TWI514612B - 具有至少一個半導體晶粒之輻射發出晶片 - Google Patents

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Description

具有至少一個半導體晶粒之輻射發出晶片 [優先權之主張]
本專利申請案主張德國專利申請案第102007008524.0號之優先權，該案揭示之內容於此併入本案作為參考。
本發明係關於設置用來發出輻射的晶片，詳言之，該晶片於輻射出口側之表面上具有無導線接觸連接(wire－free contact－connection)。
所提及類型之光電組件(optoelectronic component)，譬如發光二極體(light－emitting diode,LED)，一般例如具有二個相對的接觸區，於該二個接觸區中，其中一個接觸區通常安裝至導電性載體(carrier)上，例如安裝至設置有金屬化層(metallization layer)之晶片外殼(chip housing)的區域上。
另一個接觸區之電性接觸連接(electrical contact－connection)為藉由習知的銲接線(bonding wire)產生。為了在銲接線和待接觸連接之晶片表面之間產生導電性連接，晶片表面之區域係設置有金屬層(所謂的銲接墊(bonding pad))。然而，該金屬層之缺點係在於其不透光(optically non－transparent)，因此晶片中所產生之光的一部分會被吸收。然而，減少銲接墊之面積在技術上僅能夠作到有限的範圍，而且會增加生產成本。
為了減少遮住光電組件之部分表面(設置用來向外耦 接輻射)之問題，由日本專利第09283801A號中已知在以無導線(wire－free)方式待接觸連接於電性透明層(electrically conductive transparent layer)(由氧化銦錫(ITO)組成)之半導體晶片之表面上所配置之電極。於此情況，半導體晶片之側翼部(side flank)藉由絕緣層(由二氧化矽(SiO2 )組成)而與導電透明層電性絕緣。
本發明之目的，係具體說明一種晶片，該晶片中遮住配置在晶片之輻射出口側之半導體主體之表面的問題係進一步減少。
此目的藉由依照申請專利範圍第1項之晶片而達成。附屬申請專利範圍係關於本發明之有利的組構(configration)和發展。
依照本發明之晶片，包括：至少一個具有輻射發出區之半導體主體，和另外至少一個第一接觸區，該第一接觸區係設置用來與半導體主體電性接觸並與該輻射發出區橫向地間隔開，以及額外地導電性第一接觸層，該導電性第一接觸層能傳導(transmissive)所發出的輻射並且將該半導體主體位於該晶片之輻射出口側之表面連接至該第一接觸區，其中，該表面沒有輻射吸收接觸結構。
較佳地，於該輻射出口側之第一接觸層沒有該輻射吸收接觸結構。
於本情況中，應了解接觸結構特別係指金屬接觸區，例如具有接觸網(contact web)或銲接墊之形式。因此，該 第一接觸層非為接觸結構。對於在該晶片之輻射出口側上缺少輻射吸收接觸結構，有利於增加可能藉由該晶片進行之輻射發出。再者，通常將配置於該輻射出口側之表面上的銲接墊連接至連接區之遮住銲接線(shading bonding wire)能夠有利地於該輻射出口側之表面上被省掉(dispense with)。此由於該第一接觸層取代該銲接墊和該銲接線二者的事實而成為可能。不言而喻，本發明之情況中，不排除藉由導線連接方式來完成該晶片之電性連接。該第一接觸區能夠例如藉由銲接線之方式而電性連接至電壓源。
該輻射發出區包括輻射產生pn接面(junction)。於最簡單之情況中，該pn接面能夠由直接彼此貼近(adjoin)之p導電和n導電半導體層來形成。較佳地，該實際的輻射產生層(例如，具有被摻雜或未被摻雜之量子層(quantum layer)之形式)係形成於該p導電和該n導電主動層(active layer)之間。該量子層之形式能夠為單一量子井(single quantum well，SQW)結構或多量子井(multiple quantum well,MQW)結構，或者其他如量子線(quantum wire)或量子點(quantum dot)結構。
於該晶片之一個較佳組構中，該第一接觸區在空間上係與該輻射發出區隔開。尤其是，該輻射發出區及其他半導體層均沒有延伸遠至該第一接觸區。萬一是這種情況，則該半導體層較佳係在與該第一接觸區之交接處被分開(sever)，例如藉由分離的結合點(separating joint)之方式， 以便防止在也許吸收輻射之第一接觸區下方直接產生輻射。
因為該第一接觸區並未配置在該晶片之主光束路徑(main beam path)，因此能夠不用特別考慮光學性質且因此主要從比較好的導電率(electrical conductivity)或電流分佈之觀點形成該第一接觸區。在依照本發明之晶片情況中能夠有利地獲得改進的輻射發出結合改進的電性接觸連接。
依照一個較佳實施例，該表面之大部分被該第一接觸層所覆蓋。此意味著該表面係完全或幾乎完全被該第一接觸層所覆蓋，其中，特別是絕緣層可設置於幾乎完全覆蓋之情況，該絕緣層係例如配置於該表面之邊緣(marginal)，若適當的話可配置於該表面之周緣(peripheral)。
依照特別較佳實施例，該第一接觸層朝主發出方向形成向外界定(delimit)該晶片之層。較佳地，該第一接觸層含有透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide，TCO)。該TCO能夠藉由例如濺鍍(sputtering)或蒸氣沉積而敷設於該半導體主體。TCO為透明導電材料，通常為金屬氧化物，像是例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦、或氧化銦錫(ITO)。像是例如Zno、SnO2 或In2 O3 之二元金屬－氧(metal－oxygen)化合物，像是例如Zn2 SnO4 、CdSnO3 、ZnSnO3 、MgIn2 O4 、GaInO3 、Zn2 In2 O5 或In4 Sn3 O12 之三元金屬－氧化合物、或不同的透明導電氧化物之混合物亦屬於TCO族群。再者，該TCO不須必然地對應於化學 劑量組成物(stoichiometric composition)且亦能為p或n摻雜的。此為此處尤其若TCO係用於具有第一導電率之第一接觸層和用於具有第二導電率之第二接觸層之情況。藉由舉例之方式，該第一接觸層之TCO能為p摻雜的，而該第二接觸層之TCO能為n摻雜的。
依照一個較佳發展，該第一接觸區為銲接墊或接觸指(contact finger)。尤其較佳地，該第一接觸區含有金屬，例如金(Au)。該第一接觸區有利地具有比較高的反射率(reflectance)，尤其是能夠為90%。相較於習知的晶片(在該晶片中，接近銲接墊而開始之光束(light beam)大約有50%的機率會被吸收)，由該第一接觸區所造成之輻射損失相對低。藉由適當地選擇材料和該第一接觸區的形狀(例如，稜鏡形)而間隔開該第一接觸區與該半導體主體，能夠全然達成比較高的反射率。
依照尤其較佳的發展，該第一接觸區和該半導體主體係配置在共同載體上。載體有利地增加該晶片的穩定性，該載體例如促進該晶片之處理。
於一個有利的變化中，該晶片具有第二接觸層，該第二接觸層將半導體主體連接至第二接觸區，以與該半導體主體電性接觸。該第二接觸層同樣致能該半導體主體之無導線接觸連接。該半導體主體能夠藉由導電性黏著劑而機械性和電性地連接至該第二接觸區。
該第二接觸區較佳敷設於該載體。該第二接觸區尤其較佳係於該至少一個半導體主體安裝在該載體上之前形成 在該載體上。該第二接觸區以金屬之方式方便地形成。尤其是，該第二接觸區能夠包含Au、Al、Ag、AuZn。此種類型之材料尤其適合用於第二接觸區作為反射層之實施例。
依照一個較佳實施例，該第二接觸區為適合用來朝該主發出方向之方向發出照射輻射(impinging radiation)之反射層。因此能夠有利地增加由該晶片所發出之輻射。
依照另一個較佳實施例，該第一接觸區係朝從該載體行進之垂直方向設置在該第二接觸區之下游。
於本情況中，主發出方向和垂直方向二者皆表示平行於生長方向而行進之方向，且該半導體主體之半導體層朝該方向生長。
較佳地，該第二接觸層係配置於該半導體主體與該第二接觸區之間，並連同該第二接觸區形成鏡子。尤其是，該第二接觸層能夠傳導所發出之輻射。然後，由該第二接觸層所傳導之輻射能於該反射層處被反射。藉由例示說明，該第二接觸層能夠含有TCO。當相同的材料使用於該第一和第二接觸層時，該半導體主體能夠完全嵌入於該材料中，尤其是TCO中。
為了防止短路(short circuit)，絕緣層能夠配置在該第一接觸區和該第二接觸區之間。此外，該絕緣層之配置方式較佳可防止該半導體主體之p導電區和n導電區之間之短路。於此情況，一部分的絕緣層能被敷設於該半導體主體之側區域。用於該絕緣層之適當材料例如為氮化矽或氧 化矽。
於第一種變化中，該晶片具有至少一個第一半導體主體和一個第二半導體主體，該第一和第二半導體主體係橫向地間隔開，並在其間配置有第一接觸區。此種配置在相對大的晶片(該晶片較佳地具有大於約400 μm之邊緣長度)之情況尤其具有優點，因為於此情況藉由第一接觸區以接觸格(contact grid)之形式配置可能有充分的電流分佈。
於第二種變化中，該晶片具有含中央穿孔(perforation)之半導體主體，其中配置有該第一接觸區。此實施例尤其適合相對小的晶片(該晶片較佳地具有最高達約400μm之邊緣長度)。
依照一個較佳實施例，該晶片為薄膜發光二極體晶片。薄膜發光二極體晶片以具有下列特徵之其中至少一者而著稱：－敷設或形成於輻射產生磊晶層序列(radiation generating epitaxial layer sequence)之第一主區域(面朝向載體元件)之反射層，該反射層將該磊晶層序列中所產生之至少一部分的電磁輻射反射回該磊晶層序列；－該磊晶層序列之厚度在20μm或更小之範圍內，尤其在1μm至2μm之範圍內；以及－該磊晶層序列含有至少一個半導體層，該半導體層具有至少一個區域，該區域具有混合結構(intermixing structure)，該混合結構理想地導致該磊晶層序列中光之近乎各態經歷之分佈(ergodic distribution)，也就是說其 具有盡可能的各態經歷性隨機(stochastic)散射行為。
薄膜發光二極體晶片之基本原理係描述於例如由I.Schnitzer等人於1993年10月18日刊出之應用物理文獻(Appl.Phys.Lett.)63(16)第2174至2176頁，該文獻揭露之內容關於本文藉此併入作為參考。
薄膜發光二極體晶片為優良的近乎郎伯表面發射器(Lambertian surface emitter)，並因此尤其滿意地適合應用於頭燈(head light)。
該半導體主體能夠具有數個基於磷化物化合物半導體的層。
於此說明中，“基於磷化物化合物半導體”意味著以此方式指定之成分或成分之一部分較佳包括Aln Gam In1－n－m P，其中0≦n≦1，0≦m≦1，且n＋m≦1。於此情況，此材料不須必然地具有根據上述公式之數學上精確的組成物。反而是，其能夠具有一個或多個摻雜劑和額外的成分，該成分本質上不改變該材料之物理性質。然而，為了簡化之目的，上述公式僅包括晶格(Al、Ga、In、P)之本質成分，即使這些本質成分地能由小數量之其他物質所取代。
或者，該半導體主體能夠具有數個基於氮化物化合物半導體的層。於本說明中，“基於氮化物化合物半導體”意味著主動磊晶層序列或至少其中一層包括氮化物III－V化合物半導體材料，較佳地為Aln Gam In1－n－m N，其中0≦n≦1，0≦m≦1，且n＋m≦1。於此情況，此材料不須必然地具有根據上述公式之數學上精確的組成物。反而是，其 能夠具有一個或多個摻雜劑和額外的成分，該成分本質上不改變Aln Gam In1－n－m N材料之特徵物理性質。然而，為了簡化之目的，上述公式僅包括晶格(Al、Ga、In、N)之本質成分，即使這些本質成分部分地能由小數量之其他物質所取代。
該薄膜發光二極體晶片之磊晶層序列能夠具有小於1μm之厚度，尤其是當使用基於氮化物化合物半導體之材料時。
有利的情況是，說明於本例子之晶片中，該半導體主體中不需要電流分佈層。此是因為藉由該第一接觸層可能有足夠的電流分佈。因此，該磊晶層序列能夠具有至多2μm之厚度。
由於配置在該輻射出口側之半導體主體之表面具有向外耦接元件(coupling－out element)的事實，因此能夠獲得該晶片之輻射強度之進一步改進。藉由例示之方式，該表面能被粗糙化或具有微稜鏡或光子晶體(photonic crystal)。
下列根據相關第1至5圖之五個範例實施例來更詳細說明本發明。
第1圖顯示晶片100之剖面示意圖，其中，該剖面係行進平行於晶片100之側區域。晶片100包括規則地配置於載體6上之分離之半導體主體4。半導體主體4較佳形成矩陣圖案(pattern)，該矩陣圖案在此情況係包括三個列(row)和三個行(column)。細分成複數個半導體主體尤其適 合於具有較佳大於約400 μm之邊緣長度之相對大晶片之情況。此是因為於此組構中藉由複數個第一接觸區5之方式而在晶片100中可能有較佳的同質電流分佈(homogeneous current distribution)。
各半導體主體4配置在二個第一接觸區5之間。尤其是，第一接觸區5為以線性方式沿著在配置有半導體主體4之行和列延伸之接觸指。因此，第一接觸區5形成接觸格而提供晶片100中有利的電流分佈。第一接觸區5較佳以金屬之方式形成，其中具有有利的導電率和有利的反射率之金屬，例如金(Au)，是合適的。並靠於(alongside)電性供應，第一接觸區5適合用於照射輻射之反射。尤其是，該照射輻射係朝主輻射方向被反射，該主輻射方向於第1圖中係由箭號所表示。此可藉由第一接觸區5之傾斜行進的側區域而達成。如第1圖中所顯示，第一接觸區5之剖面形狀可以是梯形。
半導體主體4和第一接觸區5係嵌入第一接觸層1中。第一接觸層1為具導電性的並可傳導由半導體主體4之主動區所發出的輻射。適用於第一接觸層1之材料例如為TCO。因為第一接觸層1完全覆蓋半導體主體4位於晶片100之輻射出口側10之表面9，而且，沒有吸收輻射之接觸結構位於表面9上，因此半導體主體4係電性連接但沒有遮蔽表面9。雖然半導體主體4之側區域為第一接觸層1所覆蓋，但是不須害怕短路，因為對於半導體主體4之操作充分缺乏橫向接觸(lateral contact)。
第一接觸區5配置在絕緣層8上，絕緣層8電性絕緣第一接觸區5與第二接觸區3。再者，第一接觸層1藉由絕緣層8而與第二接觸層2電性絕緣。絕緣層8含有例如氮化矽或氧化矽，並且於本範例實施例中，絕緣層8係建構成使半導體主體4與第二接觸區3之間的區本質上沒有絕緣層8。第二接觸層2配置在該等區中，半導體主體4藉由該第二接觸層而電性和機械地連接至第二接觸區3。較佳地，第二接觸層2能傳導由半導體主體4所產生的輻射，且尤其較佳地含有TCO。以此種性質，接觸層2連同第二接觸區3特別形成鏡子，而使得照射輻射以高的機率朝該主發出方向反射。
第二接觸區3完全覆蓋載體6面對半導體主體4之表面。較佳地，第二接觸區3含有金屬或金屬化合物，例如Au、Al、Ag或AnZn。
於所例示的情況中，晶片100能藉由後側接觸(rear side contact)7而電性連接。於此種情況，載體6含有導電性材料，例如金屬或半導體。
半導體主體4為薄膜半導體主體，於該薄膜半導體主體中已從少數餘留物完全剝除掉或分離生長基板。結果，半導體主體4具有輻射發出區，並亦有n導電和p導電被覆層(cladding layer)，該n導電和p導電被覆層為磊晶層序列12之一部份或形成磊晶層序列12。磊晶層序列12之厚度至多為2 μm，其中能保持該厚度如此小是因為，由於第一接觸層1，而於半導體主體4中不需要電流散佈層 (current spreading layer)。
於例示於第2圖中晶片100之情況，半導體主體4係嵌入於TCO中。共同包圍半導體主體4之第一接觸層1和第二接觸層2係藉由絕緣層8而彼此電性絕緣。
於此範例實施例中，半導體主體4之側區域並未被接觸層1所覆蓋，而是被絕緣層8所覆蓋。結果，有利地中斷橫向接觸。
半導體主體4係配置於不導電之載體6上。以例舉說明之方式，載體6能夠含有具有比較高的導熱率之陶瓷材料以用於冷卻晶片100。於該載體側，電性連接不是由後側接觸之方式所實現，而是較佳地由導電性接觸指之方式所實現，該導電性接觸指係配置在與第二接觸區3相同的平面，並與第二接觸區3電性連接。
個別銲接線能夠銲接至第一接觸區5和連接到第二接觸區3之接觸指，其中，該銲接線連接到電源供應器之不同的極。
雖然於第1和2圖中之範例實施例中第二接觸區3為敷設於載體6之表面之均勻厚度之層，但是例示於第3圖中晶片100之第二接觸區3具有凹部(depression)與凸部(elevation)。該凸部之側區域傾斜地行進，同時亦形成該凹部的側區域。尤其是，該凸部具有微稜鏡之形狀，此有利地改進輻射之向外耦合。半導體主體4結合入該凹部內，其中，半導體主體4和第二接觸區3之間的直接接觸由絕緣層8所阻止。絕緣層8覆蓋該凸部並留下凹部之底 部未覆蓋。由半導體主體4和第二接觸區3之間所造成之凹穴(cavity)由第二接觸層2所填滿(fill)。
第一接觸區5係朝垂直方向設置於該凸部之下游。第一接觸區5嵌入於第一接觸層1中，其中，第一接觸層1為朝外界定晶片100之層。
於第4圖所例示之範例實施例之情況，第二接觸區3和第二接觸層2二者為未構造之層(unstructured layer)。對比於第1至3圖中所例示之範例實施例，因此，由第二接觸區3和第二接觸層2所形成之鏡子同樣未構造的。於此組構中，有利地減少生產成本，因為排除了構造步驟。
半導體主體4係配置於具均勻厚度之第二接觸層2上。絕緣層8覆蓋第二接觸層2和半導體主體4，並且僅於表面9處中斷，而使得表面9能夠幾乎完全由第一接觸層1所覆蓋。於存在於半導體主體4之間之溝槽中以及同樣於邊緣處，第一接觸區5係敷設到第一接觸層1。雖然於此範例實施例中第一接觸層1不形成覆蓋層，但是晶片100於輻射出口側10上仍然不具有突出元件。此可以藉由使第一接觸區5下沈入該溝槽中而達成。
第5圖顯示不同於第1至4圖中所示範例實施例之晶片100由於其尺寸而形成之變化。此設計適合於相對小之晶片，尤其是具有邊緣長度小於400μm者。晶片100包括具有穿孔11之整合型半導體主體4。穿孔11有利地配置於中心部位，藉由配置在穿孔11中之第一接觸區5而使得半導體主體4之等向供能(isotropic energization)為可 能。以與如前面範例實施例相同的方式，沒有可適用於發出輻射之半導體層係位於第一接觸區5之下方，使得第一接觸區5不配置在晶片100之主光束路徑，而結果沒有遮蔽發生。再者，不須擔心由第一接觸區5所造成之明顯的輻射減少，因為藉由接觸區5，照射光束會朝主發出方向折射(deflect)、或者反射回到半導體主體4中(由該處光束能夠再一次耦合向外)。
由絕緣層8作為穿孔11之襯裏，其中，絕緣層8盡可能延伸到半導體主體4之表面9。然而，表面9之大部分由第一接觸層1覆蓋。再者，第一接觸層1覆蓋絕緣層8並包覆第一接觸區5之下部分。
本發明不受根據範例實施例所作的說明之限制。反而是，本發明包括任何新的特徵且也包括該等特徵之組合，尤其包括申請專利範圍中特徵之任何組合一即使此特徵或此組合本身不明確地特定於本申請專利範圍或範例實施例中。
1‧‧‧第一接觸層
2‧‧‧第二接觸層
3‧‧‧第二接觸區
4‧‧‧半導體主體
5‧‧‧第一接觸區
6‧‧‧載體
7‧‧‧後側接觸
8‧‧‧絕緣層
9‧‧‧表面
10‧‧‧輻射出口側
11‧‧‧穿孔
12‧‧‧磊晶層序列
100‧‧‧晶片
第1圖顯示依照本發明之晶片之第一範例實施例之剖面示意圖；第2圖顯示依照本發明之晶片之第二範例實施例之剖面示意圖；第3圖顯示依照本發明之晶片之第三範例實施例之剖面示意圖；第4圖顯示依照本發明之晶片之第四範例實施例之剖 面示意圖；以及第5圖顯示依照本發明之晶片之第五範例實施例之剖面示意圖。
於各圖中相同之或相同動作之元件設有相同的元件符號。
1‧‧‧第一接觸層
2‧‧‧第二接觸層
3‧‧‧第二接觸區
4‧‧‧半導體主體
5‧‧‧第一接觸區
6‧‧‧載體
7‧‧‧後側接觸
8‧‧‧絕緣層
9‧‧‧表面
10‧‧‧輻射出口側
100‧‧‧晶片

Claims (20)

  1. 一種晶片(100)，包括：至少一個具有輻射發出區之半導體主體(4)；至少一個第一接觸區(5)，設置用來與該半導體主體(4)電性接觸並與該輻射發出區橫向地間隔開；以及導電性第一接觸層(1)，該導電性第一接觸層(1)能夠傳導所發出的輻射並且將該半導體主體(4)位於該晶片(100)之輻射出口側(10)之表面(9)連接至該第一接觸區(5)，其中，該表面(9)沒有輻射吸收接觸結構；該晶片(100)具有第二接觸層(2)，該第二接觸層(2)連接該半導體主體(4)至第二接觸區(3)以與該半導體主體(4)電性連接；該第一接觸區(5)和該半導體主體(4)係配置在共同載體上(6)；該第二接觸區(3)係敷設於該載體(6)；以及該第一接觸區(5)係朝從該載體(6)行進的垂直方向配置在該第二接觸區(3)之下游。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，於該輻射出口側(10)上之該第一接觸層(1)沒有該輻射吸收接觸結構。
  3. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該第一接觸區(5)與該輻射發出區在空間上係分隔開的。
  4. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該表面(9)係由該第一接觸層(1)覆蓋大部分。
  5. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該第一接觸層(1)朝主發出方向形成向外界定該晶片(100)之層。
  6. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該第一接觸層(5)含有TCO。
  7. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該第一接觸區(5)為銲接墊或接觸指。
  8. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該第一接觸區(5)係以金屬之方式形成。
  9. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該第二接觸區(3)係以金屬之方式形成。
  10. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該第二接觸區(3)為反射層。
  11. 如申請專利範圍第10項之晶片(100)，其中，該第二接觸層(2)係配置於該半導體主體(4)與該第二接觸區(3)之間，並連同該第二接觸區(3)形成鏡子。
  12. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該第二接觸層(2)可傳導該發出的輻射。
  13. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該第二接觸層(2)含有TCO。
  14. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，絕緣層(8)係配置於該第一接觸區(5)與該第二接觸區(3)之間。
  15. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中， 該晶片(100)具有第一和第二半導體主體(4)，該第一和第二半導體主體(4)係橫向地間隔開並於其間配置有第一接觸區(5)。
  16. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該晶片(100)具有具中央穿孔(11)之半導體主體(4)，於該中央穿孔(11)中配置有該第一接觸區(5)。
  17. 如申請專利範圍第1項之晶片(100)，其中，該晶片(100)為薄膜發光二極體晶片。
  18. 如申請專利範圍第17項之晶片(100)，其中，該薄膜發光二極體晶片之磊晶層序列(12)具有至多2μm之厚度，較佳為1μm之厚度。
  19. 一種晶片(100)，包括：至少一個具有輻射發出區之半導體主體(4)；至少一個第一接觸區(5)，設置用來與該半導體主體(4)電性接觸並與該輻射發出區橫向地間隔開；以及導電性第一接觸層(1)，該導電性第一接觸層(1)能夠傳導所發出的輻射並且將該半導體主體(4)位於該晶片(100)之輻射出口側(10)之表面(9)連接至該第一接觸區(5)，其中，該表面(9)沒有輻射吸收接觸結構；該晶片(100)具有第二接觸層(2)，該第二接觸層(2)連接該半導體主體(4)至第二接觸區(3)以與該半導體主體(4)電性連接；以及該第二接觸層(2)含有TCO。
  20. 一種晶片(100)，包括：至少一個具有輻射發出區之半 導體主體(4)；至少一個第一接觸區(5)，設置用來與該半導體主體(4)電性接觸並與該輻射發出區橫向地間隔開；以及導電性第一接觸層(1)，該導電性第一接觸層(1)能夠傳導所發出的輻射並且將該半導體主體(4)位於該晶片(100)之輻射出口側(10)之表面(9)連接至該第一接觸區(5)，其中，該表面(9)沒有輻射吸收接觸結構；該晶片(100)具有第二接觸層(2)，該第二接觸層(2)連接該半導體主體(4)至第二接觸區(3)以與該半導體主體(4)電性連接；以及該第二接觸區(3)係以金屬之方式形成以作為反射層，且該第二接觸層(2)可傳導該發出的輻射。
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