JP2015052524A - 弾性表面波センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SAWセンサ1は、弾性表面波を伝播する圧電素子基板10と、電気信号と弾性表面波との変換を行う電極11−1と、弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される検出領域と、検出領域上に配置され、液体が浸潤する多孔性基材13と、検出領域と多孔性基材とを、少なくとも多孔性基材に液体が浸潤していない状態で所定距離だけ離間させる凸部材21−1、21−2とを備えている。
【選択図】図1
Description
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施形態に係るSAWセンサ1の概略的な模式図である。図1(a)は、SAWセンサ1の概略的な上面図であり、図1(b)はSAWセンサ1を切断面Aから見た概略的な断面図である。SAWセンサ1(弾性表面波センサ)は、圧電素子基板10、送信電極11−1a、送信電極11−1b、受信電極11−2a、受信電極11−2b、反応領域薄膜12、多孔性基材13、封止構造14−1、及び封止構造14−2を含んでいる。SAWセンサ1は、さらに、凸部材21−1及び凸部材21−2を含んでいる。
圧電素子基板10と反応領域薄膜12との重なる部分が、検体である液体が導入される検出領域(センサ表面となる領域)となる。上述したように、本願では反応領域薄膜12と反応領域薄膜12上に固定されたバイオ膜とから検出領域が構成されているものとする。この検出領域は、SAWの伝播路に配置され、検体である液体が導入される。
検体である溶液中の抗原は、反応領域薄膜12上に担持された抗体と反応し、反応領域薄膜12上の特定領域に抗原抗体結合物を生成する。すなわち、反応領域薄膜12では、その表面に抗原を含んだ液体試料を滴下することにより、反応領域薄膜12上に担持された抗体と、液体試料中の抗原との間で抗原抗体反応が起こる。その結果、反応領域薄膜12上には、反応領域薄膜12上に担持した抗体と抗原が結合した抗原抗体結合物が生成する。なお、反応領域薄膜12は、金以外であっても抗体を担持できるものであればいかなるものでもよい。また、本願では反応領域薄膜12上に固定された抗体がつくる膜(あるいは層)をバイオ膜と呼ぶ。
封止壁15−1は、IDT11−1を覆う壁であり、圧電素子基板10上に矩形状に形成される。封止壁15−1は、例えば感光性樹脂により構成される。
また、封止天井16−1は、封止壁15−1の上側を塞ぎ、IDT11−1を外部から密閉するための天井である。封止天井16−1は、封止天井16−1の平面領域内に封止壁15−1が収まるように封止壁15−1の上側に配置される。封止天井16−1は、例えばガラス基板で構成される。なお、封止壁15−1と封止天井16−1との間には、不図示の接着層が設けられ、封止壁15−1と封止天井16−1との間を密封して接着する。
封止構造14−1は、IDT11−1(端部を除き)を外部から密閉してIDT11−1上に空間を形成するように覆い、IDT11−1が液体と接触することを防ぐ封止構造である。
また、図1では、多孔性基材13を封止構造14−1及び封止構造14−2の封止天井と重ならないように配置する例を示しているが、多孔性基材13は、反応領域薄膜12が配置されるセンサの検出領域を覆うように配置されていれば、封止天井と重なるように配置してもよい。
また、図2(b)において滴下用多孔性基材51は治具62及び治具63によって下方向から支えられている。また、治具63は多孔性基材13の水平面より高くなる位置に固定されていて、滴下用多孔性基材51は右から左に向かって固定ピン61の端部周辺まで下り方向に傾斜している。図2に示した例では、液体を検出領域に導入する際に、図2(a)に示した滴下用多孔性基材51上の滴下領域52に、図2(b)に矢印で示した方向で検体となる液体を滴下する。
滴下用多孔性基材51の滴下領域52に滴下された液体は、毛細管現象によって滴下用多孔性基材51を浸潤し、滴下用多孔性基材51と多孔性基材13とが接触している部分で滴下用多孔性基材51から多孔性基材13へと浸潤する。
図5は、第2実施形態に係るSAWセンサ1aの概略的な模式図である。図5(a)は、SAWセンサ1aの概略的な上面図であり、図5(b)はSAWセンサ1aを切断面Cから見た概略的な断面図である。なお、図5において図1に示したものと同一の構成には同一の符号を付け説明を省略する。
図6は、第3実施形態に係るSAWセンサ1−1の概略的な模式図である。図6(a)は、SAWセンサ1−1の概略的な上面図であり、図6(b)はSAWセンサ1−1を切断面Dから見た概略的な断面図である。なお、図6において図1又は図5に示したものと同一の構成には同一の符号を付け説明を省略する。
図7は、第4実施形態に係るSAWセンサ1−1aの概略的な模式図である。図7(a)は、SAWセンサ1−1aの概略的な上面図であり、図7(b)はSAWセンサ1−1aを切断面Eから見た概略的な断面図である。なお、図7において図6等に示したものと同一の構成には同一の符号を付け説明を省略する。
次に、図8から図10を参照して、第1実施形態のSAWセンサ1及び第2実施形態のSAWセンサ1aの1チャネル分のセンサの駆動及び検出のための回路(駆動回路と呼ぶ)の構成例について説明する。
次に、図11及び図12を参照して、第3実施形態のSAWセンサ1−1及び第4実施形態のSAWセンサ1−1aの各1チャネル分のセンサの駆動回路の構成例について説明する(以下、代表してSAWセンサ1−1について説明する)。図11に示した駆動回路100aは、反射型SAWセンサであるSAWセンサ1−1の駆動回路である。駆動回路100aは、図8に示したトランスバーサル型SAWセンサの駆動回路100に対して、高周波スイッチ111を新たに追加して備えている。そして、高周波スイッチ105の出力は高周波スイッチ111の一方の入力端子へ入力される。また、高周波スイッチ111の一方の入出力端子がSAWセンサ1−1のIDT11−1(あるいはIDT11−3)に接続される。そして、高周波スイッチ111の他方の入出力端子が位相・振幅検出回路106の入力端子へ接続される。高周波スイッチ111は、入力制御ロジック103の出力信号がHレベルの場合、高周波スイッチ105の出力信号をSAWセンサ1−1のIDT11−1等へ入力し、入力制御ロジック103の出力信号がLレベルの場合、SAWセンサ1−1のIDT11−1等からの出力信号を、位相・振幅検出回路106へ入力する。
10 圧電素子基板
11 電極
12、12−1、12−2 反応領域薄膜
13、13−1 多孔性基材
13−1c、52 滴下領域
14−1、14−2 封止構造
51 滴下用多孔性基材
21−1、21−2、21−3、21−4、21−5 凸部材
22−1、22−2 反射器
Claims (4)
- 弾性表面波を伝播する圧電素子基板と、
電気信号と前記弾性表面波との変換を行う電極と、
前記弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される検出領域と、
前記検出領域上に配置され、液体が浸潤する多孔性基材と、
前記検出領域と前記多孔性基材とを、少なくとも前記多孔性基材に液体が浸潤していない状態で所定距離だけ離間させる凸部材と
を備えることを特徴とする弾性表面波センサ。 - 前記検出領域を複数備え、
前記凸部材を前記検出領域間に設けた
ことを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波センサ。 - 前記検出領域を挟んで前記電極に対向する位置に設けられた反射器を備え、
前記多孔性基材が、前記反射器側の前記圧電素子基板端部近傍上に前記液体の滴下領域を有している
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の弾性表面波センサ。 - 前記多孔性基材が、前記液体を前記検出領域に導入する際に前記液体が滴下される滴下用多孔性基材に所定の押圧力によって接触されるものである
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の弾性表面波センサ。
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