JP2010519744A5 - - Google Patents
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Claims (21)
- チップ(100)において、
ビームを放射する領域を備えた少なくとも1つの半導体基体(4)を有し、
前記半導体基体(4)を電気的に接触接続させるために設けられており、且つ前記ビームを放射する領域から横方向において間隔を置いて設けられている少なくとも1つの第1のコンタクト領域(5)を有し、
放射された前記ビームに対して透過性である、導電性の第1のコンタクト層(1)を有し、該第1のコンタクト層(1)はチップ(100)のビーム射出側(10)にある前記半導体基体(4)の表面(9)を前記第1のコンタクト領域(5)に接続しており、前記表面(9)は前記ビームを吸収するコンタクト構造を有しておらず、
第2のコンタクト層(2)を有し、該第2のコンタクト層(2)は前記半導体基体(4)を、該半導体基体(4)の電気的な接触接続のための第2のコンタクト領域(3)に接続し、
前記第2のコンタクト領域(2)はTCOを含有する、
ことを特徴とする、チップ(100)。 - 前記ビーム射出側(10)における前記第1のコンタクト層(1)は前記ビームを吸収するコンタクト構造を有していない、請求項1記載のチップ(100)。
- 前記第1のコンタクト領域(5)は前記ビームを放射する領域とは空間的に隔てられている、請求項1または2記載のチップ(100)。
- 前記表面(9)の大部分は前記第1のコンタクト層(1)によって覆われている、請求項1から3までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 前記第1のコンタクト層(1)は主放射方向においてチップ(100)と外部との境界をなす層を形成する、請求項1から4までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 前記第1のコンタクト層(1)はTCOを含有する、請求項1から5までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 前記第1のコンタクト領域(5)はボンディングパッドまたはコンタクトフィンガである、請求項1から6までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 前記第1のコンタクト領域(5)は金属から構成されている、請求項1から7までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 前記第1のコンタクト領域(5)および前記半導体基体(4)は共通の支持体(6)上に配置されている、請求項1から8までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 前記第2のコンタクト領域(3)は前記支持体(6)上に設けられている、請求項9記載のチップ(100)。
- 前記第1のコンタクト領域(5)は前記支持体(6)から垂直方向に見て前記第2のコンタクト領域(3)の後方に配置されている、請求項10記載のチップ(100)。
- 前記第2のコンタクト領域(3)は金属から構成されている、請求項1から11までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 前記第2のコンタクト領域(3)は反射層である、請求項12記載のチップ(100)。
- 前記第2のコンタクト層(2)は前記半導体基体(4)と前記第2のコンタクト領域(3)との間に配置されており、前記第2のコンタクト領域(3)と共にミラーを形成する、請求項13記載のチップ(100)。
- 前記第2のコンタクト層(2)は放射されたビームに対して透過性である、請求項1から14までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 前記第1のコンタクト領域(5)と前記第2のコンタクト領域(3)との間には絶縁層(8)が配置されている、請求項1から15までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 第1の半導体基体および第2の半導体基体を有し、該第1の半導体基体および該第2の半導体基体は横方向において間隔を置いて配置されており、該第1の半導体基体と該第2の半導体基体との間には1つの第1のコンタクト領域(5)が配置されている、請求項1から16までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 中央に貫通部(11)を備えた半導体基体(4)を有し、前記貫通部(11)内に前記第1のコンタクト領域(5)が配置されている、請求項1から16までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 薄膜発光ダイオードチップである、請求項1から18までのいずれか1項記載のチップ(100)。
- 前記薄膜発光ダイオードチップのエピタキシ層列(12)は最大で2μm、有利には1μmの厚さを有する、請求項19記載のチップ(100)。
- 前記第1のコンタクト領域(5)は斜めに延びる側面を有する、請求項1から20までのいずれか1項記載のチップ(100)。
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