JP2008123641A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】十分な書込電流を得ることができ、かつデータ読出を正確に行なうことが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】この不揮発性半導体記憶装置では、複数のワード線対WLA,WLBと複数のビット線対BLA,BLBとの各交差部に、抵抗体記憶素子1とトランジスタ2,3を含むメモリセルMCを配置する。隣接する2つのメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の一方電極をそれぞれビット線BLA,BLBに接続する。抵抗体記憶素子1の他方電極と2本のソース線SLとの間にそれぞれトランジスタ2,3を接続し、それらのゲートをそれぞれワード線WLA,WLBに接続する。したがって、2つのトランジスタ2,3を介して抵抗体記憶素子1に十分な書込電流を供給できる。また、ビット線対BLA,BLBに発生した同相ノイズを除去できる。
【選択図】図1
【解決手段】この不揮発性半導体記憶装置では、複数のワード線対WLA,WLBと複数のビット線対BLA,BLBとの各交差部に、抵抗体記憶素子1とトランジスタ2,3を含むメモリセルMCを配置する。隣接する2つのメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の一方電極をそれぞれビット線BLA,BLBに接続する。抵抗体記憶素子1の他方電極と2本のソース線SLとの間にそれぞれトランジスタ2,3を接続し、それらのゲートをそれぞれワード線WLA,WLBに接続する。したがって、2つのトランジスタ2,3を介して抵抗体記憶素子1に十分な書込電流を供給できる。また、ビット線対BLA,BLBに発生した同相ノイズを除去できる。
【選択図】図1
Description
この発明は不揮発性半導体記憶装置に関し、特に、抵抗体記憶素子を備えた不揮発性半導体記憶装置に関する。
不揮発性半導体記憶装置は、電源電圧が遮断されても記憶データを保持することができ、待機状態時において電源電圧を供給する必要がない。このため、低消費電力であることが要求される携帯機器において広く用いられている。
このような不揮発性半導体記憶装置の1つに、磁気抵抗効果を利用してデータを記憶する磁気・ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)がある。また、MRAMの1つに、スピン注入により磁気記憶素子の磁化方向を設定して、その抵抗状態を設定するスピン注入MRAMがある。
スピン注入MRAMでは、ビット線とソース線の間に磁気抵抗記憶素子とトランジスタが直列接続され、トランジスタのゲートがワード線に接続されている。書込動作時は、書込データに応じた極性の電圧をビット線とソース線の間に印加し、ワード線を選択レベルにしてトランジスタを導通させ、磁気抵抗記憶素子を高抵抗状態または低抵抗状態にする。読出動作時は、ビット線から磁気抵抗記憶素子およびトランジスタを介してソース線に定電流を流し、ビット線の電位としきい値電位の高低を比較し、比較結果に基づいて記憶データを読み出す(たとえば、非特許文献1参照)。
また、いわゆる折り返しビット線構成を採用したMRAMもある。このMRAMでは、複数のビット線対と複数のワード線との各交差部に磁気抵抗記憶素子が配置され、1つのビット線対に対応する複数の磁気抵抗記憶素子はそのビット線対に含まれる2本のビット線に交互に接続される。このMRAMでは、ビット線対に発生した同相ノイズを除去してデータ読出を正確に行なうことができる(たとえば、非特許文献2参照)。
IEDM 2005"A Novel Nonvolatile Memory with Spin Torque Transfer Magnetization Switching:Spin-RAM" 2004 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers"A 1.2V 1Mbit Embedded MRAM Core with Folded Bit-Line Array Architecture"
IEDM 2005"A Novel Nonvolatile Memory with Spin Torque Transfer Magnetization Switching:Spin-RAM" 2004 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers"A 1.2V 1Mbit Embedded MRAM Core with Folded Bit-Line Array Architecture"
しかし、従来のMRAMでは、磁気抵抗記憶素子とソース線を1つのトランジスタで接続していたので、書込電流がトランジスタで制限され、十分な書込電流を得ることができないという問題があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、十分な書込電流を得ることができ、かつデータ読出を正確に行なうことが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することである。
この発明の一実施の形態によれば、不揮発性半導体記憶装置は、互いに交差して設けられた複数のワード線対および複数のビット線対と、各ワード線に対応して設けられたソース線と、複数のワード線対と複数のビット線対との各交差部に設けられ、抵抗値の変化によってデータを記憶する抵抗体記憶素子と、各抵抗体記憶素子に対応して設けられたトランジスタ対とを備える。ビット線対の延在方向に隣接する各2つの抵抗体記憶素子のうちの一方の抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線対のうちの一方のビット線に接続され、他方の抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線対のうちの他方のビット線に接続される。各トランジスタ対は、対応の抵抗体記憶素子の他方電極と対応の2本のソース線との間にそれぞれ接続され、それらのゲートは対応のワード線対にそれぞれ接続される。この不揮発性半導体記憶装置は、さらに、選択された抵抗体記憶素子に対応するワード線対とビット線対と2本のソース線とを用いてその抵抗体記憶素子のデータの書込/読出を行なう書込/読出回路を備える。
この発明の一実施の形態によれば、複数のワード線対と複数のビット線対との各交差部に抵抗体記憶素子が設けられ、各抵抗体記憶素子に対応してトランジスタ対が設けられる。ビット線対の延在方向に隣接する2つの抵抗体記憶素子のうちの一方の抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線対のうちの一方のビット線に接続され、他方の各抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線対のうちの他方のビット線に接続される。各トランジスタ対は、対応の抵抗体記憶素子の他方電極と対応の2本のソース線との間にそれぞれ接続され、それらのゲートは対応のワード線対にそれぞれ接続される。したがって、抵抗体記憶素子の他方電極を2つのトランジスタを介して2本のソース線に接続したので、十分な書込電流を得ることができる。また、折り返しビット線構成を採用したので、データ読出を正確に行なうことができる。
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1による不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAの要部を示す回路図である。図1において、メモリアレイMAは、図中Y方向に延在する複数のワード線対WLA,WLBと、図中Y方向に延在する複数のソース線SLと、図中X方向に延在する複数のビット線対BLA,BLBと、複数のワード線対WLA,WLBと複数のビット線対BLA,BLBとの各交差部に配置されたメモリセルMCとを備える。複数のワード線対WLA,WLBと複数のソース線SLとは交互に設けられている。
図1は、この発明の実施の形態1による不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAの要部を示す回路図である。図1において、メモリアレイMAは、図中Y方向に延在する複数のワード線対WLA,WLBと、図中Y方向に延在する複数のソース線SLと、図中X方向に延在する複数のビット線対BLA,BLBと、複数のワード線対WLA,WLBと複数のビット線対BLA,BLBとの各交差部に配置されたメモリセルMCとを備える。複数のワード線対WLA,WLBと複数のソース線SLとは交互に設けられている。
各メモリセルMCは、抵抗体記憶素子1と、2つのNチャネルMOSトランジスタ2,3とを含む。この不揮発性半導体記憶装置では、いわゆる折り返しビット線構成が採用されている。奇数番のワード線対WLA,WLBに対応するメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の一方電極は対応のビット線BLAに接続される。偶数番のワード線対WLA,WLBに対応する抵抗体記憶素子1の一方電極は対応のビット線BLBに接続される。トランジスタ2,3は、対応の抵抗体記憶素子1の他方電極と対応のワード線対WLA,WLBの両側の2本のソース線SLとの間にそれぞれ接続され、それらのゲートは対応のワード線WLA,WLBにそれぞれ接続される。
抵抗体記憶素子1は、抵抗値の変化によってデータを記憶する素子である。たとえば、抵抗体記憶素子1の一方電極から他方電極に書込電流を流すと抵抗体記憶素子1の抵抗値が高くなり、抵抗体記憶素子1の他方電極から一方電極に書込電流を流すと抵抗体記憶素子1の抵抗値が低くなる。抵抗体記憶素子1の抵抗値は、電源電圧をオフしても変化しない。したがって、抵抗体記憶素子1は、不揮発性記憶素子を構成する。抵抗体記憶素子1に書込電流よりも十分に低い読出電流を流したときの抵抗体記憶素子1の端子間電圧がしきい値電圧よりも大きいか否かを検出することにより、抵抗体記憶素子1の抵抗値すなわち記憶データを読み出すことができる。
抵抗体記憶素子1は、スピン注入素子のような磁気抵抗記憶素子で構成される。スピン注入素子は、上下の強磁性体層と、これらの強磁性体層の間の非磁性体層で構成される。このスピン注入素子において上下の強磁性体層の一方が、その磁化方向が固定される固定層として用いられ、他方が記憶データに応じてその磁化方向が設定される自由層として利用される。
スピン注入素子において、自由層から固定層に向けて書込電流を流すと、固定層から自由層に向かって電子が注入され、注入スピン電子は、その分極方向が固定層の磁化方向と同じとなる。したがって、この場合、自由層の磁化方向が固定層の磁化方向と同じとなる。一方、固定層を介して自由層に電流を注入すると、電子は自由層から固定層に向かって流れる。固定層の磁化方向と反対の分極スピン電子は反射され、固定層の磁化方向と同じ分極のスピン電子が固定層を通過する。応じて、自由層の分極スピン電子としては、固定層の磁化方向と反対方向のスピン分極電子の数が多くなり、応じて、自由層の磁化方向が固定層の磁化方向と反対方向に設定される。この固定層と自由層の磁化方向が平行な状態(同じ状態)は低抵抗状態となり、磁化方向が反平行状態(反対方向)のとき高抵抗状態となる。
この不揮発性半導体記憶装置では、2つのトランジスタ2,3を介して抵抗体記憶素子1に十分な書込電流を流すことができる。また、ワード線対WLA,WLBとビット線対BLA,BLBの交差部において、メモリセルMCはビット線対BLA,BLBのうちの一方のビット線(たとえばBLA)のみに接続され、他方のビット線(この場合はBLB)に接続されていない。したがって、ビット線対BLA,BLBを用いてメモリセルMCのデータを読み出す場合、ビット線BLAとBLBの両方に乗ったノイズを相殺することが可能になり、データを正確に読み出すことができる。データの書込/読出方法については、後で詳述する。
図2(a)は図1に示したメモリアレイMAのレイアウトを示す平面図であり、図2(b)は図2(a)のIIB−IIB線断面図である。図2(a)(b)において、N型半導体基板5の表面に複数のP型ウェルPWが所定の間隔で形成される。P型ウェルPWは、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中X方向に延在する。
複数のP型ウェルPWの上方に、複数のワード線WLA,WLBが所定の間隔で形成される。ワード線WLA,WLBの各々は、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中Y方向に延在する。ワード線WLA,WLBをマスクとしてP型ウェルPWの表面にN型不純物が注入されてNチャネルMOSトランジスタ2,3が形成される。ワード線WLAとWLBの間の不純物領域がトランジスタ2,3のドレインDとなり、ワード線WLAを挟んでドレインDの反対側の不純物領域がトランジスタ2のソースSとなり、ワード線WLBを挟んでドレインDの反対側の不純物領域がトランジスタ3のソースSとなる。
トランジスタ2,3のソースSの上方に、第1メタル層を用いて複数のソース線SLが形成される。各ソース線SLは、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中Y方向に延在する。複数のソース線SLと複数のワード線対WLA,WLBとは交互に配置される。各トランジスタ2のソースSは、コンタクトホールCHを介して上方のソース線SLに接続される。各トランジスタ3のソースSは、コンタクトホールCHを介して上方のソース線SLに接続される。
トランジスタ2,3のドレインDの上方に第1メタル層を用いて電極EL1が形成され、電極EL1はコンタクトホールCHを介してドレインDに接続される。電極EL1の上方に第2メタル層を用いて電極EL2が形成され、電極EL2はスルーホールTHを介して電極EL1に接続される。電極EL2の上方に第3メタル層を用いて電極EL3が形成され、電極EL3はスルーホールTHを介して電極EL2に接続される。電極EL3の上方に、複数のビット線BLA,BLBが所定の間隔で形成される。ビット線BLA,BLBの各々は、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中X方向に延在する。複数のビット線BLAはそれぞれ複数のP型ウェルPWの上方に配置され、ビット線BLBは隣接する2つのP型ウェルPWの間の領域の上方に配置される。
奇数番のワード線対WLA,WLBに対応する電極EL3とビット線BLAとの間に抵抗体記憶素子1が形成され、偶数番のワード線対WLA,WLBに対応する電極EL3とビット線BLAとの間に抵抗体記憶素子1が形成される。基板5とビット線BLA,BLBの間には絶縁層6が設けられている。
図3は、図1および図2に示したメモリアレイMAを備えた不揮発性半導体記憶装置の全体構成を示すブロック図である。図3において、この不揮発性半導体記憶装置は、メモリアレイMA、ワード線駆動回路10、ソース線駆動回路11、ビット線選択回路12、書込/読出回路13、および制御回路14を備える。ワード線駆動回路10は、制御回路14によって指定されたワード線WLを選択レベルにする。ソース線駆動回路11は、制御回路14によって指定されたソース線SLを「H」レベルまたは「L」レベルにする。ビット線選択回路12は、制御回路14によって指定されたビット線BLを書込/読出回路13に接続する。書込/読出回路13は、選択されたメモリセルMCのデータの書込/読出を行なう。制御回路14は、外部アドレス信号、外部制御信号に従って不揮発性半導体記憶装置全体を制御する。
次に、図1および図3を参照して、この不揮発性半導体記憶装置におけるデータの書込方法について説明する。まず外部アドレス信号に従って複数のメモリセルMCのうちのいずれかのメモリセルMCが選択される。そのメモリセルMCにデータ“1”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BL(BLAまたはBLB)に高電圧VHが印加され、対応の2本のソース線SLに低電圧VLが印加され、対応のワード線対WLA,WLBに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3が導通し、ビット線BLから抵抗体記憶素子1およびトランジスタ2,3を介して2本のソース線SLに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルに設定される。
また、そのメモリセルMCにデータ“0”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BL(BLAまたはBLB)に低電圧VLが印加され、対応の2本のソース線SLに高電圧VHが印加され、対応のワード線対WLA,WLBに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3が導通し、2本のソース線SLからトランジスタ2,3および抵抗体記憶素子1を介してビット線BLに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルに設定される。抵抗体記憶素子1の抵抗値は、書込電流を遮断した後も変化しない。
次に、図4および図5を参照して、この不揮発性半導体記憶装置のデータの読出方法について説明する。図4において、図面および説明の簡単化のため、各メモリセルMCに対応するワード線対WLA,WLBのうちの1本のワード線WLのみが示され、対応の2本のソース線SLのうちの1本のソース線SLのみが示されている。
複数のワード線WL1〜WLn(ただし、nは自然数である)と複数のビット線対BLA1,BLB1〜BLA2m,BLB2m(ただし、mは自然数である)とが交差して設けられ、各ワード線WLに対応してソース線SLが設けられ、ワード線WLとビット線対BLA,BLBの各交差部にメモリセルMCが配置される。奇数番のワード線WL2n−1に対応するメモリセルMCは、そのワード線WL2n−1と、対応のビット線BLAと、対応のソース線SL2n−1とに接続される。偶数番のワード線WL2nに対応するメモリセルMCは、そのワード線WL2nと、対応のビット線BLBと、対応のソース線SL2nとに接続される。
1番目と2番目のワード線WL1,WL2はダミーワード線として使用され、ダミーワード線WL1,WL2に対応するメモリセルMCはダミーメモリセルとして使用される。ダミーワード線WL1,WL2に対応するメモリセルMCのうちの奇数番のビット線対BL2m−1に対応する各メモリセルMCの抵抗体記憶素子1の抵抗値は予め「H」レベルに設定され、偶数番のビット線対BL2mに対応する各メモリセルMCの抵抗体記憶素子1の抵抗値は予め「L」レベルに設定される。他の各メモリセルMCには所望のデータが書き込まれる。所望のデータが書き込まれたメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の抵抗値をRとする。
書込/読出回路13には、コンパレータ15および抵抗素子16〜18が設けられている。抵抗素子16は、電源電位VCCのラインとコンパレータ15の+側入力端子15aとの間に接続される。抵抗素子17,18は、電源電位VCCのラインとコンパレータ15の−側入力端子15bとの間に並列接続される。抵抗素子16〜18の各々は、所定の抵抗値RCを有する。また、ビット線選択回路12には、各ビット線BLをコンパレータ15の入力端子15a,15bに選択的に接続する複数のスイッチSWが設けられている。
今、奇数番のワード線WL2n−1と奇数番のビット線対BLA1,BLB1との交差部のメモリセルMCが選択されたものとする。奇数番のワード線WL2n−1が選択されたので、そのワード線WL2n−1と偶数番のダミーワード線WL2が選択され、それらのワード線WL2n−1,WL2の各々が高電圧VPPにされる。このとき、各ビット線BLには、ノイズVNが発生する。また、ワード線WL2n−1,WL2に対応するソース線SL2n−1,SL2が「L」レベル(接地電位GND)にされる。また、奇数番のビット線対BLA1,BLB1が選択されたので、そのビット線対BLA1,BLB1と、偶数番のビット線対BLA2m,BLB2mのうちのビット線BLB2mとが選択される。ビット線BLA1はスイッチSWによってコンパレータ15の+側入力端子15aに接続され、ビット線BLB1,BLB2mは複数のスイッチSWによってコンパレータ15の−側入力端子15bに接続される。
つまり図5に示すように、コンパレータ15の+側入力端子15aは抵抗値RCの抵抗素子16を介して電源電位VCCのラインに接続されるとともに、未知の抵抗値Rの抵抗体記憶素子1を介して接地電位GNDのラインに接続される。また、コンパレータ15の
−側入力端子15bは、抵抗値RCの抵抗素子17と抵抗値RCの抵抗素子18との並列接続体を介して電源電位VCCのラインに接続されるとともに、「H」レベルの抵抗値RHの抵抗体記憶素子1と「L」レベルの抵抗値RLの抵抗体記憶素子1との並列接続体を介して接地電位GNDのラインに接続される。
−側入力端子15bは、抵抗値RCの抵抗素子17と抵抗値RCの抵抗素子18との並列接続体を介して電源電位VCCのラインに接続されるとともに、「H」レベルの抵抗値RHの抵抗体記憶素子1と「L」レベルの抵抗値RLの抵抗体記憶素子1との並列接続体を介して接地電位GNDのラインに接続される。
抵抗値RがRHの場合は、+側入力端子15aの電位が−側入力端子15bの電位よりも高くなり、コンパレータ15の出力信号DAは「H」レベルになる。抵抗値RがRLの場合は、+側入力端子15aの電位が−側入力端子15bの電位よりも低くなり、コンパレータ15の出力信号DAは「L」レベルになる。したがって、信号DAのレベルを検出することにより、選択されたメモリセルMCの記憶データを検出することができる。また、このとき、コンパレータ15の2つの入力端子15a,15bには同相のノイズVNが乗るが、入力端子15aのノイズVNと入力端子15bのノイズVNとが相殺される。したがって、ノイズVNの影響を受けることなく、データの読出を正確に行なうことができる。
なお、偶数番のワード線WL2nが選択された場合は、そのワード線WL2nと奇数番のダミーワード線WL1が選択される。また、偶数番のビット線対BLA2,BLB2が選択された場合は、そのビット線対BLA2,BLB2と、奇数番のビット線対BLA2m−1,BLB2m−1のうちのビット線BLA2m−1とが選択される。
図6は、この実施の形態1の比較例となる不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAを示す回路図であって、図1と対比される図である。図6を参照して、このメモリアレイMAが図1のメモリアレイMAと異なる点は、複数のワード線対WLA,WLBと複数のビット線BLとの各交差部にメモリセルMCが配置されている点である。したがって、この比較例では、図4および図5で示したようなデータ読出を行なうことはできない。
図7は、比較例のデータ読出方法を示す回路図であって、図5と対比される図である。図7において、コンパレータ15の−側入力端子15bには所定のしきい値電圧VTが印加される。選択されたメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルのRHの場合は、+側入力端子15aの電圧がしきい値電圧VTよりも高くなり、コンパレータ15の出力信号DAは「H」レベルとなる。また、選択されたメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルのRLの場合は、+側入力端子15aの電圧がしきい値電圧VTよりも低くなり、コンパレータ15の出力信号DAは「L」レベルとなる。したがって、信号DAのレベルを検出することにより、選択されたメモリセルMCの記憶データを検出することができる。ただし、このときコンパレータ15の2つの入力端子15a,15bのうちの入力端子15aのみにノイズVNが乗るので、コンパレータ15がノイズの影響を受け、誤動作を起こす場合がある。
[実施の形態2]
図8は、この発明の実施の形態2による不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAの要部を示す回路図であって、図1と対比される図である。このメモリアレイMAが図1のメモリアレイMAと異なる主な点は、ソース線SLが図中X方向に延在している点である。
図8は、この発明の実施の形態2による不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAの要部を示す回路図であって、図1と対比される図である。このメモリアレイMAが図1のメモリアレイMAと異なる主な点は、ソース線SLが図中X方向に延在している点である。
すなわち図1において、メモリアレイMAは、図中Y方向に延在する複数のワード線対WLA,WLBと、図中X方向に延在する複数のビット線対BLA,BLBと、図中X方向に延在する複数のソース線SLと、複数のワード線対WLA,WLBと複数のビット線対BLA,BLBとの各交差部に配置されたメモリセルMCとを備える。複数のビット線対BLA,BLBと複数のソース線SLとは交互に設けられている。
各メモリセルMCは、抵抗体記憶素子1と、2つのNチャネルMOSトランジスタ2,3とを含む。この不揮発性半導体記憶装置では、いわゆる折り返しビット線構成が採用されている。奇数番のワード線対WLA,WLBに対応するメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の一方電極は対応のビット線BLAに接続される。偶数番のワード線対WLA,WLBに対応する抵抗体記憶素子1の一方電極は対応のビット線BLBに接続される。トランジスタ2,3は、対応の抵抗体記憶素子1の他方電極と対応のソース線SLとの間に並列接続され、それらのゲートは対応のワード線WLA,WLBにそれぞれ接続される。
この不揮発性半導体記憶装置では、2つのトランジスタ2,3を介して抵抗体記憶素子1に十分な書込電流を流すことができる。また、ワード線対WLA,WLBとビット線対BLA,BLBの交差部において、メモリセルMCはビット線対BLA,BLBのうちの一方のビット線(たとえばBLA)のみに接続され、他方のビット線(この場合はBLB)に接続されていない。したがって、実施の形態1と同様に、ビット線対BLA,BLBを用いてメモリセルMCのデータを読み出す場合、ビット線BLAとBLBの両方に乗ったノイズを相殺することが可能になり、データを正確に読み出すことができる。
また、この実施の形態2では、各ビット線対BLA,BLBに対応してソース線SLが設けられているので、複数のメモリセルMCに互いに異なるデータを同時に書込むことができる。
なお、この実施の形態2では、抵抗体記憶素子1の一方電極をビット線BLAまたはBLBに接続し、抵抗体記憶素子1の他方電極とソース線SLとの間にトランジスタ2,3を並列接続したが、抵抗体記憶素子1の一方電極をソース線SLに接続し、抵抗体記憶素子1の他方電極とビット線BLAまたはBLBとの間にトランジスタ2,3を並列接続しても同じ効果が得られることは言うまでもない。
図9(a)は図8に示したメモリアレイのレイアウトを示す平面図であって、図2(a)と対比される図である。図9(b)は図9(a)のIXB−IXB線断面図である。図9(a)(b)において、N型半導体基板5の表面に複数のP型ウェルPWが所定の間隔で形成される。P型ウェルPWは、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中X方向に延在する。
複数のP型ウェルPWの上方に、複数のワード線WLA,WLBが所定の間隔で形成される。ワード線WLA,WLBの各々は、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中Y方向に延在する。ワード線WLA,WLBをマスクとしてP型ウェルPWの表面にN型不純物が注入されてNチャネルMOSトランジスタ2,3が形成される。ワード線WLAとWLBの間の不純物領域がトランジスタ2,3のドレインDとなり、ワード線WLAを挟んでドレインDの反対側の不純物領域がトランジスタ2のソースSとなり、ワード線WLBを挟んでドレインDの反対側の不純物領域がトランジスタ3のソースSとなる。
トランジスタ2,3のソースSの上方に、第1メタル層を用いて複数のソース線SLが形成される。各ソース線SLは、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中X方向に延在する。各ソース線SLは、対応のP型ウェルPWの一方側の上方に形成される。各トランジスタ2のソースSは、コンタクトホールCHを介して上方のソース線SLに接続される。各トランジスタ3のソースSは、コンタクトホールCHを介して上方のソース線SLに接続される。
トランジスタ2,3のドレインDの上方に第1メタル層を用いて電極EL1が形成され、電極EL1はコンタクトホールCHを介してドレインDに接続される。電極EL1の上方に第2メタル層を用いて電極EL2が形成され、電極EL2はスルーホールTHを介して電極EL1に接続される。電極EL2の上方に第3メタル層を用いて電極EL3が形成され、電極EL3はスルーホールTHを介して電極EL2に接続される。電極EL3の上方に、複数のビット線BLA,BLBが所定の間隔で形成される。ビット線BLA,BLBの各々は、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中X方向に延在する。複数のビット線BLAはそれぞれ複数のP型ウェルPWの上方に配置され、ビット線BLBは隣接する2つのP型ウェルPWの間の領域の上方に配置される。
奇数番のワード線対WLA,WLBに対応する電極EL3とビット線BLAとの間に抵抗体記憶素子1が形成され、偶数番のワード線対WLA,WLBに対応する電極EL3とビット線BLBとの間に抵抗体記憶素子1が形成される。基板5とビット線BLA,BLBの間には絶縁層6が設けられている。
[実施の形態3]
図10は、この発明の実施の形態3による不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAの要部を示す回路図である。
図10は、この発明の実施の形態3による不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAの要部を示す回路図である。
図10において、メモリアレイMAは、予め3本ずつグループ化され、図中Y方向に延在する複数のワード線WLA,WLB,WLC,…と、図中X方向に延在する複数のビット線対BLA,BLBと、それぞれビット線BLA,BLBに対応して設けられ、図中X方向に延在するソース線SLA,SLBと、各ワード線グループと各ビット線対BLA,BLBとの交差部に設けられた1対のメモリセルMCとを含む。
1対のメモリセルMCのうちの一方のメモリセルMCは、対応のワード線グループのうちの1番目のワード線WLAと2番目のワード線WLBと対応のビット線BLAとの交差部に配置される。他方のメモリセルMCは、対応のワード線グループのうちの2番目のワード線WLBと3番目のワード線WLCと対応のビット線BLBとの交差部に配置される。
各メモリセルMCは、抵抗体記憶素子1と、2つのNチャネルMOSトランジスタ2,3とを含む。抵抗体記憶素子1の一方電極は対応のビット線BLAまたはBLBに接続される。一方のメモリセルMCのトランジスタ2,3は、対応の抵抗体記憶素子1の他方電極と対応のソース線SLAとの間に並列接続され、それらのゲートは対応のワード線WLA,WLBにそれぞれ接続される。他方のメモリセルMCのトランジスタ2,3は、対応の抵抗体記憶素子1の他方電極と対応のソース線SLBとの間に並列接続され、それらのゲートは対応のワード線WLB,WLCにそれぞれ接続される。
次に、この不揮発性半導体記憶装置におけるデータの書込方法について説明する。今、ワード線WLA,WLBとビット線BLAの交差部のメモリセルMC(図中、左上のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定されたものとする。そのメモリセルMCにデータ“1”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLAに高電圧VHが印加され、対応のソース線SLAに低電圧VLが印加され、対応のワード線対WLA,WLBに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3が導通し、ビット線BLAから抵抗体記憶素子1およびトランジスタ2,3を介してソース線SLAに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルに設定される。
また、そのメモリセルMCにデータ“0”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLAに低電圧VLが印加され、対応のソース線SLAに高電圧VHが印加され、対応のワード線対WLA,WLBに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3が導通し、ソース線SLAからトランジスタ2,3および抵抗体記憶素子1を介してビット線BLAに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルに設定される。抵抗体記憶素子1の抵抗値は、書込電流を遮断した後も変化しない。
なお、ワード線WLA,WLBに高電圧VPPを印加したときにワード線WLB,WLCとビット線BLBとの交差部のメモリセルMCのトランジスタ2も導通するが、ビット線BLBとソース線SLBを同電位(たとえばVL)にすることにより、そのメモリセルMCへのデータ書込を防止する。
次に、ワード線WLB,WLCとビット線BLBの交差部のメモリセルMC(図中、右下のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定されたものとする。そのメモリセルMCにデータ“1”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLBに高電圧VHが印加され、対応のソース線SLBに低電圧VLが印加され、対応のワード線対WLB,WLCに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3が導通し、ビット線BLBから抵抗体記憶素子1およびトランジスタ2,3を介してソース線SLBに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルに設定される。
また、そのメモリセルMCにデータ“0”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLBに低電圧VLが印加され、対応のソース線SLBに高電圧VHが印加され、対応のワード線対WLB,WLCに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3が導通し、ソース線SLBからトランジスタ2,3および抵抗体記憶素子1を介してビット線BLBに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルに設定される。抵抗体記憶素子1の抵抗値は、書込電流を遮断した後も変化しない。この実施の形態3では、2つのトランジスタ2,3を介して抵抗体記憶素子1に十分な書込電流を供給することができる。
なお、ワード線WLB,WLCに高電圧VPPを印加したときにワード線WLA,WLBとビット線BLBとの交差部のメモリセルMCのトランジスタ3も導通するが、ビット線BLAとソース線SLAを同電位(たとえばVL)にすることにより、そのメモリセルMCへのデータ書込を防止する。
次に、この不揮発性半導体記憶装置におけるデータの読出方法について説明する。ワード線WLA,WLBとビット線BLAの交差部のメモリセルMC(図中、左上のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定された場合は、対応のワード線グループのうちのワード線WLAのみに高電圧VPPが印加され、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3のうちのトランジスタ2のみが導通状態にされる。このとき、ビット線BLAとソース線SLAの間に抵抗体記憶素子1が接続され、ビット線BLBとソース線SLBの間に抵抗体記憶素子1は接続されないので、実施の形態1と同様の方法でデータ読出を正確に行なうことができる。
また、ワード線WLB,WLCとビット線BLBの交差部のメモリセルMC(図中、右下のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定された場合は、対応のワード線グループのうちのワード線WLCのみに高電圧VPPが印加され、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3のうちのトランジスタ3のみが導通状態にされる。このとき、ビット線BLBとソース線SLBの間に抵抗体記憶素子1が接続され、ビット線BLAとソース線SLAの間に抵抗体記憶素子1は接続されないので、実施の形態1と同様の方法でデータ読出を正確に行なうことができる。
また、この実施の形態3では、各ビット線対BLA,BLBに対応してソース線対SLA,SLBが設けられているので、複数のメモリセルMCに互いに異なるデータを同時に書込むことができる。
なお、この実施の形態3では、抵抗体記憶素子1の一方電極をビット線BLAまたはBLBに接続し、抵抗体記憶素子1の他方電極とソース線SLAまたはSLBとの間にトランジスタ2,3を並列接続したが、抵抗体記憶素子1の一方電極をソース線SLAまたはSLBに接続し、抵抗体記憶素子1の他方電極とビット線BLAまたはBLBとの間にトランジスタ2,3を並列接続しても同じ効果が得られることは言うまでもない。
[実施の形態4]
図11は、この発明の実施の形態4による不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAの要部を示す回路図である。
図11は、この発明の実施の形態4による不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAの要部を示す回路図である。
図11において、メモリアレイMAは、予め3本ずつグループ化され、図中Y方向に延在する複数のワード線WLA,WLB,WLC,…と、図中X方向に延在する複数のビット線対BLA,BLBと、各ビット線対BLA,BLBに対応して設けられ、図中X方向に延在するソース線SLと、各ワード線グループと各ビット線対BLA,BLBとの交差部に設けられた1対のメモリセルMCとを含む。
1対のメモリセルMCのうちの一方のメモリセルMCは、対応のワード線グループのうちの1番目のワード線WLAと2番目のワード線WLBと対応のビット線BLAとの交差部に配置される。他方のメモリセルMCは、対応のワード線グループのうちの2番目のワード線WLBと3番目のワード線WLCと対応のビット線BLBとの交差部に配置される。
各メモリセルMCは、抵抗体記憶素子1と、2つのNチャネルMOSトランジスタ2,3とを含む。抵抗体記憶素子1の一方電極は対応のソース線SLに接続される。一方のメモリセルMCのトランジスタ2,3は、対応の抵抗体記憶素子1の他方電極と対応のビット線BLAとの間に並列接続され、それらのゲートは対応のワード線WLA,WLBにそれぞれ接続される。他方のメモリセルMCのトランジスタ2,3は、対応の抵抗体記憶素子1の他方電極と対応のビット線BLBとの間に並列接続され、それらのゲートは対応のワード線WLB,WLCにそれぞれ接続される。
なお、ビット線対BLA,BLBの延在方向に隣接する2つのメモリセルMCのうちの一方のメモリセルMCのトランジスタ2と他方のメモリセルMCのトランジスタ3との間に接続されたNチャネルMOSトランジスタ20は、隣接する2つのメモリセルMCを同じP型ウェルPWに形成した場合にできる寄生トランジスタである。このトランジスタ20のソースとドレインは短絡されているので、不揮発性半導体記憶装置の書込/読出動作に悪影響を及ぼすことはない。
次に、この不揮発性半導体記憶装置におけるデータの書込方法について説明する。今、ワード線WLA,WLBとビット線BLAの交差部のメモリセルMC(図中、左上のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定されたものとする。そのメモリセルMCにデータ“1”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLAに高電圧VHが印加され、対応のソース線SLAおよびビット線BLBに低電圧VLが印加され、対応のワード線対WLA,WLBに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3が導通し、ビット線BLAからトランジスタ2,3および抵抗体記憶素子1を介してソース線SLに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルに設定される。
また、そのメモリセルMCにデータ“0”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLAに低電圧VLが印加され、対応のソース線SLおよびビット線BLBに高電圧VHが印加され、対応のワード線対WLA,WLBに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3が導通し、ソース線SLから抵抗体記憶素子1およびトランジスタ2,3を介してビット線BLAに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルに設定される。抵抗体記憶素子1の抵抗値は、書込電流を遮断した後も変化しない。
なお、ワード線WLA,WLBに高電圧VPPを印加したときにワード線WLB,WLCとビット線BLBとの交差部のメモリセルMCのトランジスタ2も導通するが、ビット線BLBとソース線SLを同電位(たとえばVL)にすることにより、そのメモリセルMCへのデータ書込を防止する。
次に、ワード線WLB,WLCとビット線BLBの交差部のメモリセルMC(図中、右下のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定されたものとする。そのメモリセルMCにデータ“1”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLBに高電圧VHが印加され、対応のソース線SLおよびビット線BLAに低電圧VLが印加され、対応のワード線対WLB,WLCに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3が導通し、ビット線BLBからトランジスタ2,3および抵抗体記憶素子1を介してソース線SLに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルに設定される。
また、そのメモリセルMCにデータ“0”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLBに低電圧VLが印加され、対応のソース線SLおよびビット線BLAに高電圧VHが印加され、対応のワード線対WLB,WLCに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3が導通し、ソース線SLから抵抗体記憶素子1およびトランジスタ2,3を介してビット線BLBに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルに設定される。抵抗体記憶素子1の抵抗値は、書込電流を遮断した後も変化しない。この実施の形態4では、2つのトランジスタ2,3を介して抵抗体記憶素子1に十分な書込電流を供給することができる。
なお、ワード線WLB,WLCに高電圧VPPを印加したときにワード線WLA,WLBとビット線BLBとの交差部のメモリセルMCのトランジスタ3も導通するが、ビット線BLAとソース線SLを同電位(たとえばVL)にすることにより、そのメモリセルMCへのデータ書込を防止する。
次に、この不揮発性半導体記憶装置におけるデータの読出方法について説明する。ワード線WLA,WLBとビット線BLAの交差部のメモリセルMC(図中、左上のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定された場合は、対応のワード線グループのうちのワード線WLAのみに高電圧VPPが印加され、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3のうちのトランジスタ2のみが導通状態にされる。このとき、ビット線BLAとソース線SLの間に抵抗体記憶素子1が接続され、ビット線BLBとソース線SLの間に抵抗体記憶素子1は接続されないので、実施の形態1と同様の方法でデータ読出を正確に行なうことができる。
また、ワード線WLB,WLCとビット線BLBの交差部のメモリセルMC(図中、右下のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定された場合は、対応のワード線グループのうちのワード線WLCのみに高電圧VPPが印加され、そのメモリセルMCのトランジスタ2,3のうちのトランジスタ3のみが導通状態にされる。このとき、ビット線BLBとソース線SLの間に抵抗体記憶素子1が接続され、ビット線BLAとソース線SLの間に抵抗体記憶素子1は接続されないので、実施の形態1と同様の方法でデータ読出を正確に行なうことができる。
また、この実施の形態4では、各ビット線対BLA,BLBに対応してソース線SLが設けられているので、複数のメモリセルMCに互いに異なるデータを同時に書込むことができる。
なお、この実施の形態4では、抵抗体記憶素子1の一方電極をソース線SLに接続し、抵抗体記憶素子1の他方電極とビット線BLAまたはBLBとの間にトランジスタ2,3を並列接続したが、抵抗体記憶素子1の一方電極をビット線BLAまたはBLBに接続し、抵抗体記憶素子1の他方電極とソース線SLとの間にトランジスタ2,3を並列接続しても同じ効果が得られることは言うまでもない。
[実施の形態5]
図12は、この発明の実施の形態5による不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAの要部を示す回路図である。
図12は、この発明の実施の形態5による不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイMAの要部を示す回路図である。
図12において、メモリアレイMAは、予め3本ずつグループ化され、図中Y方向に延在する複数のワード線WLA,WLB,WLC,…と、複数のワード線グループと交互に設けられ、図中Y方向に延在する複数のソース線SLと、図中X方向に延在する複数のビット線対BLA,BLBと、それぞれビット線BLA,BLBに対応して設けられ、各ワード線グループと各ビット線対BLA,BLBとの交差部に設けられた1対のメモリセルMCとを含む。
各メモリセルMCは、抵抗体記憶素子1と、3つのNチャネルMOSトランジスタ2,3,4とを含む。1対のメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の一方電極は対応のビット線BLA,BLBにそれぞれ接続される。各メモリセルMCのトランジスタ2〜4は、対応のワード線グループの両側の2本のソース線SLの間に直列接続され、それらのゲートは対応のワード線WLA,WLB,WLBにそれぞれ接続される。ビット線BLAに対応するメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の他方電極は、トランジスタ2,3間のノードに接続される。ビット線BLBに対応するメモリセルMCの抵抗体記憶素子1の他方電極は、トランジスタ3,4間のノードに接続される。
次に、この不揮発性半導体記憶装置におけるデータの書込方法について説明する。今、ワード線WLA,WLB,WLCとビット線BLAの交差部のメモリセルMC(図中、左上のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定されたものとする。そのメモリセルMCにデータ“1”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLAに高電圧VHが印加され、対応のソース線SLAに低電圧VLが印加され、対応のワード線WLA,WLB,WLCに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2〜4が導通し、ビット線BLAから抵抗体記憶素子1およびトランジスタ2〜4を介して2本のソース線SLに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルに設定される。
また、そのメモリセルMCにデータ“0”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLAに低電圧VLが印加され、対応の2本のソース線SLに高電圧VHが印加され、対応のワード線WLA,WLB,WLCに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2〜4が導通し、2本のソース線SLからトランジスタ2〜4および抵抗体記憶素子1を介してビット線BLAに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルに設定される。抵抗体記憶素子1の抵抗値は、書込電流を遮断した後も変化しない。
なお、ワード線WLA,WLB,WLCに高電圧VPPを印加したときにワード線WLA,WLB,WLCとビット線BLBとの交差部のメモリセルMCのトランジスタ2〜4も導通するが、ビット線BLBをソース線SLと同電位にすることにより、そのメモリセルMCへのデータ書込を防止する。
次に、ワード線WLA,WLB,WLCとビット線BLBの交差部のメモリセルMC(図中、右下のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定されたものとする。そのメモリセルMCにデータ“1”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLBに高電圧VHが印加され、対応のソース線SLBに低電圧VLが印加され、対応のワード線WLA,WLB,WLCに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2〜4が導通し、ビット線BLBから抵抗体記憶素子1およびトランジスタ2〜4を介して2本のソース線SLに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルに設定される。
また、そのメモリセルMCにデータ“0”を書込む場合は、そのメモリセルMCに対応するビット線BLBに低電圧VLが印加され、対応の2本のソース線SLに高電圧VHが印加され、対応のワード線WLA,WLB,WLCに高電圧VPP(>VH)が印加される。これにより、そのメモリセルMCのトランジスタ2〜4が導通し、2本のソース線SLからトランジスタ2〜4および抵抗体記憶素子1を介してビット線BLBに書込電流が流れ、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルに設定される。抵抗体記憶素子1の抵抗値は、書込電流を遮断した後も変化しない。この実施の形態5では、3つのトランジスタ2〜4を介して抵抗体記憶素子1に十分な書込電流を供給することができる。
なお、ワード線WLA,WLB,WLCに高電圧VPPを印加したときにワード線WLA,WLB,WLCとビット線BLAとの交差部のメモリセルMCのトランジスタ2〜4も導通するが、ビット線BLAをソース線SLと同電位にすることにより、そのメモリセルMCへのデータ書込を防止する。
次に、この不揮発性半導体記憶装置におけるデータの読出方法について説明する。ワード線WLA,WLB,WLCとビット線BLAの交差部のメモリセルMC(図中、左上のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定された場合は、対応のワード線グループのうちのワード線WLAのみにに高電圧VPPが印加され、そのメモリセルMCのトランジスタ2のみが導通状態にされる。このとき、ビット線BLAとソース線SLの間に抵抗体記憶素子1が接続され、ビット線BLBとソース線SLの間に抵抗体記憶素子1は接続されないので、実施の形態1と同様の方法でデータ読出を正確に行なうことができる。
また、ワード線WLB,WLCとビット線BLBの交差部のメモリセルMC(図中、右下のメモリセルMC)が外部アドレス信号によって指定された場合は、対応のワード線グループのうちのワード線WLCのみに高電圧VPPが印加され、そのメモリセルMCのトランジスタ43のみが導通状態にされる。このとき、ビット線BLBとソース線SLの間に抵抗体記憶素子1が接続され、ビット線BLAとソース線SLの間に抵抗体記憶素子1は接続されないので、実施の形態1と同様の方法でデータ読出を正確に行なうことができる。
図13(a)は図12に示したメモリアレイMAのレイアウトを示す平面図であり、図13(b)は図13(a)のXIIIB−XIIIB線断面図である。図13(a)(b)において、N型半導体基板5の表面に複数のP型ウェルPWが所定の間隔で形成される。P型ウェルPWは、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中X方向に延在する。
複数のP型ウェルPWの上方に、複数のワード線WLA,WLB,WLC,…が所定の間隔で形成される。ワード線WLA,WLB,WLCの各々は、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中Y方向に延在する。ワード線WLA,WLB,WLC,…をマスクとしてP型ウェルPWの表面にN型不純物が注入されてNチャネルMOSトランジスタ2〜4が形成される。ワード線WLAとWLBの間の不純物領域がトランジスタ2,3のドレインD(またはソースS)となり、ワード線WLAを挟んでドレインD(またはソースS)の反対側の不純物領域がトランジスタ2のソースS(またはドレインD)となる。ワード線WLBとWLCの間の不純物領域がトランジスタ3,4のソースS(またはドレインD)となり、ワード線WLCを挟んでソースS(またはドレインD)の反対側の不純物領域がトランジスタ4のドレインD(またはソースS)となる。
トランジスタ2のソースS(またはドレインD)の上方に、第1メタル層を用いてソース線SLが形成される。各ソース線SLは、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中Y方向に延在する。複数のソース線SLと複数のワード線グループWLA,WLB,WLCとは交互に配置される。各トランジスタ2のソースS(またはドレインD)は、コンタクトホールCHを介して上方のソース線SLに接続される。
トランジスタ2,3のドレインD(またはソースS)の上方に第1メタル層を用いて電極EL1が形成され、電極EL1はコンタクトホールCHを介してドレインD(またはソースS)に接続される。トランジスタ3,4のドレインD(またはソースS)の上方に第1メタル層を用いて電極EL1が形成され、電極EL1はコンタクトホールCHを介してドレインD(またはソースS)に接続される。電極EL1の上方に第2メタル層を用いて電極EL2が形成され、電極EL2はスルーホールTHを介して電極EL1に接続される。電極EL2の上方に第3メタル層を用いて電極EL3が形成され、電極EL3はスルーホールTHを介して電極EL2に接続される。
電極EL3の上方に、複数のビット線BLA,BLBが所定の間隔で形成される。ビット線BLA,BLBの各々は、所定の幅を有し、帯状に形成され、図中X方向に延在する。複数のビット線対BLA,BLBはそれぞれ複数のP型ウェルPWの上方に配置される。トランジスタ2,3のドレインD(またはソースS)に対応する電極EL3とビット線BLAとの間に抵抗体記憶素子1が接続され、トランジスタ3,4のドレインD(またはソースS)に対応する電極EL3とビット線BLBとの間に抵抗体記憶素子1が接続される。基板5とビット線BLA,BLBの間には絶縁層6が設けられている。
なお、以上の実施の形態1〜5では、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルである場合をデータ“1”とし、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルである場合をデータ“0”としたが、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルである場合をデータ“0”とし、抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルである場合をデータ“1”としてもよい。
また、ビット線BLから抵抗体記憶素子1を介してソース線SLに書込電流が流れた場合に抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルに設定され、その逆方向に書込電流が流れた場合に抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルに設定されるとした。しかし、ビット線BLから抵抗体記憶素子1を介してソース線SLに書込電流が流れた場合に抵抗体記憶素子1の抵抗値が「L」レベルに設定され、その逆方向に書込電流が流れた場合に抵抗体記憶素子1の抵抗値が「H」レベルに設定されることとしてもよい。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
MA メモリアレイ、WL,WLA,WLB,WLC ワード線、BL,BLA,BLB ビット線、SL,SLA,SLB ソース線、MC メモリセル、1 抵抗体記憶素子、2〜4,20 NチャネルMOSトランジスタ、5 N型半導体基板、6 絶縁層、PW P型ウェル、S ソース、D ドレイン、CH コンタクトホール、TH スルーホール、EL 電極、10 ワード線駆動回路、11 ソース線駆動回路、12 ビット線選択回路、13 書込/読出回路、14 制御回路、15 コンパレータ、16〜18 抵抗素子、SW スイッチ、VN ノイズ。
Claims (7)
- 互いに交差して設けられた複数のワード線対および複数のビット線対と、
各ワード線に対応して設けられたソース線と、
前記複数のワード線対と前記複数のビット線対との各交差部に設けられ、抵抗値の変化によってデータを記憶する抵抗体記憶素子と、
各抵抗体記憶素子に対応して設けられたトランジスタ対とを備え、
前記ビット線対の延在方向に隣接する各2つの抵抗体記憶素子のうちの一方の抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線対のうちの一方のビット線に接続され、他方の抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線対のうちの他方のビット線に接続され、
各トランジスタ対は、対応の抵抗体記憶素子の他方電極と対応の2本のソース線との間にそれぞれ接続され、それらのゲートは対応のワード線対にそれぞれ接続され、
さらに、選択された抵抗体記憶素子に対応するワード線対とビット線対と2本のソース線とを用いてその抵抗体記憶素子のデータの書込/読出を行なう書込/読出回路を備える、不揮発性半導体記憶装置。 - 互いに交差して設けられた複数のワード線対および複数のビット線対と、
各ビット線対に対応して設けられたソース線と、
前記複数のワード線対と前記複数のビット線対との各交差部に設けられ、抵抗値の変化によってデータを記憶する抵抗体記憶素子と、
各抵抗体記憶素子に対応して設けられたトランジスタ対とを備え、
前記ビット線対の延在方向に隣接する2つの抵抗体記憶素子はそれぞれ対応のビット線対に含まれる2本のビット線に対応して設けられ、
各抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線または対応のソース線に接続され、
各トランジスタ対は、対応の抵抗体記憶素子の他方電極と対応のソース線または対応のビット線との間に並列接続され、それらのゲートは対応のワード線対にそれぞれ接続され、
さらに、選択された抵抗体記憶素子に対応するワード線対とビット線対とソース線とを用いてその抵抗体記憶素子のデータの書込/読出を行なう書込/読出回路を備える、不揮発性半導体記憶装置。 - 予め3本ずつグループ化された複数のワード線と、
前記複数のワード線と交差して設けられた複数のビット線対と、
各ビット線対に対応して設けられたソース線対と、
複数のワード線グループと前記複数のビット線対との各交差部に設けられ、各々が抵抗値の変化によってデータを記憶する抵抗体記憶素子対と、
各抵抗体記憶素子に対応して設けられたトランジスタ対とを備え、
各抵抗体記憶素子対はそれぞれ対応のビット線対に含まれる2本のビット線に対応して設けられ、
各ソース線対に含まれる2本のソース線はそれぞれ対応のビット線対に含まれる2本のビット線に対応して設けられ、
各抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線または対応のソース線に接続され、
前記抵抗体記憶素子対のうちの一方の抵抗体記憶素子に対応するトランジスタ対は、対応の抵抗体記憶素子の他方電極と対応のソース線または対応のビット線との間に並列接続され、それらのゲートは対応のワード線グループのうちの1番目のワード線と2番目のワード線にそれぞれ接続され、
前記抵抗体記憶素子対のうちの他方の抵抗体記憶素子に対応するトランジスタ対は、対応の抵抗体記憶素子の他方電極と対応のソース線または対応のビット線との間に並列接続され、それらのゲートは対応のワード線グループのうちの2番目のワード線と3番目のワード線にそれぞれ接続され、
さらに、選択された抵抗体記憶素子に対応する2本のワード線とビット線対とソース線対とを用いてその抵抗体記憶素子のデータの書込/読出を行なう書込/読出回路を備える、不揮発性半導体記憶装置。 - 予め3本ずつグループ化された複数のワード線と、
前記複数のワード線と交差して設けられた複数のビット線対と、
各ビット線対に対応して設けられたソース線と、
複数のワード線グループと前記複数のビット線対との各交差部に設けられ、各々が抵抗値の変化によってデータを記憶する抵抗体記憶素子対と、
各抵抗体記憶素子に対応して設けられたトランジスタ対とを備え、
各抵抗体記憶素子対はそれぞれ対応のビット線対に含まれる2本のビット線に対応して設けられ、
各抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線または対応のソース線に接続され、
前記抵抗体記憶素子対のうちの一方の抵抗体記憶素子に対応するトランジスタ対は、対応の抵抗体記憶素子の他方電極と対応のソース線または対応のビット線との間に並列接続され、それらのゲートは対応のワード線グループのうちの1番目のワード線と2番目のワード線にそれぞれ接続され、
前記抵抗体記憶素子対のうちの他方の抵抗体記憶素子に対応するトランジスタ対は、対応の抵抗体記憶素子の他方電極と対応のソース線または対応のビット線との間に並列接続され、それらのゲートは対応のワード線グループのうちの2番目のワード線と3番目のワード線にそれぞれ接続され、
さらに、選択された抵抗体記憶素子に対応する2本のワード線とビット線対とソース線とを用いてその抵抗体記憶素子のデータの書込/読出を行なう書込/読出回路を備える、不揮発性半導体記憶装置。 - 予め3本ずつグループ化された複数のワード線と、
前記複数のワード線と交差して設けられた複数のビット線対と、
各ワード線グループに対応して設けられたソース線対と、
複数のワード線グループと前記複数のビット線対との各交差部に設けられ、各々が抵抗値の変化によってデータを記憶する抵抗体記憶素子対と、
各抵抗体記憶素子に対応して設けられた3つのトランジスタとを備え、
前記3つのトランジスタは、対応のソース線対の間に直列接続され、それらのゲートは対応のワード線グループの3本のワード線にそれぞれ接続され、
各抵抗体記憶素子対のうちの一方の抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線対のうちの一方のビット線に接続され、その他方電極は対応の3つのトランジスタのうちの1番目のトランジスタと2番目のトランジスタとの間に接続され、
各抵抗体記憶素子対のうちの他方の抵抗体記憶素子の一方電極は対応のビット線対のうちの他方のビット線に接続され、その他方電極は対応の3つのトランジスタのうちの2番目のトランジスタと3番目のトランジスタとの間に接続され、
さらに、選択された抵抗体記憶素子に対応する2本のワード線とビット線対とソース線対とを用いてその抵抗体記憶素子のデータの書込/読出を行なう書込/読出回路を備える、不揮発性半導体記憶装置。 - 前記抵抗体記憶素子は磁気抵抗記憶素子である、請求項1から請求項5までのいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記磁気抵抗記憶素子はスピン注入素子である、請求項6に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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