JP2013140667A5 - - Google Patents

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図23の太線はワード線WL0とローカルビット線LBL1の交点に配置されたメモリセルMCの情報を、例えば論理値“0”から“1”に書き換える場合(書き込み)の、アレイに流れる電流経路を示している。抵抗変化素子の接続向きが反対であった場合、図23中に示す書き換え電流と同じ向きで論理値“1”から“0”に書き換えることも可能である。MCの選択素子は例えば1個のMOSトランジスタから構成され、ソース側がローカルソース線LSL1、ドレインが抵抗変化素子に接続される。本実施の形態は、実施の形態1と比較して、ローカルソース線LSL1が設けられ、ローカルソース線が2つのスイッチSLSWによってグローバルソース線に接続されている点に特徴がある。グローバルビット線GBL0は、ドライバ回路によってグローバルソース線GSLよりも高い書き換え電位に充電されている。GSLは例えば接地電位に充電される。マット選択信号と書き換えイネーブル信号のAND論理をとり、ビット線選択線BLS1が選択される。この結果、ローカルビット線LBL1の両端に接続されたビット線選択スイッチBLSWとローカルソース線LSL1の両端に接続されたソース線選択スイッチSLSWがONする。書き換え電流はローカルビット線LBL1の両端に接続されたビット線選択スイッチBLSWを通って、グローバルビット線GBL0から並列にローカルビット線LBL1に流れ、メモリセルMCを通ってローカルソース線LSL1に流れ、LSL1の両端に接続されたソース線選択スイッチSLSWからグローバルソース線GSL0に流れる。GBL0からLBL1への電流経路が並列に2つあり、LSL1からGSL0への電流経路も並列に2つあるため、電流経路における寄生抵抗成分を小さく抑えることができ、この結果、書き換えに必要な大電流をMCに流すことができる。また、書き込み時は、選択されたワード線に依存して、LBL1の上端に位置するビット線選択スイッチと、LSL1の下端に位置するソース線選択スイッチのみをONするか、あるいはLBL1の下端に位置するビット線選択スイッチと、LSL1の上端に位置するソース線選択スイッチのみをONし、残りをOFFするやり方もある。このやり方の場合、ビット線選択スイッチおよびソース線選択スイッチの制御線を分離する必要がある。つまりBLSWとSLSWを同時にBLSで制御するのではなく、それぞれ独立した制御線を用意して、独立に制御することとなる。これは制御線の本数が増加するが読み出し時のメモリセルMCの寄生抵抗成分のアレイ内場所依存性が小さくできるという利点がある。すなわち、上記のようにビット線選択スイッチおよびソース線選択スイッチをONさせた場合、メモリセルの行アドレスに依存せず、書き込み電流経路におけるLBLとLSLの長さを同じにすることができるからである。
また、実施の形態2と比較して、メモリセルMCに対し、ビット線選択スイッチアレイの配置とソース線選択スイッチアレイの配置とをずらしている点に特徴がある。例えば図30では、512本のワード線毎にビット線選択スイッチアレイとソース線選択スイッチアレイを配置する構成の場合として、ビット線選択スイッチアレイとソース線選択スイッチアレイの並びをワード線256本分、つまり512本の半分だけずらした配置としている。このような構成にすることにより、それぞれのスイッチ間には512本のワード線があっても、実際に電流経路におけるLSLおよびLBLの長さをWL256本分と512本から半減でき、寄生抵抗を低減できる。書き換え電流はローカルビット線LBL1の両端に接続されたビット線選択スイッチを通って、グローバルビット線GBL0から並列にローカルビット線LBL1に流れ、メモリセルMCを通ってローカルソース線LSL1に流れ、LSL1の両端に接続されたソース線選択スイッチからグローバルソース線GSL0に流れる。GBL0からLBL1への電流経路が並列に2つあり、LSL1からGSL0への電流経路も並列に2つあるため、電流経路における寄生抵抗成分を小さく抑えることができ、この結果、書き換えに必要な大電流をMCに流すことができる。また、書き込み時は、選択されたワード線に依存して、LBL1の上端に位置するビット線選択スイッチと、LSL1の下端に位置するソース線選択スイッチのみをONするか、あるいはLBL1の下端に位置するビット線選択スイッチと、LSL1の上端に位置するソース線選択スイッチのみをONし、残りをOFFするやり方もある。これは読み出し時のメモリセルMCの寄生抵抗成分のアレイ内場所依存性が小さくでき、なおかつ寄生抵抗成分も小さくできるという利点がある。すなわち、上記のようにビット線選択スイッチおよびソース線選択スイッチをONさせた場合、メモリセルの行アドレスに依存せず、書き込み電流経路におけるLBLとLSLの長さを同じにすることができるからである。

Claims (17)

  1. 第1の方向に延びるビット線と、
    前記第1の方向に延びるソース線と、
    前記ビット線と前記ソース線との間に接続され、前記第1の方向に並列に配置される複数のメモリセルとを有し、
    前記複数のメモリセルの何れか一つに情報を書き込む場合の電流経路は、
    前記ビット線の両端のうち、前記並列に配置される複数のメモリセルの一端側に位置する端と、
    前記ソース線の両端のうち、前記並列に配置される複数のメモリセルの他端側に位置する端との間に、前記複数のメモリセルのうち書き込み対象となるメモリセルを介して形成されることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項1記載の半導体装置において、
    前記書き込み対象となるメモリセルは複数であって、
    前記複数の書き込み対象となるメモリセルの夫々の電流経路が等しいことを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項2記載の半導体装置において、
    前記メモリセルは、抵抗変化型メモリセルであることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項2記載の半導体装置において、
    前記メモリセルは、抵抗変化により情報が記録されることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項2記載の半導体装置において、
    前記メモリセルは、電流を流して情報が書き込まれることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項2記載の半導体装置において、
    前記メモリセルは、選択素子と抵抗変化素子とから構成され、
    前記選択素子は、一方の端子が前記ソース線に接続され、他方の端子が前記抵抗変化素子に接続され、
    前記抵抗変化素子は、前記ビット線と前記選択素子との間に直列に接続されることを特徴とする半導体装置。
  7. 第1の方向に延びるローカルビット線と、
    前記第1の方向に延びるローカルソース線と、
    前記ローカルビット線と前記ローカルソース線との間に接続され、前記第1の方向に並列に配置される複数のメモリセルとを有し、
    前記複数のメモリセルの何れか一つに情報を書き込む場合の電流経路は、
    前記ローカルビット線の両端のうち、前記並列に配置される複数のメモリセルの一端側に位置する端と、
    前記ローカルソース線の両端のうち、前記並列に配置される複数のメモリセルの他端側に位置する端との間に、前記複数のメモリセルのうち書き込み対象となるメモリセルを介して形成されることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項7記載の半導体装置において、
    前記書き込み対象となるメモリセルは複数であって、
    前記複数の書き込み対象となるメモリセルの夫々の電流経路が等しいことを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項8記載の半導体装置において、
    前記メモリセルは、抵抗変化型メモリセルであることを特徴とする半導体装置。
  10. 請求項8記載の半導体装置において、
    前記メモリセルは、抵抗変化により情報が記録されることを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項8記載の半導体装置において、
    前記メモリセルは、電流を流して情報が書き込まれることを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項8記載の半導体装置において、
    前記メモリセルは、選択素子と抵抗変化素子とから構成され、
    前記選択素子は、一方の端子が前記ローカルソース線に接続され、他方の端子が前記抵抗変化素子に接続され、
    前記抵抗変化素子は、前記ローカルビット線と前記選択素子との間に直列に接続されることを特徴とする半導体装置。
  13. 請求項8記載の半導体装置において、
    前記第1の方向に延びるグローバルビット線と、
    前記第1の方向に延びるグローバルソース線と、
    前記メモリセルに接続される前記ローカルビット線を前記グローバルビット線に接続するビット線選択スイッチと、
    前記メモリセルに接続される前記ローカルソース線を前記グローバルソース線に接続するソース線選択スイッチとを有することを特徴とする半導体装置。
  14. 請求項13記載の半導体装置において、
    前記ビット線選択スイッチと前記ソース線選択スイッチとは、同一の選択線によって制御されることを特徴とする半導体装置。
  15. 請求項13記載の半導体装置において、
    前記ビット線選択スイッチと前記ソース線選択スイッチとは、それぞれ1個のMOSトランジスタで形成されることを特徴とする半導体装置。
  16. 請求項13記載の半導体装置において、
    前記ローカルビット線に接続される前記ビット線選択スイッチを第1および第2のビット線選択スイッチとし、
    前記ローカルソース線に接続される前記ソース線選択スイッチを第1および第2のソース線選択スイッチとしたとき、
    書き込み時に、前記第1および第2のビット線選択スイッチと前記第1および第2のソース線選択スイッチをONさせ、
    読み出し時に、選択されたワード線に依存して、前記第1のビット線選択スイッチと前記第2のソース線選択スイッチ、もしくは前記第2のビット線選択スイッチと前記第1のソース線選択スイッチ、のどちらか一方の組み合わせをONさせることを特徴とする半導体装置。
  17. 請求項13記載の半導体装置において、
    前記ローカルビット線に接続される前記ビット線選択スイッチを第1および第2のビット線選択スイッチとし、
    前記ローカルソース線に接続される前記ソース線選択スイッチを第1および第2のソース線選択スイッチとしたとき、
    読み出し時に、前記第1および第2のビット線選択スイッチと前記第1および第2のソース線選択スイッチをONさせ、
    書き込み時に、選択されたワード線に依存して、前記第1のビット線選択スイッチと前記第2のソース線選択スイッチ、もしくは前記第2のビット線選択スイッチと前記第1のソース線選択スイッチ、のどちらか一方の組み合わせをONさせることを特徴とする半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9653681B2 (en) 2015-03-12 2017-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
CN109215710B (zh) * 2017-07-05 2024-01-23 兆易创新科技集团股份有限公司 存储单元及存储器
CN112420720B (zh) * 2020-11-13 2024-02-09 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4242117B2 (ja) * 2002-07-11 2009-03-18 株式会社ルネサステクノロジ 記憶装置
JP4266302B2 (ja) * 2002-11-27 2009-05-20 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性記憶装置
JP4890016B2 (ja) * 2005-03-16 2012-03-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性半導体記憶装置
EP1708202A3 (en) * 2005-03-24 2007-02-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Pram device
JP4344372B2 (ja) * 2006-08-22 2009-10-14 シャープ株式会社 半導体記憶装置及びその駆動方法

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