JP6425633B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Claims (11)
- 主面に不純物拡散層が形成される第1領域と、前記主面に前記不純物拡散層よりも抵抗率の高い高抵抗層が形成される第2領域とを有する半導体基板と、
前記主面上に形成され、少なくとも一層の層間絶縁膜を含む下部配線層と、
前記下部配線層上に形成され、少なくとも一層の層間絶縁膜を含む上部配線層と、
前記第2領域の上の前記上部配線層に形成され、前記下部配線層の厚さよりも配線幅の大きいインダクタ素子と、を備え、
前記高抵抗層は、前記半導体基板へのイオン照射により形成されることを特徴とする半導体装置。 - 前記高抵抗層の厚さは、前記配線層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記インダクタ素子は、前記インダクタ素子のQ値が最大となる周波数が前記インダクタ素子の自己共振周波数の0.5〜0.7倍となることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記インダクタ素子の配線幅は、100Ω・cm以下の低抵抗基板上にインダクタ素子を形成する場合に最適化される配線幅よりも大きいことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 主面に不純物拡散層が形成される第1領域と、前記主面において前記第1領域と異なる第2領域とを有する半導体基板を用意することと、
前記主面上に少なくとも一層の層間絶縁膜を含む下部配線層を形成することと、
前記下部配線層上に少なくとも一層の層間絶縁膜を含む上部配線層を形成することと、
前記第2領域の上の前記上部配線層に前記下部配線層の厚さよりも配線幅の大きいインダクタ素子を形成することと、
前記第2領域にイオン照射して前記半導体基板中にイオン照射前よりも抵抗率の高い高抵抗層を形成することと、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記高抵抗層を形成することは、前記主面側から前記半導体基板へ向けてイオン照射することを含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高抵抗層を形成することは、前記主面側から前記半導体基板へ向けて加速エネルギーを変えて複数回イオン照射することを含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高抵抗層を形成することは、前記主面の反対側にある前記半導体基板の裏面側からイオン照射することをさらに含むことを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高抵抗層を形成することは、前記インダクタ素子を形成した後に前記上部配線層の上からイオン照射することを含むことを特徴とする請求項5から8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高抵抗層を形成した後に、前記半導体基板への熱処理を行うことをさらに備えることを特徴とする請求項5から9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板は、チョクラルスキー(CZ)法により形成されるp型基板を用いて形成されることを特徴とする請求項5から10のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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