. A polyimide resin or the like can be contained. In addition, in the insulating resin having thermoplasticity, as in the case of the conductive adhesive layer described later, a silane coupling agent, an antioxidant, a pigment, a dye, as long as the adhesiveness and solder reflow resistance are not deteriorated. You may add tackifying resin, a plasticizer, a ultraviolet absorber, an antifoamer, a leveling regulator, a filler, a flame retardant, etc.

絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上、３０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５μｍ以上、２０μｍ以下である。絶縁層２の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、電磁波遮断層３の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）を前記範囲内に設定することにより、絶縁層２に屈曲性を確実に付与することができ、貼付工程において、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して容易に追従させることができる。また、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）の薄膜化を実現すること、ひいては、絶縁層２および遮断層（反射層）３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化および薄型化を実現することができる。   The thickness T (D) of the insulating layer 2 is not particularly limited, but is preferably 3 μm or more and 50 μm or less, more preferably 4 μm or more and 30 μm or less, and further preferably 5 μm or more and 20 μm or less. When the thickness of the insulating layer 2 is less than the lower limit value, the resistance to goby folds is insufficient, cracks occur at the bent portion after thermocompression bonding to the irregularities 6, the film strength decreases, and the electromagnetic wave shielding layer 3 It is difficult to play a role as an insulating support. If the upper limit is exceeded, shape followability may be insufficient. That is, by setting the thickness T (D) of the insulating layer 2 within the above range, the insulating layer 2 can be reliably provided with flexibility, and in the pasting process, the insulating layer 2 is insulated against the unevenness 6 on the substrate 5. When the layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed in, the insulating layer 2 can easily follow the shape of the irregularities 6. Further, it is possible to reduce the thickness T (D) of the insulating layer 2 and to reduce the weight and thickness of the substrate 5 on which the electronic component 4 covered with the insulating layer 2 and the blocking layer (reflective layer) 3 is mounted. Can be realized.

また、絶縁層２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。絶縁層２の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０の加熱時において、絶縁層２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層２、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性が向上することとなる。   Moreover, it is preferable that the average linear expansion coefficient in 25-150 degreeC of the insulating layer 2 is 50-1000 [ppm / degrees C], and it is more preferable that it is 100-700 [ppm / degrees C]. By setting the average linear expansion coefficient of the insulating layer 2 within such a range, the insulating layer 2 has excellent stretchability when the electromagnetic wave shielding film 10 is heated. The shape followability with respect to the unevenness 6 of the electromagnetic wave shielding layer 3 is improved.

なお、この絶縁層２は、図１で示したように、１層で構成されるものの他、上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた２層以上の積層体であってもよい。   In addition, as shown in FIG. 1, this insulating layer 2 may be a laminated body of two or more layers in which different ones of the above-described insulating films are laminated, in addition to those constituted by one layer.

さらに、絶縁層２は、その電磁波遮断層３側の面、および、電磁波遮断層３と反対側の面の双方または何れか一方に、粘着剤層を備えるものであってもよい。これにより、電磁波遮断層３と絶縁層２との粘着性（密着性）および／または電磁波シールド用フィルム１０で被覆する基板５と絶縁層２との粘着性（密着性）の向上が図られる。   Furthermore, the insulating layer 2 may be provided with a pressure-sensitive adhesive layer on both or any one of the surface on the electromagnetic wave shielding layer 3 side and the surface opposite to the electromagnetic wave shielding layer 3. Thereby, the adhesiveness (adhesiveness) between the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 and / or the adhesiveness (adhesiveness) between the substrate 5 covered with the electromagnetic wave shielding film 10 and the insulating layer 2 is improved.

この粘着剤層としては、前述した保護層１の説明で記載した粘着剤層と同様のものが挙げられる。   As this adhesive layer, the thing similar to the adhesive layer described by description of the protective layer 1 mentioned above is mentioned.

なお、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１０を、絶縁層２を備えるものとすることで、基板５および電子部品４を被覆し、これにより、基板５上で隣接する電子部品４同士を絶縁することとしたが、この絶縁層２による電子部品４同士の絶縁を必要としない場合には、この絶縁層２を省略することもできる。   In the present embodiment, the electromagnetic wave shielding film 10 includes the insulating layer 2 to cover the substrate 5 and the electronic component 4, thereby insulating the adjacent electronic components 4 on the substrate 5. However, when it is not necessary to insulate the electronic components 4 by the insulating layer 2, the insulating layer 2 can be omitted.

さらに、後述する電子部品の被覆方法の貼付工程において、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込むことなく凹凸６を被覆することもできるが、この場合、絶縁層２および電磁波遮断層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能する保護層１の形成を省略することもできる。   Furthermore, in the attaching step of the electronic component coating method to be described later, the unevenness 6 on the substrate 5 can be covered without pressing the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3, but in this case, the insulating layer 2 and The formation of the protective layer 1 that functions as a protective (buffer) material that prevents the electromagnetic wave shielding layer 3 from breaking can also be omitted.

また、電磁波シールド用フィルム１０は、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下であることが好ましく、０．０１％以上、１０％以下であることがより好ましい。これにより、光を吸収、遮断し電磁波遮断層３で被覆している内部すなわち電子部品４が見えなくすることができるため、例えば、電磁波遮断層３で被覆された電子部品搭載基板の流通時における電子部品４の秘匿性を担保することができるという利点が得られる。
なお、前記光線透過率は、例えば、紫外可視分光光度計により求めることができる。 The electromagnetic wave shielding film 10 preferably has a light transmittance of 0.01% or more and 30% or less at a wavelength of 300 nm or more and 800 nm or less, more preferably 0.01% or more and 10% or less. . As a result, it is possible to absorb and block light and to hide the inside covered with the electromagnetic wave shielding layer 3, that is, the electronic component 4, so that, for example, at the time of distribution of the electronic component mounting substrate coated with the electromagnetic wave shielding layer 3 The advantage that the secrecy of the electronic component 4 can be secured is obtained.
In addition, the said light transmittance can be calculated | required with an ultraviolet visible spectrophotometer, for example.

＜電子部品の被覆方法＞
以上のような構成の電磁波シールド用フィルム１０を用いて、例えば、以下のようにして、基板５上に搭載された電子部品４が被覆される。 <Method of coating electronic parts>
Using the electromagnetic wave shielding film 10 having the above configuration, for example, the electronic component 4 mounted on the substrate 5 is covered as follows.

図２は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。   FIG. 2 is a longitudinal sectional view for explaining a method of coating an electronic component using the electromagnetic wave shielding film shown in FIG.

以下の電子部品の被覆方法は、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を絶縁層２と電子部品４が接着するように貼付する貼付工程を有する。   The following method for coating an electronic component has a pasting step of pasting the electromagnetic wave shielding film 10 on the substrate 5 so that the insulating layer 2 and the electronic component 4 are adhered.

（貼付工程）
前記貼付工程とは、例えば、図２（ａ）に示すように、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を貼付する工程である。 (Attaching process)
The affixing step is a step of affixing the electromagnetic shielding film 10 on the unevenness 6 provided by mounting the electronic component 4 on the substrate 5 as shown in FIG. 2A, for example.

貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、以下のような方法が挙げられる。   Although it does not specifically limit as a method to stick, For example, the following methods are mentioned.

すなわち、まず、基板５の凹凸６が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム１０の絶縁層２側の面とが対向するように、基板５と電磁波シールド用フィルム１０とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを常温下において、電磁波シールド用フィルム１０側から均一に電磁波シールド用フィルム１０と基板５とが互いに接近するように、加圧することにより実施される。   That is, first, the substrate 5 and the electromagnetic wave shielding film 10 are overlapped so that the surface of the substrate 5 where the irregularities 6 are formed faces the surface of the electromagnetic wave shielding film 10 on the insulating layer 2 side. Then, these are carried out by applying pressure so that the electromagnetic wave shielding film 10 and the substrate 5 approach each other uniformly from the electromagnetic wave shielding film 10 side at room temperature.

このように電磁波シールド用フィルム１０側から均一に加圧することで、保護層１が凹凸６の形状に追従し、さらに、これに併せて、保護層１よりも基板５側に位置する、絶縁層２および電磁波遮断層３も凹凸６の形状に追従する。これにより、凹凸６の形状に保護層１、絶縁層２および電磁波遮断層３が追従した状態で、保護層１、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。   Thus, by uniformly pressing from the electromagnetic shielding film 10 side, the protective layer 1 follows the shape of the projections and depressions 6, and in addition to this, the insulating layer is located closer to the substrate 5 than the protective layer 1. 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 also follow the shape of the irregularities 6. Accordingly, the unevenness 6 is covered with the protective layer 1, the insulating layer 2, and the electromagnetic wave blocking layer 3 in a state where the protective layer 1, the insulating layer 2, and the electromagnetic wave blocking layer 3 follow the shape of the unevenness 6.

このような貼付工程において、貼付する温度は、常温であり、具体的には、５℃以上、３５℃以下であることが好ましく、２０℃以上、３０℃以下であることがより好ましく、２５℃であることがさらに好ましい。   In such a pasting step, the temperature to be pasted is normal temperature, specifically, preferably 5 ° C. or higher and 35 ° C. or lower, more preferably 20 ° C. or higher and 30 ° C. or lower, more preferably 25 ° C. More preferably.

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．０５ＭＰａ以上、０．５ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１ＭＰａ以上、０．３ＭＰａ以下である。   The pressure to be applied is not particularly limited, but is preferably 0.05 MPa or more and 0.5 MPa or less, more preferably 0.1 MPa or more and 0.3 MPa or less.

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、１秒以上、６０秒以下であることが好ましく、より好ましくは５秒以上、３０秒以下である。   Furthermore, the sticking time is not particularly limited, but is preferably 1 second or longer and 60 seconds or shorter, more preferably 5 seconds or longer and 30 seconds or shorter.

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０側からの加圧による電子部品４の破損を招くことなく、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３が追従した状態で、これら絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を確実に被覆することができる。   By setting the conditions in the affixing step within the above range, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding against the unevenness 6 on the substrate 5 without causing damage to the electronic component 4 due to pressurization from the electromagnetic wave shielding film 10 side. The unevenness 6 can be reliably covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in a state in which the layer 3 follows.

以上のような工程を経ることにより、保護層１、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を被覆することができる。なお、本実施形態のように、被覆した凹凸６に保護層１が残存する被覆方法では、基板５の反対側に位置する他の部材（電子部品等）と電磁波遮断層３とを絶縁する絶縁層としての機能を保護層１が発揮する。   By passing through the above processes, the unevenness | corrugation 6 can be coat | covered with the protective layer 1, the insulating layer 2, and the electromagnetic wave shielding layer 3. FIG. In the covering method in which the protective layer 1 remains on the coated unevenness 6 as in the present embodiment, insulation that insulates the electromagnetic wave blocking layer 3 from other members (such as electronic components) located on the opposite side of the substrate 5. The protective layer 1 exhibits the function as a layer.

さらに、電子部品４の被覆は、電磁波シールド用フィルム１０で被覆する方法、すなわち、保護層１、絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆する上述した方法の他、電磁波シールド用フィルム１０から保護層１を剥離して、絶縁層２および電磁波遮断層３により、電子部品４を被覆するようにしてもよい。   Further, the electronic component 4 is coated with the electromagnetic shielding film 10, that is, the above-described method of coating with the protective layer 1, the insulating layer 2, and the electromagnetic wave shielding layer 3, or the electromagnetic shielding film 10 to the protective layer. 1 may be peeled off and the electronic component 4 may be covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3.

図３は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の他の被覆方法を説明するための縦断面図である。   FIG. 3 is a longitudinal sectional view for explaining another coating method of the electronic component using the electromagnetic wave shielding film shown in FIG.

以下の電子部品の他の被覆方法は、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を絶縁層２と電子部品４が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、保護層１を剥離する剥離工程とを有する。   Another method for coating the following electronic component is to apply an electromagnetic wave shielding film 10 on the substrate 5 so that the insulating layer 2 and the electronic component 4 are adhered, and after the applying step, the protective layer 1 is applied. And a peeling step for peeling.

（貼付工程）
貼付工程では、図２で説明した電子部品の被覆方法と同様に、図３（ａ）に示すように、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を貼付する。 (Attaching process)
In the pasting step, as in the electronic component covering method described with reference to FIG. 2, as shown in FIG. 3A, the unevenness 6 provided by mounting the electronic component 4 on the substrate 5 is used for electromagnetic wave shielding. A film 10 is applied.

（剥離工程）
剥離工程では、例えば、図３（ｂ）に示すように、前記貼付工程の後、保護層１を電磁波シールド用フィルム１０から剥離する。 (Peeling process)
In the peeling step, for example, as shown in FIG. 3B, the protective layer 1 is peeled from the electromagnetic shielding film 10 after the pasting step.

この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１０における保護層１と電磁波遮断層３との界面において、剥離が生じ、その結果、電磁波遮断層３から保護層１が剥離される。これにより、電磁波遮断層３から保護層１を剥離した状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。   By this peeling process, in this embodiment, peeling arises in the interface of the protective layer 1 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in the electromagnetic wave shielding film 10, and as a result, the protective layer 1 is peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3. Thus, the unevenness 6 is covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in a state where the protective layer 1 is peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3.

なお、保護層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、例えば、手作業による剥離が挙げられる。   In addition, although it does not specifically limit as a method of peeling the protective layer 1, For example, peeling by manual work is mentioned.

この手作業による剥離では、まず、保護層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から保護層１を電磁波遮断層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次保護層１を引き剥がすことにより、電磁波遮断層３から保護層１が剥離される。   In this manual peeling, first, one end portion of the protective layer 1 is gripped, the protective layer 1 is peeled off from the electromagnetic wave shielding layer 3 from the gripped end portion, and then further from the end portion to the central portion. The protective layer 1 is peeled from the electromagnetic wave shielding layer 3 by sequentially peeling the protective layer 1 to the other end.

なお、剥離の際には、保護層１を加熱するのが好ましく、その際の加熱温度は、１８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１５０℃以下、さらに好ましくは１００℃以下である。   In the peeling, the protective layer 1 is preferably heated, and the heating temperature at that time is preferably 180 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower, and further preferably 100 ° C. or lower.

以上のような工程を経ることにより、電磁波遮断層３から保護層１を剥離した状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を被覆することができる。   By passing through the above processes, the unevenness | corrugation 6 can be coat | covered with the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 in the state which peeled the protective layer 1 from the electromagnetic wave shielding layer 3. FIG.

なお、前記実施形態では、図１に示したように、電磁波シールド用フィルム１０が備える保護層１が１層で構成される場合について説明したが、かかる構成のものに限定されず、例えば、保護層１は、第１の層、第２の層がこの順で積層された２層の積層体であってもよいし、第１の層、第２の層、第３の層がこの順で積層された３層の積層体であってもよい。   In addition, in the said embodiment, as shown in FIG. 1, although the case where the protective layer 1 with which the film 10 for electromagnetic wave shielding was comprised was comprised by 1 layer, it is not limited to the thing of this structure, For example, protection The layer 1 may be a two-layer stack in which the first layer and the second layer are stacked in this order, or the first layer, the second layer, and the third layer in this order. It may be a laminated body of three layers.

２層の積層体の構成とする場合、第１の層としては、前記実施形態で説明した、保護層１と同様の構成のものを用いることができる。   When it is set as the structure of a 2 layer laminated body, the thing of the structure similar to the protective layer 1 demonstrated in the said embodiment can be used as a 1st layer.

第２の層は、第１の層と電磁波遮断層３との間に位置して、電磁波シールド用フィルムの製造方法の第１の工程において、電磁波遮断層３に保護層（保護シート）１を貼付する際に、第１の層を電磁波遮断層３に粘着（貼付）させる粘着層として機能するものである。   The second layer is located between the first layer and the electromagnetic wave shielding layer 3, and in the first step of the method for producing the electromagnetic wave shielding film, the protective layer (protective sheet) 1 is applied to the electromagnetic wave shielding layer 3. When pasting, the first layer functions as an adhesive layer that adheres (sticks) to the electromagnetic wave shielding layer 3.

この第２の層は、特に限定されないが、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ポリイミド系接着剤およびシアネート系接着剤等の各種接着剤を用いて形成される。   Although this 2nd layer is not specifically limited, For example, it forms using various adhesive agents, such as an epoxy adhesive, an acrylic adhesive, a polyimide adhesive, and a cyanate adhesive.

第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上、８μｍ以下であることがより好ましい。第２の層の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層の構成材料の種類によっては、第２の層による粘着性が十分に発揮されないおそれがある。また、第２の層の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム１０を用いて被覆する基板５の設計によっては、基板５を電磁波シールド用フィルム１０で被覆した積層体の軽量化・薄型化が実現されないおそれがある。   The thickness T (C) of the second layer is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more and 10 μm or less, and more preferably 3 μm or more and 8 μm or less. When the thickness of the second layer is less than the lower limit, depending on the type of the constituent material of the second layer, there is a possibility that the adhesiveness due to the second layer is not sufficiently exhibited. When the thickness of the second layer exceeds the upper limit, depending on the design of the substrate 5 covered with the electromagnetic wave shielding film 10, the weight of the laminate in which the substrate 5 is covered with the electromagnetic wave shielding film 10 can be reduced. Thinning may not be realized.

さらに、３層の積層体の構成とする場合、第１の層および第３の層としては、前記実施形態で説明した、保護層１と同様の構成のものを用いることができる。   Furthermore, when it is set as the structure of a 3 layer laminated body, the thing of the structure similar to the protective layer 1 demonstrated in the said embodiment can be used as a 1st layer and a 3rd layer.

第２の層は、電子部品の被覆方法の貼付工程において、保護層１を押し込み用の保護として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、第３の層を、凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を有するものである。また、第２の層は、この押し込む力を、第３の層、さらには、この第３の層を介して絶縁層２および電磁波遮断層３に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、電磁波遮断層３と凹凸６との間にボイドを発生させることなく、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。   The second layer is formed when the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 are pushed into the unevenness 6 on the substrate 5 using the protective layer 1 as a push protection in the attaching step of the electronic component covering method. 3 has a cushion function for pushing (embedding) the layer 3 into the irregularities 6. Further, the second layer has a function of causing the pushing force to uniformly act on the third layer, and further on the insulating layer 2 and the electromagnetic wave shielding layer 3 via the third layer. Thereby, the insulating layer 2 and the electromagnetic wave blocking layer 3 can be pushed into the unevenness 6 with excellent sealing properties without generating a void between the electromagnetic wave blocking layer 3 and the unevenness 6.

この第２の層（クッション層）の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第２の層に、第３の層を凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。   As a constituent material of this second layer (cushion layer), for example, an α-olefin polymer such as polyethylene or polypropylene, an α having an ethylene, propylene, butene, pentene, hexene, methylpentene or the like as a copolymer component. Engineering plastics resins such as olefin copolymers, polyethersulfone, polyphenylene sulfide and the like may be used, and these may be used alone or in combination. Among these, it is preferable to use an α-olefin copolymer. Specifically, a copolymer of α-olefin such as ethylene and (meth) acrylic acid ester, a copolymer of ethylene and vinyl acetate, a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid (EMMA), And a partial ion cross-linked product thereof. Since the α-olefin copolymer is excellent in shape followability and further excellent in flexibility as compared with the constituent material of the third layer, the third layer is formed in the second layer composed of the constituent material. A cushion function for pushing (embedding) the layer into the unevenness 6 can be surely imparted.

第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは３０μｍ以上、６０μｍ以下である。第２の層の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するというおそれがある。また、第２の層の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第２の層からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。   The thickness T (C) of the second layer is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 100 μm or less, more preferably 20 μm or more and 80 μm or less, and further preferably 30 μm or more and 60 μm or less. . When the thickness of the second layer is less than the lower limit value, the shape followability of the second layer is insufficient, and the followability to the unevenness 6 may be insufficient in the thermocompression bonding step. In addition, when the thickness of the second layer exceeds the upper limit, in the thermocompression bonding process, the resin is more likely to be smeared out from the second layer, and adheres to the hot platen of the crimping apparatus, thereby reducing workability. There is a fear.

また、第２の層の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５００以上［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１０００以上［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第２の層の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０の加熱時において、第２の層を、第３の層と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第２の層、さらには電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。   The average linear expansion coefficient of the second layer at 25 to 150 ° C. is preferably 500 or more [ppm / ° C.], more preferably 1000 or more [ppm / ° C.]. By setting the average linear expansion coefficient of the second layer within such a range, the second layer has more excellent stretchability than the third layer when the electromagnetic wave shielding film 10 is heated. Can be made easy with stuff. Therefore, the shape followability of the second layer, and further the electromagnetic wave shielding layer 3 and the insulating layer 2 with respect to the irregularities 6 can be improved more reliably.

また、前記実施形態では、基板への電子部品の搭載により、基板上に凹凸が形成されており、この凹凸を電磁波シールド用フィルムで被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルムによる被覆は、このような凹凸に対する被覆に限定されず、例えば、筐体等が備える平坦（フラット）な領域に対して施すようにしてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the unevenness | corrugation was formed on the board | substrate by mounting of the electronic component to a board | substrate, and the case where this unevenness | corrugation was coat | covered with the film for electromagnetic wave shields, the coating | cover with the film for electromagnetic wave shields, The coating is not limited to such unevenness, and for example, it may be applied to a flat region provided in a housing or the like.

以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。   The electromagnetic shielding film and the electronic component mounting substrate of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these.

例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。   For example, an arbitrary layer capable of exhibiting the same function may be added to the electromagnetic wave shielding film of the present invention and the electronic component mounting substrate of the present invention.

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited to this.

（実施例１）
＜電磁波シールド性評価用フィルムの製造＞
まず、電磁波遮断層を構成する樹脂として、ポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で２０％：８０％含むものを準備した。 Example 1
<Manufacture of film for evaluating electromagnetic shielding properties>
First, as a resin constituting the electromagnetic wave shielding layer, polyaniline (trade name: PANT, manufactured by Regulus Co., Ltd.) and polyester resin (trade name: Byron 63SS, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) as a binder are 20% by weight. : The thing containing 80% was prepared.

次いで、ポリエチレンテレフタラートフィルム（帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、電磁波遮断層を構成する樹脂をコーティングした後、加熱・乾燥させて、電磁波遮断層を形成することで、電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。   Next, after coating the resin constituting the electromagnetic wave shielding layer on a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin DuPont, A-314, thickness 38 μm), heating and drying to form the electromagnetic wave shielding layer, the electromagnetic wave shield A film for property evaluation was prepared.

なお、実施例１の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、電磁波遮断層の厚みは１０μｍであった。   In the electromagnetic wave shielding evaluation film of Example 1, the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 10 μm.

（実施例２−１）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ポリアニリンと、バインダーとの含有量が、重量比で８０ｗｔ％：２０ｗｔ％であるものを準備したこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例２−１の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Example 2-1)
Example 2 was the same as Example 2 except that the resin constituting the electromagnetic wave shielding layer was prepared such that the content of polyaniline and binder was 80 wt%: 20 wt% in weight ratio. 1 was prepared.

なお、実施例２−１の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、電磁波遮断層の厚みは１０μｍであった。   In the film for evaluating electromagnetic shielding properties of Example 2-1, the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 10 μm.

（実施例２−２）
電磁波遮断層の厚みが１７．５μｍとなるように電磁波遮断層を形成したこと以外は、前記実施例２−１と同様にして、実施例２−２の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Example 2-2)
An electromagnetic wave shielding evaluation film of Example 2-2 was produced in the same manner as in Example 2-1, except that the electromagnetic wave shielding layer was formed so that the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 17.5 μm.

（実施例３−１）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）と、銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で６０％：２０％：２０％含むものを準備したこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例３−１の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Example 3-1)
As resin constituting the electromagnetic wave shielding layer, polyaniline (manufactured by Regulus Co., Ltd., trade name: PANT), silver particles (manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., trade name: Ag-XF301), and polyester resin as a binder ( The electromagnetic wave shield of Example 3-1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that a product containing 60%: 20%: 20% by weight ratio of Toyobo Co., Ltd., trade name: Byron 63SS) was prepared. A film for property evaluation was prepared.

なお、実施例３−１の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、電磁波遮断層の厚みは１１μｍであった。   In the electromagnetic wave shielding evaluation film of Example 3-1, the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 11 μm.

（実施例３−２）
電磁波遮断層の厚みが１９μｍとなるように電磁波遮断層を形成したこと以外は、前記実施例３−１と同様にして、実施例３−２の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Example 3-2)
A film for evaluating electromagnetic shielding properties of Example 3-2 was produced in the same manner as in Example 3-1, except that the electromagnetic wave shielding layer was formed so that the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 19 μm.

（実施例４−１）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）と、銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で４０％：４０％：２０％含むものを準備したこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例４−１の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Example 4-1)
As resin constituting the electromagnetic wave shielding layer, polyaniline (manufactured by Regulus Co., Ltd., trade name: PANT), silver particles (manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., trade name: Ag-XF301), and polyester resin as a binder ( The electromagnetic wave shield of Example 4-1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that a product containing 40%: 40%: 20% by weight ratio of Toyobo Co., Ltd., trade name: Byron 63SS) was prepared. A film for property evaluation was prepared.

なお、実施例４−１の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、電磁波遮断層の厚みは９μｍであった。   In the electromagnetic wave shielding property evaluation film of Example 4-1, the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 9 μm.

（実施例４−２）
電磁波遮断層の厚みが２０μｍとなるように電磁波遮断層を形成したこと以外は、前記実施例４−１と同様にして、実施例４−２の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Example 4-2)
An electromagnetic wave shielding evaluation film of Example 4-2 was produced in the same manner as in Example 4-1 except that the electromagnetic wave shielding layer was formed so that the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 20 μm.

（比較例１−１）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）と、銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で２０％：６０％：２０％含むものを準備したこと以外は、前記実施例１と同様にして、比較例１−１の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Comparative Example 1-1)
As resin constituting the electromagnetic wave shielding layer, polyaniline (manufactured by Regulus Co., Ltd., trade name: PANT), silver particles (manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., trade name: Ag-XF301), and polyester resin as a binder ( Electromagnetic wave shield of Comparative Example 1-1 in the same manner as in Example 1 except that Toyobo Co., Ltd., trade name: Byron 63SS) was prepared in a weight ratio of 20%: 60%: 20%. A film for property evaluation was prepared.

なお、比較例１−１の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、電磁波遮断層の厚みは１２μｍであった。   In addition, in the electromagnetic wave shielding property evaluation film of Comparative Example 1-1, the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 12 μm.

（比較例１−２）
電磁波遮断層の厚みが１９μｍとなるように電磁波遮断層を形成したこと以外は、前記比較例１−１と同様にして、比較例１−２の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Comparative Example 1-2)
A film for evaluating electromagnetic shielding properties of Comparative Example 1-2 was produced in the same manner as Comparative Example 1-1 except that the electromagnetic wave shielding layer was formed so that the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 19 μm.

（比較例２−１）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で８０％：２０％含むものを準備したこと以外は、前記実施例１と同様にして、比較例２−１の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Comparative Example 2-1)
As a resin constituting the electromagnetic wave shielding layer, silver particles (Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., trade name: Ag-XF301) and polyester resin (trade name: Byron 63SS) as a binder are used in a weight ratio. A film for evaluating electromagnetic shielding properties of Comparative Example 2-1 was produced in the same manner as in Example 1 except that a material containing 80%: 20% was prepared.

なお、比較例２−１の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、電磁波遮断層の厚みは１０μｍであった。   In the electromagnetic wave shielding property evaluation film of Comparative Example 2-1, the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 10 μm.

（比較例２−２）
電磁波遮断層の厚みが２０μｍとなるように電磁波遮断層を形成したこと以外は、前記比較例２−１と同様にして、比較例２−２の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Comparative Example 2-2)
A film for evaluating electromagnetic shielding properties of Comparative Example 2-2 was produced in the same manner as Comparative Example 2-1, except that the electromagnetic wave shielding layer was formed so that the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 20 μm.

（比較例３）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）と、銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で１０％：７０％：２０％含むものを準備したこと以外は、前記実施例１と同様にして、比較例３の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。 (Comparative Example 3)
As resin constituting the electromagnetic wave shielding layer, polyaniline (manufactured by Regulus Co., Ltd., trade name: PANT), silver particles (manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., trade name: Ag-XF301), and polyester resin as a binder ( The electromagnetic wave shielding evaluation of Comparative Example 3 was performed in the same manner as in Example 1 except that a product containing 10%: 70%: 20% by weight ratio of Toyobo Co., Ltd., trade name: Byron 63SS) was prepared. A film was prepared.

なお、比較例３の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、電磁波遮断層の厚みは２０μｍであった。   In the electromagnetic wave shielding property evaluation film of Comparative Example 3, the thickness of the electromagnetic wave shielding layer was 20 μm.

＜評価試験＞
＜＜不整合損＞＞
各実施例および各比較例で作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数０．１〜１０ＧＨｚの範囲内における不整合損の値を測定し、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の範囲内における不整合損の最高値を求めた。 <Evaluation test>
<< Inconsistency loss >>
Using the above-described microstrip line method, the value of mismatch loss in the frequency range of 0.1 to 10 GHz was measured for the electromagnetic wave shielding property evaluation films produced in each Example and each Comparative Example. The highest mismatch loss within the range of 1 GHz to 3 GHz was determined.

＜＜電磁波シールド性＞＞
各実施例および各比較例で作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したKEC法（電界）を用いて、周波数０．００１〜１ＧＨｚの範囲内における電磁波シールド効果の値を測定し、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の範囲内における電磁波シールド効果の最高値、および周波数０．１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の範囲内における電磁波シールド効果の最低値を求めた。
以上の各実施例、各比較例の評価試験の結果を表１および図４、５に示す。 << Electromagnetic wave shielding properties >>
Using the above-described KEC method (electric field), the value of the electromagnetic wave shielding effect in the frequency range of 0.001 to 1 GHz was measured for the electromagnetic wave shielding evaluation film produced in each example and each comparative example. The maximum value of the electromagnetic wave shielding effect within the range of 0.01 GHz to 1 GHz and the minimum value of the electromagnetic wave shielding effect within the frequency range of 0.1 GHz to 1 GHz were determined.
The results of the evaluation tests of the above examples and comparative examples are shown in Table 1 and FIGS.

Figure 2016146401
Figure 2016146401

表１に示した通り、ＰＡＮＩ（導電性高分子）および銀粒子（金属系粒子）の含有量を適宜設定することにより、各実施例のように、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損を１ｄＢ以下、かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果を３ｄＢ以上に設定することができ、電磁波遮断層を、反射成分および透過成分を小さくした状態で、吸収成分により電磁波を遮断しているものとすることができる。   As shown in Table 1, by appropriately setting the content of PANI (conductive polymer) and silver particles (metal particles), in each electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less, as in each example, Electromagnetic wave shielding effect when measured using the KEC method (electric field) for electromagnetic waves having a mismatch loss of 1 dB or less and a frequency of 0.01 GHz or more and 1 GHz or less when measured using the microstrip line method is 3 dB or more. The electromagnetic wave blocking layer can block the electromagnetic wave by the absorbing component in a state where the reflection component and the transmission component are reduced.

１０ 電磁波シールド用フィルム
１ 保護層
２ 絶縁層
３ 電磁波遮断層（吸収層）
４ 電子部品
５ 基板
６ 凹凸
６５ 凸部
６６ 凹部 10 Electromagnetic wave shielding film 1 Protective layer 2 Insulating layer 3 Electromagnetic wave shielding layer (absorption layer)
4 Electronic component 5 Substrate 6 Concavity and convexity 65 Convex part 66 Concave part

Claims (10)

導電性材料を含み、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が１ｄＢ以下であり、
かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上である電磁波遮断層を含んで構成されることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。 The mismatch loss when measured using the microstrip line method in an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less including a conductive material is 1 dB or less,
And for electromagnetic wave shielding, comprising an electromagnetic wave shielding layer having an electromagnetic wave shielding effect of 3 dB or more when measured using the KEC method (electric field) in electromagnetic waves having a frequency of 0.01 GHz to 1 GHz. the film. 前記導電性材料は、導電性高分子と、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子とを含有する請求項１に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to claim 1, wherein the conductive material contains a conductive polymer and metal-based particles containing at least one of a metal and a metal oxide. 前記導電性高分子は、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリピロールおよびポリチオフェンのうちの少なくとも１種である請求項２に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to claim 2, wherein the conductive polymer is at least one of polyaniline, PEDOT / PSS, polypyrrole, and polythiophene. 前記金属系粒子は、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、または、これらを含む合金のうちの少なくとも１種である請求項２または３に記載の電磁波シールド用フィルム。   4. The electromagnetic wave shielding film according to claim 2, wherein the metal-based particles are at least one of silver, copper, iron, nickel, and aluminum, or an alloy containing these. 5. 前記電磁波遮断層における、前記金属系粒子の含有量は、６０ｗｔ％以下である請求項２ないし４のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to any one of claims 2 to 4, wherein the content of the metal particles in the electromagnetic wave shielding layer is 60 wt% or less. 当該電磁波シールド用フィルムは、さらに、前記電磁波遮断層の一方の面側に積層された保護シートを含む請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 5, further comprising a protective sheet laminated on one surface side of the electromagnetic wave shielding layer. 絶縁層が、前記電磁波遮断層の他方の面側に接触して設けられ、保護シート側から電磁波遮断層、絶縁層の順で積層されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The insulating layer is provided in contact with the other surface side of the electromagnetic wave shielding layer, and is laminated in order of the electromagnetic wave shielding layer and the insulating layer from the protective sheet side. Film for electromagnetic wave shielding. 前記電磁波遮断層の厚さは、５μｍ以上、１００μｍ以下である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The film for electromagnetic wave shielding according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shielding layer has a thickness of 5 μm or more and 100 μm or less. 当該電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。   The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 8, wherein the electromagnetic wave shielding film has a light transmittance of 0.01% or more and 30% or less at a wavelength of 300 nm or more and 800 nm or less. 基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および電子部品を被覆する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、導電性材料を含み、周波数０．１ＧＨｚ以上３ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が１ｄＢ以下であり、
かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、KEC法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上であることを特徴する電子部品搭載基板。 An electronic component mounting substrate having a substrate, an electronic component mounted on the substrate, and an electromagnetic wave shielding layer that covers the substrate and the electronic component from a surface side of the substrate on which the electronic component is mounted,
The electromagnetic wave shielding layer contains a conductive material, and an electromagnetic wave having a frequency of 0.1 GHz or more and 3 GHz or less has a mismatch loss of 1 dB or less when measured using a microstrip line method,
And the electronic component mounting board | substrate characterized by the electromagnetic wave shielding effect at the time of measuring using KEC method (electric field) in electromagnetic waves with a frequency of 0.01 GHz or more and 1 GHz or less being 3 dB or more.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019029549A (en) * 2017-08-01 2019-02-21 住友ベークライト株式会社 Film set
US10431887B2 (en) * 2016-11-08 2019-10-01 Samsung Electronics Co., Ltd Electronic device with electromagnetic shielding member
JP2020145278A (en) * 2019-03-05 2020-09-10 出光興産株式会社 Electromagnetic wave absorption sheet and manufacturing method of the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008021990A (en) * 2006-06-16 2008-01-31 Nitta Ind Corp Electromagnetic interference suppressor and method of suppressing electromagnetic fault
WO2013024758A1 (en) * 2011-08-12 2013-02-21 積水ナノコートテクノロジー株式会社 Electromagnetic wave absorber
JP2014057041A (en) * 2012-08-16 2014-03-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd Film for electromagnetic wave shield and method for coating electronic component
WO2014200035A1 (en) * 2013-06-13 2014-12-18 住友ベークライト株式会社 Electromagnetic wave shielding film, and electronic component mounting substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008021990A (en) * 2006-06-16 2008-01-31 Nitta Ind Corp Electromagnetic interference suppressor and method of suppressing electromagnetic fault
WO2013024758A1 (en) * 2011-08-12 2013-02-21 積水ナノコートテクノロジー株式会社 Electromagnetic wave absorber
JP2014057041A (en) * 2012-08-16 2014-03-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd Film for electromagnetic wave shield and method for coating electronic component
WO2014200035A1 (en) * 2013-06-13 2014-12-18 住友ベークライト株式会社 Electromagnetic wave shielding film, and electronic component mounting substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10431887B2 (en) * 2016-11-08 2019-10-01 Samsung Electronics Co., Ltd Electronic device with electromagnetic shielding member
JP2019029549A (en) * 2017-08-01 2019-02-21 住友ベークライト株式会社 Film set
JP2020145278A (en) * 2019-03-05 2020-09-10 出光興産株式会社 Electromagnetic wave absorption sheet and manufacturing method of the same
JP7256036B2 (en) 2019-03-05 2023-04-11 出光興産株式会社 Electromagnetic wave absorbing sheet and manufacturing method thereof

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