JP4531087B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態1について図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態1におけるモールド樹脂封止型電力用半導体装置の構造を示しており、(a)は上面視による内部構造図、(b)は図1(a)中A−A線による断面図である。また、比較として、図11に従来の電力用半導体装置の構造例を示している。なお、図中、同一または相当部分には同一符号を付している。
図3は、本発明の実施の形態2におけるモールド樹脂封止型電力用半導体装置と冷却材の構造を示している。なお、図3中、図1と同一または相当部分には同一符号を付している。本実施の形態では、冷却材30としてフィンを設けた金属構造体33を適用し、電力用半導体装置1の冷却面9bとしてモールド樹脂8から露出している金属層92に、はんだ13との親和性が高い銅等の金属を用いて、金属層92の露出面にはんだ13により金属構造体33を接合したものである。
図4は、本発明の実施の形態3におけるモールド樹脂封止型電力用半導体装置と冷却材の構造を示している。なお、図4中、図1と同一または相当部分には同一符号を付している。本実施の形態では、電力用半導体装置1の冷却面9bとしてモールド樹脂8から露出している金属層92に耐腐食性の高い金属を用い、冷却材30として冷媒37を循環させ、電力用半導体装置1の冷却面9bに直接的に接触させて放熱する構成としたものである。
図5は、本発明の実施の形態4におけるモールド樹脂封止型電力用半導体装置と冷却材の構造を示す断面図、図6は本実施の形態における電力用半導体装置の冷却材を図5中の矢印k方向より見た内部構造図である。なお、図5及び図6中、図1と同一または相当部分には同一符号を付している。本実施の形態では、上記実施の形態3と同様に、電力用半導体装置1の冷却面としてモールド樹脂8から露出している金属層92に耐腐食性の高い金属を用い、冷却材30として冷媒37を循環させ、電力用半導体装置1の冷却面に直接的に接触させて放熱する構成において、金属層92の冷却面側を周期的な凹凸形状としたものである。なお、冷媒37及び冷媒流路については上記実施の形態3と同様であるため説明を省略する。
図7は、本発明の実施の形態5におけるモールド樹脂封止型電力用半導体装置を構成する半導体素子の電気回路構成を示す回路図であり、図8は本実施の形態における電力用半導体装置の上面視による内部構造図である。なお、図8中、A−A線による断面図は、図1(b)と同様であるので図示を省略する。また、図8中、図1と同一または相当部分には同一符号を付している。本実施の形態は、第一金属体3の上面3aに、複数の半導体素子21、22を接合し、電力用半導体装置1Aとして構成したものである。
図9は、本発明の実施の形態6におけるモールド樹脂封止型電力用半導体装置を構成する半導体素子の電気回路構成を示す回路図である。また、図10は、本実施の形態における電力用半導体装置の構造を示しており、(a)は上面視による内部構造図、(b)は図10(a)中A−A線による断面図である。なお、図10中、図1及び図8と同一または相当部分には同一符号を付している。
2 半導体素子、2a 上面、2b 底面、
3、3H、3L 第一金属体、3a 上面、3b 底面、
4、4H、4L 第二金属体、4a 上面、4b 底面、
5、5H、5L 第一電極フレーム、6、6H、6L 第二電極フレーム、
7 導電性接合部材、8 モールド樹脂、9 熱伝導層、9a 接合面、9b 冷却面、10 良熱伝導接合部材、11絶縁性良熱伝導接合部材、
12、12H、12L 熱伝導フレーム、13 はんだ、14 絶縁板、
21、21H、21L IGBT素子、
22、22H、22L ダイオード素子、
25、25H、25L 制御端子、26、26H、26L 制御電極、
27、27H、27L 線材、
30 冷却材、31 金属平板、32 サーマルグリース、33 金属構造体、
35 流路カバー、36 シール材、37 冷媒、
91 絶縁層、92 金属層、93 金属層凸部、94 溝部。
Claims (8)
- 相対向する上面と底面を有する電力用半導体素子と、
相対向する上面Aと底面A、及び前記上面Aと前記底面Aで挟まれた側面Aを有し、前記上面Aに導電性接合部材を介して前記電力用半導体素子の前記底面側が接合された第一金属体と、
相対向する上面Bと底面B、及び前記上面Bと前記底面Bで挟まれた側面Bを有し、前記底面Bが前記第一金属体の前記底面Aと同一平面上に配置され、前記側面Bの少なくとも一部が絶縁性接合部材を介して前記第一金属体の前記側面Aに接合された第二金属体と、
前記第一金属体の前記上面Aの周縁部に接合され前記電力用半導体素子の電流経路をなす第一電極フレームと、
前記電力用半導体素子の前記上面側に接合され前記電力用半導体素子の電流経路をなす第二電極フレームと、
一端を前記電力用半導体素子の前記上面側に、他端を前記第二金属体の前記上面Bに接合され、前記電力用半導体素子で発生した熱を前記第二金属体へ移送する熱伝導フレームと、
少なくとも、前記電力用半導体素子、前記第一金属体、前記第二金属体、前記第一電極フレームの一部、前記第二電極フレームの一部、及び前記熱伝導フレームを被覆するモールド樹脂を備えた電力用半導体装置であって、
前記第一金属体の前記底面A及び前記第二金属体の前記底面Bに平行で且つ近接する平面を冷却面とし、この冷却面を冷却材に当接させて前記電力用半導体素子で発生した熱を放熱するようにしたことを特徴とする電力用半導体装置。 - 請求項1記載の電力用半導体装置であって、前記第一金属体の前記底面A及び前記第二金属体の前記底面Bに接合され、少なくとも絶縁層を含む熱伝導層をさらに備え、前記熱伝導層の前記第一金属体の前記底面A及び前記第二金属体の前記底面Bとの接合面と対向する面を、前記冷却面としたことを特徴とする電力用半導体装置。
- 請求項2記載の電力用半導体装置であって、前記熱伝導層は、前記接合面側から前記冷却面側に向かって少なくとも絶縁層と金属層が積層された多層構造であり、前記金属層は前記冷却面として前記モールド樹脂から露出されていることを特徴とする電力用半導体装置。
- 請求項3記載の電力用半導体装置であって、前記金属層の前記冷却面側は周期的な凹凸形状となっており、この凹凸形状の表面に前記冷却材である冷媒を接触させるようにしたことを特徴とする電力用半導体装置。
- 請求項1記載の電力用半導体装置であって、前記熱伝導フレームは、平板状金属からなることを特徴とする電力用半導体装置。
- 請求項1記載の電力用半導体装置であって、前記絶縁性接合部材は、優れた熱伝導性を有する材料から選ばれ、前記第一金属体と前記第二金属体は、前記電力用半導体素子で発生した熱を内部で拡散し、相互に授受しながら、それぞれの前記上面A、B側から前記底面A、B側へ移送することを特徴とする電力用半導体装置。
- 請求項1記載の電力用半導体装置であって、前記第一金属体の前記上面Aには、複数の前記電力用半導体素子が接合されていることを特徴とする電力用半導体装置。
- 請求項1記載の電力用半導体装置であって、前記電力用半導体素子、前記第一金属体、前記第二金属体、前記第一電極フレーム、前記第二電極フレーム及び前記熱伝導フレームをそれぞれ複数備え、複数の前記第一金属体及び前記第二金属体それぞれの前記側面A、Bの一部を前記絶縁性接合部材を介して互いに接合し、前記モールド樹脂で一体に被覆したことを特徴とする電力用半導体装置。
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2603928B1 (en) * | 2010-07-16 | 2020-03-18 | Emblation Limited | Apparatus and method for thermal interfacing |
DE102010039728A1 (de) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung und elektrischen Schaltung |
JP5609473B2 (ja) * | 2010-09-17 | 2014-10-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP2013122993A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
WO2017130370A1 (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6849660B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2021-03-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7186645B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2022-12-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP7387059B2 (ja) | 2021-03-25 | 2023-11-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2024090193A1 (ja) * | 2022-10-24 | 2024-05-02 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05160304A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-06-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001352015A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-21 | Alps Electric Co Ltd | 半導体パッケージ |
JP2003168769A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JP2003258166A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-12 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2006261555A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 冷却構造体、ヒートシンクおよび発熱体の冷却方法 |
JP2007173680A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Denso Corp | 半導体装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05160304A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-06-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001352015A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-21 | Alps Electric Co Ltd | 半導体パッケージ |
JP2003168769A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JP2003258166A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-12 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2006261555A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 冷却構造体、ヒートシンクおよび発熱体の冷却方法 |
JP2007173680A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Denso Corp | 半導体装置 |
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