JP2013222886A - 半導体モジュール - Google Patents
半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013222886A JP2013222886A JP2012094680A JP2012094680A JP2013222886A JP 2013222886 A JP2013222886 A JP 2013222886A JP 2012094680 A JP2012094680 A JP 2012094680A JP 2012094680 A JP2012094680 A JP 2012094680A JP 2013222886 A JP2013222886 A JP 2013222886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- notch
- bonded
- semiconductor module
- conductors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態によれば、半導体モジュールは、インバータの1つの相の少なくとも1つのアームを構成する1つあるいは複数の半導体素子と、半導体素子の正極側電極に接合した接合面2cと、この接合面と対向する外側面2dと、接合面および外側面と交差する底面2aおよび上面2bと、を有する第1導体2と、前記半導体素子の負極側電極に接合した接合面3cと、この接合面と対向する外側面3dと、接合面および外側面と交差する底面3aおよび上面3bと、を有する第2導体3と、記第1および第2導体の底面に絶縁樹脂シート4を介して接着された冷却器5と、を備え、第1および第2導体は、少なくとも外側面に設けられ底面の近傍に位置する切欠き6を有している。
【選択図】図1
Description
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る半導体モジュールを示す斜視図、図2は、図1の線A−Aに沿った半導体モジュールの断面図である。
図1および図2に示すように、半導体モジュール10は、例えば、3相インバータのある1相の1アームに適用される半導体モジュールとして構成されている。半導体モジュール10は、1アームを構成する1つあるいは複数の半導体素子、ここでは、並列に接続されたIGBT1aおよびダイオード1bと、それぞれ銅、アルミニウム等の導電性金属により形成された第1導体2および第2導体3と、冷却器を構成する放熱板5と、第1および第2導体と放熱板との間に配置された絶縁樹脂シート4と、を備えている。
半導体モジュール10は、図示しない樹脂製パッケージ内に収納される。
図5は、第2の実施形態に係る半導体モジュール10を示す斜視図である。この図に示すように、第1導体2および第2導体3は、スリット状の切欠き6を有し、この切欠き6は、第1の実施形態と同様に、各導体の外側面2d、3dの下部に加えて、導体の両端面2e、3eの下部に連続して形成されている。このように切欠き6を導体の3面、3方向に設けることにより、導体の両側面と冷却面(底面)とが交わる縁に局所的な応力が生じた際の圧迫を緩和することが出来る。
図6は、第3の実施形態に係る半導体モジュール10の断面図である。本実施形態において、第1導体2および第2導体3に形成された切欠き6は、その断面形状が多角式の多段形状、例えば、台形となっている。このような多段形状の切欠き6とした場合、切欠き6の底側の2つの角6a、6bを支点に導体の応力が分散される。すなわち、この2点6a、6bを支点にひずみが生じるため、導体に作用する応力が2か所に分散される。その結果、第1、第2導体2、3から絶縁樹脂シート4に作用する応力をより緩和することができる。
図7は、第4の実施形態に係る半導体モジュール10の断面図である。本実施形態においては、第1導体2および第2導体3は、外側面2d、3dの底面2a、3a側の下端部を外側に突出させ、底面に連続する突出部を有している。すなわち、各導体2、3の底面2a、3aは、外側面2d、3d側に延長し、外側面を越えて外側に延出している。この突出部により、外側面2d、3dから底面2a、3aにかけて外側に湾曲する極率半径Rが0.5程度の逆R形状の曲面6aあるいはフィレット形状を形成している。
図9は、第5の実施形態に係る半導体モジュール10を示す斜視図である。本実施形態においては、前述した第1の実施形態で設けられた導体の全長に亘って延びる切欠き6の代わりに、第1、第2導体2、3の外側面2d、3dと両端面2e、3eとが交わる角部、つまり、導体の外側の2つの角部、のみに切欠き6が設けられている。各切欠き6の高さ位置、深さ、幅等は、第1の実施形態における切欠き6と同様に形成されている。
図10は、第6の実施形態に係る半導体モジュール10を示す斜視図である。本実施形態においては、前述した第5の実施形態と同様に、第1、第2導体2、3の外側面2d、3dと両端面2e、3eとが交わる角部、つまり、導体の外側の2つの角部、に例えば直方体形状の切欠き6をそれぞれ設け、更に、各切欠き6にスペーサ7を挿入している。スペーサ7は、切欠き6の形状、寸法とほぼ等しい形状、寸法を有し、耐熱性、耐久性、柔軟性を持つシリコーン等により形成されている。
3…第2導体、2a、3a…底面、2b、3b…上面、2c、3c…接合面、
2d、3d…外側面、4…絶縁樹脂シート、5…放熱板、6…切欠き、7…スペーサ、
10…半導体モジュール、
Claims (9)
- インバータの1つの相の少なくとも1アームを構成する1つあるいは複数の半導体素子と、
前記半導体素子の正極側電極に接合した接合面と、この接合面と対向する外側面と、前記接合面および外側面と交差する底面および上面と、を有する第1導体と、
前記半導体素子の負極側電極に接合した接合面と、この接合面と対向する外側面と、前記接合面および外側面と交差する底面および上面と、を有する第2導体と、
前記第1および第2導体の底面に絶縁樹脂シートを介して接着された冷却器と、を備え、
前記第1および第2導体は、少なくとも前記外側面に設けられ前記底面の近傍に位置する切欠きを有している半導体モジュール。 - 前記切欠きは、前記外側面の全長に亘って延びるスリット状の切欠きを含んでいる請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記切欠きは、前記第1および第2導体の上面および底面を除く複数の面に形成され、前記底面の近傍に位置している請求項2に記載の半導体モジュール。
- 前記切欠きは、多段形状の断面形状を有する請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記切欠きは、前記第1および第2導体の前記外側面と両端面とが交わる外側角部に設けられている請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記切欠きに挿入され、この切欠きの空間を埋める、耐熱性および柔軟性を有するスペーサを備えている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- インバータの1つの相の少なくとも1アームを構成する1つあるいは複数の半導体素子と、
前記半導体素子の正極側電極に接合した接合面と、この接合面と対向する外側面と、前記接合面および外側面と交差する底面および上面と、を有する第1導体と、
前記半導体素子の負極側電極に接合した接合面と、この接合面と対向する外側面と、前記接合面および外側面と交差する底面および上面と、を有する第2導体と、
前記第1および第2導体の底面に絶縁樹脂シートを介して接着された冷却器と、を備え、
前記第1導体および第2導体は、前記外側面の前記底面側の下端部から外側に突出し、前記底面に連続する突出部を有している半導体モジュール。 - 前記突出部は、前記外側面から前記底面にかけて外側に湾曲する曲面あるいはフィレット形状を形成している請求項7に記載の半導体モジュール。
- 前記突出部は、フランジ状の段差を形成している請求項7に記載の半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012094680A JP5959285B2 (ja) | 2012-04-18 | 2012-04-18 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012094680A JP5959285B2 (ja) | 2012-04-18 | 2012-04-18 | 半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013222886A true JP2013222886A (ja) | 2013-10-28 |
JP5959285B2 JP5959285B2 (ja) | 2016-08-02 |
Family
ID=49593640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012094680A Expired - Fee Related JP5959285B2 (ja) | 2012-04-18 | 2012-04-18 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5959285B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019021785A (ja) * | 2017-07-18 | 2019-02-07 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
JP7380092B2 (ja) | 2019-11-05 | 2023-11-15 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59110146A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-26 | Toshiba Corp | パツケ−ジ形モジユ−ルの外部引出し端子 |
JP2002076197A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Toshiba Corp | 半導体装置用基板及び半導体装置 |
JP2003258166A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-12 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2007059860A (ja) * | 2004-11-30 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ及び半導体モジュール |
JP2007165588A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Omron Corp | パワーモジュール構造及びこれを用いたソリッドステートリレー |
JP2007294621A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Sharp Corp | Led照明装置 |
JP2008135511A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
WO2008078788A1 (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Kyocera Corporation | 放熱基板およびこれを用いた電子装置 |
JP2009021445A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Toshiba Corp | インバータ装置 |
JP2010219569A (ja) * | 2010-07-09 | 2010-09-30 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012004543A (ja) * | 2010-05-17 | 2012-01-05 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体ユニットおよびそれを用いた半導体装置 |
JP2012054513A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ |
JP2012099540A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法、電子装置 |
JP2013080755A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Toshiba Corp | 電力変換装置 |
-
2012
- 2012-04-18 JP JP2012094680A patent/JP5959285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59110146A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-26 | Toshiba Corp | パツケ−ジ形モジユ−ルの外部引出し端子 |
JP2002076197A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Toshiba Corp | 半導体装置用基板及び半導体装置 |
JP2003258166A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-12 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2007059860A (ja) * | 2004-11-30 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ及び半導体モジュール |
JP2007165588A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Omron Corp | パワーモジュール構造及びこれを用いたソリッドステートリレー |
JP2007294621A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Sharp Corp | Led照明装置 |
JP2008135511A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
WO2008078788A1 (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Kyocera Corporation | 放熱基板およびこれを用いた電子装置 |
JP2009021445A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Toshiba Corp | インバータ装置 |
JP2012004543A (ja) * | 2010-05-17 | 2012-01-05 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体ユニットおよびそれを用いた半導体装置 |
JP2010219569A (ja) * | 2010-07-09 | 2010-09-30 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012054513A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ |
JP2012099540A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法、電子装置 |
JP2013080755A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Toshiba Corp | 電力変換装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019021785A (ja) * | 2017-07-18 | 2019-02-07 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
JP7013698B2 (ja) | 2017-07-18 | 2022-02-01 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
JP7380092B2 (ja) | 2019-11-05 | 2023-11-15 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5959285B2 (ja) | 2016-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5924164B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9236316B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US10170433B2 (en) | Insulated circuit board, power module and power unit | |
WO2016185666A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017063136A (ja) | 半導体装置 | |
JP4531087B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP6391527B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JPWO2015198411A1 (ja) | パワーモジュール装置、電力変換装置およびパワーモジュール装置の製造方法 | |
JP5668707B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2015099846A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
WO2015162712A1 (ja) | 半導体モジュールおよびそれを用いた電力変換器 | |
JP5776707B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011018933A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5891616B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5959285B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2013125889A (ja) | 半導体装置 | |
US20150340297A1 (en) | Power semiconductor module | |
JP6299441B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5201170B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2015122453A (ja) | パワーモジュール | |
JP2009094164A (ja) | インバータ装置における電力用半導体素子 | |
JP2019047591A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2022162192A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた半導体モジュール | |
JP5724415B2 (ja) | 半導体モジュール | |
US20150179540A1 (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131205 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131212 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131219 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131226 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140109 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160621 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5959285 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |