JP5263317B2 - 半導体スイッチング素子の駆動回路 - Google Patents
半導体スイッチング素子の駆動回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5263317B2 JP5263317B2 JP2011029734A JP2011029734A JP5263317B2 JP 5263317 B2 JP5263317 B2 JP 5263317B2 JP 2011029734 A JP2011029734 A JP 2011029734A JP 2011029734 A JP2011029734 A JP 2011029734A JP 5263317 B2 JP5263317 B2 JP 5263317B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching element
- capacitor
- negative
- power supply
- positive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 82
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 18
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0081—Power supply means, e.g. to the switch driver
Description
(1)負側スイッチング素子のみをターンオンすると、駆動用電源(+),正側ダイオード,正側コンデンサ,負側スイッチング素子,駆動用電源(−)の経路で正側コンデンサが(VG−Vf)に充電される。但し、VGは駆動用電源電圧,Vfはダイオードの順方向電圧である。また、負側スイッチング素子をターンオフして正側スイッチング素子をターンオンすると、駆動用電源(+),正側スイッチング素子,負側コンデンサ,負側ダイオード,駆動用電源(−)の経路で負側コンデンサが(VG−Vf)に充電される。
(3)また、駆動対象スイッチング素子の制御端子が充電されている状態から、正側スイッチング素子をターンオフし、第2スイッチング素子をターンオンすると、駆動対象スイッチング素子の制御端子,抵抗素子,第2スイッチング素子,負側コンデンサ,負側スイッチング素子,駆動用電源(−),駆動対象スイッチング素子の電位基準側出力端子の経路で電流が流れ、駆動対象スイッチング素子の制御端子が放電される。
(2)スイッチング素子H1,H4を共にターンオフし、スイッチング素子H3及び第1スイッチング素子をターンオンすると、駆動用電源(+),スイッチング素子H3,コンデンサ,正側ダイオード,第1スイッチング素子,抵抗素子,駆動対象スイッチング素子の制御端子,駆動対象スイッチング素子の電位基準端子,駆動用電源(−)の経路で電流が流れ、駆動対象スイッチング素子の制御端子が充電される。
以下、第1実施例について図1ないし図4を参照して説明する。図1は、例えばNチャネルFETを駆動するための駆動回路を示す。NチャネルFET1(駆動対象スイッチング素子)は、ドレイン側に図示しない負荷が接続されており、駆動回路2は、NチャネルFET1のゲート−ソース間に接続されている(ローサイド駆動方式)。尚、NチャネルFET1については、FETをMOS構造に限定する意図ではないが、図中では便宜上MOSFETのシンボルで図示している。駆動回路2は、NチャネルMOSFET2のゲート(制御端子),ソース(電位基準側出力端子)間に接続されており、ゲート駆動用電源3により供給される電源VGに基づいて、NチャネルMOSFET2のゲート(制御端子)に対して充放電電流Igを供給する。尚、図1に示すスイッチのシンボルとダイオードとの並列回路は、実体としては例えばNチャネルMOSFETであるが、説明を簡単にするため上記のシンボルで示している。
図3において、先ず(1)(図2〜図4中の丸数字を、括弧付き数字で示す)初期状態として、スイッチSa2,S2がオンしていることでNチャネルFET1のゲートは、ゲート駆動用電源3の負側端子の電位(例えば0V,グランド電位)からコンデンサC2の充電電圧分だけ低下した電位(−VG+Vf)となっており、ターンオフ状態にあるとする。尚、Vfはダイオードの順方向電圧である。この状態で、コンデンサC1は電圧(VG−Vf)に充電される。ここから、(2)スイッチSa2をターンオフし、続いて(3)スイッチSa1をターンオンすると、コンデンサC2が電圧(VG−Vf)に充電される。
図4において、(1)上記のようにNチャネルFET1がターンオンしてコンデンサC2が充電されている状態から、(2)スイッチSa1をターンオフし、(3)スイッチSa2をターンオフすればコンデンサC1が充電される。それから、(4)スイッチS3をターンオフし、(5)スイッチS2をターンオンすると、NチャネルFET1のゲート,抵抗素子Rg,スイッチS2,コンデンサC2,スイッチSa2,ゲート駆動用電源3の負側端子,NチャネルFET1のソースとなる通電経路が形成される。これにより、抵抗素子Rgには電圧(−VG+Vf)が印加され、NチャネルFET1のターンオン時とは逆の方向に電流I_Rgが増加してNチャネルFET1のゲートから電流Igとして流れ、当該ゲートを放電させる。(6)そして、電流I_Rg(=Ig)がゼロになれば、NチャネルFET1のターンオフが完了し、コンデンサC1が充電状態となる。
図5ないし図8は第2実施例であり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第2実施例の駆動回路11は、スイッチS3に替えてダイオードD1(還流経路形成素子)が配置されている点のみが相違している。したがって、図6に示すタイミングチャートでは、スイッチS3のオンオフ制御が削除されており、その他のスイッチのオンオフ制御も第1実施例とは若干相違している。
<NチャネルFET1のターンオン>
図6において、(1)〜(6)については第1実施例と全く同じパターンとなる。但し(6)では、スイッチS3に並列接続されているダイオードに替えて、ダイオードD1を介して還流電流が流れ、ゲート−ソース間電圧Vgsは電圧VGにクランプされる。続く(7)では、スイッチSa1をオフすることで、電流I_Rgは、NチャネルFET1のゲート,ダイオードD1,ゲート駆動用電源3,NチャネルFET1のソースを介して流れる。この状態から(8)スイッチSa2をターンオンすると、電流I_Rgが流れる電流経路が断たれてNチャネルFET1のターンオンが完了する。また、この状態ではコンデンサC1が充電される。
(1)この場合、ターンオンシーケンスの(8)における通電経路が相違しているため、ターンオフシーケンスの初期状態も第1実施例とは異なっており、上記のようにコンデンサC1を充電している状態から開始される。そして、(2)スイッチS1をターンオフしてから(3)スイッチS2をターンオンすると図4の(5)と同じ通電経路となり、(4)NチャネルFET1のゲートが放電されてターンオフが完了する。
以上のように第2実施例によれば、還流経路形成素子をダイオードD1で構成したので、第1実施例のように通電制御回路4がスイッチS3を制御せずとも、NチャネルFET1のゲート電位の変化に応じてダイオードD1が導通することで、還流電流を流す経路を自動的に形成することができる。
図9ないし図12は第3実施例であり、第1実施例と異なる部分について説明する。第3実施例の駆動回路21ではコンデンサC2が削除されており、コンデンサC1は、ダイオードDa1のアノードと、ダイオードDa2のカソードとの間に接続されている。また、スイッチSa1及びSa2の直列回路には、スイッチSa3及びSa4の直列回路が並列に接続されており、これらはHブリッジ回路(接続切替え手段)22を構成しており、Hブリッジ回路22と図示しない制御回路とが通電制御回路23を構成している。そして、コンデンサC1は、スイッチSa1及びSa2の共通接続点と、スイッチSa3及びSa4の共通接続点との間に接続されている。
<NチャネルFET1のターンオン>
図11において、(1)初期状態として、スイッチSa2,S2がオンしてNチャネルFET1はターンオフ状態にあり、そのゲートは、ゲート駆動用電源3の負側端子の電位からコンデンサC1の充電電圧分だけ低下した電位(−VG+Vf)となっている。ここから、(2)スイッチSa2をターンオフし、続いて(3)スイッチSa1及びS4をターンオンすると、コンデンサC1が電圧VGに充電される。
図12において、(1)上記のようにNチャネルFET1がターンオンしてコンデンサC1が充電されている状態から、(2)スイッチS3,Sa1,Sa4をターンオフし、(3)スイッチSa2をターンオンし、(4)スイッチS2をターンオンすると、NチャネルFET1のゲート,抵抗素子Rg,スイッチS2,ダイオードDa2,コンデンサC1,スイッチSa2,ゲート駆動用電源3の負側端子,NチャネルFET1のソースとなる通電経路が形成される。
これにより、抵抗素子Rgには電圧(−VG+Vf)が印加され、NチャネルFET1のターンオン時とは逆の方向に電流I_Rgが増加してNチャネルFET1のゲートから電流Igとして流れ、当該ゲートを放電させる。(5)そして、電流I_Rg(=Ig)がゼロになれば、NチャネルFET1のターンオフが完了し、コンデンサC1が充電状態となる。
第3実施例において、第2実施例と同様に、還流経路形成素子にダイオードを用いても良い。
駆動対象スイッチング素子を、MOSFETやMISFET,JFETやHEMT(High Electron Mobility Transistor)などであっても良い。
スイッチング素子S1a〜Sa4については、並列接続されているダイオードは不要である。
Claims (6)
- 駆動対象スイッチング素子の制御端子と電位基準端子との間に印加する駆動電圧を供給する駆動用電源と、
この駆動用電源によって充電される1つ以上のコンデンサと、
前記駆動用電源と前記コンデンサとの間に接続され、両者間の接続形態を切り替えるための接続切替え手段と、
前記駆動対象スイッチング素子の制御端子に接続される抵抗素子と、
直列に接続されると共に、両者の共通接続点が前記抵抗素子に接続され、前記駆動用電源の極性に対して逆方向となる還流ダイオードがそれぞれ並列に接続されている第1及び第2スイッチング素子と、
カソードが前記第1スイッチング素子の一端に接続される正側ダイオードと、
アノードが前記第2スイッチング素子の一端に接続される負側ダイオードと、
前記駆動対象スイッチング素子の制御端子と前記駆動用電源との間に接続され、前記制御端子の電位が前記駆動用電源の電圧を超えて変化しようとすると導通状態となる還流経路形成素子と、
前記切替え手段と前記第1及び第2スイッチング素子とを制御することで、以下に示す(1)〜(3)の通電経路を形成可能に構成される通電制御回路とを備えたことを特徴とする半導体スイッチング素子の駆動回路。
(1)前記コンデンサを充電する経路。
(2)前記駆動用電源と前記コンデンサとを直列に接続し、前記抵抗素子を介して前記駆動対象スイッチング素子の制御端子を充電する経路。
(3)前記駆動対象スイッチング素子の制御端子を、前記コンデンサを介して前記駆動電源の負側端子に接続し、前記抵抗素子を介して前記駆動対象スイッチング素子の制御端子を放電させる経路。 - 前記コンデンサは、正側コンデンサ及び負側コンデンサで構成され、
前記接続切替え手段は、正側スイッチング素子及び負側スイッチング素子で構成され、
共通接続点となるアノードが前記駆動用電源の正側端子に接続される、前記正側ダイオード及び前記正側スイッチング素子からなる正側直列回路と、
共通接続点となるカソードが前記駆動用電源の負側端子に接続される、前記負側ダイオード及び前記負側スイッチング素子からなる負側直列回路と、
前記正側コンデンサは、前記正側直列回路に並列に接続され、
前記負側コンデンサは、前記負側直列回路に並列に接続され、
前記通電制御回路は、前記通電経路(2)では前記駆動用電源と前記正側コンデンサとを直列に接続し、前記通電経路(3)では前記駆動対象スイッチング素子の制御端子を、前記負側コンデンサを介して前記駆動電源の負側端子に接続することを特徴とする請求項1記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。 - 前記正側コンデンサと前記負側コンデンサとが直列に接続されており、
前記正側及び負側コンデンサの直列回路と、前記第1及び第2スイッチング素子の直列回路とが並列に接続されていることを特徴とする請求項2記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。 - 前記接続切替え手段は、前記駆動用電源の両端に接続され、第1〜第4スイッチング素子からなるHブリッジ回路で構成され、
前記コンデンサは、前記Hブリッジ回路の出力端子間に接続され、
前記正側ダイオードは、前記コンデンサの一端側にアノードが接続され、
前記負側ダイオードは、前記コンデンサの他端側にカソードが接続され、
前記第1及び第2スイッチング素子は、前記正側ダイオードのカソードと、前記負側ダイオードのアノードとの間に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。 - 前記還流経路形成素子は、第3スイッチング素子で構成され、
前記通電制御回路は、前記第3スイッチング素子も併せて制御することで、前記制御端子の電位が前記駆動用電源の電圧を超えて変化しようとすると、前記還流経路形成素子を介して前記駆動用電源側に還流電流を流す経路を形成することを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。 - 前記還流経路形成素子は、ダイオードで構成されることを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029734A JP5263317B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | 半導体スイッチング素子の駆動回路 |
US13/371,773 US8513985B2 (en) | 2011-02-15 | 2012-02-13 | Drive circuit for semiconductor switching element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029734A JP5263317B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | 半導体スイッチング素子の駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012169906A JP2012169906A (ja) | 2012-09-06 |
JP5263317B2 true JP5263317B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=46636409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011029734A Expired - Fee Related JP5263317B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | 半導体スイッチング素子の駆動回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8513985B2 (ja) |
JP (1) | JP5263317B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5532062B2 (ja) * | 2012-02-13 | 2014-06-25 | 株式会社デンソー | 逆導通スイッチング素子の駆動装置 |
US9344077B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | High voltage driver |
US8963576B2 (en) * | 2012-10-19 | 2015-02-24 | Cree, Inc. | Increased transition speed switching device driver |
US9035318B2 (en) | 2013-05-03 | 2015-05-19 | Texas Instruments Incorporated | Avalanche energy handling capable III-nitride transistors |
JP6417546B2 (ja) * | 2013-11-13 | 2018-11-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ゲート駆動回路およびそれを用いた電力変換装置 |
EP3364534B1 (en) | 2017-02-17 | 2019-09-18 | General Electric Technology GmbH | Improvements in or relating to gate drivers |
CN109217645B (zh) * | 2018-11-01 | 2020-10-20 | 南京航空航天大学 | 一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法 |
GB2586050B (en) * | 2019-07-31 | 2021-11-10 | Murata Manufacturing Co | Power supply output device |
JP7060120B1 (ja) * | 2021-02-04 | 2022-04-26 | 株式会社明電舎 | 電力変換装置の制御装置および制御方法 |
JP7470084B2 (ja) | 2021-09-10 | 2024-04-17 | 株式会社東芝 | 電子回路、電子システム及び駆動方法 |
US11716072B1 (en) * | 2022-02-28 | 2023-08-01 | Texas Instruments Incorporated | Time multiplexing voltage clamping in coil driving circuit for a contactor during quick turn off |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6180959B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-30 | Hitachi, Ltd. | Static induction semiconductor device, and driving method and drive circuit thereof |
JP4432215B2 (ja) * | 2000-06-05 | 2010-03-17 | 株式会社デンソー | 半導体スイッチング素子のゲート駆動回路 |
JP2002223157A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Toyota Industries Corp | Mosfet等の電圧駆動型トランジスタの駆動回路 |
JP3572400B2 (ja) | 2001-05-31 | 2004-09-29 | 日産自動車株式会社 | 電流制御型素子用駆動装置 |
JP3731562B2 (ja) | 2002-05-22 | 2006-01-05 | 日産自動車株式会社 | 電流制御型素子用駆動回路 |
JP2004140977A (ja) | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Canon Inc | ゲート駆動回路 |
JP2004194450A (ja) | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 電圧駆動型素子の駆動装置 |
JP3681737B2 (ja) | 2003-06-20 | 2005-08-10 | 太陽誘電株式会社 | 電界効果トランジスタのゲート駆動制御回路および方法 |
JP4321330B2 (ja) | 2003-07-02 | 2009-08-26 | 株式会社デンソー | ゲート駆動回路 |
JP4804142B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2011-11-02 | 東洋電機製造株式会社 | 高速ゲート駆動回路 |
JP4456569B2 (ja) | 2006-02-21 | 2010-04-28 | 株式会社デンソー | パワースイッチング素子の駆動回路 |
JP5186095B2 (ja) | 2006-10-02 | 2013-04-17 | 株式会社日立製作所 | ゲート駆動回路 |
JP2009050118A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Fuji Electric Systems Co Ltd | ゲート駆動回路の制御方法 |
JP2010035387A (ja) | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Daikin Ind Ltd | 電圧形駆動素子のゲート駆動装置 |
FR2945900B1 (fr) | 2009-05-19 | 2012-10-26 | Schneider Toshiba Inverter Europe Sas | Convertisseur de puissance utilisant un redresseur a transistors normalement fermes. |
-
2011
- 2011-02-15 JP JP2011029734A patent/JP5263317B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-02-13 US US13/371,773 patent/US8513985B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8513985B2 (en) | 2013-08-20 |
JP2012169906A (ja) | 2012-09-06 |
US20120206169A1 (en) | 2012-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5263317B2 (ja) | 半導体スイッチング素子の駆動回路 | |
JP6705936B2 (ja) | 回路を動作させる方法及び回路 | |
JP5310758B2 (ja) | 半導体スイッチング素子の駆動回路 | |
JP5263316B2 (ja) | 半導体スイッチング素子の駆動回路 | |
US9954521B2 (en) | Gate drive circuit for semiconductor switching devices | |
US9515649B2 (en) | Cascode circuit | |
JP2019537417A (ja) | GaNトランジスタに基づく電力コンバータのためのブートストラップキャパシタ過電圧管理回路 | |
CN103716026A (zh) | 开关电路 | |
US20160314914A1 (en) | Power switch circuit | |
US11309887B2 (en) | Conversion circuit | |
JP6988256B2 (ja) | 電力変換器 | |
JP6065721B2 (ja) | 駆動回路、半導体集積回路、及び駆動回路の制御方法 | |
CN105471417A (zh) | 用于反向导通的igbt的控制电路 | |
EP2678941A2 (en) | Driver circuit for a semiconductor power switch | |
KR20190011494A (ko) | SiC MOSFET용 게이트 구동회로 | |
JP5407349B2 (ja) | スイッチ回路 | |
KR102026929B1 (ko) | 전력 스위치용 게이트 구동회로 | |
US10581429B2 (en) | Electronic circuit with several electronic switches connected in series and a drive circuit | |
WO2016143023A1 (ja) | ゲートドライブ回路、インバータ回路、及びモータ制御装置 | |
CN112636734A (zh) | 栅极驱动电路 | |
US20200335969A1 (en) | Power module with integrated surge voltage limiting element | |
JP6096681B2 (ja) | 三相インバータ回路及びドライバ回路 | |
JP2005176538A (ja) | 中性点クランプ式電力変換器とその制御方法 | |
WO2016002041A1 (ja) | 絶縁ゲート型パワー半導体素子のゲート駆動回路 | |
JP2017093021A (ja) | 上アーム側スイッチング素子駆動回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130415 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5263317 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |