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Description
本発明により考えられるシステムは直列に又は並列にこれらユニットを使用するシステムを含む追加の流動床リアクター、蒸留塔およびコンデンサーを有するシステムを含むため、図15に示されるシステムは、限定的な解釈がされないべきであると理解されよう。追加の流動床リアクターは、本発明の範囲から逸脱することなく本発明に従い操作されてよく、又はより標準的な方法で操作されてよい。更に、当業者に容易に決定されてよい分離および/又は精製工程等の追加処理ステップが含まれていてよい。1つ又はそれよりも多い態様では、図15のシステムは、四ハロゲン化ケイ素とケイ素源および水素とを反応させることで四ハロゲン化ケイ素をトリハロシランに転化するための1つ又はそれよりも多いハロゲン化リアクターを含んでいてよく、構成ガス中の反応生成ガスを分離するための蒸留塔を更に含んでいてよい。
本発明の範囲から逸脱することなく、上記手法に様々な変更をすることができるので、上記記載に含められ添付図面に示される全ての事項は、あくまでも例示であって限定的意味に解釈されるべきではないと理解できよう。
なお、本明細書の開示内容は、以下の態様を含み得る。
(態様1)
少なくとも1つの反応チャンバー壁を有する反応チャンバーを有して成るリアクターで多結晶シリコン生成物を生成する方法であって、
反応チャンバー壁に四ハロゲン化ケイ素を導くこと、および四ハロゲン化ケイ素の内側に熱的に分解可能なケイ素化合物を導くことを含み、
熱的に分解可能な化合物をケイ素微粒子と接触させて、ケイ素をケイ素微粒子に蒸着させ、ケイ素微粒子径を大きくする、多結晶シリコン生成物を生成する方法。
(態様2)
リアクターが反応チャンバーにガスを均一に分配するための分配器を有して成り、
分配器が1つ又はそれよりも多いガス源と反応チャンバーとの間を流体接続する複数の分配開口部を有して成り、
複数の分配開口部が少なくとも1つの末端開口部と少なくとも1つの内側開口部とを有して成り、
分配器の分配開口部を通じて1つ又はそれよりも多いガス源から反応チャンバーに四ハロゲン化ケイ素と熱的に分解可能なケイ素化合物とを供給することを含み、
リアクター壁に蒸着するケイ素量を低減するために、末端開口部を通じて供給される四ハロゲン化ケイ素の濃度が、内側開口部を通じて供給されるガス中の四ハロゲン化ケイ素の濃度よりも高い、態様1に記載の方法。
(態様3)
熱的に分解可能なケイ素化合物がトリハロシランである、態様1又は2に記載の方法。
(態様4)
トリハロシランがトリクロロシラン、トリブロモシラン、トリフルオロシランおよびトリヨードシランから構成される群から選択される、態様3に記載の方法。
(態様5)
トリハロシランがトリクロロシランである、態様3に記載の方法。
(態様6)
内側開口部を通じて供給されるガスが水素を含んで成る、態様2〜5のいずれかに記載の方法。
(態様7)
内側開口部を通じて供給されるガスが多くの四ハロゲン化ケイ素を含んで成る、態様2〜5のいずれかに記載の方法。
(態様8)
ケイ素微粒子の大きさが呼び径で約800μm〜約2000μm増える、態様1〜7のいずれかに記載の方法。
(態様9)
少なくとも約1000℃、少なくとも約1100℃、少なくとも約1200℃、少なくとも約1300℃、少なくとも約1400℃、約1000℃〜約1600℃、約1000℃〜約1500℃、約1100℃〜約1500℃又は約1200℃〜約1400℃の温度で、四ハロゲン化ケイ素が反応チャンバーに入る、態様1〜8のいずれかに記載の方法。
(態様10)
末端開口部を通じて供給されるガス中の四ハロゲン化ケイ素の体積濃度が、少なくとも約1%、少なくとも約5%、少なくとも約20%、少なくとも約40%、少なくとも約60%、少なくとも約80%、少なくとも約95%、少なくとも約99%又は約1%〜約100%、約20%〜約100%若しくは約40%〜約100%である、態様2〜9のいずれかに記載の方法。
(態様11)
末端開口部を通じて供給されるガスが多くの熱的に分解可能なケイ素化合物を含んで成る、態様2〜10のいずれかに記載の方法。
(態様12)
末端開口部を通じて供給されるガス中の熱的に分解可能なケイ素化合物の体積濃度が、約50%以下、約30%以下、約5%以下又は約1%〜約50%若しくは約5%〜約30%である、態様11に記載の方法。
(態様13)
末端開口部を通じて供給されるガスが実質的に四ハロゲン化ケイ素から構成される、態様2〜9のいずれかに記載の方法。
(態様14)
内側開口部を通じて供給されるガス中の熱的に分解可能な化合物の体積濃度が、少なくとも約5%、少なくとも約20%、少なくとも約40%、少なくとも約55%、少なくとも約70%、少なくとも約95%、少なくとも約99%又は約40%〜約100%、約55%〜約95%若しくは約70%〜約85%である、態様2〜13のいずれかに記載の方法。
(態様15)
内側開口部を通じて供給されるガスが水素を含んで成る、態様2〜14のいずれかに記載の方法。
(態様16)
内側開口部を通じて供給されるガス中の水素の体積濃度が、少なくとも約1%、少なくとも約5%、少なくとも約20%、少なくとも約40%、少なくとも約60%、少なくとも約80%又は約1%〜約90%、約20%〜約90%若しくは約40%〜約90%である、態様15に記載の方法。
(態様17)
内側開口部を通じて供給されるガス中の水素と熱的に分解可能な化合物とのモル比が、約1:1〜約7:1、約2:1〜約4:1又は約2:1〜約3:1である、態様15又は16に記載の方法。
(態様18)
水素が熱的に分解可能な化合物の内側に導かれる、態様1〜17のいずれかに記載に方法。
(態様19)
複数の分配開口部が少なくとも1つの中央開口部を有して成り、
分配器の分配開口部を通じるガス源から反応チャンバーまで水素を供給することを含み、
中央開口部を通じて供給される水素の濃度が、内側開口部を通じて供給されるガス中の水素の濃度よりも高く、末端開口部を通じて供給される水素の濃度よりも高い、態様18に記載の方法。
(態様20)
少なくとも約1000℃、少なくとも約1100℃、少なくとも約1200℃、少なくとも約1300℃、少なくとも約1400℃、約1000℃〜約1500℃、約1100℃〜約1500℃又は約1200℃〜約1500℃の温度で、水素が反応チャンバーに入る、態様19に記載の方法。
(態様21)
四ハロゲン化ケイ素が、四塩化ケイ素、四臭化ケイ素、四フッ化ケイ素および四ヨウ化ケイ素から構成される群から選択される、態様1〜20のいずれかに記載の方法。
(態様22)
四ハロゲン化ケイ素が四塩化ケイ素である、態様1〜21のいずれかに記載の方法。
(態様23)
多結晶シリコンを生成する方法であって、
反応チャンバー壁を有し、ケイ素微粒子を含んで成る反応チャンバーにトリハロシランを導き、トリハロシランを反応チャンバー中で熱的に分解させてケイ素微粒子に多くのケイ素を蒸着させ、トリハロシランの多くを四ハロゲン化ケイ素に転化すること、
反応チャンバーから四ハロゲン化ケイ素を排出すること、および
反応チャンバー壁近くの反応チャンバーに排出された四ハロゲン化ケイ素の一部を導くことを含む、方法。
(態様24)
四ハロゲン化ケイ素が反応チャンバー壁上のケイ素蒸着物をエッチングする、態様23に記載の方法。
(態様25)
四ハロゲン化ケイ素をケイ素蒸着物と反応させて、ヘキサハロジシランを形成する、態様24に記載の方法。
(態様26)
反応チャンバーから排出された四ハロゲン化ケイ素の全部分を反応チャンバーに戻す、態様23〜25のいずれかに記載の方法。
(態様27)
ケイ素源とハロゲン化水素酸とを反応させてトリハロシランを生成し、副産物である多くの四ハロゲン化ケイ素を生成すること、および
トリハロシランと、ケイ素とハロゲン化水素酸との反応による副産物として生成される四ハロゲン化ケイ素とを反応チャンバーに導くことを含む、態様23〜26のいずれかに記載の方法。
(態様28)
ケイ素とハロゲン化水素酸との反応による副産物として生成される四ハロゲン化ケイ素が、反応チャンバー壁上のケイ素蒸着物をエッチングする、態様27に記載の方法。
(態様29)
ケイ素とハロゲン化水素酸との反応による副産物として生成される四ハロゲン化ケイ素が、反応チャンバーに導かれる、態様27又は28に記載の方法。
(態様30)
反応チャンバーでトリハロシランから生成される四ハロゲン化ケイ素の量と、ケイ素とハロゲン化水素酸との反応による副産物として生成される四ハロゲン化ケイ素の量とが、ケイ素との反応により反応チャンバーで消費されるトリハロシランケイ素の量と略同じである、態様27〜29のいずれかに記載の方法。
(態様31)
ハロゲン化水素酸が塩酸である、態様27〜30のいずれかに記載の方法。
(態様32)
水素が反応チャンバーに導かれる、態様23〜31のいずれかに記載の方法。
(態様33)
使用済みガスが反応チャンバーから排出され、
使用済みガスが四ハロゲン化ケイ素、ハロゲン化水素酸、未反応のトリハロシランおよび未反応の水素を含んで成る、態様23〜32のいずれかに記載の方法。
(態様34)
ハロゲン化水素酸が使用済みガスから分離され、
反応チャンバーから排出された四ハロゲン化ケイ素、未反応のトリハロシランおよび未反応の水素が反応チャンバーに導かれる、態様33に記載の方法。
(態様35)
反応チャンバーが反応チャンバー壁を有して成り、反応チャンバーに導かれる四ハロゲン化ケイ素の一部が反応チャンバー壁に導かれる、態様23〜34のいずれかに記載の方法。
(態様36)
トリハロシランがトリクロロシラン、トリブロモシラン、トリフルオロシランおよびトリヨードシランから構成される群から選択される、態様23〜35のいずれかに記載の方法。
(態様37)
トリハロシランがトリクロロシランである、態様23〜35のいずれかに記載の方法。
(態様38)
四ハロゲン化ケイ素が、四塩化ケイ素、四臭化ケイ素、四フッ化ケイ素および四ヨウ化ケイ素から構成される群から選択される、態様23〜37のいずれかに記載の方法。
(態様39)
四ハロゲン化ケイ素が四塩化ケイ素である、態様23〜37のいずれかに記載の方法。
(態様40)
少なくとも1つの反応チャンバー壁を有して成る反応チャンバーに第1ガス、第2ガスおよび第3ガスを分配するための分配器であって、
分配器が少なくとも1つの末端開口部、少なくとも1つの内側開口部および少なくとも1つの中央開口部を含む複数の分配開口部を有して成り、
末端開口部が、第2ガス源又は第3ガス源ではなく第1ガス源と流体接続を供するために構成されている、分配器。
(態様41)
中央開口部が、第1ガス源又は第2ガス源ではなく第3ガス源と流体接続を供するために構成されている、態様40に記載の分配器。
(態様42)
内側開口部が、第1ガス源又は第3ガス源ではなく第2ガス源と流体接続を供するために構成されている、態様40又は41に記載の分配器。
(態様43)
反応チャンバーと反応チャンバーにガスを分配するための態様40〜42のいずれかに記載の分配器を有して成る流動床リアクター・システムであって、
反応チャンバーが少なくとも1つの反応チャンバー壁を有して成る、流動床リアクター・システム。
(態様44)
少なくとも1つの反応チャンバー壁を有して成る反応チャンバー、および
反応チャンバーにガスを分配し、反応チャンバーと第1ガス源、第2ガス源および第3ガス源との間を流体接続する複数の分配開口部を有して成る分配器を有して成る流動床リアクター・システムであって、
複数の分配開口部が、少なくとも1つの末端開口部、少なくとも1つの内側開口部および少なくとも1つの中央開口部を有して成り、
末端開口部が第2ガス源又は第3ガス源ではなく、第1ガス源と流体接続を供するために構成されている、流動床リアクター・システム。
(態様45)
中央開口部が第1ガス源又は第2ガス源ではなく第3ガス源と流体接続を供するために構成されている、態様44に記載の流動床リアクター・システム。
(態様46)
内側開口部が第2ガス源と流体接続されており、第1ガス源又は第3ガス源と流体接続されていない、態様44又は45に記載の流動床リアクター・システム。
(態様47)
第1ガス源および反応チャンバーと流体接続する第1ガスのプレナム、第2ガス源および反応チャンバーと流体接続する第2ガスのプレナムおよび第3ガス源および反応チャンバーと流体接続する第3ガスのプレナムを有して成る、態様44〜46のいずれかに記載の流動床リアクター・システム。
(態様48)
入口ブロック、外側リング、外側リングと同心円状の内側リング、外側リングおよび内側リングと同心円状の中央リングを更に有して成り、
第1ガスのプレナムが、分配器、入口ブロック、外側リングおよび内側リングの間の空間に規定され、第2ガスのプレナムが、分配器、入口ブロック、内側リングおよび中央リングの間の空間に規定される、態様47に記載の流動床リアクター・システム。
(態様49)
分配器および入口ブロックを通じて延在する外側リング、内側リングおよび中央リングと同心円状にある生成物引き出し管を更に有して成り、
第3ガスのプレナムが、分配器、入口ブロック、中央リングおよび生成物引き出し管の間の空間に規定される、態様48に記載の流動床リアクター・システム。
(態様50)
入口ブロックが、第1ガスのプレナムと流体接続する第1ガスチャネル、第2ガスのプレナムと流体接続する第2ガスチャネルおよび第3ガスのプレナムと流体接続する第3ガスチャネルを有して成る、態様49に記載の流動床リアクター・システム。
なお、本明細書の開示内容は、以下の態様を含み得る。
(態様1)
少なくとも1つの反応チャンバー壁を有する反応チャンバーを有して成るリアクターで多結晶シリコン生成物を生成する方法であって、
反応チャンバー壁に四ハロゲン化ケイ素を導くこと、および四ハロゲン化ケイ素の内側に熱的に分解可能なケイ素化合物を導くことを含み、
熱的に分解可能な化合物をケイ素微粒子と接触させて、ケイ素をケイ素微粒子に蒸着させ、ケイ素微粒子径を大きくする、多結晶シリコン生成物を生成する方法。
(態様2)
リアクターが反応チャンバーにガスを均一に分配するための分配器を有して成り、
分配器が1つ又はそれよりも多いガス源と反応チャンバーとの間を流体接続する複数の分配開口部を有して成り、
複数の分配開口部が少なくとも1つの末端開口部と少なくとも1つの内側開口部とを有して成り、
分配器の分配開口部を通じて1つ又はそれよりも多いガス源から反応チャンバーに四ハロゲン化ケイ素と熱的に分解可能なケイ素化合物とを供給することを含み、
リアクター壁に蒸着するケイ素量を低減するために、末端開口部を通じて供給される四ハロゲン化ケイ素の濃度が、内側開口部を通じて供給されるガス中の四ハロゲン化ケイ素の濃度よりも高い、態様1に記載の方法。
(態様3)
熱的に分解可能なケイ素化合物がトリハロシランである、態様1又は2に記載の方法。
(態様4)
トリハロシランがトリクロロシラン、トリブロモシラン、トリフルオロシランおよびトリヨードシランから構成される群から選択される、態様3に記載の方法。
(態様5)
トリハロシランがトリクロロシランである、態様3に記載の方法。
(態様6)
内側開口部を通じて供給されるガスが水素を含んで成る、態様2〜5のいずれかに記載の方法。
(態様7)
内側開口部を通じて供給されるガスが多くの四ハロゲン化ケイ素を含んで成る、態様2〜5のいずれかに記載の方法。
(態様8)
ケイ素微粒子の大きさが呼び径で約800μm〜約2000μm増える、態様1〜7のいずれかに記載の方法。
(態様9)
少なくとも約1000℃、少なくとも約1100℃、少なくとも約1200℃、少なくとも約1300℃、少なくとも約1400℃、約1000℃〜約1600℃、約1000℃〜約1500℃、約1100℃〜約1500℃又は約1200℃〜約1400℃の温度で、四ハロゲン化ケイ素が反応チャンバーに入る、態様1〜8のいずれかに記載の方法。
(態様10)
末端開口部を通じて供給されるガス中の四ハロゲン化ケイ素の体積濃度が、少なくとも約1%、少なくとも約5%、少なくとも約20%、少なくとも約40%、少なくとも約60%、少なくとも約80%、少なくとも約95%、少なくとも約99%又は約1%〜約100%、約20%〜約100%若しくは約40%〜約100%である、態様2〜9のいずれかに記載の方法。
(態様11)
末端開口部を通じて供給されるガスが多くの熱的に分解可能なケイ素化合物を含んで成る、態様2〜10のいずれかに記載の方法。
(態様12)
末端開口部を通じて供給されるガス中の熱的に分解可能なケイ素化合物の体積濃度が、約50%以下、約30%以下、約5%以下又は約1%〜約50%若しくは約5%〜約30%である、態様11に記載の方法。
(態様13)
末端開口部を通じて供給されるガスが実質的に四ハロゲン化ケイ素から構成される、態様2〜9のいずれかに記載の方法。
(態様14)
内側開口部を通じて供給されるガス中の熱的に分解可能な化合物の体積濃度が、少なくとも約5%、少なくとも約20%、少なくとも約40%、少なくとも約55%、少なくとも約70%、少なくとも約95%、少なくとも約99%又は約40%〜約100%、約55%〜約95%若しくは約70%〜約85%である、態様2〜13のいずれかに記載の方法。
(態様15)
内側開口部を通じて供給されるガスが水素を含んで成る、態様2〜14のいずれかに記載の方法。
(態様16)
内側開口部を通じて供給されるガス中の水素の体積濃度が、少なくとも約1%、少なくとも約5%、少なくとも約20%、少なくとも約40%、少なくとも約60%、少なくとも約80%又は約1%〜約90%、約20%〜約90%若しくは約40%〜約90%である、態様15に記載の方法。
(態様17)
内側開口部を通じて供給されるガス中の水素と熱的に分解可能な化合物とのモル比が、約1:1〜約7:1、約2:1〜約4:1又は約2:1〜約3:1である、態様15又は16に記載の方法。
(態様18)
水素が熱的に分解可能な化合物の内側に導かれる、態様1〜17のいずれかに記載に方法。
(態様19)
複数の分配開口部が少なくとも1つの中央開口部を有して成り、
分配器の分配開口部を通じるガス源から反応チャンバーまで水素を供給することを含み、
中央開口部を通じて供給される水素の濃度が、内側開口部を通じて供給されるガス中の水素の濃度よりも高く、末端開口部を通じて供給される水素の濃度よりも高い、態様18に記載の方法。
(態様20)
少なくとも約1000℃、少なくとも約1100℃、少なくとも約1200℃、少なくとも約1300℃、少なくとも約1400℃、約1000℃〜約1500℃、約1100℃〜約1500℃又は約1200℃〜約1500℃の温度で、水素が反応チャンバーに入る、態様19に記載の方法。
(態様21)
四ハロゲン化ケイ素が、四塩化ケイ素、四臭化ケイ素、四フッ化ケイ素および四ヨウ化ケイ素から構成される群から選択される、態様1〜20のいずれかに記載の方法。
(態様22)
四ハロゲン化ケイ素が四塩化ケイ素である、態様1〜21のいずれかに記載の方法。
(態様23)
多結晶シリコンを生成する方法であって、
反応チャンバー壁を有し、ケイ素微粒子を含んで成る反応チャンバーにトリハロシランを導き、トリハロシランを反応チャンバー中で熱的に分解させてケイ素微粒子に多くのケイ素を蒸着させ、トリハロシランの多くを四ハロゲン化ケイ素に転化すること、
反応チャンバーから四ハロゲン化ケイ素を排出すること、および
反応チャンバー壁近くの反応チャンバーに排出された四ハロゲン化ケイ素の一部を導くことを含む、方法。
(態様24)
四ハロゲン化ケイ素が反応チャンバー壁上のケイ素蒸着物をエッチングする、態様23に記載の方法。
(態様25)
四ハロゲン化ケイ素をケイ素蒸着物と反応させて、ヘキサハロジシランを形成する、態様24に記載の方法。
(態様26)
反応チャンバーから排出された四ハロゲン化ケイ素の全部分を反応チャンバーに戻す、態様23〜25のいずれかに記載の方法。
(態様27)
ケイ素源とハロゲン化水素酸とを反応させてトリハロシランを生成し、副産物である多くの四ハロゲン化ケイ素を生成すること、および
トリハロシランと、ケイ素とハロゲン化水素酸との反応による副産物として生成される四ハロゲン化ケイ素とを反応チャンバーに導くことを含む、態様23〜26のいずれかに記載の方法。
(態様28)
ケイ素とハロゲン化水素酸との反応による副産物として生成される四ハロゲン化ケイ素が、反応チャンバー壁上のケイ素蒸着物をエッチングする、態様27に記載の方法。
(態様29)
ケイ素とハロゲン化水素酸との反応による副産物として生成される四ハロゲン化ケイ素が、反応チャンバーに導かれる、態様27又は28に記載の方法。
(態様30)
反応チャンバーでトリハロシランから生成される四ハロゲン化ケイ素の量と、ケイ素とハロゲン化水素酸との反応による副産物として生成される四ハロゲン化ケイ素の量とが、ケイ素との反応により反応チャンバーで消費されるトリハロシランケイ素の量と略同じである、態様27〜29のいずれかに記載の方法。
(態様31)
ハロゲン化水素酸が塩酸である、態様27〜30のいずれかに記載の方法。
(態様32)
水素が反応チャンバーに導かれる、態様23〜31のいずれかに記載の方法。
(態様33)
使用済みガスが反応チャンバーから排出され、
使用済みガスが四ハロゲン化ケイ素、ハロゲン化水素酸、未反応のトリハロシランおよび未反応の水素を含んで成る、態様23〜32のいずれかに記載の方法。
(態様34)
ハロゲン化水素酸が使用済みガスから分離され、
反応チャンバーから排出された四ハロゲン化ケイ素、未反応のトリハロシランおよび未反応の水素が反応チャンバーに導かれる、態様33に記載の方法。
(態様35)
反応チャンバーが反応チャンバー壁を有して成り、反応チャンバーに導かれる四ハロゲン化ケイ素の一部が反応チャンバー壁に導かれる、態様23〜34のいずれかに記載の方法。
(態様36)
トリハロシランがトリクロロシラン、トリブロモシラン、トリフルオロシランおよびトリヨードシランから構成される群から選択される、態様23〜35のいずれかに記載の方法。
(態様37)
トリハロシランがトリクロロシランである、態様23〜35のいずれかに記載の方法。
(態様38)
四ハロゲン化ケイ素が、四塩化ケイ素、四臭化ケイ素、四フッ化ケイ素および四ヨウ化ケイ素から構成される群から選択される、態様23〜37のいずれかに記載の方法。
(態様39)
四ハロゲン化ケイ素が四塩化ケイ素である、態様23〜37のいずれかに記載の方法。
(態様40)
少なくとも1つの反応チャンバー壁を有して成る反応チャンバーに第1ガス、第2ガスおよび第3ガスを分配するための分配器であって、
分配器が少なくとも1つの末端開口部、少なくとも1つの内側開口部および少なくとも1つの中央開口部を含む複数の分配開口部を有して成り、
末端開口部が、第2ガス源又は第3ガス源ではなく第1ガス源と流体接続を供するために構成されている、分配器。
(態様41)
中央開口部が、第1ガス源又は第2ガス源ではなく第3ガス源と流体接続を供するために構成されている、態様40に記載の分配器。
(態様42)
内側開口部が、第1ガス源又は第3ガス源ではなく第2ガス源と流体接続を供するために構成されている、態様40又は41に記載の分配器。
(態様43)
反応チャンバーと反応チャンバーにガスを分配するための態様40〜42のいずれかに記載の分配器を有して成る流動床リアクター・システムであって、
反応チャンバーが少なくとも1つの反応チャンバー壁を有して成る、流動床リアクター・システム。
(態様44)
少なくとも1つの反応チャンバー壁を有して成る反応チャンバー、および
反応チャンバーにガスを分配し、反応チャンバーと第1ガス源、第2ガス源および第3ガス源との間を流体接続する複数の分配開口部を有して成る分配器を有して成る流動床リアクター・システムであって、
複数の分配開口部が、少なくとも1つの末端開口部、少なくとも1つの内側開口部および少なくとも1つの中央開口部を有して成り、
末端開口部が第2ガス源又は第3ガス源ではなく、第1ガス源と流体接続を供するために構成されている、流動床リアクター・システム。
(態様45)
中央開口部が第1ガス源又は第2ガス源ではなく第3ガス源と流体接続を供するために構成されている、態様44に記載の流動床リアクター・システム。
(態様46)
内側開口部が第2ガス源と流体接続されており、第1ガス源又は第3ガス源と流体接続されていない、態様44又は45に記載の流動床リアクター・システム。
(態様47)
第1ガス源および反応チャンバーと流体接続する第1ガスのプレナム、第2ガス源および反応チャンバーと流体接続する第2ガスのプレナムおよび第3ガス源および反応チャンバーと流体接続する第3ガスのプレナムを有して成る、態様44〜46のいずれかに記載の流動床リアクター・システム。
(態様48)
入口ブロック、外側リング、外側リングと同心円状の内側リング、外側リングおよび内側リングと同心円状の中央リングを更に有して成り、
第1ガスのプレナムが、分配器、入口ブロック、外側リングおよび内側リングの間の空間に規定され、第2ガスのプレナムが、分配器、入口ブロック、内側リングおよび中央リングの間の空間に規定される、態様47に記載の流動床リアクター・システム。
(態様49)
分配器および入口ブロックを通じて延在する外側リング、内側リングおよび中央リングと同心円状にある生成物引き出し管を更に有して成り、
第3ガスのプレナムが、分配器、入口ブロック、中央リングおよび生成物引き出し管の間の空間に規定される、態様48に記載の流動床リアクター・システム。
(態様50)
入口ブロックが、第1ガスのプレナムと流体接続する第1ガスチャネル、第2ガスのプレナムと流体接続する第2ガスチャネルおよび第3ガスのプレナムと流体接続する第3ガスチャネルを有して成る、態様49に記載の流動床リアクター・システム。
Claims (10)
- 少なくとも1つの反応チャンバー壁を有する反応チャンバーを有して成るリアクターで多結晶シリコン生成物を生成する方法であって、
反応チャンバー壁に四ハロゲン化ケイ素を導くこと、および四ハロゲン化ケイ素の内側に熱的に分解可能なケイ素化合物を導くことを含み、
熱的に分解可能な化合物をケイ素微粒子と接触させて、ケイ素をケイ素微粒子に蒸着させ、ケイ素微粒子径を大きくする、多結晶シリコン生成物を生成する方法。 - リアクターが反応チャンバーにガスを均一に分配するための分配器を有して成り、
分配器が1つ又はそれよりも多いガス源と反応チャンバーとの間を流体接続する複数の分配開口部を有して成り、
複数の分配開口部が少なくとも1つの末端開口部と少なくとも1つの内側開口部とを有して成り、
分配器の分配開口部を通じて1つ又はそれよりも多いガス源から反応チャンバーに四ハロゲン化ケイ素と熱的に分解可能なケイ素化合物とを供給することを含み、
リアクター壁に蒸着するケイ素量を低減するために、末端開口部を通じて供給される四ハロゲン化ケイ素の濃度が、内側開口部を通じて供給されるガス中の四ハロゲン化ケイ素の濃度よりも高い、請求項1に記載の方法。 - 熱的に分解可能なケイ素化合物が、トリクロロシラン、トリブロモシラン、トリフルオロシランおよびトリヨードシランから構成される群から選択されるトリハロシランである、請求項1又は2に記載の方法。
- 内側開口部を通じて供給されるガスが水素を含んで成る、請求項2又は3に記載の方法。
- 内側開口部を通じて供給されるガスが多くの四ハロゲン化ケイ素を含んで成る、請求項2又は3に記載の方法。
- 末端開口部を通じて供給されるガスが多くの熱的に分解可能なケイ素化合物を含んで成る、請求項2〜5のいずれかに記載の方法。
- 末端開口部を通じて供給されるガスが実質的に四ハロゲン化ケイ素から構成される、請求項2〜5のいずれかに記載の方法。
- 内側開口部を通じて供給されるガス中の水素と熱的に分解可能な化合物とのモル比が、約1:1〜約7:1である、請求項4に記載の方法。
- 水素が熱的に分解可能な化合物の内側に導かれる、請求項1〜8のいずれかに記載に方法。
- 四ハロゲン化ケイ素が、四塩化ケイ素、四臭化ケイ素、四フッ化ケイ素および四ヨウ化ケイ素から構成される群から選択される、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
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