JP2013512578A - 横方向のエミッタおよびコレクタを有するバイポーラトランジスタならびに製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
さらなる実施例では、高移動度層はGaおよびAsを含む、ならびに/もしくはドナー層はGaおよびAsを含む。
さらなる実施例では、エミッタ端子は、層の内部でコレクタ端子によって少なくとも部分的に囲まれている。
1 基板
2 高移動度層
3 ドナー層
4 エミッタ端子
5 エミッタコンタクト
6 コレクタ端子
7 コレクタコンタクト
8 ベース端子
9 ベースコンタクト領域
10 誘電体
d1 寸法
d2 寸法
d3 寸法
Claims (15)
- 半導体材料からなる基板(1)と、
前記基板内の高移動度層(2)と、
前記高移動度層に隣接したドナー層(3)と、
前記ドナー層へのエミッタコンタクト(5)を形成するエミッタ端子(4)と、
前記ドナー層へのコレクタコンタクト(7)を形成するコレクタ端子(6)と、
前記高移動度層に導電接続されたベース端子(8)とを備える、バイポーラトランジスタ。 - 前記高移動度層(2)は量子井戸を形成する、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記高移動度層(2)および/または前記ドナー層(3)はGaおよびAsを含む、請求項1または2に記載のトランジスタ。
- 前記エミッタ端子(4)および前記コレクタ端子(6)は互いに組み合わされる、請求項1〜3のいずれかに記載のトランジスタ。
- 前記エミッタ端子(4)は、層の内部で前記コレクタ端子(6)によって少なくとも部分的に囲まれている、請求項1〜3のいずれかに記載のトランジスタ。
- 前記エミッタコンタクト(5)および/または前記コレクタコンタクト(7)はショットキー接触である、請求項1〜5のいずれかに記載のトランジスタ。
- 前記高移動度層(2)と前記ベース端子(8)との間に配置された、ドープされた半導体材料からなるベースコンタクト領域(9)をさらに備え、前記ベース端子は前記ベースコンタクト領域上にオーミック接触を形成する、請求項1〜6のいずれかに記載のトランジスタ。
- 前記高移動度層(2)と前記ベース端子(8)との間に配置された前記ドナー層(3)またはベースコンタクト領域(9)上にショットキー接触を形成する前記ベース端子(8)をさらに備える、請求項1〜6のいずれかに記載のトランジスタ。
- 第2のベース端子(8)をさらに備え、前記エミッタ端子(4)および前記コレクタ端子(6)は前記ベース端子(8)同士の間に配置される、請求項1〜8のいずれかに記載のトランジスタ。
- 前記ドナー層(3)のドナー濃度は1014cm-3〜1020cm-3である、請求項1〜9のいずれかに記載のトランジスタ。
- 前記高移動度層(2)は、HEMTであるさらなるトランジスタのチャネル層を形成する、請求項1〜10のいずれかに記載のトランジスタ。
- トランジスタの製造方法であって、
nドープされたドナー層(3)に隣接して高移動度層(2)が生成されるように、半導体材料からなる基板(1)の内部または上に前記ドナー層を形成するステップと、
金属化を適用して、前記ドナー層(3)上にショットキーエミッタコンタクト(5)およびショットキーコレクタコンタクト(7)を形成し、前記高移動度層(2)に導電接続されたベース端子(8)を形成するステップとを備える、方法。 - 前記ベース端子(8)と前記高移動度層(2)との間にベースコンタクト領域(9)を配置するステップと、
前記ベース端子(8)と前記ベースコンタクト領域(9)との間にオーミック接触またはショットキー接触を形成するステップとをさらに備える、請求項12に記載の方法。 - 前記エミッタコンタクト(5)を提供するエミッタ端子(4)および前記コレクタコンタクト(7)を提供するコレクタ端子(6)を形成するステップをさらに備え、前記エミッタ端子(4)および前記コレクタ端子(6)は、二重ゲートHEMTのゲート電極の形状に形成される、請求項12または13に記載の方法。
- 前記トランジスタは、GaAsのHEMT技術またはGaAsのBiFET技術で製造される、請求項12〜14のいずれかに記載の方法。
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