JP5423303B2 - 誘電体磁器組成物の製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、誘電体層を構成するセラミック焼結体(例えば、BaTiO3系セラミック)は、その粒子径が微細になると、誘電率が低下してしまうことが知られている。この誘電率の低下は、セラミック焼結体の結晶性(結晶軸のa軸に対するc軸の比(c/a軸比)の低下に起因するものである。
バリウム化合物とチタン化合物とを含むセラミック素原料からチタン酸バリウムを主たる成分とする主成分粉末を作製する主成分粉末作製工程であって、
バリウム化合物とチタン化合物とを含む混合物を仮焼する仮焼工程と、
前記仮焼工程で得られた仮焼物を酸溶液により洗浄する酸洗浄工程と
を備えた主成分粉末作製工程と、
前記主成分粉末作製工程で得られた主成分粉末に、モル比調整のためのBaを含む化合物を添加する工程と
を備えており、
前記酸洗浄後に得られる前記主成分粉末は、一般式ABO3で表され、Aサイト元素とBサイト元素のモル比であるA/B比が0.985以下、0.9以上であるペロブスカイト型複合酸化物であること
を特徴としている。
また、酸洗浄により粒子の表面部分が除かれるとともに、凝集も抑制、緩和されるため、粒子径を小さくすることができる。
また、Ba化合物は焼成時の粒成長を抑制する効果があるので、微細な結晶粒子を実現することができる。
出発原料として、比表面積が30m2/gのBaCO3粉末と、100m2/gのTiO2粉末をBaとTiのモル比が1.00になるように秤量した。そして、これに純水を加え、直径が2mmのPSZメディアを使用してボールミルにて混合、粉砕しスラリーを得た。
また、X線回折測定を行い、かつリートベルト解析を行うことにより、結晶軸のa軸に対するc軸の比(c/a軸比)を求めた。
また、BaとTiのモル比(A/B比)をガラスビード法で測定した。
その結果を表1に示す。なお、表1において試料番号に*印を付したものは本発明の要件を備えていないものである。
一方、酸洗浄を行わない試料番号Aの場合、結晶性の低い表面部分がそのまま残り、粒子径が大きいため、比表面積が5.6m2/gと小さくなること、c/a軸比も1.010未満で結晶性も低くなることが確認された。
また、濃度が3.0Nの塩酸を用いて洗浄した試料番号Eの場合、比表面積が20.7m2/gと大きく、c/a軸比も1.010以上となるが、Bサイト成分が溶解されすぎて、Aサイト元素とBサイト元素のモル比(A/B比)が0.660と極端に小さくなることが確認された。これは、酸洗浄に用いた塩酸の濃度および洗浄時間の関係から、酸洗浄(酸による結晶表面の溶解)が進みすぎて、結晶の表面が大きく除去されることによるものである。
表1に示した結果から、酸に対する溶出は、BサイトのTiに比べてAサイトのBaの方が多いので、Bサイトが過剰の結晶性の高い主成分粉末(チタン酸バリウムを主たる成分とする主成分粉末)が得られることがわかる。
なお、上記の例では、塩酸3.0Nで120分の条件とした場合、酸洗浄によるバリウム化合物の溶出が多くなりすぎる結果となったが、酸の濃度や酸洗浄時間などの条件、さらには温度条件などを制御することにより、塩酸濃度が3.0Nあるいはそれ以上の濃度の酸溶液を用いたり、また、塩酸濃度が0.12N未満の酸溶液を用いたりすることも可能である。
上述のようにして作製した主成分粉末(チタン酸バリウム粉末)を用いて、以下に説明する方法で、積層セラミックコンデンサ用の誘電体磁器組成物を作製した。
試料番号1:BaCO3の配合量0.4モル
試料番号2:BaCO3の配合量2.2モル
試料番号3:BaCO3の配合量5.1モル
試料番号4:BaCO3の配合量10.4モル
試料番号5:BaCO3の配合量34.7モル
それから、積層体をN2雰囲気にて350℃の温度に保持し、バインダーを燃焼させた後、酸素分圧10-9〜10-12MPaのN2−H2−H2Oガスからなる還元雰囲気中において所定温度で焼成した、
これにより、図1に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを作製した。
この実施例では、作製した積層セラミックコンデンサの、セラミック誘電体層の厚みが0.8μm、静電容量に寄与するセラミック誘電体層の積層数が100層となるようにしている。
上述のようにして作製した積層セラミックコンデンサについて、静電容量をLCRメーターを用いて、1kHz,0.5Vrmsの条件で測定し、比誘電率εrを算出した。
また、セラミック誘電体層の比誘電率も良好で、特に問題がないことが確認された。
これは、酸洗浄後のチタン酸バリウム粉末(表1の試料番号Eのチタン酸バリウム粉末)のAサイト元素とBサイト元素のモル比(A/B比)が0.660と小さいため、チタン酸バリウム粉末全体としては粒成長が抑制され、平均結晶粒径が150nmと小さくなるものの、多量に添加されたBaCO3は必ずしも均一に混合せず、Tiが過剰な部分で粒成長を起こしてしまい、最大結晶粒径が500を超えることになったものと考えられる。
12 セラミック誘電体層
13a,13b 内部電極
14a,14b 積層セラミック素子の端面
15a,15b 外部電極
20 積層セラミックコンデンサ
Claims (3)
- バリウム化合物とチタン化合物とを含むセラミック素原料からチタン酸バリウムを主たる成分とする主成分粉末を作製する主成分粉末作製工程であって、
バリウム化合物とチタン化合物とを含む混合物を仮焼する仮焼工程と、
前記仮焼工程で得られた仮焼物を酸溶液により洗浄する酸洗浄工程と
を備えた主成分粉末作製工程と、
前記主成分粉末作製工程で得られた主成分粉末に、モル比調整のためのBaを含む化合物を添加する工程と
を備えており、
前記酸洗浄後に得られる前記主成分粉末は、一般式ABO3で表され、Aサイト元素とBサイト元素のモル比であるA/B比が0.985以下、0.9以上であるペロブスカイト型複合酸化物であること
を特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 前記酸洗浄工程後に得られる主成分粉末は、結晶軸のa軸に対するc軸の比であるc/a軸比が1.010以上、比表面積が7m2/g以上であることを特徴とする請求項1記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
- 前記モル比調整のためのBaを含んだ化合物はBaCO3であることを特徴とする請求項1または2記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
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