JPH02279512A - 高純度多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
高純度多結晶シリコンの製造方法Info
- Publication number
- JPH02279512A JPH02279512A JP10092989A JP10092989A JPH02279512A JP H02279512 A JPH02279512 A JP H02279512A JP 10092989 A JP10092989 A JP 10092989A JP 10092989 A JP10092989 A JP 10092989A JP H02279512 A JPH02279512 A JP H02279512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction vessel
- vessel
- fluidized bed
- raw material
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 56
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 34
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000005469 granulation Methods 0.000 claims description 6
- 230000003179 granulation Effects 0.000 claims description 6
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、反応容器内で多結晶シリコン粒子を原料ガス
により流動化させながら原料ガスと反応させて、粒子表
面にシリコンを析出させる流動層造粒法による高純度多
結晶シリコンの製造方法に関する。
により流動化させながら原料ガスと反応させて、粒子表
面にシリコンを析出させる流動層造粒法による高純度多
結晶シリコンの製造方法に関する。
現在、太陽電池や半導体素子の原料等として使用される
高純度多結晶シリコンは、工業的にはシーメンス法で製
造されている。この製造方法では、ペルジャーと称する
反応炉が用いられ、反応炉内に細い金属シリコン捧を立
て、これを通電加熱することにより棒表面にシリコンを
析出成長させる。
高純度多結晶シリコンは、工業的にはシーメンス法で製
造されている。この製造方法では、ペルジャーと称する
反応炉が用いられ、反応炉内に細い金属シリコン捧を立
て、これを通電加熱することにより棒表面にシリコンを
析出成長させる。
しかし、反応炉の壁面にシリコンが析出するのを防止す
るために炉壁を冷却しており、熱効率が悪い欠点がある
。又、反応炉の単位容積当りの析出表面積が小さく反応
効率も悪い、更に、バッチ方式であることが製造能率を
一層低下させている。
るために炉壁を冷却しており、熱効率が悪い欠点がある
。又、反応炉の単位容積当りの析出表面積が小さく反応
効率も悪い、更に、バッチ方式であることが製造能率を
一層低下させている。
シーメンス法のかかる欠点を解消する製造方法として注
目を集めているのが流動層造粒法である。
目を集めているのが流動層造粒法である。
この製造方法では、反応容器に充填した多結晶シリコン
粒子を、容器内に導入するトリクロロシラン等の原料ガ
スで流動化させて流動層となし、この状態で粒子表面に
シリコンを析出させて粒子を成長させる０反応容器は外
側から加熱されており、成長した粒子は逐次容器外に抜
き出され、代わりに新たな原料粒子が容器内に装入され
る。
粒子を、容器内に導入するトリクロロシラン等の原料ガ
スで流動化させて流動層となし、この状態で粒子表面に
シリコンを析出させて粒子を成長させる０反応容器は外
側から加熱されており、成長した粒子は逐次容器外に抜
き出され、代わりに新たな原料粒子が容器内に装入され
る。
流動層造粒法による多結晶シリコンの製造方法は、連続
式であり、しかも反応容器の内容量に対するシリコン析
出表面積の比率がシーメンス法と比べて格段に大きく、
また熱効率の点でも優れるが、その一方で反応容器の器
壁内面にシリコンが析出しやすい問題を有している０反
応容器の器壁内面にシリコンが析出すると、反応容器が
破損し、破損に至らないまでも反応容器の有効内容量が
小さくなって長期的な連続運転が困難になる。
式であり、しかも反応容器の内容量に対するシリコン析
出表面積の比率がシーメンス法と比べて格段に大きく、
また熱効率の点でも優れるが、その一方で反応容器の器
壁内面にシリコンが析出しやすい問題を有している０反
応容器の器壁内面にシリコンが析出すると、反応容器が
破損し、破損に至らないまでも反応容器の有効内容量が
小さくなって長期的な連続運転が困難になる。
流動層造粒法における上記問題を解決するために、二重
管ノズルを用いてその内側ノズルより反応容器内に原料
ガスを供給し、環状の外側ノズルより水素ガスを供給す
る方法が特開昭５７−１３５７０８号公報に開示されて
いる。また、特開昭５８−１８５４２６号公報には、反
応容器の器壁からＨＣｌ、５ｉＣＩ！、等のシリコン析
出抑制ガスを吹き込む方法が開示され、特開昭５９−４
５９１７号公報には、反応容器内に内筒設置し、その内
側で原料ガスによる流動層反応を進行させる方法が開示
されている。
管ノズルを用いてその内側ノズルより反応容器内に原料
ガスを供給し、環状の外側ノズルより水素ガスを供給す
る方法が特開昭５７−１３５７０８号公報に開示されて
いる。また、特開昭５８−１８５４２６号公報には、反
応容器の器壁からＨＣｌ、５ｉＣＩ！、等のシリコン析
出抑制ガスを吹き込む方法が開示され、特開昭５９−４
５９１７号公報には、反応容器内に内筒設置し、その内
側で原料ガスによる流動層反応を進行させる方法が開示
されている。
〔発明が解決しようとするＩＮ）
これらの従来法は、いずれも原料ガスが器壁に到達する
のを阻害することを狙いとしているが、二重管ノズルに
よる方法では、別々に供給された原料ガスと水素ガスと
が、反応容器内の流動層における激しい粒子混合によっ
て直ちに混合されてしまい、包囲ガスであるはずの水素
による原料ガス疎外効果は小さい。
のを阻害することを狙いとしているが、二重管ノズルに
よる方法では、別々に供給された原料ガスと水素ガスと
が、反応容器内の流動層における激しい粒子混合によっ
て直ちに混合されてしまい、包囲ガスであるはずの水素
による原料ガス疎外効果は小さい。
反応容器の器壁からシリコン析出抑制ガスを吹き込む方
法では、シリコン析出抑制ガスが反応容器内で十分に加
熱されず、反応容器内がこのガス層を通して加熱される
ために、熱伝達度が小さく熱効率を悪化させる問題があ
る。したがって、大きな伝熱面積が必要になる。また、
反応容器内に内筒を設置する方法では、内情にシリコン
が析出し、内湾の破損や長期的連続運転が困難といった
問題がある。
法では、シリコン析出抑制ガスが反応容器内で十分に加
熱されず、反応容器内がこのガス層を通して加熱される
ために、熱伝達度が小さく熱効率を悪化させる問題があ
る。したがって、大きな伝熱面積が必要になる。また、
反応容器内に内筒を設置する方法では、内情にシリコン
が析出し、内湾の破損や長期的連続運転が困難といった
問題がある。
本発明は、これらの問題を全て解決するもので、内筒を
使用することな（器壁内面へのシリコン析出が効果的に
抑制でき、しかも熱効率の低下を生じない高純度多結晶
シリコンの製造方法を提供することを目的とする。
使用することな（器壁内面へのシリコン析出が効果的に
抑制でき、しかも熱効率の低下を生じない高純度多結晶
シリコンの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の製造方法は、流動層造粒法による高純度多結晶
シリコンの製造において、反応容器の器壁内面に沿って
水素を流通させ、その内側に原料ガ、スを流通させるこ
とを特徴としてなる。
シリコンの製造において、反応容器の器壁内面に沿って
水素を流通させ、その内側に原料ガ、スを流通させるこ
とを特徴としてなる。
第１図は本発明の一実施態様を示す模式図である。
円筒状の反応容器ｌは、上部にガス排出管２と、多結晶
シリコンの種粒子を容器内に装入するための装入管３と
を備えている０反応容器１の底部は、底４＆４との間に
間隔をあけて設けられたガス分散板５により二重底とさ
れている。底板４とガス分散板５との間は、同心状に設
けた環状の仕切板６によって内室７と、その外側に同心
状に形成された外室８との２室構造とされている。底！
１１ｊ４に接続された原料ガス導入管９は内室７に連通
しており、内室７の外周壁に接続された複数の水素ガス
導入管ｌＯは外室８に連通している６分散１５の中心部
には、内室７．底板４を貫通して製品抜出管１１が接続
されている。また、ガス分散Ｆｉ５より上方には、反応
容器ｌを包囲するようにヒータ１２が設けられている。
シリコンの種粒子を容器内に装入するための装入管３と
を備えている０反応容器１の底部は、底４＆４との間に
間隔をあけて設けられたガス分散板５により二重底とさ
れている。底板４とガス分散板５との間は、同心状に設
けた環状の仕切板６によって内室７と、その外側に同心
状に形成された外室８との２室構造とされている。底！
１１ｊ４に接続された原料ガス導入管９は内室７に連通
しており、内室７の外周壁に接続された複数の水素ガス
導入管ｌＯは外室８に連通している６分散１５の中心部
には、内室７．底板４を貫通して製品抜出管１１が接続
されている。また、ガス分散Ｆｉ５より上方には、反応
容器ｌを包囲するようにヒータ１２が設けられている。
反応容器ｌ内に所定量の多結晶シリコンからなる種粒子
を装入し、容器内をヒータ１２で加熱しながら原料ガス
導入管９より内室７に原料ガスを吹き込み、水素ガス導
入管１０より外室８に水素ガスを吹き込む、内室７に吹
き込まれた原料ガスは反応容器ｌの中心部を上昇し、外
室８に吹き込まれた水素ガスは反応容器１内の原料ガス
流通部外側を器壁内面に沿って上昇する。これらのガス
流により、反応容器ｌ内の種粒子は激しく流動して流動
層１３を形成し、その過程で表面にシリコンを析出しな
がら成長して行く、所定の析出反応を終えた多結晶シリ
コン粒子は、製品抜出管１１より反応容器ｌ外へ逐次抜
き出される０代わりに、装入管３からは種粒子が反応容
器ｌ内へ装入される。シリコン析出反応に使用された後
の原料ガスおよび水素ガスは、ガス排出管２より容器外
に排出される。
を装入し、容器内をヒータ１２で加熱しながら原料ガス
導入管９より内室７に原料ガスを吹き込み、水素ガス導
入管１０より外室８に水素ガスを吹き込む、内室７に吹
き込まれた原料ガスは反応容器ｌの中心部を上昇し、外
室８に吹き込まれた水素ガスは反応容器１内の原料ガス
流通部外側を器壁内面に沿って上昇する。これらのガス
流により、反応容器ｌ内の種粒子は激しく流動して流動
層１３を形成し、その過程で表面にシリコンを析出しな
がら成長して行く、所定の析出反応を終えた多結晶シリ
コン粒子は、製品抜出管１１より反応容器ｌ外へ逐次抜
き出される０代わりに、装入管３からは種粒子が反応容
器ｌ内へ装入される。シリコン析出反応に使用された後
の原料ガスおよび水素ガスは、ガス排出管２より容器外
に排出される。
原料ガスとしては、トリクロロシラン、モノシランある
いはこれらのシランガスと水素の混合ガス等が使用され
る。
いはこれらのシランガスと水素の混合ガス等が使用され
る。
第２図は本発明の別の実施ａ欅を示した模式図である。
原料ガスは、反応容器ｌの底Ｆｉ４とその上方に設けた
ガス分散板５との間隙を貢通してガス分散［５の中心部
に接続した原料ガス導入管９より反応容器ｌ外に導入さ
れる。水素ガスは、反応容器１の底部周壁に接続した水
素ガス導入管１０より上記間隙に導入される。所定の析
出反応を終えた多結晶シリコン粒は、上記間隙を貫通し
てガス分散板５に接続した製品抜出管１１より容器外へ
抜き出される。
ガス分散板５との間隙を貢通してガス分散［５の中心部
に接続した原料ガス導入管９より反応容器ｌ外に導入さ
れる。水素ガスは、反応容器１の底部周壁に接続した水
素ガス導入管１０より上記間隙に導入される。所定の析
出反応を終えた多結晶シリコン粒は、上記間隙を貫通し
てガス分散板５に接続した製品抜出管１１より容器外へ
抜き出される。
この実施態様においても、原料ガスは反応容器１の中心
部を上昇し、水素ガスは原料ガス流通部の外側を反応容
器１の器壁内面に沿って上昇する。
部を上昇し、水素ガスは原料ガス流通部の外側を反応容
器１の器壁内面に沿って上昇する。
本発明の製造方法においては、反応容器の器壁内面に沿
って水素ガスが流通するので、その内側を流通する原料
ガスに対して器壁内面が効果的にシールドされ、原料ガ
スが器壁内面に到達するのが抑制される。その結果、器
壁内面でのシリコン析出が抑制される。
って水素ガスが流通するので、その内側を流通する原料
ガスに対して器壁内面が効果的にシールドされ、原料ガ
スが器壁内面に到達するのが抑制される。その結果、器
壁内面でのシリコン析出が抑制される。
水素ガス流速は原料ガス流速以上が望ましい。
また、流動層へのガス装入口である分散板５の水素ガス
装入口部分の内外径の差は、６ＣＩ以上が望ましい。
装入口部分の内外径の差は、６ＣＩ以上が望ましい。
水素ガスで原料ガスを疎外する場合、反応容器内径Ｄｔ
に対する流動層高り、の比が２以下であると、スラッギ
ングと称する直径が容器内径にほぼ等しい気泡の発生を
伴なう現象が防止され、水素ガスの原料ガス疎外効果が
一層向上する。したがって、この比率は２以下が望まし
い。
に対する流動層高り、の比が２以下であると、スラッギ
ングと称する直径が容器内径にほぼ等しい気泡の発生を
伴なう現象が防止され、水素ガスの原料ガス疎外効果が
一層向上する。したがって、この比率は２以下が望まし
い。
また、流動層を形成する多結晶シリコン粒子の体面積平
均径が大きくなると、流動層におけるガス流が押し出し
流れに近くなり、器壁に沿って流通する水素ガスの原料
ガス疎外効果が向上する。
均径が大きくなると、流動層におけるガス流が押し出し
流れに近くなり、器壁に沿って流通する水素ガスの原料
ガス疎外効果が向上する。
但し、体面積平均径が極端に大きくなると、ガス流速の
増大が必要になり、析出反応に必要な容器内ガス滞留時
間を十分に確保するのが困難になる。
増大が必要になり、析出反応に必要な容器内ガス滞留時
間を十分に確保するのが困難になる。
このようなことから、流動層を形成する多結晶シリコン
粒子の体面積平均径は７００〜３０００μｍが好ましく
、更に好ましくは１０００〜２０００μｍである。
粒子の体面積平均径は７００〜３０００μｍが好ましく
、更に好ましくは１０００〜２０００μｍである。
なお、体面積平均径とは粒子の単位体積に対する表面積
に基づく粒子の平均粒径である。
に基づく粒子の平均粒径である。
他の製造条件は、周知の手法にしたがって適宜選定され
る。
る。
以下に本発明の詳細な説明する。
第１図に示す態様により下記条件で多結晶シリコンを製
造した。
造した。
反応容器内径に対する流動層高の比＝１．５粒子体面積
平均径： １０００μｍ 反応温度：１ｏｓｏ”ｃ 原料ガスニトリクロロシラン 原料ガス流速：８０Ｃ１１／３ 原料ガス疎外用の水素ガス流量：１００Ｃ１／ｓシリコ
ン製造にともなう器壁へのシリコン析出速度は最大で０
．０５μｍ／ｍｉｎであり、３ケ月以上の連続運転でも
運転に何ら異常は生じなかった。
平均径： １０００μｍ 反応温度：１ｏｓｏ”ｃ 原料ガスニトリクロロシラン 原料ガス流速：８０Ｃ１１／３ 原料ガス疎外用の水素ガス流量：１００Ｃ１／ｓシリコ
ン製造にともなう器壁へのシリコン析出速度は最大で０
．０５μｍ／ｍｉｎであり、３ケ月以上の連続運転でも
運転に何ら異常は生じなかった。
粒子体面積平均径を６００μｍに変更して他は同一条件
で同様のシリコン製造を行ったところ、ｎｇ！へのシリ
コン最大析出速度は０．４μｍ／ｍ ｌ ｎ以上に上昇
した。また、反応容器内径に対する流動層高の比率を４
とした場合にも、器壁へのシリコン最大析出速度は０．
２μｍ／ｍｌｎに上昇した。
で同様のシリコン製造を行ったところ、ｎｇ！へのシリ
コン最大析出速度は０．４μｍ／ｍ ｌ ｎ以上に上昇
した。また、反応容器内径に対する流動層高の比率を４
とした場合にも、器壁へのシリコン最大析出速度は０．
２μｍ／ｍｌｎに上昇した。
ちなみに、原料ガス阻外用の水素ガスを使用しない場合
は、器壁へのシリコン最大析出速境は２μｍ／ｍｉｎで
あった。
は、器壁へのシリコン最大析出速境は２μｍ／ｍｉｎで
あった。
〔発明の効果］
本発明の製造方法は、水素ガスにより原料ガスの器壁到
達を効果的に阻害し、器壁人のシリコン析出を抑止する
。したがって、反応容器の破損が防止され、また長期的
異常なく連続運転が行なえ、シリコン製造効率の向上が
達成される。また、水素ガスは器壁に沿って上昇する間
に効果的に加熱され、水素ガスによる原料ガス加熱効率
の低下がなく、熱効率も優れる。したがって、多結晶シ
リコンの製造コスト低減が達成される。
達を効果的に阻害し、器壁人のシリコン析出を抑止する
。したがって、反応容器の破損が防止され、また長期的
異常なく連続運転が行なえ、シリコン製造効率の向上が
達成される。また、水素ガスは器壁に沿って上昇する間
に効果的に加熱され、水素ガスによる原料ガス加熱効率
の低下がなく、熱効率も優れる。したがって、多結晶シ
リコンの製造コスト低減が達成される。
第１図および第２図は本発明の実施態様を示す模式図で
ある。 １８反応容器、５；ガス分散板、９：原料ガス導入管、
ｌＯ：水素ガス導入管。 第 図
ある。 １８反応容器、５；ガス分散板、９：原料ガス導入管、
ｌＯ：水素ガス導入管。 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、流動層造粒法による高純度多結晶シリコンの製造に
おいて、反応容器の器壁内面に沿って水素を流通させ、
その内側に原料ガスを流通させることを特徴とする高純
度多結晶シリコンの製造方法。 ２、反応容器内径に対する流動層高の比が２以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の高純度多結晶シリコ
ンの製造方法。 ３、流動層を形成する多結晶シリコン粒子の体面積平均
径が７００〜３０００μｍであることを特徴とする請求
項１または２に記載の高純度多結晶シリコンの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10092989A JPH02279512A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 高純度多結晶シリコンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10092989A JPH02279512A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 高純度多結晶シリコンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02279512A true JPH02279512A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14287042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10092989A Pending JPH02279512A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 高純度多結晶シリコンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02279512A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6004396A (en) * | 1996-12-04 | 1999-12-21 | Ball Semiconductor, Inc. | Spherical shaped semiconductor integrated circuit |
| CN102083522A (zh) * | 2008-06-30 | 2011-06-01 | Memc电子材料有限公司 | 流化床反应器系统及减少硅沉积在反应器壁上的方法 |
| US20130336845A1 (en) * | 2008-09-16 | 2013-12-19 | Sunnyside Technologies, Inc. | Reactor for producing high-purity granular silicon |
| US8828324B2 (en) | 2009-12-29 | 2014-09-09 | Sunedison, Inc. | Fluidized bed reactor systems and distributors for use in same |
| JP2015150471A (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-24 | 株式会社Ihi | 流動層反応システム |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP10092989A patent/JPH02279512A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6004396A (en) * | 1996-12-04 | 1999-12-21 | Ball Semiconductor, Inc. | Spherical shaped semiconductor integrated circuit |
| CN102083522A (zh) * | 2008-06-30 | 2011-06-01 | Memc电子材料有限公司 | 流化床反应器系统及减少硅沉积在反应器壁上的方法 |
| JP2011526877A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 反応炉壁へのシリコンの析出を低減する流動層反応炉システム及び方法 |
| US8404206B2 (en) | 2008-06-30 | 2013-03-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for producing polycrystalline silicon that reduce the deposition of silicon on reactor walls |
| US8728574B2 (en) | 2008-06-30 | 2014-05-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for introducing a first gas and a second gas into a reaction chamber |
| US8906313B2 (en) * | 2008-06-30 | 2014-12-09 | Sunedison, Inc. | Fluidized bed reactor systems |
| JP2015120160A (ja) * | 2008-06-30 | 2015-07-02 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドＭｅｍｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 反応炉壁へのシリコンの析出を低減する流動層反応炉システム及び方法 |
| US20130336845A1 (en) * | 2008-09-16 | 2013-12-19 | Sunnyside Technologies, Inc. | Reactor for producing high-purity granular silicon |
| US9662625B2 (en) | 2008-09-16 | 2017-05-30 | Xi Chu | Method for producing high-purity granular silicon |
| US9751066B2 (en) * | 2008-09-16 | 2017-09-05 | Sunnyside Technologies, Inc | Reactor for producing high-purity granular silicon |
| US8828324B2 (en) | 2009-12-29 | 2014-09-09 | Sunedison, Inc. | Fluidized bed reactor systems and distributors for use in same |
| JP2015150471A (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-24 | 株式会社Ihi | 流動層反応システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3278872B1 (en) | Method for preparing granular polysilicon using a fluidised-bed reactor system | |
| CN102083522B (zh) | 流化床反应器系统及减少硅沉积在反应器壁上的方法 | |
| EP1924349B1 (en) | Silicon spout-fluidized bed | |
| JPH05139891A (ja) | 半導体級多結晶シリコンの製造方法とその装置 | |
| JP3227549B2 (ja) | 半導体級多結晶シリコン製造用反応炉 | |
| TW201246290A (en) | Methods and apparatus for the production of high purity silicon | |
| KR20130019182A (ko) | 수평형 노즐부를 이용하여 반응가스 흐름을 개선한 폴리실리콘 제조장치 | |
| JPH02279512A (ja) | 高純度多結晶シリコンの製造方法 | |
| JPS5945917A (ja) | 多結晶シリコンの連続的製法 | |
| WO1992000245A1 (en) | Method of producing polycrystalline silicon rods for semiconductors and thermal decomposition furnace therefor | |
| JPH08169797A (ja) | 多結晶シリコン棒の製造方法及び製造装置 | |
| JPH02279513A (ja) | 高純度多結晶シリコンの製造方法 | |
| JPH0230611A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法及び装置 | |
| JPH06127924A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
| JPH01239014A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法及び装置 | |
| JPH06127914A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
| JPS59107917A (ja) | 多結晶シリコンの製造装置 | |
| JPH06127926A (ja) | 粒状多結晶シリコンの製造方法 | |
| JPH01239013A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法及び装置 | |
| JPH01208311A (ja) | 粒状シリコンの製造方法とその装置 | |
| JPS6077116A (ja) | シリコン粒の製造方法 | |
| CN107973300A (zh) | 液态硅生产装置及方法 | |
| CN1064024C (zh) | 一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备 | |
| JP2769388B2 (ja) | 半導体用多結晶シリコン棒の製造方法及びその熱分解炉 | |
| JP3243377B2 (ja) | 粒状ポリシリコンの製造法 |