JP2012521644A5

JP2012521644A5 -

Info

Publication number: JP2012521644A5
Application number: JP2012501239A
Authority: JP
Filing date: 2010-03-15
Publication date: 2013-04-18

Claims

発光ダイオードであって、
− 電気的に接触接続されている少なくとも１つの活性領域（１１）を備えている第１の半導体ボディ（１０）であって、前記発光ダイオードの動作時に前記活性領域（１１）において第１の波長域の電磁放射（１１０）が生成される、前記第１の半導体ボディ（１０）と、
− 前記第１の半導体ボディ（１０）の上面（１０ａ）において前記第１の半導体ボディ（１０）に固定されている第２の半導体ボディ（２０）であって、多重量子井戸構造（２１３）を有する再放出領域（２１）を有し、前記発光ダイオードの動作時に前記再放出領域（２１）において前記第１の波長域の電磁放射（１１０）が吸収されて第２の波長域の電磁放射（２２０）が再放出される、前記第２の半導体ボディ（２０）と、
− 前記第１の半導体ボディ（１０）と前記第２の半導体ボディ（２０）との間に配置されている結合材料（３０）であって、前記第１の半導体ボディ（１０）および前記第２の半導体ボディ（２０）を互いに機械的に結合している、前記結合材料（３０）と、
を備えており、
− 前記第１の半導体ボディ（１０）が、前記第２の半導体ボディ（２０）に面している自身の上面（１０ａ）に多数の光取出し構造（１４）を有し、
− 前記結合材料（３０）が、前記光取出し構造（１４）を、それらの露出している外側領域において囲んでおり、
− 前記光取出し構造（２４）が、前記第１の半導体ボディ（１０）の材料および前記第２の半導体ボディ（２０）の材料のいずれとも異なる材料から形成されている、
発光ダイオード。
前記結合材料（３０）が電気絶縁性である、
請求項１に記載の発光ダイオード。
前記結合材料（３０）がシリコーンである、またはシリコーンを含んでいる、
請求項２に記載の発光ダイオード。
前記光取出し構造（２４）が、前記第１の半導体ボディ（１０）の上面における角錐形状の突出部または角錐台形状の突出部である、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光ダイオード。
前記第１の半導体ボディ（１０）はＩｎＧａＮ材料系をベースとしており、
前記第２の半導体ボディ（２０）はＩｎＧａＮ材料系またはＩｎＧａＡｌＰ材料系をベースとしており、
前記光取出し構造（１４，２４）の前記材料が、以下の物質、
ＴｉＯ２、ＺｎＳ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｔａ２Ｏ５、
のうちの１種類を含んでいる、または１種類からなる、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光ダイオード。
前記光取出し構造（１４）が、前記第１の半導体ボディ（１０）の屈折率との差異が３０％以内の屈折率を有する材料からなる、
請求項４または請求項５に記載の発光ダイオード。
前記第２の半導体ボディ（２０）が、前記第１の半導体ボディ（１０）とは反対側の自身の上面（２０ａ）、もしくは、前記第１の半導体ボディに面している自身の下面（２０ｂ）、またはその両方に、多数の前記光取出し構造（２４）を有する、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオード。
前記光取出し構造（２４）が、前記第２の半導体ボディ（２０）の屈折率との差異が３０％以内の屈折率を有する材料からなる、
請求項７に記載の発光ダイオード。
前記結合材料（３０）は、前記光取出し構造（２４）が前記第２の半導体ボディ（２０）に接触しないように前記光取出し構造（１４）をそれらの露出している外側領域において完全に囲んでいる、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光ダイオード。
前記光取出し構造（１４，２４）の前記材料が、以下の物質、
ＴｉＯ２、ＺｎＳ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｔａ２Ｏ５、
のうちの１種類を含んでいる、または１種類からなる、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の発光ダイオード。
前記第２の半導体ボディ（２０）とは反対側の前記第１の半導体ボディ（１０）の下面（１０ｂ）に、ミラー層（４０）が固定されている
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の発光ダイオード。
前記第１の波長域が、紫外線放射もしくは青色光またはその両方の波長域の電磁放射を備えている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の発光ダイオード。
前記第２の波長域が、緑色光の波長域の電磁放射を備えている、
請求項１２に記載の発光ダイオード。
前記再放出領域の前記多重量子井戸構造（２１３）が、少なくとも２０層の量子井戸層（２１１）を有する、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の発光ダイオード。