JP2009111339A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 第１の基板上に形成され、相対的に短波長の光を放出する発光セルの第１の直列アレイと、
   第２の基板上に形成され、相対的に長波長の光を放出する発光セルの第２の直列アレイと、を備え、
   前記第１及び第２の直列アレイは、互いに連結されて動作することを特徴とする発光ダイオードパッケージ。
2. 前記第１の直列アレイから放出された光の少なくとも一部を波長変換させる蛍光体をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
3. 前記第１の直列アレイ内の発光セルは、青色光を放出し、
   前記第２の直列アレイ内の発光セルは、赤色光を放出し、
   前記蛍光体は、青色光を緑色光に波長変換させることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ。
4. 前記第１及び第２の直列アレイを覆うモールディング部をさらに備え、
   前記モールディング部は、拡散剤を含有することを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードパッケージ。
5. 前記第１の直列アレイ内の発光セルは、青色光を放出し、
   前記第２の直列アレイ内の発光セルは、緑色光を放出し、
   前記蛍光体は、青色光を赤色光に波長変換させることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ。
6. 前記第１及び第２の直列アレイを覆うモールディング部をさらに備え、
   前記モールディング部は、拡散剤を含有することを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオードパッケージ。
7. 前記第１の直列アレイ内の発光セルは、それぞれ第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された第１の活性層を有し、
   前記第２の直列アレイ内の発光セルは、それぞれ第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された第２の活性層を有し、
   前記第１の活性層は、ＡｌＩｎＧａＮ系化合物で形成され、前記第２の活性層は、ＡｌＩｎＧａＰ系化合物で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
8. 前記第１及び第２の直列アレイは、互いに逆並列で連結されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
9. 前記第１及び第２の直列アレイを覆うモールディング部をさらに備え、
   前記モールディング部は、蛍光体を含有することを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードパッケージ。
10. 前記第１及び第２の直列アレイを覆うモールディング部をさらに備え、
    前記モールディング部は、蛍光体を含有することを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオードパッケージ。
11. 前記第１及び第２の直列アレイ内の発光セルは、リード電極に電気的に連結されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
12. 前記第１及び第２の直列アレイ内の発光セルは、ボンディングワイヤによりまたはフリップボンディングにより前記リード電極に電気的に連結されていることを特徴とする請求項１１に記載の発光ダイオードパッケージ。
13. 前記第１及び第２の直列アレイの両端部に、ボンディングパッドが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケ ージ。