JP2013107812A - ペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品 - Google Patents
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 17
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 14
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 14
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 abstract description 17
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 abstract 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 31
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 rare earth salt Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- ZUDYPQRUOYEARG-UHFFFAOYSA-L barium(2+);dihydroxide;octahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.[OH-].[OH-].[Ba+2] ZUDYPQRUOYEARG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910002112 ferroelectric ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- NFSAPTWLWWYADB-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-phenylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=CC=C1 NFSAPTWLWWYADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
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- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
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- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/768—Perovskite structure ABO3
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- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、ペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と、上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部と、を有し、上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を用いて整合構造を有し且つ化学的組成が異なるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末を製造することにより、信頼性、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末を具現することができる。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は、ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と、上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部と、を有し、上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を用いて整合構造を有し且つ化学的組成が異なるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末を製造することにより、信頼性、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末を具現することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品に関する。
ペロブスカイト粉末は、強誘電体セラミック材料で、積層コンデンサー(MLCC)、セラミックフィルター、圧電素子、強誘電体メモリー、サーミスター(thermistor)、バリスター(varistor)等の電子部品の原料として用いられている。
チタン酸バリウム(BaTiO3)は、ペロブスカイト構造を有する高誘電率物質で、積層セラミックキャパシタの誘電体材料として用いられている。
近年、電子部品産業における軽薄短小化、高容量化、高信頼性化等の傾向に伴い、強誘電体の粒子も小型、高誘電率及び高信頼性が求められている。
誘電体層の主成分であるチタン酸バリウム粉末の粒径が大きい場合、当該誘電体層の表面粗さの増加によって短絡率増加及び絶縁抵抗不良の問題が発生することがある。
これにより、主成分であるチタン酸バリウム粉末の微粒化が求められている。
しかしながら、チタン酸バリウム粉末が微粒化される場合、正方晶系率は減少する問題があるため、このような結晶性の問題を克服して高結晶性の微粒のチタン酸バリウム粉末を得るための開発が求められている。
このようなペロブスカイト粉末を製造する方法としては、固相法、湿式法があり、湿式法には、シュウ酸塩沈殿法、水熱合成法等がある。
固相法は、通常、粒子の最小粉末のサイズが1ミクロン前後とかなり大きく、粒子のサイズを調節することが困難であり、粒子間の凝集現象及び焼成時に発生する汚染等が問題となるため、ペロブスカイト粉末を微粒子にするのに困難がある。
誘電体粒子のサイズが小さくなるにつれ正方性(tetragonality)が落ちることは様々な工法で一般的に現れる現象であり、100nm以下に小さくなる場合は結晶軸比(c/a)の確保が非常に困難となる。
また、粉末のサイズが小さくなるほど分散はさらに困難となるため、微粒粉末ほど高い分散性が求められる。
さらに、微粒子ほど急激に粒成長が起こることがあり、これにより、最終製品である電子部品は、均一な微細構造を有する誘電体を得ることが困難となり、高い電気的信頼性を確保することも困難となる。
さらに、誘電体粒子が小さいほど、添加剤の分散が困難となり、添加剤の固溶が不均一で起こりやすくなり、これは、誘電率の減少をもたらす可能性がある。
本発明の目的は、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品を提供することである。
本発明の一実施形態は、ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と、上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部と、を有し、上記シェル部が上記コア部上にドープされるペロブスカイト粉末を提供する。
上記Aサイト(site)は、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
上記Bサイト(site)は、チタニウム(Ti)及びジルコニウム(Zr)からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
上記シェル部は、アルミニウム(Al)、イットリウム(Y)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上がドープされたABO3で表されるペロブスカイト元素を含むことができる。
上記コア部と上記シェル部との格子定数の差は、0.05〜0.45%であることができる。
本発明の他の実施形態は、ペロブスカイト粒子核を形成させる段階と、上記ペロブスカイト粒子核を水熱反応器内で粒成長させる段階と、上記水熱反応器内に金属塩水溶液を投入して混合液を製造する段階と、上記混合液を加熱してABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部とを有し上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を得る段階と、を含むペロブスカイト粉末の製造方法を提供する。
上記Aサイト(site)は、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
上記Bサイト(site)は、チタニウム(Ti)及びジルコニウム(Zr)からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
上記シェル部は、アルミニウム(Al)、イットリウム(Y)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上がドープされたABO3で表されるペロブスカイト元素を含むことができる。
上記コア部と上記シェル部との格子定数の差は、0.05〜0.45%であることができる。
上記シェル部は、上記コア部の結晶成長過程で形成されることができる。
上記金属塩は、硝酸塩及び酢酸塩からなる群から選択された一つ以上であることができる。
本発明のさらに他の実施形態は、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を介して対向するように配置される内部電極層と、を含み、上記誘電体層はABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部とを有し上記シェル部が上記コア部上にドープされた複数の誘電体グレインを含む積層セラミック電子部品を提供する。
上記Aサイト(site)は、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
上記Bサイト(site)は、チタニウム(Ti)及びジルコニウム(Zr)からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
上記シェル部は、アルミニウム(Al)、イットリウム(Y)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上がドープされたABO3で表されるペロブスカイト元素を含むことができる。
上記コア部と上記シェル部との格子定数の差は、0.05〜0.45%であることができる。
本発明によると、水熱合成法を用いて整合構造を有し且つ化学的組成が異なるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末を製造することにより、信頼性、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末を具現することができる。
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。但し、本発明の実施形態は、多様な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当業界における通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及びサイズ等は、より明確な説明のために誇張されることがある。なお、図面上において同一符号で表示される要素は、同一の要素である。
図1は、本発明の一実施形態によるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末を概略的に示す概略図である。
図1を参照すると、本発明の一実施形態によるペロブスカイト粉末は、ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部1と、上記コア部1と整合する構造を有し且つ上記コア部1と化学的組成が異なるシェル部2と、を有し、上記シェル部2が上記コア部1上にドープされることができる。
以下では、本発明の一実施形態によるペロブスカイト粉末に関して詳細に説明する。
本発明の一実施形態によると、水熱合成法により製造されたABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部1上に当該コア部1と整合する構造を有し且つ当該コア部1と化学的組成が異なるシェル部2がドープされるため、誘電率及び電気的特性に非常に優れることができる。
具体的には、上記ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部1において、上記Aサイト(site)は、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。
また、上記Bサイト(site)は、チタニウム(Ti)及びジルコニウム(Zr)からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。
上記ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部1は、セラミック誘電体材料として用いることができるものであれば特に制限されず、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO3)粉末であることができる。
上記コア部1は、後述するように、水熱合成法により合成された単結晶のチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末であることができる。
本発明の一実施形態によると、上記コア部1と整合する構造を有し且つ上記コア部1と化学的組成が異なるシェル部2が上記コア部1上にドープされることができる。
上記シェル部2は、アルミニウム(Al)、イットリウム(Y)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上がドープされたABO3で表されるペロブスカイト元素を含むことができる。
即ち、上記シェル部2は、ABO3で表されるペロブスカイト元素に上述した元素が極少量置換又はドープされているため、上記コア部1と整合する構造を有し且つ化学的組成は異なることができる。
具体的には、上記シェル部2は、上記コア部1と化学的組成は異なるが、その結晶構造を同一に維持させることにより、上記コア部1と整合する構造を有することができる。
上記整合構造は、化学的組成は異なるが、結晶構造を同一に維持させることにより、格子定数において差が生じる構造を意味することができる。
したがって、上記整合構造を有する上記コア部1と上記シェル部2は化学的組成の差により発生する格子定数の差によって相互間に応力が作用するようになり、当該応力が温度による誘電率の平坦化に寄与することができる。
即ち、本発明の一実施形態による上記整合コア−シェル(Matching core−shell)構造を有するチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末を用いて積層セラミックキャパシタを製作する場合、焼成過程で添加剤成分の不要な拡散によるチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末の凝集が発生しないため、耐電圧特性及び信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを具現することができる。
これに対し、上記整合コア−シェル(Matching core−shell)構造を有しないチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末を用いる場合は、当該チタン酸バリウム(BaTiO3)粉末に添加剤がコーティングされていても、焼成中に添加剤の拡散によってチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末が再凝集することがある。
また、拡散過程において上記整合コア−シェル(Matching core−shell)構造を有しないチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末のサイズ分布差及び位置別温度偏差等によって不均一な拡散や固溶が発生することがある。
したがって、上記の不均一性を減少させるために、本発明の一実施形態によるペロブスカイト粉末は、整合コア−シェル(Matching core−shell)構造を有するチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末であることができる。
上記コア部1と上記シェル部2との格子定数の差は、特に制限されないが、例えば、0.05〜0.45%であることができる。
本発明の一実施形態によると、上記コア部1と上記シェル部2との格子定数の差を0.05〜0.45%に調節することにより、当該コア部1と当該シェル部2との相互間の応力を調節して信頼性、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末を具現することができる。
上記コア部1と上記シェル部2との格子定数の差が0.05%未満の場合は、格子定数の差が小さすぎることから、焼成時に粒子の急成長が起こることがあり、これにより、均一な微細構造が得られないため、電気的特性が低下する可能性がある。
これに対し、上記コア部1と上記シェル部2との格子定数の差が0.45%を超える場合は、格子定数の差が大きすぎることから、当該シェル部2が焼成過程で割れたり拡散によって再配列されたりするため、最終焼成体に当該シェル部2が存在しがたくなる。
本発明の一実施形態によるペロブスカイト粉末は、上記コア部1と上記シェル部2とが同一の結晶学方位を有するため、分散過程や焼成過程で割れにくくなる。
また、上記ペロブスカイト粉末は、粉末状態で既に積層セラミックキャパシタの特性の具現に必要なコア−シェル構造を有しているため、焼成過程中に添加剤の固溶及び拡散によるコア−シェル構造形成過程が不要となる。
本発明の一実施形態によると、上述したように焼成過程中に添加剤の不要な拡散を最小化することができるため、当該添加剤の凝集を抑制して積層セラミックキャパシタの耐電圧特性及び信頼性を向上させることができる。
図2は、本発明の他の実施形態によるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末の製造工程を示すフローチャートである。
図2を参照すると、本発明の他の実施形態によるペロブスカイト粉末の製造方法は、ペロブスカイト粒子核を形成させる段階と、上記ペロブスカイト粒子核を水熱反応器内で粒成長させる段階と、上記水熱反応器内に金属塩水溶液を投入して混合液を製造する段階と、上記混合液を加熱してABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部とを有し上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を得る段階と、を含むことができる。
以下、本実施形態によるペロブスカイト粉末の製造方法を各段階別に詳細に説明する。
ペロブスカイト粉末はABO3の構造を有する粉末で、本発明の一実施形態では、上記金属酸化物がBサイト(site)に該当する元素の供給源であり、上記金属塩がAサイト(site)に該当する元素の供給源である。
まず、金属塩と金属酸化物とを混合してペロブスカイト粒子核を形成させることができる。
上記金属酸化物は、チタニウム(Ti)又はジルコニウム(Zr)からなる群から選択された一つ以上であることができる。
チタニアとジルコニアの場合、加水分解が非常に容易であるため、別途の添加剤なしに純水と混合すると、含水チタニウム、含水ジルコニウムがゲル状に沈殿されることができる。
上記含水状の金属酸化物を洗浄して不純物を除去することができる。
具体的には、上記含水金属酸化物を加圧によりフィルタリングして残留溶液を除去し純水を入れながらフィルタリングして粒子の表面に存在する不純物を除去することができる。
上記含水金属酸化物に純水と酸又は塩基を添加することができる。
フィルタリング後に得られる含水金属酸化物粉末に純水を入れて高粘度攪拌機で攪拌させるが、0℃〜60℃で0.1時間〜72時間維持して含水金属酸化物スラリーを製造することができる。
製造したスラリーに酸や塩基を加えることができる。上記酸や塩基は、解膠剤として用いられ、含水金属酸化物の含量に対して0.00001〜0.2モルで添加されることができる。
上記酸としては、一般的なものであれば特に制限されず、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸、蟻酸、酢酸、ポリカルボン酸等があり、これらを単独又は二種以上混合して用いることができる。
上記塩基としては、一般的なものであれば特に制限されず、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド又はテトラエチルアンモニウムヒドロキシド等があり、これらを単独又は混合して用いることができる。
上記金属塩は、水酸化バリウム又は水酸化バリウムと希土類塩との混合物であることができる。
上記希土類塩としては、特に制限されず、例えば、イットリウム(Y)、ジスプロシウム(Dy)及びホルミウム(Ho)等を用いることができる。
上記ペロブスカイト粒子核を形成させる段階は、60℃〜150℃で行われることができる。
次に、上記ペロブスカイト粒子核を水熱反応器に投入し水熱処理して当該水熱反応器内で粒成長させることができる。
次いで、上記水熱反応器内に金属塩水溶液を高圧ポンプを用いて投入して混合液を製造し、当該混合液を加熱して、ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部とを有し上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末が得られる。
上記シェル部は、上記コア部の結晶成長過程で形成されることができる。
上記金属塩水溶液は、特に制限されず、例えば、硝酸塩及び酢酸塩からなる群から選択された一つ以上であることができる。
その他、本発明の他の実施形態によるペロブスカイト粉末の製造方法の特徴は、前述した本発明の一実施形態によるペロブスカイト粉末の特徴と同一であるため、ここではその説明を省略する。
図3は、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図であり、図4は、図3のA−A’線に沿う断面図である。
図3及び図4を参照すると、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層3を含むセラミック本体10と、上記セラミック本体10内で上記誘電体層3を介して対向するように配置される内部電極層21、22と、を含み、上記誘電体層3はABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部とを有し上記シェル部が上記コア部上にドープされた複数の誘電体グレインを含むことができる。
以下、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品の一例として積層セラミックキャパシタを例に挙げて説明するが、これに制限されるものではない。
図3を参照すると、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタにおいて、「長さ方向」は「L方向」、「幅方向」は「W方向」、「厚さ方向」は「T方向」と定義される。ここで、「厚さ方向」は、誘電体層を積み重ねる方向、即ち、「積層方向」と同一の概念である。
本実施形態によると、上記誘電体層3の原料は、十分な静電容量が得られるものであれば特に制限されず、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO3)粉末であることができる。
上記チタン酸バリウム(BaTiO3)粉末は、ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部とを有し上記シェル部が上記コア部上にドープされた構造を有することができる。
上記チタン酸バリウム(BaTiO3)粉末を用いて製造された積層セラミックキャパシタは、常温での誘電率が高く、絶縁抵抗及び耐電圧特性に非常に優れて信頼性が向上することができる。
具体的には、任意の誘電体層から取り出された、コア部と上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部とを有し上記シェル部が上記コア部上にドープされた構造を有する上記誘電体グレインに対し、TEM(Transmission Electron Microscoipe)イメージとEDS(Energy Dispersive Spectrometry)分析結果とを組み合わせて上記コア部と上記シェル部との境界を決めることができる。
本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタは、整合コア−シェル(Matching core−shell)構造のチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末からなる複数の誘電体グレインを含むことにより、常温での誘電率が高く、絶縁抵抗及び耐電圧特性に非常に優れて信頼性が向上することができる。
上記誘電体層3を形成する材料は、チタン酸バリウム(BaTiO3)等のパウダーに、本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤等が添加されることができる。
その他の特徴は、前述した本発明の一実施形態によるペロブスカイト粉末の特徴と重なるため、ここではその説明を省略する。
上記第1及び第2の内部電極21、22を形成する材料は、特に制限されず、例えば、銀(Ag)、鉛(Pb)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)及び銅(Cu)の一つ以上の物質からなる導電性ペーストを用いて上記第1及び第2の内部電極21、22を形成することができる。
本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記第1の内部電極21と電気的に連結された第1の外部電極31と、上記第2の内部電極22と電気的に連結された第2の外部電極32と、をさらに含むことができる。
上記第1及び第2の外部電極31、32は、静電容量の形成のために上記第1及び第2の内部電極21、22と電気的に連結され、上記第2の外部電極32は、上記第1の外部電極31と異なる電位に連結されることができる。
上記第1及び第2の外部電極31、32は、静電容量の形成のために上記第1及び第2の内部電極21、22と電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、例えば、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、銀(Ag)及び銀−パラジウム(Ag−Pd)からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明がこれによって制限されるものではない。
<実施例1>
まず、水酸化バリウム八水和物(Ba(OH)28H2O)を反応器に入れて窒素でパージングした後、70℃以上で攪拌して溶かす。
まず、水酸化バリウム八水和物(Ba(OH)28H2O)を反応器に入れて窒素でパージングした後、70℃以上で攪拌して溶かす。
次に、酸化チタン(TiO2)ゾルを40℃以上に加温して準備した後、上記バリウム溶液と急速に混合させて110℃で攪拌及び反応させる。
粒子核の生成が終了した後、オートクレーブ(autoclave)反応器へ上記スラリーを移送し当該反応器の温度を250℃に上げて上記粒子核を20時間粒成長させて60nmのチタン酸バリウム粉末を得る。
上記粒子核を粒成長させた後、高圧ポンプを用いてイットリウムアセテート(Yttrium Acetate)を含む水溶液添加剤を上記反応器の内部に投入して上記粒子核と混合させる。
投入時にはオートクレーブのベント(vent)バルブを開け原料投入管を開けて投入し、投入中にも攪拌を継続しながらよく混合させる。
上記チタン酸バリウム粉末に対するイットリウムのモル濃度は0.6%となるようにした。
上記添加剤の投入後にオートクレーブを密閉し温度を220℃に上げた後5時間維持して上記粒子核を粒成長させる。
上記のようにイットリウム(Y)を添加してさらに粒成長させた後の上記粒子核は80nmのチタン酸バリウム粉末であり、シェル部には多量のイットリウム(Y)が存在することができる。
図5は、本発明の一実施形態によるチタン酸バリウム粉末のSTEM(Scanning Transmission Electron Microscope)写真であり、図6は、本発明の一実施形態によるチタン酸バリウム粉末を成分分析したグラフである。
図5及び図6を参照すると、本発明の一実施形態によるチタン酸バリウム粉末のシェル部に多量のイットリウム(Y)が存在していることが分かる。
下記表1は、チタン酸バリウム(BaTiO3)粉末の格子定数の差、界面状態によるキャパシタンスの温度係数(Temperature coefficient of capacitance、TCC)挙動及びX5R温度特性満足の有無を比較した表である。
上記表1を参照すると、実施例1及び2は、整合コア−シェル(Matching core−shell)構造を有し且つ格子定数の差が0.05〜0.45%であるチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末を用いて製作した積層セラミックキャパシタで、X5R温度特性を満足していることが分かる。
これに対し、比較例1から4は、界面状態が不整合であるか又は格子定数の差が本発明の数値範囲を外れる場合で、X5R温度特性を満足していないことが分かる。
即ち、本発明の一実施形態による実施例のように整合コア−シェル(Matching core−shell)構造を有する場合は、界面に内部応力が強くかかっているが、転位(Dislocation)は発生しない。
しかしながら、比較例のように不整合コア−シェル構造を有する場合は、コアとシェルとの界面に転位(Dislocation)が多量形成され、当該界面に存在する応力が急激に減少するようになる。
したがって、本発明の一実施形態のように格子定数の差が0.05〜0.45%の範囲内で整合コア−シェル(Matching core−shell)構造を有するチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末を用いなければ、安定的な温度特性を有する積層セラミックキャパシタを製作することができない。
以上のように、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタは、整合コア−シェル(Matching core−shell)構造を有するチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末からなる複数の誘電体グレインを含むことにより、常温での誘電率が高く、絶縁抵抗及び耐電圧特性に非常に優れ、信頼性が向上することができる。
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されることなく添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属する。
1 コア部
2 シェル部
3 誘電体層
10 セラミック本体
21 第1の内部電極
22 第2の内部電極
31、32 第1及び第2の外部電極
2 シェル部
3 誘電体層
10 セラミック本体
21 第1の内部電極
22 第2の内部電極
31、32 第1及び第2の外部電極
Claims (17)
- ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と、
前記コア部と整合する構造を有し且つ前記コア部と化学的組成が異なるシェル部と、
を有し、前記シェル部が前記コア部上にドープされる、ペロブスカイト粉末。 - 前記Aサイト(site)は、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項1に記載のペロブスカイト粉末。
- 前記Bサイト(site)は、チタニウム(Ti)及びジルコニウム(Zr)からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項1に記載のペロブスカイト粉末。
- 前記シェル部は、アルミニウム(Al)、イットリウム(Y)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上がドープされたABO3で表されるペロブスカイト元素を含む、請求項1に記載のペロブスカイト粉末。
- 前記コア部と前記シェル部との格子定数の差は、0.05〜0.45%である、請求項1に記載のペロブスカイト粉末。
- ペロブスカイト粒子核を形成させる段階と、
前記ペロブスカイト粒子核を水熱反応器内で粒成長させる段階と、
前記水熱反応器内に金属塩水溶液を投入して混合液を製造する段階と、
前記混合液を加熱して、ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と前記コア部と整合する構造を有し且つ前記コア部と化学的組成が異なるシェル部とを有し前記シェル部が前記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を得る段階と、
を含む、ペロブスカイト粉末の製造方法。 - 前記Aサイト(site)は、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項6に記載のペロブスカイト粉末の製造方法。
- 前記Bサイト(site)は、チタニウム(Ti)及びジルコニウム(Zr)からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項6に記載のペロブスカイト粉末の製造方法。
- 前記シェル部は、アルミニウム(Al)、イットリウム(Y)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上がドープされたABO3で表されるペロブスカイト元素を含む、請求項6に記載のペロブスカイト粉末の製造方法。
- 前記コア部と前記シェル部との格子定数の差は、0.05〜0.45%である、請求項6に記載のペロブスカイト粉末の製造方法。
- 前記シェル部は、前記コア部の結晶成長過程で形成される、請求項6に記載のペロブスカイト粉末の製造方法。
- 前記金属塩は、硝酸塩及び酢酸塩からなる群から選択された一つ以上である、請求項6に記載のペロブスカイト粉末の製造方法。
- 誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して対向するように配置される内部電極層と、
を含み、
前記誘電体層は、ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と前記コア部と整合する構造を有し且つ前記コア部と化学的組成が異なるシェル部とを有し前記シェル部が前記コア部上にドープされた複数の誘電体グレインを含む、積層セラミック電子部品。 - 前記Aサイト(site)は、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項13に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記Bサイト(site)は、チタニウム(Ti)及びジルコニウム(Zr)からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項13に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記シェル部は、アルミニウム(Al)、イットリウム(Y)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)及びカルシウム(Ca)からなる群から選択された一つ以上がドープされたABO3で表されるペロブスカイト元素を含む、請求項13に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記コア部と前記シェル部との格子定数の差は、0.05〜0.45%である、請求項13に記載の積層セラミック電子部品。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0121626 | 2011-11-21 | ||
KR1020110121626A KR101942718B1 (ko) | 2011-11-21 | 2011-11-21 | 페롭스카이트 분말, 이의 제조방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013107812A true JP2013107812A (ja) | 2013-06-06 |
Family
ID=48491012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012172603A Pending JP2013107812A (ja) | 2011-11-21 | 2012-08-03 | ペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013107812A (ja) |
KR (1) | KR101942718B1 (ja) |
CN (1) | CN103130500A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015016268A1 (ja) * | 2013-07-30 | 2017-03-02 | 京セラ株式会社 | 誘電体フィルム、フィルムコンデンサ、および電気装置 |
US10515760B1 (en) * | 2018-08-09 | 2019-12-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor with dielectric layers including dielectric grains having a core-shell structure |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101539851B1 (ko) * | 2013-09-23 | 2015-07-27 | 삼성전기주식회사 | 복합 페롭스카이트 분말, 그 제조방법 및 이를 포함하는 내부전극용 페이스트 조성물 |
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---|---|
KR101942718B1 (ko) | 2019-01-29 |
CN103130500A (zh) | 2013-06-05 |
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