JP2013222893A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、抵抗率に変化が生じうる工程を経た半導体基板の所定の領域にイオン照射を行い、該所定の領域に周囲より抵抗率の高い高抵抗層を形成する高抵抗層形成工程(S14)を有する。これにより、例えば、高抵抗層形成工程より以前の処理によって抵抗率が変化していたとしても、所定の領域に精度よく高抵抗層を形成することができる。
【選択図】図7
Description
はじめに、半導体基板にイオン照射を行うイオン照射システムについて説明する。図1は、イオン照射システムの概略構成を模式的に示した図である。イオン照射システム10は、加速器12と、半導体ウェハを保持し搬送するウェハ搬送装置14と、加速器12から出射されたイオンビームをウェハ搬送装置14まで導くビーム輸送ダクト16と、を備える。
Claims (6)
- 抵抗率に変化が生じうる工程を経た半導体基板の所定の領域にイオン照射を行い、該所定の領域に周囲より抵抗率の高い高抵抗層を形成する高抵抗層形成工程を有する半導体装置の製造方法。
- 前記イオン照射を100MeV以下の加速エネルギーで行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記イオン照射に用いられるイオン種は、H、He、B、C、N、O、Ne、Si、Ar、Kr、Xeからなる群より選択される少なくとも1種の原子がイオン化されたものであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板として、Si、SiC、GaNからなる群より選択される結晶基板を用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高抵抗層形成工程より前に、半導体基板への熱処理を伴う素子形成工程または回路形成工程を更に含む請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高抵抗層形成工程より後に、抵抗率の変化が実質的に生じない後工程を更に含む請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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