JP2013501350A5

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Info

Publication number: JP2013501350A5
Application number: JP2012522085A
Authority: JP
Filing date: 2010-07-13
Publication date: 2013-07-04

Claims

発光ダイオードチップ（１００）であって、
− 第１の区域（１Ａ）および第２の区域（１Ｂ）を有する半導体ボディ（１）と、
− 前記発光ダイオードチップ（１００）の動作時、少なくとも一部分が前記半導体ボディ（１）の第１の主領域（１１１）によって形成されている放射取り出し領域（１１）を通じて電磁放射を放出する、前記半導体ボディ（１）の中の活性ゾーン（２）と、
− 前記半導体ボディ（１）における少なくとも１つの溝（３）であって、前記半導体ボディ（１）の一部分が前記溝の領域において除去されている、少なくとも１つの溝（３）と、
を備えており、
− 前記発光ダイオードチップ（１００）の前記第１の主領域（１１１）とは反対側の、前記半導体ボディ（１）の領域に、反射層（４）が設けられており、
− 前記発光ダイオードチップ（１００）がキャリア要素（５）を備えており、前記反射層（４）が、前記キャリア要素（５）と前記半導体ボディ（１）との間に配置されており、前記半導体ボディ（１）が結合材料（１０）によって前記キャリア要素（５）に固定されており、
− 前記少なくとも１つの溝（３）が少なくとも前記活性ゾーン（２）に達しており、
− 前記少なくとも１つの溝（３）が前記第１の区域（１Ａ）を横方向に完全に囲んでおり、
− 前記第２の区域（１Ｂ）が、前記少なくとも１つの溝（３）と前記第１の区域（１Ａ）とを横方向に完全に囲んでおり、
− 前記少なくとも１つの溝（３）の側面領域（３１）のすべてとベース領域（３２）とが、パッシベーション層（７）によって完全に覆われており、
− 前記少なくとも１つの溝（３）が前記反射層（４）を貫いており、
− 前記反射層（４）が除去された、前記発光ダイオードチップ（１００）の領域（４１）において、前記結合材料（１０）が前記パッシベーション層（７）に直接接触している、
発光ダイオードチップ（１００）。
前記結合材料（１０）が、前記キャリア要素（５）とは反対側の自身の面において、前記半導体ボディ（１）もしくは前記パッシベーション層（７）またはその両方によって完全に覆われている、
請求項１に記載の発光ダイオードチップ（１００）。
前記結合材料（１０）が、前記少なくとも１つの溝（３）の領域においてのみ、前記半導体ボディ（１）によって覆われていない、
請求項２に記載の発光ダイオードチップ（１００）。
前記半導体ボディ（１）の前記第１の区域（１Ａ）が、前記キャリア要素（５）から前記半導体ボディ（１）の前記第１の主領域（１１１）の方向に、次第に細くなっている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光ダイオードチップ（１００）。
前記第１の主領域（１１１）に垂直な方向における、前記第１の区域（１Ａ）の厚さと前記第２の区域（１Ｂ）の厚さが、実質的に同じ大きさである、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光ダイオードチップ（１００）。
前記放射取り出し領域（１１）に、前記少なくとも１つの溝（３）の領域、もしくは前記半導体ボディ（１）の前記第２の区域（１Ｂ）、またはその両方において、前記パッシベーション層（７）に形成されているメタライゼーション（１２）、が設けられている、
請求項５に記載の発光ダイオードチップ（１００）。
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオードチップ（１００）を製造する方法であって、
− キャリア要素（５）のキャリア集合体（５００）を形成するステップと、
− 半導体ボディ（１）の半導体集合体（１３）を形成するステップと、
− 前記キャリア集合体（５００）と前記半導体集合体（１３）とを結合材料（１０）によって結合して集合体（１０１）を形成するステップと、
− 前記半導体ボディ（１）それぞれに少なくとも１つの溝（３）を形成するステップであって、前記半導体ボディ（１）の一部分が前記溝（３）の領域において除去され、前記溝（３）が前記半導体ボディ（１）を第１の区域（１Ａ）と第２の区域（１Ｂ）とに分割している、ステップと、
− 前記キャリア集合体（５００）と前記半導体集合体（１３）とからなる前記集合体（１０１）を、前記第１の区域（１Ａ）および前記溝（３）の外側で分離線（１０００）に沿って前記集合体（１０１）を貫いて、少なくとも１個の発光ダイオードチップ（１００）に個片化するステップと、
を含んでいる、方法。