JP2004526977A - 表面弾性波センサ - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、表面弾性波(SAW)デバイスにおける改良に関連し、特に、センサとして用いられるSAWデバイスに関連する。
【背景技術】
【0002】
(発明の背景)
SAWデバイスは、液体及び気体環境におけるセンサとして、使用されている。
米国特許第4,562,371号は、レーリー波を伝搬するカット結晶シリコン基板上にZnO圧電層を備えるSAWデバイスを開示する。
【0003】
表面弾性波は、3方向に伝搬し、また、縦波運動、通常波又は横方向水平波として、分類することができる。横方向水平(SH:Shear Horizontal)波の分類は、表面に近くの非常に限定された領域に波のエネルギを集める層状に重ねられたデバイス内に伝搬されるラブ波と呼ばれている。
【0004】
レーリー波センサは、気体環境において有効であるが、液体環境に適していない。なぜならば、表面垂直変位が、液体に、強い放射損失を生じさせるからである。液体における検知の場合、横方向水平(SH)偏光波モードが好ましい。その理由は、粒子の変位が、デバイス表面に平行であり、伝搬方向に垂直であるからである。これにより、波は、液体に過度の音響エネルギを結合することなく、液体と接して伝搬することが可能となる。しかしながら、SH波は、基板を介して分配され、それゆえに、SAWと同じ感度を有さない。
【0005】
感度を増加させる場合、SH偏光ガイド表面波であるラブ波を用いることができる。波は、圧電基板とその基板内で発生する弾性波を近くにある表面に結合するガイド層とから成る層状に重ねられた構造内を伝搬する。それらは、近くにある表面に制限されるエネルギのため、表面摂動に対して非常に感度がよい。摂動の大きさを観測することにより、相互作用の強さを測定することが可能となる。相互作用は、質量密度、弾性剛性、液体粘性、電気特性および誘電特性によって、引き起こされる。デバイスがより敏感であるほど、測定することができる量は、より小さい。
【0006】
米国特許第5,130,257号、5,216,312号及び5,321,331号は、液体環境に用いられるラブ・モードSAWセンサを開示する。SAWデバイスのくし形電極(IDT’s)からのエネルギを、波のエネルギを基板表面でトラップさせることが可能な横方向水平波又はラブ波に結合するために、ラブ波は、例えばリチウム・ニオブ酸塩、リチウム・タンタル酸塩又は石英などのカット圧電材料によって生成される。
【0007】
米国特許第5,705,399号は、液体に接する第1面及び接しない第2面に接続された電極を持ち、ATカット石英圧電基板を持つ、液体環境用のSAWセンサを開示する。センサは、例えば抗原のような生物学の種を検知するために用いることができる。
【0008】
米国特許第5,364,797号は、SAWデバイス用の広い表面積の表面層としての多孔質材料の使用を開示する。
表面積の接触、したがってデバイスの感度を増加させるために、多孔質性の表面を、気体環境に用いることができる。多孔質性の表面は、液体媒体に用いることができない。なぜならば、多孔質性の表面が、挿入損失および感度の低下を導く粘性を増加させるからである。
【0009】
本発明の目的は、特に液体媒体におけるSAWセンサの感度を向上させることである。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0010】
(発明の概説)
この目的のために、本発明は、圧電基板上に圧電層を含む表面音響波センサを提供する。
【0011】
好ましくは、圧電基板は、ラブ・モード波の伝搬のためにカットされる。
好ましくは、圧電層は、多孔質である。
この基板は、以下の利点を提供する:
1−高電気機械結合係数(K2)
2−小温度係数
3−表面上のエネルギの高制限
4−多孔質表面で液体媒体においてデバイスを動作させる能力。
【0012】
圧電基板は、石英結晶、リチウム・ニオブ酸塩(LiNbO3)又はリチウム・タンタル塩酸(LiTaO3)である。
好ましい圧電基板は、5000m/sの伝搬速度を持つ90°回転STカット石英結晶であり、主要な波は、SSBWであり、他のモードにゼロ結合を持つ。それは、主に、横方向水平(SH)バルク波であり、低い温度係数を持つ。その大きな欠点は、SSBWからラブ・モードに変更したときの高い挿入損失である。フィルムの材料が表面の上に置かれたとき、それは、基板内よりもフィルム内で伝搬速度が遅いことを意味する基板をロードすべきである。この場合、伝搬モードは、ラブ・モードに変化する。金属酸化物フィルムが基板の上に置かれる場合、挿入損失は、動作モードがSSBWからラブ・モードに変化したときに、減少する。この主な利点は、SSBWからラブ・モードへの減少の際の低い挿入損失である。
【0013】
好ましい多孔質の圧電材料は、六方晶系の柱によって形成された多孔質表面である亜鉛酸化物層である。ZnOは、ラブ・モード・デバイスを作製する際に最も優れている。それは、多孔質表面を持ち、低い相速度(2650m/s)を持つ圧電材料である。これは、ZnOが他の蓄積材料よりも電気機械結合係数を増加させることを意味する。
【0014】
さらに、ZnOは、複数の六角形のシリンダを含み、それらの間にはギャップがあり、これにより、ガイド層多孔質になる。ZnOは、正の温度係数を持つ一方、90°回転カット石英結晶は、負の温度係数を持つ。
【0015】
正及び負の温度係数の組み合わせは、全体構造の温度係数を減少させることを助ける。室温(25℃)周辺で、温度係数は、ブランクSSWB構造よりも、比較的に低い値を保つ。
【0016】
生物的に選択的な層は、検出される適切な生物学的な成分に相互作用するように、圧電層の上に置かれる。金のフィルムは、表面の上に置かれる。金は、タンパク質に対して高い親和性を持ちながら、相互作用する。それは、抗原検出に対する特定の抗体とともに用いられる。この堆積は、スムースな表面とともに、多孔質の表面の上でも起こる。
【0017】
1.本発明の更なる形態は、気体又は液体媒体内の化学的又は生物学的な部分を検出する際に用いるセンサを提供し、そのセンサは、表面音響波デバイスを含み、
表面音響波デバイスは、
圧電石英結晶基板と、
前記石英結晶の上に形成された、少なくとも1つのくし形電極と、
前記結晶及び電極の上に置かれた亜鉛酸化物の圧電フィルムと、
前記亜鉛酸化物層の上に置かれた生物学的に選択的な層と、を備える。
【0018】
本発明の重要な利点は、センサの感度である。
質量検出の限界は、100pg/cm2であり、これは、他の基板を用いるセンサよりも少なくとも10倍の高い感度であり、非圧電層(例えばSiO2)を持つ石英結晶よりも2〜3倍の高い感度である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
(発明の詳細な説明)
本発明は、圧電基板上の圧電層を提供する。基板のカットは、表面スキミング・バルク波(Surface Skimming Bulk Wave:SSBW)をサポートする結晶カットのクラスに属する。層は、基板上に高い方向性フィルムとして配置可能な異なる圧電材料であり、これにより、音響波は、横方向水平方向に伝搬することが可能となる。層内の音響波の伝搬速度は、ラブ・モードの伝搬をサポートする基板よりも小さくなければならない。
【0020】
図1において、トランスデューサ圧電基板1の表面上に作製される。トランスデューサ3及び4は、SAWデバイス内で用いられる任意の適切な、くし形電極である。波伝送層5(多孔質の圧電層である)は、トランスデューサ3及び4が基板1と層5との間に位置するように、基板1の上に作製される。
【0021】
物理的、科学的又は生物学的にアクティブで、表面6にさらされる気体又は液体媒体内の動因に対して選択的な表面を形成するために、検知層6は、伝搬層5の上へ置かれる。
図2は、遷移層9及び保護層10が含まれている点を除き、図1の形態と同様な、もう1つの実施形態の断面図である。好ましくは、遷移層9は、速度シフトを増加させ、結果として電気機械結合因子を増加させる、例えばSiO2のような、音響検知層である。遷移層9は、波伝送層5と基板1との間に位置し、その結果、第1のIDTと層5との間の差が増加して、高い結合係数を助長し、また、そうでなければ生じる音響波伝送エネルギ損失を減少させる。保護層10は、検知層6と圧電層5との間に位置し、層5をダメージから保護する。
【0022】
保護層10も、SiO2でよい。
図3において、第2の波生成トランスデューサ7及び第2の受信トランスデューサ8は、基板層の上に位置し、波伝送層の下に位置し、第1の生成トランスデューサ3及び受信トランスデューサ4の近くに位置する。トランスデューサの両方の組は、基板1の上に位置するか、又は、第2の組は、個別の基板上に位置してもよい。第2の組のトランスデューサ7及び8の上に、検知層が位置せず、その結果、それらが参照用センサとして機能できることが好ましい。
【0023】
図4において、本発明のSAWデバイスは、検出デバイス内に示されている。周波数カウンタ11は、出力信号の周波数を判定し、コンピュータ・デバイス12は、液体又は気体媒体内の検出可能な成分の濃度を計算する。第1の受信トランスデューサ4からの出力は、検知層とターゲット分子との間の相互作用の結果である検知信号を含む。第2受信トランスデューサ8からの出力は、その上に検知層6がないため、検知デバイスの動作特性のみを含む。これにより、アナライザは、ターゲット分子の濃度を示す信号を正確に計算することができる。
【0024】
圧電基板は、SSBWモードの動作をサポートしなければならない。好ましい圧電材料のいくつかを、表1に示す。
【0025】
【表1】
【0026】
表面フィルムは、圧電でなければならない。圧電フィルムのいくつかを表2に示す。
【0027】
【表2】
【0028】
(実施例1)
デュアル・ラインZnO/90°回転STカット石英結晶構造は、0から3.2ミクロンの範囲のZnO層で作製される。15nmCr(5nm)/Au(12nm)層は、複数の遅延ラインのうちの1つの上にある検知層として、蓄積される。Cr/Auは、金の検知表面を増加させるZnOシリンダに沿って、成長する。
【0029】
結合係数、温度係数速度、挿入損失は、層の厚さの関数として、調べられている。大きさは、SiO2/90°回転STカット石英結晶構造と同じ程度に見えている。
ラブ波トランスデューサは、0.5mmの厚さの90°回転STカット石英結晶ウェハの上に作製されている。伝送及び受信IDTは、それぞれ入力及び出力ポート内の64及び16のフィンガー対から成っている。利用される音響波長は、50ミクロンである。伝送及び受信IDTのセンタ距離に対して音響センタは、60波長であり、アパーチャは、50波長として選択されている。
【0030】
異なる厚さのZnOフィルムは、ラジオ周波数マグネトロン・スパッタによって、堆積されている。
ZnOは、六方晶系の結晶構造の圧電材料である。それは、6mmの対称性を持つウルツ鉱型の結晶である。
【0031】
層は、酸素原子で占められた層で交互に並ぶ亜鉛原子によって占められている。有効イオンは、約1から1.2であり、この結果、極c軸になる。
ZnOフィルムのエピタキシャル成長は、蓄積速度、基板温度、スパッタリング気体温度、及びターゲット配置によって、影響を受ける。
【0032】
表3は、STカット石英結晶ウェハ上のエピタキシャルZnOフィルムの状態を示す。
【0033】
【表3】
【0034】
270°Cに置かれたフィルムは、5×106ohm/cm程度の抵抗を示した。STカット石英ウェハ上のZnO及びSiO2フィルムに対する電気機械結合係数は、図5に示される。
【0035】
(実施例2)
連続の異なる溶解に対するシステムの応答例を図6に示す。
検知層は、金である。ポンプで液体セルに入れられる7.4pHバッファ内のIgG(免疫グロブリンG、100ng/ml)及びBSA(牛血清アルブミン、0.1mg/ml)のフロー速度は、0.05ml/minuteである。
【0036】
バッファ内にIgG溶解を取り除くと、IgG粒子は、Au表面に吸着される。それは、約4KHzの周波数シフトを生じさせる。その後、バッファのフローは、表面からすべてのIgGが分離するまで、続けられる。後に、BSAは、Au表面及び参照トランスデューサを覆うために用いられる。検知層を覆うことによって、もう1つのIgG溶解フローで、吸着及び反応が起こらない。
【0037】
後に、Au表面は、酢酸ナトリウム溶解を取り除いて、きれいになった。
その後、IgG溶解液体は、押し出され、Au表面上のIgG粒子の吸着のため、同じ周波数シフトがあるであろう。それは、実験が反復可能であり、選択層に応答するだけでることを示す。
【0038】
タンパク質不動に用いることができる他の方法は、
1−選択層上への物理的な吸着
2−選択層との共有結合
3−重合体の選択層内への吸着
4−重合格子内の包含
5−膜で包むことによる包含
6−2官能又は多官能の何れか一方の化学反応モノマーで共重合を架橋すること。
【0039】
(実施例3)
気体検知実験に関して、ZnO層の厚さは、50μmの周期性に対して90MHzの動作周波数を与える2.8μmであった。センサは、デバイスの下に位置するマイクロ・ヒータによって、350℃まで熱せられた。
【0040】
センサは、ラブ・モードSAWセンサの応答を検査するために、窒素気体中の異なる酸素濃度にさらされた。窒素中の酸素100ppmの応答が、図7に示されている。デバイスを酸素気体にさらすことにより、システムの動作周波数が増加する。周波数におけるこの増加は、ほぼ+18kHzである。酸素に関して、表面上の単一の反応を表す応答及び回復時間は、連続的である。
【0041】
異なる酸素濃度に対するセンサの応答は、図8に示される。
50ppmに対するセンサの応答は、−11kHzに等しい。この点からの先の応答が線形で続く場合、0.5ppmに対するデバイスの応答は、110Hzに等しいであろう。システムのノイズは、気体媒体において、ほぼ50Hzである。
【0042】
上述より、本発明は、重要な利点を持ち、ユニークな構造を提供することが理解される。生物学的な検知に関する技術における当業者は、この発明のセンサが、液体及び気体の双方の媒体において、広範囲の生物学的又は化学的な部分を検出できることを理解できる。
【図面の簡単な説明】
【0043】
【図1】本発明のSAWデバイスの概略図である。
【図2】本発明のもう1つの実施形態の断面図である。
【図3】2組の波発生及び受信音響トランスデューサを含む更なる実施形態の透視図である。
【図4】本発明の好ましいセンサ及びアナライザの概略図である。
【図5】STカット石英結晶ウェハ上のZnO及びSiO2フィルムの結合係数の比較を表す。
【図6】連続の異なる溶解に対する本発明のセンサの応答を表す。
【図7】N2における連続の100ppmO2に対する本発明の応答を表す。
【図8】異なる酸素濃度にさらされる本発明のセンサの周波数シフトを表す。
【図9】(説明なし)
Claims (6)
- 表面音響波センサであって、
圧電材料の層が、圧電基板の表面の上に位置する、表面音響波センサ。 - 表面音響波液体媒体センサであって、
多孔質の圧電層が、ラブ・モード波伝搬用にカットされた圧電基板の上に位置する、表面音響波液体媒体センサ。 - 請求項1に記載のセンサであって、亜鉛酸化物の層が、ラブ・モード波伝搬を伝搬させるためにカットされた90°回転STカット石英結晶の上に置かれる、センサ。
- 請求項1に記載のセンサであって、生物学的選択層が、検出される適切な生物学的な成分と相互作用するように適合された圧電基板の上に置かれる、センサ。
- 気体又は液体媒体内の化学的又は生物学的な部分を検出する際に用いるセンサであって、
表面音響波デバイスを含み、
表面音響波デバイスは、
圧電石英結晶基板と、
前記石英結晶の上に形成された、少なくとも1つのくし形電極と、
前記結晶及び電極の上に置かれた亜鉛酸化物の圧電フィルムと、
前記亜鉛酸化物層の上に置かれた生物学的に選択的な層と、
を備える、センサ。 - 請求項5に記載のセンサであって、生物学的に選択的な層が、金である、センサ。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009534651A (ja) * | 2006-04-20 | 2009-09-24 | ヴェクトロン インターナショナル,インク | 高圧環境用の電気音響センサ |
US8156814B2 (en) | 2007-02-19 | 2012-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave sensor |
WO2013065789A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 日本無線株式会社 | 弾性表面波センサ |
JP2013096866A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波センサ |
JP2013096867A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波センサ |
JP2013130526A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波センサ |
WO2014119069A1 (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | 京セラ株式会社 | センサ装置 |
JP2016166758A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 日本無線株式会社 | 表面弾性波センサ及び溶液物性測定方法 |
JP2021108495A (ja) * | 2016-01-28 | 2021-07-29 | コーボ ユーエス,インコーポレイティド | 石英基板上に圧電層を含む弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
US11451206B2 (en) | 2015-07-28 | 2022-09-20 | Qorvo Us, Inc. | Methods for fabrication of bonded wafers and surface acoustic wave devices using same |
US11742826B2 (en) | 2017-10-23 | 2023-08-29 | Qorvo Us, Inc. | Quartz orientation for guided SAW devices |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0317727D0 (en) * | 2003-07-29 | 2003-09-03 | Univ Warwick | Liquid viscosity sensor |
US7943388B2 (en) | 2003-11-14 | 2011-05-17 | 3M Innovative Properties Company | Acoustic sensors and methods |
US7402678B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Multifunctional amine capture agents |
CA2552363A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | 3M Innovative Properties Company | Acoustic sensors and methods |
US7342082B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Soluble polymers as amine capture agents and methods |
EP1719247A4 (en) * | 2004-02-26 | 2011-03-23 | Mnt Innovations Pty Ltd | LAYERED SURFACE ACOUSTIC WAVE SENSOR |
AU2005217460B2 (en) * | 2004-02-26 | 2008-12-04 | Mnt Innovations Pty Ltd | Layered surface acoustic wave sensor |
JP2005331326A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Japan Radio Co Ltd | 弾性波センサ |
JP2005351799A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Ulvac Japan Ltd | 表面弾性波素子、バイオセンサー装置及び表面弾性波素子による測定方法 |
EP1771724A1 (en) * | 2004-07-29 | 2007-04-11 | MNT Innovations Pty Ltd | Biological saw sensor |
DE102005001097A1 (de) * | 2005-01-08 | 2006-07-27 | Abb Patent Gmbh | Drucksensor (I) |
US20060283252A1 (en) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Honeywell International Inc. | Passive acoustic wave sensor system |
US7302864B2 (en) * | 2005-09-23 | 2007-12-04 | Honeywell International Inc. | Torque sensor |
US7544754B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Crosslinked polymers with amine binding groups |
US7544756B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Crosslinked polymers with amine binding groups |
US7544755B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Crosslinked polymers with amine binding groups |
TWI330461B (en) * | 2006-01-12 | 2010-09-11 | Ind Tech Res Inst | Surface acoustic wave bio-chip |
US20090056452A1 (en) * | 2006-01-18 | 2009-03-05 | Honeywell International Inc. | Acoustic wave sensor system |
US20080001685A1 (en) * | 2006-01-18 | 2008-01-03 | Honeywell International Inc. | Acoustic wave sensor system |
KR101303881B1 (ko) | 2006-08-03 | 2013-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린, 그 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치 |
US7836769B2 (en) * | 2006-08-10 | 2010-11-23 | Akrion Systems Llc | Apparatus and method of measuring acoustical energy applied to a substrate |
US8089196B1 (en) | 2008-03-05 | 2012-01-03 | University Of South Florida | Microcavity enhanced surface acoustic wave devices |
US8436509B1 (en) * | 2008-07-08 | 2013-05-07 | Saudia Corporation | High-frequency shear-horizontal surface acoustic wave sensor |
KR20110133037A (ko) | 2009-02-27 | 2011-12-09 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 공진자, 탄성 표면파 발진기, 및 전자 기기 |
JP5678486B2 (ja) | 2010-06-17 | 2015-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器 |
JP5934464B2 (ja) | 2010-08-26 | 2016-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器 |
JP2012060419A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060420A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060422A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060418A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
JP2012060421A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
US20120266668A1 (en) * | 2011-04-21 | 2012-10-25 | Baker Hughes Incorporated | Surface Wave Sensor for Downhole Applications |
CN103399593A (zh) * | 2013-07-30 | 2013-11-20 | 四川大尔电气有限责任公司 | 一种高压开关柜无源无线温度测控系统及方法 |
DE102014000343A1 (de) * | 2014-01-11 | 2015-07-16 | Dräger Safety AG & Co. KGaA | Gasmessgerät |
FR3054665B1 (fr) * | 2016-07-28 | 2021-09-03 | Commissariat Energie Atomique | Capteur chimique resonant comportant un dispositif de fonctionnalisation et son procede de realisation |
DE102017111448B4 (de) * | 2017-05-24 | 2022-02-10 | RF360 Europe GmbH | SAW-Vorrichtung mit unterdrückten Störmodensignalen |
CN108593765A (zh) * | 2018-04-04 | 2018-09-28 | 深圳大学 | 一种基于声表面波模式的生物传感器及其检测方法 |
CN108956760A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 检测装置及检测系统 |
US11719669B2 (en) | 2020-04-30 | 2023-08-08 | Silterra Malaysia Sdn. Bhd. | Device for determining information of a substance in a matter |
CN111641399A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-08 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种设置有SiO2钝化层的RF滤波器 |
CN114113313B (zh) * | 2021-10-27 | 2024-03-22 | 山东师范大学 | 用于检测大肠杆菌的悬臂梁式声表面波传感器及工作方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4454440A (en) * | 1978-12-22 | 1984-06-12 | United Technologies Corporation | Surface acoustic wave (SAW) pressure sensor structure |
JPS60124109A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Clarion Co Ltd | 表面弾性波素子 |
US4672254A (en) * | 1985-10-11 | 1987-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Surface acoustic wave devices and method of manufacture thereof |
US5130257A (en) * | 1988-09-29 | 1992-07-14 | Hewlett-Packard Company | Chemical sensor utilizing a surface transverse wave device |
US5283037A (en) * | 1988-09-29 | 1994-02-01 | Hewlett-Packard Company | Chemical sensor utilizing a surface transverse wave device |
US5216312A (en) * | 1992-02-28 | 1993-06-01 | Hewlett-Packard Company | Fluid sensing device having reduced attenuation of shear transverse waves |
US5321331A (en) * | 1992-03-13 | 1994-06-14 | Hewlett-Packard Company | Double-sided fluid sensor for reduced attenuation of shear transverse waves |
US5453652A (en) * | 1992-12-17 | 1995-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with interdigital transducers formed on a holding substrate thereof and a method of producing the same |
TW241397B (ja) * | 1993-01-14 | 1995-02-21 | Murata Manufacturing Co | |
US5364797A (en) * | 1993-05-20 | 1994-11-15 | Mobil Oil Corp. | Sensor device containing mesoporous crystalline material |
US5705399A (en) * | 1994-05-20 | 1998-01-06 | The Cooper Union For Advancement Of Science And Art | Sensor and method for detecting predetermined chemical species in solution |
JP3173300B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2001-06-04 | 株式会社村田製作所 | ラブ波デバイス |
US5719538A (en) * | 1995-09-01 | 1998-02-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having negative temperature coefficient of decay |
JPH09223943A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Nec Corp | 弾性表面波デバイス |
DE69723957T2 (de) * | 1996-10-18 | 2004-06-17 | Tdk Corp. | Akustische oberflächenwellenanordnung |
JP3951379B2 (ja) * | 1997-09-24 | 2007-08-01 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
JPH11136082A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電体素子 |
US6378370B1 (en) * | 2000-03-08 | 2002-04-30 | Sensor Research & Development Corp. | Temperature compensated surface-launched acoustic wave sensor |
-
2001
- 2001-05-21 AU AUPR5076A patent/AUPR507601A0/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-05-20 CN CNA028102142A patent/CN1528050A/zh active Pending
- 2002-05-20 EP EP02771592A patent/EP1393441A4/en not_active Withdrawn
- 2002-05-20 JP JP2002592285A patent/JP4147116B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-20 US US10/477,951 patent/US7027921B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-20 WO PCT/AU2002/000616 patent/WO2002095940A1/en active IP Right Grant
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009534651A (ja) * | 2006-04-20 | 2009-09-24 | ヴェクトロン インターナショナル,インク | 高圧環境用の電気音響センサ |
US8156814B2 (en) | 2007-02-19 | 2012-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave sensor |
KR20140071509A (ko) * | 2011-11-01 | 2014-06-11 | 니혼무센 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 센서 |
JP2013096866A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波センサ |
JP2013096867A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波センサ |
WO2013065789A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 日本無線株式会社 | 弾性表面波センサ |
KR101627490B1 (ko) * | 2011-11-01 | 2016-06-13 | 니혼무센 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 센서 |
US9678042B2 (en) | 2011-11-01 | 2017-06-13 | Japan Radio Co., Ltd. | Surface acoustic wave sensor |
JP2013130526A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波センサ |
WO2014119069A1 (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | 京セラ株式会社 | センサ装置 |
JP2016166758A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 日本無線株式会社 | 表面弾性波センサ及び溶液物性測定方法 |
US11451206B2 (en) | 2015-07-28 | 2022-09-20 | Qorvo Us, Inc. | Methods for fabrication of bonded wafers and surface acoustic wave devices using same |
JP2021108495A (ja) * | 2016-01-28 | 2021-07-29 | コーボ ユーエス,インコーポレイティド | 石英基板上に圧電層を含む弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
JP7317068B2 (ja) | 2016-01-28 | 2023-07-28 | コーボ ユーエス,インコーポレイティド | 石英基板上に圧電層を含む弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
US11742826B2 (en) | 2017-10-23 | 2023-08-29 | Qorvo Us, Inc. | Quartz orientation for guided SAW devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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