JP2013165613A - 逆導通スイッチング素子の駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メインスイッチング素子Sm*#、センススイッチング素子St*#、メインダイオードDm*#及びセンスダイオードDt*#を同一チップに備えたスイッチング素子S*#がドライブユニットDUによって駆動される。ここで、メインダイオードDm*#に順方向電流が流れると判断される期間において、このメインダイオードDm*#に対応するスイッチング素子S*#のゲート電荷の充電を禁止する電流フィードバック制御を行う。そして、電流フィードバック制御が実行される期間において、無効化信号Sinvの論理を「L」とする無効化処理を行う。
【選択図】 図2
Description
以下、本発明にかかるスイッチング素子の駆動装置を車載主機として回転機を備える車両に適用した第1の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
以下、第2の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
以下、第3の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
Claims (6)
- 電圧制御形のスイッチング素子(Sm*#,St*#)及びこれに逆並列に接続されたフリーホイールダイオード(Dm*#,Dt*#)を同一チップ上に備えてかつ、インダクタ(10u,10v,10w,L)に接続された逆導通スイッチング素子(S*#)を駆動対象スイッチング素子とする逆導通スイッチング素子の駆動装置において、
オン操作指令又はオフ操作指令に基づき、前記駆動対象スイッチング素子の導通制御端子の電荷の移動処理を行うことで前記駆動対象スイッチング素子をオン状態又はオフ状態とさせる駆動制御手段と、
前記導通制御端子の電荷の移動が開始されてから完了されるまでの期間の途中において、前記電荷の移動速度を変更させるアクティブゲート制御手段と、
前記フリーホイールダイオードに順方向電流が流れるか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段によって前記順方向電流が流れると判断される期間において、該順方向電流が流れると判断された前記フリーホイールダイオードに対応する前記導通制御端子に前記電荷が充電されることを禁止する禁止手段と、
前記禁止手段によって前記電荷の充電が禁止される期間において、前記アクティブゲート制御手段による前記移動速度の変更を無効とする無効化手段とを備えることを特徴とする逆導通スイッチング素子の駆動装置。 - 前記アクティブゲート制御手段は、前記移動速度を変更させるための電荷の供給源(34,N,22)と前記導通制御端子とを接続する電気経路を備え、
前記電気経路には、該電気経路を開閉する開閉手段(32,52,54a,54b)が備えられ、
前記無効化手段は、前記開閉手段が閉状態とされることを禁止することで前記移動速度の変更を無効とすることを特徴とする請求項1記載の逆導通スイッチング素子の駆動装置。 - 前記駆動対象スイッチング素子には、該駆動対象スイッチング素子の入出力端子間を流れる電流と相関を有する微少電流を出力するセンス端子(Ts)が備えられ、
前記センス端子は、センス抵抗(36)を介して前記駆動対象スイッチング素子の出力端子又は該出力端子の電位と同じ電位を有する部材に接続され、
前記センス抵抗の両端の電位差であるセンス電圧について、前記センス抵抗の両端のうち前記センス端子側の電位が前記出力端子の電位よりも高い場合の前記センス電圧を正と定義し、
前記電気経路は、前記電荷の供給源としての電源(34,22)と、前記導通制御端子とを接続するものであり、
前記アクティブゲート制御手段は、前記センス電圧が正の値になる場合の該センス電圧に基づき、前記開閉手段(32,54a,54b)を開閉操作することで前記移動速度を変更させることを特徴とする請求項2記載の逆導通スイッチング素子の駆動装置。 - 前記駆動対象スイッチング素子は、直流電源(CV,12)の正極側に接続された高電位側スイッチング素子(S*p)と、前記直流電源の負極側に接続された低電位側スイッチング素子(S*n)とであり、
前記高電位側スイッチング素子及び前記低電位側スイッチング素子は直列接続され、
前記高電位側スイッチング素子及び前記低電位側スイッチング素子の直列接続体の接続点には、前記インダクタが接続され、
前記アクティブゲート制御手段は、前記電荷の充電が開始されてから完了されるまでの期間の途中において、前記電荷の充電速度を低速度から高速度に変更させ、
前記高電位側スイッチング素子及び前記低電位側スイッチング素子のうち一方に対応する前記センス電圧が負の値であってかつ該センス電圧の絶対値が閾値以上であることに基づき、前記高電位側スイッチング素子及び前記低電位側スイッチング素子のうち他方において前記電荷が次回充電される場合に前記充電速度の変更を許可する許可手段を更に備えることを特徴とする請求項3記載の逆導通スイッチング素子の駆動装置。 - 前記高電位側スイッチング素子及び前記低電位側スイッチング素子のうち一方に対応する前記センス電圧が負の値であってかつ該センス電圧の絶対値が前記閾値未満であることに基づき、前記高電位側スイッチング素子及び前記低電位側スイッチング素子のうち他方において前記電荷が次回充電される場合に前記アクティブゲート制御手段による前記充電速度の変更を行わず、前記充電速度を前記高速度として前記電荷の充電処理を行う手段を更に備えることを特徴とする請求項4記載の逆導通スイッチング素子の駆動装置。
- 前記駆動対象スイッチング素子には、該駆動対象スイッチング素子の入出力端子間を流れる電流と相関を有する微少電流を出力するセンス端子(Ts)が備えられ、
前記センス端子は、センス抵抗(36)を介して前記駆動対象スイッチング素子の出力端子又は該出力端子の電位と同じ電位を有する部材に接続され、
前記センス抵抗の両端の電位差であるセンス電圧について、前記センス抵抗の両端のうち前記センス端子側の電位が前記出力端子の電位よりも低い場合の前記センス電圧を負と定義し、
前記判断手段は、前記センス電圧が負の値であることに基づき、前記順方向電流が流れると判断することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の逆導通スイッチング素子の駆動装置。
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