JP2010519744A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. チップ（１００）において、
   ビームを放射する領域を備えた少なくとも１つの半導体基体（４）を有し、
   前記半導体基体（４）を電気的に接触接続させるために設けられており、且つ前記ビームを放射する領域から横方向において間隔を置いて設けられている少なくとも１つの第１のコンタクト領域（５）を有し、
   放射された前記ビームに対して透過性である、導電性の第１のコンタクト層（１）を有し、該第１のコンタクト層（１）はチップ（１００）のビーム射出側（１０）にある前記半導体基体（４）の表面（９）を前記第１のコンタクト領域（５）に接続しており、前記表面（９）は前記ビームを吸収するコンタクト構造を有しておらず、
   第２のコンタクト層（２）を有し、該第２のコンタクト層（２）は前記半導体基体（４）を、該半導体基体（４）の電気的な接触接続のための第２のコンタクト領域（３）に接続し、
   前記第２のコンタクト領域（２）はＴＣＯを含有する、
   ことを特徴とする、チップ（１００）。
2. 前記ビーム射出側（１０）における前記第１のコンタクト層（１）は前記ビームを吸収するコンタクト構造を有していない、請求項１記載のチップ（１００）。
3. 前記第１のコンタクト領域（５）は前記ビームを放射する領域とは空間的に隔てられている、請求項１または２記載のチップ（１００）。
4. 前記表面（９）の大部分は前記第１のコンタクト層（１）によって覆われている、請求項１から３までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
5. 前記第１のコンタクト層（１）は主放射方向においてチップ（１００）と外部との境界をなす層を形成する、請求項１から４までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
6. 前記第１のコンタクト層（１）はＴＣＯを含有する、請求項１から５までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
7. 前記第１のコンタクト領域（５）はボンディングパッドまたはコンタクトフィンガである、請求項１から６までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
8. 前記第１のコンタクト領域（５）は金属から構成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
9. 前記第１のコンタクト領域（５）および前記半導体基体（４）は共通の支持体（６）上に配置されている、請求項１から８までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
10. 前記第２のコンタクト領域（３）は前記支持体（６）上に設けられている、請求項９記載のチップ（１００）。
11. 前記第１のコンタクト領域（５）は前記支持体（６）から垂直方向に見て前記第２のコンタクト領域（３）の後方に配置されている、請求項１０記載のチップ（１００）。
12. 前記第２のコンタクト領域（３）は金属から構成されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
13. 前記第２のコンタクト領域（３）は反射層である、請求項１２記載のチップ（１００）。
14. 前記第２のコンタクト層（２）は前記半導体基体（４）と前記第２のコンタクト領域（３）との間に配置されており、前記第２のコンタクト領域（３）と共にミラーを形成する、請求項１３記載のチップ（１００）。
15. 前記第２のコンタクト層（２）は放射されたビームに対して透過性である、請求項１から１４までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
16. 前記第１のコンタクト領域（５）と前記第２のコンタクト領域（３）との間には絶縁層（８）が配置されている、請求項１から１５までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
17. 第１の半導体基体および第２の半導体基体を有し、該第１の半導体基体および該第２の半導体基体は横方向において間隔を置いて配置されており、該第１の半導体基体と該第２の半導体基体との間には１つの第１のコンタクト領域（５）が配置されている、請求項１から１６までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
18. 中央に貫通部（１１）を備えた半導体基体（４）を有し、前記貫通部（１１）内に前記第１のコンタクト領域（５）が配置されている、請求項１から１６までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
19. 薄膜発光ダイオードチップである、請求項１から１８までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
20. 前記薄膜発光ダイオードチップのエピタキシ層列（１２）は最大で２μｍ、有利には１μｍの厚さを有する、請求項１９記載のチップ（１００）。
21. 前記第１のコンタクト領域（５）は斜めに延びる側面を有する、請求項１から２０までのいずれか１項記載のチップ（１００）。