KR100974855B1 - 표면 탄성파 장치 및 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법 - Google Patents

표면 탄성파 장치 및 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법 Download PDF

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Abstract

표면 탄성파 장치(Surface Acoustic Wave)는 표면 탄성파 소자, 제1 물질, 발광 물질 및 광원부를 포함할 수 있다. 제1 물질은 상기 표면 탄성파 소자상에 위치하며 시료 내의 표적 물질에 결합될 수 있다. 표적 물질에는 발광 물질이 결합되어 있을 수 있다. 발광 물질에는 광원부에 의하여 빛이 인가될 수 있다. 상기 표면 탄성파 장치 및 이를 이용한 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법을 사용하면, 발광 물질에 빛이 인가될 경우 생성되는 전자기파에 의하여 표면 탄성파 소자의 신호를 증폭할 수 있다.
표면 탄성파, SAW, 신호 증폭, 발광

Description

표면 탄성파 장치 및 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법{Surface acoustic wave device and method for signal amplification of surface acoustic wave element}
본 발명은 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave) 장치 및 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법에 관한 것으로, 상세하게는 발광 물질을 이용하여 표면 탄성파 소자의 신호를 증폭시키는 표면 탄성파 장치 및 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법에 관한 것이다.
표면 탄성파(Surface Acoustic Wave; SAW) 소자의 하나인 표면 탄성파 센서는 압전 물질을 이용하여 시료 내의 표적 물질을 검출할 수 있는 장치이다. SAW 센서에는 발진 신호가 인가될 수 있다. SAW 센서에 포함된 인터 디지털 트랜스듀서(Inter Digital Transducer; IDT) 전극을 통하여 발진 신호가 SAW로 변환되거나, 또는 SAW가 발진 신호로 변환될 수 있다.
한편, 시료 내에 존재하는 표적 물질이 SAW 센서의 표면상에 결합되면, 표면에 결합된 물질에 의하여 센서의 표면 질량이 변화할 수 있다. 이는 IDT 전극에 의하여 생성되는 SAW에 변화를 유발할 수 있다. 따라서, 표적 물질이 결합된 SAW 센 서와 표적 물질이 결합되지 않은 기준(reference) 소자의 출력을 비교함으로써, 표적 물질을 정량적 및 정성적으로 분석할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는, 표적 물질이 결합된 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave) 소자의 신호를, 표적 물질에 결합된 발광 물질을 사용하여 증폭할 수 있는 표면 탄성파 장치 및 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave) 장치는, 표면 탄성파 소자; 상기 표면 탄성파 소자상에 고정되며 표적 물질과 결합되는 제1 물질; 상기 표적 물질에 결합되는 발광 물질; 및 상기 발광 물질에 빛을 인가하는 광원부를 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법은, 표면상에 제1 물질이 형성된 표면 탄성파 소자를 제공하는 단계; 발광 물질과 결합된 표적 물질을 상기 제1 물질에 결합시키는 단계; 및 상기 발광 물질에 빛을 인가하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave) 장치 및 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법을 사용하면, 발광 물질에 빛이 인가될 경우 생성되는 전자기파에 의하여 표면 탄성파 소자의 신호를 증폭할 수 있다.
이하에서는, 도면을 참조하여 실시예를 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 발 명이 하기 실시예에 의하여 제한되는 것은 아니다.
도 1a는 일 실시예에 따른 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave; SAW) 장치를 도시한 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 상기 실시예에 따른 SAW 장치는 SAW 소자(10), 제1 물질(20), 발광 물질(30) 및 광원부(40)를 포함할 수 있다.
SAW 소자(10)는 전기 신호인 발진 신호를 이용하여 기계적 파동인 SAW를 생성할 수 있다. 생성된 SAW는 SAW 소자(10)의 표면을 따라 전파될 수 있다. 이때 SAW 소자(10)는 표적 물질(1)이 포함된 시료에 노출될 수 있다. SAW 소자(10)에 의해 생성되는 SAW는 SAW 소자(10)에 결합된 표적 물질(1)에 의해 영향을 받을 수 있다. 한편, SAW 소자(10)는 SAW를 다시 전기 신호로 전환하여 출력할 수도 있다. SAW 소자(10)의 구성 및 기능에 대해서는 도 2를 참조하여 상세히 후술한다.
상기 실시예에서는 발진기(50)를 사용하여 SAW 소자(10)에서 출력된 신호를 다시 SAW 소자(10)에 입력함으로써, SAW 소자(10)에 발진 신호가 인가되도록 할 수 있다. 그러나 다른 실시예에서는 신호 생성기(signal generator)에 의하여 발진 신호를 생성하고 이를 SAW 소자(10)에 인가할 수도 있다.
SAW 소자(10)에 의하여 출력된 신호는 검출부(60)에 의해 검출될 수 있다. SAW 소자(10)의 출력 신호는 SAW 소자(10)의 표면 질량, 온도, SAW 소자(10)에 노출된 시료의 점성도(viscosity), 밀도 및 전도도 등에 영향을 받을 수 있다. 검출부(60)는 표적 물질(1)이 결합된 SAW 소자(10)의 출력 신호를 표적 물질(1)이 결합되지 않은 기준(reference) 소자(미도시)와 비교함으로써, 시료 내의 표적 물질(1) 을 분석할 수 있다.
SAW 소자(10)의 표면상에는 제1 물질(20)이 고정되어 형성될 수 있다. 제1 물질(10)은 시료 내의 표적 물질(1)과 특이적으로 결합하는 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제1 물질(10)은 표적 물질(1)의 수용체(receptor)의 기능을 수행할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 물질(20)은 단백질, DNA, RNA, 세포, 앱타머(Aptamer) 및 폴리머(polymer) 중 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 표적 물질(1)은 도 1a에 도시된 바와 같이 항체(IgG, IgA, IgM 등)로 이루어질 수 있다. 이 경우 항원-항체 반응을 통하여 제1 물질(20)과 표적 물질(1)이 결합될 수 있다.
한편, 도 1b를 참조하면, 다른 실시예에서는 제1 물질(21)이 DNA 또는 RNA로 이루어질 수도 있다. 이 경우, 제1 물질(21)의 염기 서열에 대응되는 염기 서열을 갖는 표적 물질(2)이 제1 물질(21)과 결합될 수 있다.
표적 물질(1)은 일부분에 결합된 발광 물질(luminescence material)(30)을 포함할 수 있다. 또한, 광원부(40)는 상기 발광 물질(30)에 빛을 인가할 수 있다.
발광 물질(30)에 특정 파장의 빛이 인가될 경우 발광 물질(30) 내의 전자 또는 이온 등의 입자들이 빛으로부터 전달된 에너지에 의하여 가속될 수 있다. 이때 가속된 입자들에 의하여 입자 주위의 전기장이 전자기파로 형태로 방사될 수 있다.
발광 물질(30)은 가속된 입자가 에너지를 잃는 경로에 따라서 형광(fluorescence) 물질 및 인광(phosphorescence) 물질 등으로 구분될 수 있다. 일 실시예에서, 발광 물질(30)은 퀴닌(quinine), 플루오레세인(fluorescein), 로다민 B(rhodamine B), 안트라센(anthracene), 피렌(pyrene) 및 시아닌(cyanine) 중 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
전술한 과정에 의하여 방사된 전자기파가 SAW 소자(10)에 도달하면, SAW 소자(10)의 표면 전하 및 에너지 변화가 유도되어 SAW를 증폭할 수 있다. 따라서, SAW 소자(10)에서 출력되는 신호를 증폭할 수 있다.
한편, 광원부(40)는 발광 물질(30)에 포함된 입자들을 여기시키기 위한 소정의 파장의 빛을 인가하기 위한 장치일 수 있다. 예를 들어, 시아닌계 물질인 Cy3를 발광 물질(30)로 사용하는 경우, 광원부(40)는 파장이 약 550nm인 빛을 발광 물질(30)에 인가함으로써 발광 물질(30)로부터 전자기파를 생성할 수 있다.
일 실시예에서, 광원부(40)는 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)를 포함할 수 있다. LED를 사용하여 발광 물질(30)에 빛을 인가하는 경우, 레이저를 사용하는 경우에 비해 발열이 적어 열에 의하여 SAW 소자(10)의 신호가 왜곡되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 살펴본 일 실시예에 따른 SAW 장치는, 발광 물질(30)에 빛을 인가하여 생성된 전자기파를 사용하여 SAW 소자(10)의 출력 신호를 증폭할 수 있다. 발광 물질(30)은 표적 물질(1)에 결합되어 있으므로, 결과적으로 표적 물질(1)이 결합된 SAW 소자(10)와 표적 물질(1)이 결합되지 않은 기준 소자와의 신호 차이가 증가하게 된다. 따라서, SAW 소자(10)를 이용하여 표적 물질(1)을 분석하는 것이 용이해지는 이점이 있다.
도 2a는 도 1 에 도시된 SAW 소자(10)의 상세 구성을 도시한 평면도이며, 도 2b는 상기 SAW 소자(10)의 측면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, SAW 소자(10)는 기판(11), 입력 전극(12) 및 출력 전극(13)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 입력 전극(12) 및 출력 전극(13)은 서로 마주보는 콤(comb) 구조의 전극들을 포함하는 인터 디지털 트랜스듀서(Inter Digital Transducer; IDT) 전극일 수 있다. 또한, 입력 전극(12) 및 출력 전극(13)은 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 입력 전극(12) 및 출력 전극(13)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 포함하여 이루어질 수도 있다.
입력 전극(12)을 구성하는 전극들 사이에는 발진 신호가 인가될 수 있다. 발진 신호가 인가되면, 입력 전극(12)과 기판(11)이 접촉되는 부분에서 기계적인 파동인 SAW가 발생될 수 있다. SAW는 기판(11)의 표면을 따라 출력 전극(13) 방향으로 전파될 수 있다.
일 실시예에서, 기판(11)은 SAW를 발생 및 전파시키기 위해 적당한 압전 물질(piezoelectric material)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(11)은 쿼츠(quartz), 리튬 탄탈레이트(lithium tantalate) 및 리튬 니오베이트(lithium niobate)와 같은 단일 크리스탈 압전 물질, 또는 PZT(lead zirconate titanate) 세라믹과 같은 압전 세라믹을 포함하여 이루어질 수도 있다.
입력 전극(12)에 의해 생성된 SAW는 기판(11)의 표면을 따라 전파될 수 있다. 기판(11)을 따라 전파된 SAW는 입력 전극(12)과 이격되어 위치하는 출력 전 극(13)에 전달될 수 있다. 출력 전극(13)에 SAW가 전달되면, 압전 물질로 이루어진 기판(11)의 표면과 출력 전극(13)의 접촉 부분에서 SAW가 다시 전기 신호로 변환될 수 있다.
전술한 바와 같이, SAW 소자(10)에 의해 생성되는 SAW는 SAW 소자(10)의 표면에 결합된 표적 물질로 인한 질량 변화에 의해 영향을 받을 수 있다. 따라서 표적 물질이 결합된 SAW 소자(10)의 출력 신호를 기준 소자와 비교함으로써 표적 물질을 분석할 수 있다.
뿐만 아니라, 일 실시예에서는 질량 변화 이외에 전자기파에 의하여 SAW 소자(10)의 표면 전하 및 에너지 변화를 유도함으로써, SAW 소자(10)에 의해 생성되는 SAW를 증폭할 수 있다. 발광 물질은 특정 표적 물질에만 결합되어 있다. 따라서, 전자기파를 이용하여 SAW를 증폭하는 경우 표적 물질 이외의 요소로 인한 신호 왜곡을 배제하여 정확한 측정이 가능한 이점이 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하여 전술한 SAW 소자(10)의 구성은 SAW 센서의 구성을 예시적으로 도시한 것이다. 따라서, 다른 실시예에서는 상이하게 구성된 SAW 소자가 사용될 수 있으며, 센서가 아닌 다른 상이한 용도의 SAW 소자가 사용될 수도 있다.
도 3a는 또 다른 실시예에 따른 SAW 장치를 도시한 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 상기 실시예에 따른 SAW 장치는 SAW 소자(10), 제1 물질(20), 발광 물질(30), 광원부(40) 및 제2 물질(70)을 포함할 수 있다. SAW 소 자(10), 제1 물질(20) 및 광원부(40)의 구성 및 동작은 도 1을 참조하여 전술한 실시예와 동일하므로 자세한 설명을 생략한다.
한편, 도 3a에 도시된 실시예에서 발광 물질(30)은 표적 물질(1) 대신 제2 물질(70)에 결합될 수 있으며, 제2 물질(70)은 표적 물질(1)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 실시예에서 표적 물질(1)은 항체일 수 있으며, 제2 물질(70)은 표적 물질(1)에 결합되는 2차 항체(secondary antibody)일 수 있다.
일 실시예에서, 제2 물질(70)은 단백질, DNA, RNA, 세포, 앱타머(Aptamer) 및 폴리머(polymer) 중 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 물질(70)은 도 3a에 도시된 바와 같이 항체(IgG, IgA, IgM 등)로 이루어질 수 있다.
상기와 같이 구성된 SAW 장치에서 광원부(40)에 의하여 빛이 인가되면, 발광 물질(30)에서 전자기파가 생성된다. 전자기파에 의하여 SAW 소자(10)의 신호가 증폭될 수 있음은 전술한 바와 같다.
한편, 다른 실시예에서는 도 3b에 도시되는 바와 같이 표적 물질(1)이 항체이며 제2 물질(71)은 수용체의 형태일 수도 있다. 이때, 제2 물질(71)은 항체인 표적 물질(1)의 Fv 영역 이외의 영역에 결합되는 물질일 수 있다. 예를 들어, 제2 물질(71)은 단백질 A, 단백질 B 및 앱타머(Aptamer) 중 하나 이상을 포함하여 이루어질 수도 있다.
한편, 또 다른 실시예에서는 도 3c에 도시되는 바와 같이 표적 물질(1)이 항원이며 제1 및 제2 물질(22, 72)은 각각 항체로 구성될 수도 있다. 즉, 제1 물 질(22)은 항체인 동시에 표적 물질(1)의 수용체의 기능을 수행할 수 있으며, 제2 물질(72)은 2차 항체의 기능을 수행할 수 있다. 제2 물질(72)에는 발광 물질(30)이 결합될 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 SAW 소자의 신호 증폭 방법의 각 단계를 도시한 순서도이다.
먼저, 상기 실시예에 따른 SAW 소자의 신호 증폭 방법은, SAW 소자를 제공하는 단계를 포함할 수 있다(S1). 상기 SAW 소자의 표면상에는 제1 물질이 고정되어 있을 수 있다.
다음으로, 제1 물질과 표적 물질이 결합될 수 있다(S2). 이를 위하여, 상기 제1 물질은 시료 내의 표적 물질과 특이적으로 결합하는 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제1 물질은 표적 물질의 수용체의 기능을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 물질은 단백질, DNA, RNA, 세포, 앱타머(Aptamer) 및 폴리머(polymer) 중 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 물질은 항체일 수도 있다.
다음으로, 표적 물질에 제2 물질이 결합될 수 있다(S3). 제2 물질의 일부분에는 발광 물질이 결합되어 있을 수 있다. 발광 물질은 다양한 물리적 또는 화학적인 결합에 의하여 제2 물질에 레이블링(labeling)될 수 있다.
한편, 다른 실시예에서는 표적 물질 자체에 발광 물질이 레이블링되어 있을 수도 있다. 이 경우, 발광 물질이 표적 물질에 직접적으로 결합되어 있으므로, 발광 물질이 결합된 제2 물질을 표적 물질에 결합하는 상기 단계(S3)는 생략될 수도 있다.
다음으로, 제2 물질을 통하여 또는 직접적으로 표적 물질에 결합된 발광 물질에 빛을 인가할 수 있다(S4). 빛이 인가되면, 발광 물질에 포함된 전자 또는 이온 등의 입자들이 빛으로부터 인가된 에너지에 의하여 가속될 수 있다. 이때 가속된 입자들에 의하여 입자 주위의 전기장이 전자기파로 형태로 방사될 수 있다.
발광 물질에 의해 생성된 전자기파에 의하여 SAW 소자의 출력 신호를 증폭할 수 있다. 표적 물질이 결합된 SAW 소자의 출력 신호가 증폭되므로, 증폭된 신호를 표적 물질이 결합되지 않은 기준 소자의 신호와 비교하는 것이 용이해지는 이점이 있다. 또한, 표적 물질 이외의 요소로 인한 신호 왜곡을 배제할 수 있는 이점이 있다.
도 5는 발광 물질이 결합되지 않은 SAW 소자의 발진 주파수를 기준 소자의 발진 주파수와 비교하여 시간에 따라 도시한 그래프이다.
도 5에 도시된 2개의 그래프는 각각 기준 소자의 발진 주파수(300) 및 표적 물질과 결합된 SAW 소자의 발진 주파수(400)를 시간에 따라 도시한다. 기준 소자의 발진 주파수(300)와 비교할 때, 표적 물질과 결합된 SAW 소자의 발진 주파수(400)는 표적 물질의 영향으로 인하여 감소한 것을 확인할 수 있다.
시간(T1)은 빛이 인가되기 시작한 시간을 나타내며, 시간(T2)은 빛을 인가하는 것이 중단된 시간을 나타낸다. SAW 소자가 발광 물질과 결합되어 있지 않으므 로, 빛이 인가되는 시간 구간인 T1 내지 T2 에서도 기준 소자의 발진 주파수(300)와 표적 물질과 결합된 SAW 소자의 발진 주파수(400)의 차이는 일정하다. T1 내지 T2 에서 양 소자의 발진 주파수(300, 400)가 모두 감소하나, 이는 빛에 따른 온도 변화로 인한 것으로서, 양 발진 주파수(300, 400)의 차이에는 변화가 없다.
도 6은 일 실시예에 따라 발광 물질이 결합된 SAW 소자의 발진 주파수를 기준 소자의 발진 주파수와 비교하여 시간에 따라 도시한 그래프이다.
도 6에는 2개의 그래프가 도시되며, 이는 각각 기준 소자의 발진 주파수(100) 및 표적 물질과 결합된 SAW 소자의 발진 주파수(200)를 시간에 따라 도시한 것이다. 기준 소자의 발진 주파수(100)와 비교할 때, 표적 물질과 결합된 SAW 소자의 발진 주파수(200)는 표적 물질의 영향으로 인하여 감소한 것을 확인할 수 있다. 따라서, 발진 주파수의 차이를 통하여 표적 물질을 분석할 수 있다.
도 6에서 시간(t0)은 SAW 소자가 표적 물질이 포함된 시료에 노출되기 시작한 시간을 나타낸다. 한편, 시간(t1)은 광원부에서 빛이 인가되기 시작한 시간을 나타내며, 시간(t2)은 광원부에서 빛을 인가하는 것이 중단된 시간을 나타낸다. 도시되는 바와 같이, 광원부에서 빛이 인가되는 시간 구간인 t1 내지 t2 에서 기준 소자의 발진 주파수(100)와 표적 물질과 결합된 SAW 소자의 발진 주파수(200)의 차이가 증가하였다. 따라서, 발광 물질이 결합되지 않은 SAW 소자에 비해, 기준 소자와 발진 주파수를 비교하는 것이 용이해질 수 있다.
이상에서 살펴본 본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러나, 이와 같은 변형은 본 발명의 기술적 보호범위 내에 있다고 보아야 한다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1a는 일 실시예에 따른 표면 탄성파 장치를 도시한 단면도이다.
도 1b는 다른 실시예에 따른 표면 탄성파 장치를 도시한 단면도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 표면 탄성파 소자를 도시한 평면도이다.
도 2b은 도 1에 도시된 표면 탄성파 소자를 도시한 측면도이다.
도 3a는 또 다른 실시예에 따른 표면 탄성파 장치를 도시한 단면도이다.
도 3b는 또 다른 실시예에 따른 표면 탄성파 장치를 도시한 단면도이다.
도 3c는 또 다른 실시예에 따른 표면 탄성파 장치를 도시한 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법의 각 단계를 도시한 순서도이다.
도 5는 발광 물질이 결합되지 않은 표면 탄성파 소자의 발진 주파수를 기준 소자의 발진 주파수와 비교하여 시간에 따라 도시한 그래프이다.
도 6은 일 실시예에 따라 발광 물질이 결합된 표면 탄성파 소자의 발진 주파수를 기준 소자의 발진 주파수와 비교하여 시간에 따라 도시한 그래프이다.

Claims (15)

  1. 표면 탄성파 소자;
    상기 표면 탄성파 소자상에 고정되며 시료 내의 표적 물질과 결합되는 제1 물질;
    상기 표적 물질에 결합되는 발광 물질; 및
    상기 발광 물질에 빛을 인가하는 광원부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 표적 물질 및 상기 발광 물질과 결합되는 제2 물질을 더 포함하되,
    상기 발광 물질은 상기 제2 물질을 통하여 상기 표적 물질에 결합되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제2 물질은 단백질, DNA, RNA, 세포, 앱타머 및 폴리머 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제2 물질은 항체인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 물질은 단백질, DNA, RNA, 세포, 앱타머 및 폴리머 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제1 물질은 항체인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 발광 물질은 퀴닌, 플루오레세인, 로다민 B, 안트라센, 피렌 및 시아닌 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 광원부는 발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  9. 표면상에 제1 물질이 형성된 표면 탄성파 소자를 제공하는 단계;
    시료 내의 표적 물질을 상기 제1 물질에 결합시키는 단계; 및
    상기 표적 물질에 결합된 발광 물질에 빛을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 표적 물질을 상기 제1 물질에 결합시키는 단계 후에,
    상기 발광 물질이 결합된 제2 물질을 상기 표적 물질에 결합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제2 물질은 단백질, DNA, RNA, 세포, 앱타머 및 폴리머 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제2 물질은 항체인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 물질은 단백질, DNA, RNA, 세포, 앱타머 및 폴리머 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제1 물질은 항체인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법.
  15. 제 9항에 있어서,
    상기 발광 물질은 퀴닌, 플루오레세인, 로다민 B, 안트라센, 피렌 및 시아닌 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 신호 증폭 방법.
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