JP2013214739A5 - - Google Patents
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Description
次の半導体チップを金属箔4から剥離するために、金属箔4はダイエジェクタ1に対して移動させられ、その結果、剥離されるべき半導体チップ5は、カバープレート3の孔6の上方に位置する。さらに、すべてのプレート8がキャリア9に対して持ち上げられ、その結果、すべてのプレート8の支持エッジ19は、同一平面内に位置し、キャリア9は所定の位置z0に持って行かれ、この位置で、支持エッジ19は、カバープレート3の表面12と同一平面にある。この最初の位置で、金属箔4は、プレート8の支持エッジ19の上に載っている。半導体チップ5を金属箔4から剥離する方法は:
A)チャンバ2に真空を供給するステップであって、その結果、金属箔4はカバープレート3に向けて引っ張られるステップ;
B)キャリア9を所定の距離Δz1だけ持ち上げるステップであって、その結果、プレート8の支持エッジ19は、カバープレート3の表面12の上方で高さH1を占めるステップ;
C)L字型支持エッジを有する最も外側の1対のプレート8Cを下げるステップ;
D)任意選択で、L字型支持エッジを有する内部の1対のプレート8Bを下げるステップ;
E)キャリア9を所定の距離Δz2だけ持ち上げるステップであって、その結果、まだ下げられていないプレートの支持エッジが、カバープレート3の表面12の上方で高さH2>H1を占めるステップ;
F)まだ下げられていないプレート8を所定の順序でずらして下げ、少なくとも1つまたはいくつかの(好ましくは3つの)プレート8Aが下げられないステップ;
G)任意選択で、キャリア9を所定の距離Δz3だけ下げるステップであって、その結果、まだ下げられていないプレートの支持エッジが、カバープレート3の表面12の上方で高さH3<H2を占めるステップ;
H)まだ下げられていないプレート8Aをずらして下げるステップ;
I)半導体チップ5と共にチップグリッパ16を離すステップ;
J)チップグリッパ16は、半導体チップ5の上方に配置され、遅くとも最後の3つのプレート8Aを下げる前に半導体チップに接触し、かつ半導体チップ5をしっかりと保持するまで、下げられる。
A)チャンバ2に真空を供給するステップであって、その結果、金属箔4はカバープレート3に向けて引っ張られるステップ;
B)キャリア9を所定の距離Δz1だけ持ち上げるステップであって、その結果、プレート8の支持エッジ19は、カバープレート3の表面12の上方で高さH1を占めるステップ;
C)L字型支持エッジを有する最も外側の1対のプレート8Cを下げるステップ;
D)任意選択で、L字型支持エッジを有する内部の1対のプレート8Bを下げるステップ;
E)キャリア9を所定の距離Δz2だけ持ち上げるステップであって、その結果、まだ下げられていないプレートの支持エッジが、カバープレート3の表面12の上方で高さH2>H1を占めるステップ;
F)まだ下げられていないプレート8を所定の順序でずらして下げ、少なくとも1つまたはいくつかの(好ましくは3つの)プレート8Aが下げられないステップ;
G)任意選択で、キャリア9を所定の距離Δz3だけ下げるステップであって、その結果、まだ下げられていないプレートの支持エッジが、カバープレート3の表面12の上方で高さH3<H2を占めるステップ;
H)まだ下げられていないプレート8Aをずらして下げるステップ;
I)半導体チップ5と共にチップグリッパ16を離すステップ;
J)チップグリッパ16は、半導体チップ5の上方に配置され、遅くとも最後の3つのプレート8Aを下げる前に半導体チップに接触し、かつ半導体チップ5をしっかりと保持するまで、下げられる。
Claims (5)
- チップグリッパ(16)およびダイエジェクタ(1)を用いて金属箔(4)から半導体チップ(5)を剥離する方法であって、前記ダイエジェクタ(1)は、直線状支持エッジを有する内側のプレート(8A)、および、L字型支持エッジを有する外側のプレート(8B、8C)を備え、前記プレート(8A、8B、8C)は、カバープレート(3)の中央の穴を突き出ており、前記プレート(8A、8B、8C)の支持エッジ(19)は、最初の位置で、前記金属箔(4)が載る支持平面を形成し、
前記方法は:
A)前記プレート(8A、8B、8C)を持ち上げるステップであって、前記プレート(8A、8B、8C)の前記支持エッジ(19)は前記カバープレート(3)の表面(12)の上方に高さH1を占めるステップ;
B)前記外側のプレート(8C)の最も外側の1対を下げるステップ;
C)まだ下げられていない前記プレートを持ち上げるステップであって、その結果、まだ下げられていない前記プレートの前記支持エッジ(19)が、前記カバープレート(3)の前記表面(12)の上方に、高さH1よりも大きい高さH2を占めるステップ;
D)まだ下げられていない前記プレートを特定の順序でずらして下げ、少なくとも1つまたはいくつかの前記プレートが下げられていないステップ;
E)チップグリッパ(16)を半導体チップ(5)の上方に配置するステップ;
F)最後の3つのプレートを下げる前に、前記半導体チップ(5)に接触するまで前記チップグリッパ(16)を下げるステップ;
G)すべてのプレートが下げられるまで、まだ下げられていないプレートを下げるステップ;からなり、
ステップFおよびステップGの前に、ステップAからステップDが順番に行われる、方法。 - 2つの追加の外側のプレートが、外側から2番目となる第2の1対の外側のプレート(8B)を形成するように配置され、ステップBの後に、前記第2の1対の外側のプレート(8B)を下げるステップを有する、請求項1に記載の方法。
- ステップDの後に、まだ下げられていないプレートを下げ、その結果、まだ下げられていないプレートの前記支持エッジがカバープレートの表面の上部に、高さH2よりも小さい高さH3を占めるステップを有する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記プレート(8A、8B、8C)はキャリア(9)に固定され、前記キャリア(9)は、前記カバープレート(3)の前記表面(12)に対して垂直に移動可能であり、前記プレート(8A、8B、8C)は前記キャリア(9)に対して持ち上げ可能、かつ下げることが可能であり、前記キャリア(9)は、前記最初の位置で所定の位置z0に配置され、前記プレート(8A、8B、8C)は、前記キャリア(9)に対して持ち上げられ、その結果、前記プレート(8A、8B、8C)の支持エッジ(19)は、前記金属箔(4)が載る支持平面を形成し、
ステップAで、前記キャリア(9)は、所定の距離Δz1だけ持ち上げられ、
ステップCで、前記キャリア(9)は、所定の距離Δz2だけ持ち上げられることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。 - 前記プレート(8A、8B、8C)はキャリア(9)に固定され、前記キャリア(9)は、前記カバープレート(3)の前記表面(12)に対して垂直に移動可能であり、前記プレート(8A、8B、8C)は前記キャリア(9)に対して持ち上げ可能、かつ下げることが可能であり、前記キャリア(9)は、前記最初の位置で所定の位置z0に配置され、前記プレート(8A、8B、8C)は、前記キャリア(9)に対して持ち上げられ、その結果、前記プレート(8A、8B、8C)の支持エッジ(19)は、前記金属箔(4)が載る支持平面を形成し、
ステップAで、前記キャリア(9)は、所定の距離Δz1だけ持ち上げられ、
ステップCで、前記キャリア(9)は、所定の距離Δz2だけ持ち上げられ、および、
ステップDで、前記キャリア(9)は、所定の距離Δz3だけ下げられることを特徴とする、請求項3に記載の方法。
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