JP2013130526A - 弾性表面波センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る弾性表面波センサは、弾性表面波を伝播する圧電素子基板と、電気信号と前記弾性表面波との変換を行う電極と、前記弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される検出領域と、前記検出領域に接触し、液体が毛細管現象により浸潤する多孔性基材と、を備えることを特徴としている。
【選択図】図1
Description
(2)また、本発明の一態様に係る弾性表面波センサであって、前記多孔性基材は、前記弾性表面波の伝播方向に、液体が毛細管現象により浸潤するようにしてもよい。
(3)また、本発明の一態様に係る弾性表面波センサであって、前記多孔性基材は、目的物と反応する異なる反応物を溶液の浸潤する方向にそれぞれ分散して形成されるようにしてもよい。
(4)また、本発明の一態様に係る弾性表面波センサであって、前記多孔性基材は、第1領域と、第2領域と、を有し、前記第1領域と前記第2領域とが、前記弾性表面波の伝播方向に交互に形成され、前記第1領域の浸潤速度が、前記第2領域の浸潤速度より早いようにしてもよい。
(5)また、本発明の一態様に係る弾性表面波センサであって、前記多孔性基材は、
複数の前記第1領域における前記弾性表面波の伝播方向の長さが各々異なるようにしてもよい。
(6)また、本発明の一態様に係る弾性表面波センサであって、前記多孔性基材は、複数の前記第2領域における前記弾性表面波の伝播方向の長さが各々異なるようにしてもよい。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。
図1は、本発明で用いるSAWセンサ1を示す模式図である。
図1(a)は、SAWセンサ1の概略的な上面図であり、図1(b)はSAWセンサ1を切断面Aから見た概略的な断面図である。
図示する例では、SAWセンサ1は、圧電素子基板10、送信電極11−1a、送信電極11−1b、受信電極11−2a、受信電極11−2b、反応領域薄膜12、多孔性基材13、封止構造14−1、及び封止構造14−2を含んで構成される。
また、図1(a)において、SAWセンサ1の長手方向(SAWの伝播方向)をx軸方向で表し、短手方向をy軸方向で表す。図1(b)において、SAWセンサ1の長手方向をx軸方向で表し、厚み方向をz軸方向で表す。
送信電極11−1a、及び送信電極11−1bは、送信側電極部を構成する櫛歯状のパターンにより形成された金属電極である。以下、送信電極11−1a、及び送信電極11−1bを総称してIDT11−1と称する。
また、受信電極11−2a、及び受信電極11−2bは、受信側電極部を構成する櫛歯状のパターンにより形成された金属電極である。以下、受信電極11−2a、及び受信電極11−2bを総称してIDT11−2と称する。
IDT11−1、及びIDT11−2(総称してIDT11と呼ぶ)は、圧電素子基板10上に構成される電極である。IDT11は、対向した一対の電極である。IDT11は、例えばアルミニウム薄膜によって構成される。
圧電素子基板10と反応領域薄膜12との重なる部分が、検体である液体が導入される検出領域(センサ表面となる領域)となる。
多孔性基材13は、滴下された溶液を、毛細管現象により多孔性基材13内及び反応領域薄膜12の表面に移送し、保持する。つまり、SAWセンサ1は、滴下された溶液を多孔性基材13内部及び反応領域薄膜12の表面に保持する。
また、図1(a)に示したように、多孔性基材13は、x軸方向の位置x1からx2の間に配置されている。
溶液中の抗原は、反応領域薄膜12上に担持された抗体と反応し、反応領域薄膜12上の特定領域に抗原抗体結合物を生成する。
すなわち、反応領域薄膜12では、その表面に抗原を含んだ液体試料を滴下することにより、反応領域薄膜12上に担持された抗体と、液体試料中の抗原との間で抗原抗体反応が起こる。その結果、反応領域薄膜12上には、反応領域薄膜12上に担持した抗体と抗原が結合した抗原抗体結合物が生成する。なお、反応領域薄膜12は、金以外であっても抗体を担持できるものであればいかなるものでもよい。
なお、図1(a)及び図1(b)に示す例では、多孔性基材13は、反応領域薄膜12と平面視において同じ面積になるように重ねても、或いは平面視において反応領域薄膜12の内側となるように面積を小さく配置してもよい。多孔性基材13が、反応領域薄膜12の特定領域を覆うように配置されていればよい。
封止壁15−1は、IDT11−1を覆う壁であり、圧電素子基板10上に矩形状に形成される。封止壁15−1は、例えば感光性樹脂により構成される。
また、封止天井16−1は、封止壁15−1の上側を塞ぎ、IDT11−1を外部から密閉するための天井である。封止天井16−1は、封止天井16−1の平面領域内に封止壁15−1が収まるように封止壁15−1の上側に配置される。封止天井16−1は、例えばガラス基板で構成される。なお、封止壁15−1と封止天井16−1との間には、不図示の接着層が設けられ、封止壁15−1と封止天井16−1との間を密封して接着する。
封止構造14−1は、IDT11−1を外部から密閉してIDT11−1上に空間を形成するように覆い、IDT11−1が液体と接触することを防ぐ封止構造である。
これら封止構造14−1、及び封止構造14−2により、検出領域における雰囲気(例えば湿度)の変化があったとしても、IDT11−1、及びIDT11−2は、その影響を受けにくくなる。
また、図1(a)及び図1(b)では、多孔性基材13を封止構造14−1、及び封止構造14−2の封止天井と重なるように配置する例を示しているが、多孔性基材13は、反応領域薄膜12が配置されるセンサの検出領域を覆うように配置されていれば、封止天井と重なるように配置する必要はない。もっとも、多孔性基材13を封止天井と重ならないように配置する場合であって、多孔性基材13が表面弾性波の進む方向に大きくずれた(目ズレした)としても、封止構造14−1、及び封止構造14−2が、それぞれIDT11−1、及びIDT11−2を保護するので、IDTが溶液で濡れることはなく、IDTの弾性波送信動作または弾性波受信動作に影響を与えることはない。
交流信号源21は、例えば、250MHzの正弦波交流信号を発生する。交流信号源21は、生成した交流信号をバースト回路22に出力する。
バースト回路22は、交流信号源21から入力された交流信号を、周期的なバースト信号に変換する。ここで、バースト信号の周期は、SAWが圧電素子基板10の表面のIDT11−1からIDT11−2までの間を進行するのに要する時間より大きくなるようにする。バースト回路22は、生成したバースト信号をSAWセンサ1のIDT11−1及び位相・振幅検出回路23に出力する。
なお、バースト回路22はSAWセンサ1から出力される信号に含まれる主とする信号以外の直達波や他のバルク波などを含むノイズ等の妨害信号が十分に小さい場合には必要なく、連続波を用いてよい。
PC24は、位相・振幅検出回路23から入力された位相変化と振幅の減衰量に基づいて、表面の抗体と特異的に反応した溶液中の抗原の量と種類を判定し、判定結果を表示する。
図3は、本実施形態に係る多孔性基材13上の溶液の浸潤状態を説明する図である。図3(a)は、時刻t1における多孔性基材13上の溶液の浸潤状態を示す図である。図3(b)は、時刻t2(t2は、t1より大)における多孔性基材13上の溶液の浸潤状態を示す図である。図3(c)は、時刻t3(t3は、t2より大)における多孔性基材13上の溶液の浸潤状態を示す図である。
図3(a)〜図3(c)において、多孔性基材13の長手方向をx軸方向で表し、短手方向をy軸方向で表す。図3(a)〜図3(c)において、多孔性基材13の位置x1及びx2は、図1(a)と同様の位置である。
多孔性基材13は、滴下された溶液aを、多孔性基材13内及び反応領域薄膜12の表面を毛細管現象によりx軸の正方向に移送し、保持する。多孔性基材13に滴下された溶液aは、多孔性基材13の内部、及び多孔性基材13の表面をx軸の正方向に向けて徐々浸潤してゆく。このため、時刻t1において、図3(a)に示したように、添加された溶液aが浸潤した領域(以下、浸潤領域という)b1の先端は、x軸方向の位置x4まで浸潤する。また、時刻t2において、図3(b)に示したように、浸潤領域b2の先端は、x軸方向の位置x5(x5は、x4より大)まで浸潤する。さらに、時刻t3において、図3(c)に示したように、浸潤領域b3の先端は、x軸方向の位置x6(x6は、x5より大)まで浸潤する。
そして、溶液中の抗原は、溶液の浸潤に従って、反応領域薄膜12上に担持された抗体と徐々に反応し、反応領域薄膜12上に抗原抗体結合物を生成する。
SAWは、圧電素子基板10の表面近傍に集中して伝播する音響波である。圧電素子基板10の表面に物質が吸着すると、その表面の単位体積当たりの質量と粘性が変化する。質量と粘性の変化に応じて、SAWの伝播時間が変化し、SAWの振幅の減衰量が変化する。センス回路20の位相・振幅検出回路23は、位相の変化量と振幅の減衰量の変化量を利用して溶液中に含まれる抗原を測定する。
一方、溶液に含まれる抗原の濃度が高い場合、反応領域薄膜12の全体で抗原抗体反応が起きるため、検出信号は飽和する。したがって、センス回路20の位相・振幅検出回路23は、伝播時間による位相変化と振幅変化を検出できない。
このため、溶液は、反応領域薄膜12上に一度に浸潤しないため、溶液中の抗原の濃度が高い場合でも、位相・振幅検出回路23は、時刻毎に伝播時間による位相変化と振幅変化を検出することができる。
測定者は、まず、抗原を含まない溶媒を図3に示す位置(x3,y3)に滴下し、反応領域薄膜12上を溶媒で浸潤させ、SAWの伝播時間による位相変化を測定する(ブランクテスト)。次に、測定者は、SAWセンサ1を他のサンプル(SAWセンサ1)に取り替えて、抗原を含んだ溶液を、そのサンプルの図2に示す位置(x3,y3)に滴下し、その伝播時間による位相変化を測定する。溶媒に対応する位相変化と溶液に対応する位相変化との差が、抗原抗体反応によって反応領域薄膜12に生成した抗原抗体結合物に起因する位相の変化量となる。PC24は、ブランクテストをした時の位相変化をメモリ内に記憶しておき、この位相変化と、溶液を滴下して得られる位相変化との差を算出することで、位相の変化量を算出する。PC24は、位相の変化量に基づいて、溶液に含まれる抗原を特定する。振幅の減衰量についても同様であり、振幅の減衰量の変化量に基づいて、溶液に含まれる抗原を特定する。
また、利用する溶媒でのSAWの伝播時間が予め判明していない場合でも、抗原を含んだ溶液の滴下直後の位相と振幅とを基準として、それ以降の変化の差を取ることで溶液中の抗原の量と種類とを判定し、判定結果を表示することも可能である。
以下、図面を参照しながら本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態では、多孔性基材が、それぞれ異なる抗体を分散させた場合について説明をする。
なお、センス回路20は、第1実施形態で示した図2においてSAWセンサ1が、本実施形態のSAWセンサ1aに置き換えた構成である。
図示する例では、SAWセンサ1aは、圧電素子基板10、送信電極11−1a、送信電極11−1b、受信電極11−2a、受信電極11−2b、反応領域薄膜12、多孔性基材41、封止構造14−1、及び封止構造14−2を含んで構成される。
多孔性基材41の表面の位置(x3,y3)に溶液が滴下されると、滴下された溶液は、多孔性基材41の内部を浸潤すると共に、多孔性基材41を、正方向のx軸方向に浸潤する。
時刻t1において、溶液は、x軸の位置x4まで浸潤する。溶液は、多孔性基材41−1の領域に浸潤するため、多孔性基材41−1において第1抗体AAと反応する。反応により生成された抗原抗体複合体は、反応領域薄膜12上に担持された第2抗体と反応する。
次に、時刻t2において、溶液は、x軸の位置x5まで浸潤する。溶液は、多孔性基材41−2の領域に浸潤するため、多孔性基材41−2において第1抗体ABと反応する。反応により生成された抗原抗体複合体は、反応領域薄膜12上に担持された第2抗体と反応する。
次に、時刻t3において、溶液は、x軸の位置x2まで浸潤する。溶液は、多孔性基材41−3の領域に浸潤するため、多孔性基材41−3において第1抗体ACと反応する。反応により生成された抗原抗体複合体は、反応領域薄膜12上に担持された第2抗体と反応する。
位相・振幅検出回路23は、多孔性基材41−1で起こった反応により検出された検出信号、多孔性基材41−2で起こった反応により検出された検出信号、多孔性基材41−3で起こった反応により検出された検出信号を、溶液が浸潤する速度に対応する遅れをもって順次、観測する。
なお、本実施形態では、3種類の異なる抗体を分散させた多孔性基材41の例を示したが、抗体の種類は、複数であればいくつでもよい。
以下、図面を参照しながら本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態では、多孔性基材が、溶液の浸潤速度が異なる領域を持つ場合について説明をする。
図示する例では、SAWセンサ1bは、圧電素子基板10、IDT11、反応領域薄膜12、及び多孔性基材51を含んで構成される。
多孔性基材51は、第1浸潤速度を有する多孔性基材(第1領域)51−1、51−2、51−3、及び第2浸潤速度を有する多孔性基材(第2領域)51−4及び51−5含んで構成される。例えば、多孔性基材51−4及び51−5の溶液が一定距離を浸潤する浸潤速度は、多孔性基材51−1、51−2、51−3の浸潤速度の1/10である。
多孔性基材51−1内で溶液の浸潤が速やかに起こり、多孔性基材51−1の面積に相当する反応領域薄膜12が浸潤する。
時刻t1おいて、溶液は、多孔性基材51−1のx軸の位置x4を超えて、多孔性基材51−4にも浸潤するが、その浸潤する速度は、多孔性基材51−1に比べて遥かに遅い。従って、SAWセンサ1bは、溶液が多孔性基材51−2に到達するまでの時刻t1から時刻t2の時間、専ら多孔性基材51−1内で生成した抗原抗体結合体又は多孔性基材51−1と接する反応領域薄膜12に担持された抗体との反応のみを検出する。
時刻t2において、溶液は、多孔性基材51−2のx軸の位置x5に到達すると、速やかに多孔性基材51−2を浸潤する。従って、SAWセンサ1bは、多孔性基材51−1及び多孔性基材51−2で起こった反応を同時に検出する。
センス回路20は、多孔性基材51−1の検出信号と、多孔性基材51−2の検出信号との差分を計算することにより、多孔性基材51−2で起こった反応に起因する信号を検出する。
以下、時刻t2において、溶液は、多孔性基材51−2のx軸の位置x6を超えて、多孔性基材51−5に浸潤する。そして、時刻t3において、溶液は、多孔性基材51−3のx軸の位置x7に到達すると、速やかに多孔性基材51−3を浸潤する。時刻t3においては、SAWセンサ1bは、多孔性基材51−1、多孔性基材51−2、及び多孔性基材51−2で起こった反応を同時に検出する。センス回路20は、多孔性基材51−1の検出信号、多孔性基材51−2、及び多孔性基材51−3の検出信号の差分を計算することにより、多孔性基材51−3で起こった反応に起因する信号を検出する。
測定者は、2つのSAWセンサ1b−1及び1b−2の各位置(x3,y3)に同量の溶液を同時に滴下する。センス回路20は、2つのSAWセンサ1b−1及び1b−2を計測することで、溶液の進行度合いを検出するようにしてもよい。
第3実施形態において、受信電極11−2a、11−2bの代わりにSAWの反射体を設け、送信電極11−1a、11−1bが受信電極の機能を兼ねるようにした場合、浸潤速度が遅い多孔性基材51−4及び51−5も反射体の働きをする。このため、送信電極11−1a、11−1bに戻ってくる表面弾性波は、受信電極11−2a、11−2bの代わりにSAWの反射体による反射波、多孔性基材51−4による反射波、及び多孔性基材51−5による反射波が含まれる。このため、これらの反射波を識別する必要があるため、各領域の反射波が重ならないように多孔性基材51−1、51−2、及び51−3のx軸方向の長さを異なるようにしてもよい。または、多孔性基材51−4、及び51−5のx軸方向の長さを異なるようにしてもよい。
なお、上記の各実施形態では、IDT11は、アルミニウム以外であっても導電性の高い金属であればいかなるものでもよい。
なお、上記の各実施形態では、反応領域薄膜12は抗体を担持し、抗原を測定する例を示したが、抗原を測定するのでなければ、反応領域薄膜12を設ける必要は無い。
Claims (6)
- 弾性表面波を伝播する圧電素子基板と、
電気信号と前記弾性表面波との変換を行う電極と、
前記弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される検出領域と、
前記検出領域に接触し、液体が毛細管現象により浸潤する多孔性基材と、
を備えることを特徴とする弾性表面波センサ。 - 前記多孔性基材は、
前記弾性表面波の伝播方向に、液体が毛細管現象により浸潤する
ことを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波センサ。 - 前記多孔性基材は、
目的物と反応する異なる反応物を溶液の浸潤する方向にそれぞれ分散して形成される
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の弾性表面波センサ。 - 前記多孔性基材は、
第1領域と、
第2領域と、
を有し、
前記第1領域と前記第2領域とが、前記弾性表面波の伝播方向に交互に形成され、
前記第1領域の浸潤速度が、前記第2領域の浸潤速度より速い
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の弾性表面波センサ。 - 前記多孔性基材は、
複数の前記第1領域における前記弾性表面波の伝播方向の長さが各々異なる
ことを特徴とする請求項4に記載の弾性表面波センサ。 - 前記多孔性基材は、
複数の前記第2領域における前記弾性表面波の伝播方向の長さが各々異なる
ことを特徴とする請求項4または請求項5に記載の弾性表面波センサ。
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