JP2013214694A - 階層ビット線構造を備えたメモリアレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1方向Xに沿って伸長する複数のワード線WLと、第1方向Xと実質的に直交する第2方向Yに沿って伸長する第1サブビット線SBLと接続する複数のメモリセルMCと、複数のメモリセルMCを2つのサブグループに分割するように、実質的に第1SBLの中央に配置される第1セレクタ領域20であって、第1SBLと接続する少なくとも1つのセレクタトランジスタSTを含む第1セレクタ領域20と、第2方向Yに沿って伸長し、セレクタトランジスタSTと接続するメインビット線MBLと、を備えたメモリアレイ。
【選択図】図1
Description
1.技術分野
本発明は、概して半導体装置の分野に関する。より具体的には、本発明は階層ビット線構造を備えたメモリアレイに関する。
階層ビット線構造は、高速演算を達成するために既に導入されている。例えば、米国特許第6,456,521号明細書には、マスタービット線およびローカルビット線を含むDRAMアレイを備える階層ビット線DRAM構造方式が記載されている。また、そのDRAMアレイでは、各マスタービット線は2つのローカルビット線に接続されている。
(特許文献)
特許文献1:米国特許第6,084,816号明細書(2000年7月4日公開)
特許文献2:米国特許第5,715,189号明細書(1998年2月3日公開)
特許文献3:米国特許第6,456,521号明細書(2002年9月24日公開)
一実施形態において、本発明は、第1方向に沿って伸長する複数のワード線と、上記第1方向と実質的に直交する第2方向に沿って伸長する第1サブビット線(SBL)に接続する複数のメモリセルと、実質的に上記第1SBLの中央部に配置され、それにより上記複数のメモリセルを2つのサブグループに分割する第1セレクタ領域であって、上記第1SBLと接続する少なくとも1つのセレクタトランジスタを含む第1セレクタ領域と、上記第2方向に沿って伸長し、上記セレクタトランジスタと接続するメインビット線(MBL)と、を備えたメモリアレイを提供する。
添付図面は、本発明に係る実施形態をより理解するためのものであり、本明細書中に組み込まれると共に、本明細書の一部を構成する。図面は、明細書と共に或る実施形態を説明するものであり、当該実施形態の原理を説明するために用いられる。
以下では、本明細書の一部を構成する添付の図面を参照して説明する。実施形態において実施可能な特定の実施例を説明するために図面が用いられる。ここに記述する実施形態は、本発明の技術分野における当業者が実施形態を実行するために十分に詳細に記載されたものである。また、他の実施形態が利用可能であること、並びに、本明細書に記述された実施形態から逸脱することなく、構造的、論理的および電気化学的に変更してもよいことが理解されるであろう。それゆえ、以下の詳細な説明は、本発明の意義を限定するものではなく、ここで記載される実施形態は、添付の特許請求の範囲の記載に基づいて、意味が明確にされるものである。
Claims (17)
- 第1方向に沿って伸長する複数のワード線と、
上記第1方向と実質的に直交する第2方向に沿って伸長する第1サブビット線(SBL)と接続する複数のメモリセルと、
上記複数のメモリセルを2つのサブグループに分割するように、実質的に上記第1SBLの中央に配置される第1セレクタ領域であって、上記第1SBLと接続する少なくとも1つのセレクタトランジスタを含む第1セレクタ領域と、
上記第2方向に沿って伸長し、上記セレクタトランジスタと接続するメインビット線(MBL)と、を備えたことを特徴とするメモリアレイ。 - 上記セレクタトランジスタは垂直チャネルセレクタトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載のメモリアレイ。
- 上記第1SBLは上記セレクタトランジスタのソース領域と接続し、上記MBLは上記セレクタトランジスタのドレイン領域と接続することを特徴とする請求項1に記載のメモリアレイ。
- 上記セレクタトランジスタは、上記複数のワード線と接続する側壁ゲートをさらに備えたことを特徴とする請求項3に記載のメモリアレイ。
- 上記MBLは、上記セレクタ領域で折れ曲がり、それにより上記セレクタトランジスタと交差することを特徴とする請求項1に記載のメモリアレイ。
- 上記MBLと上記セレクタトランジスタとの交差部において、上記MBL上にダミーキャパシタ構造をさらに備えたことを特徴とする請求項5に記載のメモリアレイ。
- 上記ワード線および上記第1SBLは、半導体基板の主表面の下方に配置されることを特徴とする請求項1に記載のメモリアレイ。
- 上記MBLは、半導体基板の主表面の上方に配置されることを特徴とする請求項1に記載のメモリアレイ。
- 上記第1SBLの一方の端部に配置される第2セレクタ領域をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のメモリアレイ。
- 上記第1SBLの他方の端部に配置される第3セレクタ領域をさらに備えたことを特徴とする請求項9に記載のメモリアレイ。
- 第4セレクタ領域を介して上記MBLと接続する第2SBLをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のメモリアレイ。
- 上記MBLは、上記メモリセルのキャパシタ構造の下方に位置することを特徴とする請求項1に記載のメモリアレイ。
- 上記MBLは、上記メモリセルのキャパシタ構造の上方に位置することを特徴とする請求項1に記載のメモリアレイ。
- 第1方向に沿って伸長する複数のワード線と、
上記第1方向と実質的に直交する第2方向に沿って伸長するサブビット線(SBL)と接続する複数のメモリセルと、
実質的に上記SBLの一方の端部に配置され、上記SBLと接続する第1セレクタ領域と、
実質的に上記SBLの他方の端部に配置され、上記SBLと接続する第2セレクタ領域と、
上記第2方向に沿って伸長し、上記第1セレクタ領域および上記第2セレクタ領域を介して上記SBLと接続するメインビット線(MBL)と、を備えたことを特徴とするメモリアレイ。 - 第1方向に沿って伸長する複数のワード線と、
上記第1方向と実質的に直交する第2方向に沿って伸長する第1サブビット線(SBL)と接続する複数のメモリセルと、
上記第1SBLと並列かつ互い違いに配置される第2SBLと、
実質的に上記第1SBLの一方の端部に配置され、上記第1SBLと接続する第1セレクタ領域と、
実質的に上記第1SBLの他方の端部に配置され、上記第2SBLと接続する第2セレクタ領域と、
上記第2方向に沿って伸長し、上記第1セレクタ領域を介して上記第1SBLと接続する第1メインビット線(MBL)と、
上記第2方向に沿って伸長し、上記第2セレクタ領域を介して上記第2SBLと接続する第1メインビット線(MBL)と、を備えたことを特徴とするメモリアレイ。 - 第1方向に沿って伸長する複数のワード線と、
上記第1方向と実質的に直交する第2方向に沿って伸長するサブビット線(SBL)と接続する複数のメモリセルと、
実質的に上記SBLの一方の端部に配置され、上記SBLと接続するセレクタ領域と、
上記第2方向に沿って伸長し、上記セレクタ領域を介して上記SBLと接続するメインビット線(MBL)と、を備えたことを特徴とするメモリアレイ。 - 第1方向に沿って伸長する複数のワード線と、
上記第1方向と実質的に直交する第2方向に沿って伸長する第1サブビット線(SBL)と接続する複数のメモリセルと、
上記複数のメモリセルを2つのサブグループに分割し、上記第1SBLと接続する少なくとも1つのセレクタトランジスタを含むセレクタ領域と、
上記第1SBLと並列かつ互い違いに配置される第2SBLと、
上記第2方向に沿って伸長し、上記セレクタトランジスタと接続するメインビット線(MBL)と、を備えたことを特徴とするメモリアレイ。
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