JP2013232577A5 - - Google Patents
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このため、図９に示すように、電界緩和領域ＥＲでは、コンデンサＣ１Ｖに加えて、フローティングシリコン層（電極）２１、絶縁膜（誘電体）１７およびポリシリコン膜（電極）２２ｃによるコンデンサＣ２Ｖと、ポリシリコン膜（電極）２２ｃ、絶縁膜（誘電体）１７およびコレクタ電極（電極）１８によるコンデンサＣ３Ｖとが直列に接続された構造になる。
このため、図１１に示すように、電界緩和領域ＥＲでは、コンデンサＣ１Ｖに加えて、フローティングシリコン層（電極）２１、絶縁膜（誘電体）２３およびポリシリコン膜（電極）２２ｄによるコンデンサＣ２Ｖと、ポリシリコン膜（電極）２２ｄ、絶縁膜（誘電体）２３，１７およびポリシリコン膜（電極）２２ｃによるコンデンサＣ３Ｖと、ポリシリコン膜（電極）２２ｃ、絶縁膜（誘電体）１７およびコレクタ電極（電極）１８によるコンデンサＣ４Ｖとが直列に接続された構造になる。
この場合には、図７について説明したのと同様に、高電圧が印加されるエミッタ電極４８（Ｎ-半導体層３ａ）とフローティングシリコン層２１との電圧が、コンデンサＣ１Ｈによる電圧降下と、コンデンサＣ２Ｈによる電圧降下と、コンデンサＣ３Ｈによる電圧降下と、コンデンサＣ４Ｈによる電圧降下とに分割されることになる。その結果、半導体装置ＳＤにおいて、特に、横方向の電界が緩和されることになる。しかも、半導体素子を電気的に分離するためのトレンチ分離構造を形成する際に同時に形成することで、工程数を増やすことなく電界緩和領域ＥＲを形成することができる。
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