JP5299400B2 - 複合酸化物粉末の製造方法 - Google Patents

複合酸化物粉末の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5299400B2
JP5299400B2 JP2010239729A JP2010239729A JP5299400B2 JP 5299400 B2 JP5299400 B2 JP 5299400B2 JP 2010239729 A JP2010239729 A JP 2010239729A JP 2010239729 A JP2010239729 A JP 2010239729A JP 5299400 B2 JP5299400 B2 JP 5299400B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide powder
perovskite
mol
powder
ratio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010239729A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012091956A (ja
Inventor
宏樹 水野
剛之 矢尾
恵 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2010239729A priority Critical patent/JP5299400B2/ja
Priority to KR1020110106922A priority patent/KR101318855B1/ko
Priority to CN201110325409.7A priority patent/CN102452835B/zh
Publication of JP2012091956A publication Critical patent/JP2012091956A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5299400B2 publication Critical patent/JP5299400B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00Compounds of titanium
    • C01G23/003Titanates
    • C01G23/006Alkaline earth titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30Stacked capacitors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/30Three-dimensional structures
    • C01P2002/34Three-dimensional structures perovskite-type (ABO3)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

本発明は、セラミック電子部品用のセラミック原料として好適に用いることが可能なペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法に関する。
微粒で結晶性に優れたペロブスカイト型複合酸化物(例えば、チタン酸バリウムなど)を経済的に製造することが可能な複合酸化物粉末の製造方法として、以下に説明するような方法が提案されている。
一般式ABO3で表されるペロブスカイト構造を有する複合酸化物粉末の製造するにあたって、水酸化バリウム水溶液と、チタンアルコキシドのアルコール溶液と、カルシウム塩のアルコール溶液との混合溶液を作製し、前記混合溶液を60〜100℃で反応させることにより、微粒なチタン酸バリウム粉末や、カルシウム変性チタン酸バリウム粉末を製造する方法が提案されている(特許文献1、請求項1,3参照)。また、その後、これら反応物を熱処理することにより、X線回折によるc/a軸比が大きい正方晶性の高いチタン酸バリウム粉末や、カルシウム変性チタン酸バリウム粉末を得る方法が提案されている(特許文献1、請求項2,4参照)。
そして、この特許文献1の方法によれば、「誘電体素子の絶縁不良を起こしにくい高信頼性のカルシウム変性微粒チタン酸バリウム粉末が得られ、小型高集積化ならびに大容量化を達成し得る積層セラミック電子部品が得られる」とされている。
しかし、近年、積層コンデンサの薄層化にともない、より高い信頼性が得られる微粒チタン酸バリウム粉末やカルシウム変性微粒チタン酸バリウム粉末が求められるに至っている。
また、他の複合酸化物の製造方法として、二酸化炭素が存在しない雰囲気下において、酸化チタン粒子に対して、水溶性バリウム化合物を等モルの割合で加え、pHが11.5以上、13.0以下の水溶液中にて、100℃以下の温度で反応させる反応工程を有するチタン酸バリウム粉末の製造方法が提案されている(特許文献2、請求項1,2参照)。
この特許文献2の方法によれば、酸化チタンと水溶性バリウム化合物(水酸化バリウム)を100℃以下の比較的低い温度で反応させることから、塩素不純物の混入を防止しつつ、粒度分布の狭いチタン酸バリウム粉末を安価に製造することができるとされている。
しかし、特許文献2に開示された方法では、得られるチタン酸バリウム粉末の正方晶性は低いと考えられ、近年の高特性が求められる積層セラミックコンデンサ用の誘電体としては、電気特性が必ずしも十分ではないものと考えられる。
特許第3780405号公報 特許第4057475号公報
本発明は、上記課題を解決するものであり、複合酸化物粒子の内部まで均一にMnが固溶したペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法、さらには、正方晶性が高く、かつ、結晶性に優れたペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明のペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法は、
ABO3(AはBaであるか、またはBaおよびCaであり、Bは少なくともTiを含む)で表されるペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法であって、
酸化チタン粉末と、前記酸化チタン粉末に由来するTi元素100モルに対するMn元素の割合が0.05〜0.30モルとなるような割合で配合されたマンガン成分とを含む原料液、もしくは酸化チタン粉末と、カルシウム成分と、前記酸化チタン粉末に由来するTi元素100モルに対するMn元素の割合が0.05〜0.30モルとなるような割合で配合されたマンガン成分とを含む原料液に、水酸化バリウムを加えて反応させる反応工程と、
前記反応工程で得られる反応生成物を850℃〜1000℃の温度で熱処理する熱処理工程とを備え、
前記反応工程で得られたペロブスカイト型複合酸化物粉末の比表面積が55〜60m2/gの範囲にあり、
前記熱処理工程で得られたペロブスカイト型複合酸化物粉末のc/a軸比が1.0082〜1.0090、比表面積が7〜10m2/gの範囲にあること
を特徴としている。
また、前記マンガン成分として、水溶性のマンガン化合物を用いることが好ましい。
本発明のペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法は、酸化チタン粉末と、酸化チタン粉末に由来するTi元素100モルに対するMn元素の割合が0.05〜0.30モルとなるような割合で配合されたマンガン成分とを含む原料液、もしくは酸化チタン粉末と、カルシウム成分と、酸化チタン粉末に由来するTi元素100モルに対するMn元素の割合が0.05〜0.30モルとなるような割合で配合されたマンガン成分とを含む原料液に、水酸化バリウムを加えて反応させる反応工程を備えているので、複合酸化物粒子の内部にまで均一にMnが固溶したペロブスカイト型複合酸化物粉末を効率よく製造することができる。
なお、Mnはそのイオン半径から、ABO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物のBサイト(Tiサイト)に固溶すると考えられる。そして、MnがTiサイトを占め、格子が歪むことにより、酸素欠陥などの移動が抑制され、絶縁抵抗や信頼性に優れたペロブスカイト型複合酸化物粉末を得ることが可能になる。
なお、本発明においては、Mn成分の含有量を、Ti元素100モルに対し、Mn元素が0.05〜0.30モルとなるような割合とすることが望ましいが、これは、Mn元素の割合が0.05モル未満になると、例えば、積層セラミックコンデンサの誘電体として用いた場合における耐用性に問題が生じるばかりでなく、絶縁抵抗も低下する傾向があり、また、0.30モルを超えた場合には、例えば、積層セラミックコンデンサの誘電体として用いた場合における耐用性が大幅に低下するとともに、絶縁抵抗も低下するという問題があることによる。
また、反応工程を経て得られる反応生成物を熱処理するようにしているので、正方晶性の高い、高性能のペロブスカイト型複合酸化物粉末を得ることが可能になる。
なお、上記の熱処理工程における温度は850〜1000℃の範囲とすることが好ましい。これは、850〜1000℃の範囲で熱処理することにより、Mnで変性され、正方晶性が高い、特性の良好なペロブスカイト型複合酸化物粉末が得られることによる。
また、Mn成分として、水溶性のマンガン化合物を用いることにより、Mnと他の成分との反応を均一にして、複合酸化物粒子の内部にまで、より均一にMnが固溶したペロブスカイト型複合酸化物粉末を効率よく製造することができる。
本発明の方法により製造される正方晶性に優れた高特性のペロブスカイト型複合酸化物粉末を用いることにより、特性が良好で、信頼性の高い積層セラミック電子部品(例えば、多層化、薄層化された高特性の積層セラミックコンデンサなど)を提供することが可能になる。
本発明の方法により製造されたペロブスカイト型複合酸化物粉末を誘電体材料として用いた積層セラミックコンデンサを示す図である。 比較用の試料(表1の試料番号1の試料)について行った加速寿命試験(HALT)における絶縁抵抗(logIR)の変化を示す図である。 本発明の実施例にかかる試料(表1の試料番号2の試料)について行った加速寿命試験(HALT)における絶縁抵抗(logIR)の変化を示す図である。 本発明の実施例にかかる他の試料(表1の試料番号4の試料)について行った加速寿命試験(HALT)における絶縁抵抗(logIR)の変化を示す図である。
以下に本発明の実施例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
(1)主成分粉末の作製
まず、比表面積が300m2/gのTiO2粉末、30m2/gのCaCO3粉末、およびBa(OH)2粉末を準備し、Ti100モルに対し、Baが95.0モル、Caが5.0モル、Aサイト成分(Ba,Ca)とBサイト成分(Ti)のモル比が0.995になるように秤量した。
また、硝酸マンガン6水和物(Mn(NO32・6H2O)粉末を、Ti100モルに対するMnのモル数が表1の値になるような割合で秤量した。
Figure 0005299400
次に、容積が5リットルのガラス容器を準備し、秤量したTiO2粉末、CaCO3粉末を入れた後、所定量の純水を投入し、スラリーとした。
それから、得られたスラリーを撹拌しながら加熱し、Mn(NO33・6H2O粉末を投入した。
さらに、スラリー温度が70℃に達した時点で、秤量しておいたBa(OH)2粉末を投入し、撹拌しながら1時間反応させた。
次に、得られたスラリーを排出し、乾燥機で乾燥した後、整粒し、850〜1000℃の温度で熱処理することにより、Ca、およびMnで変性したチタン酸バリウム粉末(主成分粉末)(表1のBCT−1〜BCT−5)を得た。
上記の熱処理前の粉末と、熱処理後の粉末(主成分粉末)について、X線回折による、結晶軸のa軸に対するc軸の比(c/a軸比)を測定するとともに、ガス吸着法により比表面積を測定した。その結果は、概略、以下の通りであった。
<熱処理前>
c/a軸比=1.0000
比表面積SS=55〜60m2/g
<熱処理後>
c/a軸比=1.0082〜1.0090
比表面積SS=7〜10m2/g
(2)積層コンデンサの作製
上述のようにして作製した主成分粉末(BCT−1〜BCT−5)100モルに対し、添加物としてMgOを1.0モル、Dy23を0.8モル、SiO2を1.3モルの割合で秤量し、添加した。
また、モル比調整用のBaCO3を、A/B比が1.007になるように添加した。
さらに、Mnを含まない主成分粉末((BCT−1)については、上記添加物に加え、Ti100モルに対してMnが0.05モルとなるような割合でMnCO3を添加した。
それから、上述のようにして得た配合物、有機バインダーとしてポリビニルブチラール樹脂、有機溶剤としてエタノール、直径が2mmのPSZメディア(粉砕メディア)をボールミルに投入し、混合、粉砕し、スラリー化した。
そして、このスラリーを、ドクターブレード法を用いて、シート厚みが焼成後に0.8μmとなるようにシート成形し、これを所定の大きさに打ち抜き、矩形状のグリーンシートを得た。
次に、上記グリーンシート上に、ニッケル粉末を導電成分とする導電ペーストをスクリーン印刷し、焼成後に内部電極となる導電ペースト層(内部電極パターン)を形成した。
そして、内部電極パターンが形成されたグリーンシートを、積層し、さらに、上下両面側に、内部電極パターンが形成されていないグリーンシートを外層として積層し、圧着することにより、積層ブロックを作製した。
それから、この積層ブロックを所定の寸法となるようにカットして得た未焼成の積層体を、大気中で熱処理して脱バインダーした後、還元性雰囲気中で焼成し、焼成済みの積層体(セラミック積層体)を得た。
それから焼成済みの積層体の両端面に、外部電極形成用の導電ペーストを塗布して焼き付けることにより、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
これにより、図1に示すような積層セラミックコンデンサ(表2の試料番号1〜5の試料)20が得られる。なお、この積層セラミックコンデンサ20は、積層セラミック素子11中に、セラミック誘電体層12を介して、複数の内部電極13a,13bが積層され、かつ、互いに対向する内部電極13a,13bが交互に積層セラミック素子11の異なる側の端面14a,14bに引き出されている。そして、積層セラミック素子11の端面14a,14bには、内部電極13a,13bと電気的に接続する外部電極15a,15bが形成されている。
なお、この積層セラミックコンデンサ20の素子厚み(誘電体層の厚み)は0.8μm、誘電体層の積層数は100層である。
(3)特性の評価
上述のようにして作製した積層セラミックコンデンサについて、周囲温度150℃で、16Vの直流電圧を印加し、加速寿命試験(HALT)を行った。初期の絶縁抵抗(LogIR)と、IRが100kΩにまで低下した時間を故障時間とした平均故障発生時間(MTTF)を表2に示す。
また、試料番号1,2,4の試料についてのHALT試験結果を図2,3,4に示す。
なお、表2の試験結果は、各試料につき、それぞれ10個のサンプルを用意して試験を行うことにより得た結果である。
Figure 0005299400
表2に示すように、Ti100モルに対しMnを0.05〜0.30モルの範囲で含有させた試料番号2〜4の試料の場合、絶縁抵抗IRは1桁以上向上することが確認された(表2および図3,4参照)。
また、Mnを0.05〜0.15モルの範囲で含有させることにより(試料番号2,3)、平均故障発生時間(MTTF)が2倍以上に向上し、より好ましいことが確認された(表2および図3参照)。
一方、Mnの含有量が0.30モルを超えた試料番号5の試料(Mnの含有量が0.50モルの主成分粉末を用いた試料)の場合、平均故障発生時間(MTTF)が短くなり、好ましくないことが確認された。
また、試料番号1の試料(積層セラミックコンデンサ)は、Mnを含まない主成分粉末(表1のBCT−1)に、Mnを、Ti100モルに対してMnが0.05モルとなるような割合で後添加したものを用いて作製した試料であるが、この試料番号1の試料では、主成分に同量のMnを含有させたBCT−2を用いた、表2の試料番号2の試料に比べて、平均故障発生時間(MTTF)が短くなっており、信頼性が低いことが確認された(表2および図2参照参照)。
これは、本発明の要件を満たす方法で製造されたBCT-2のペロブスカイト型複合酸化物粉末においては、Mnが粒子の表面から内部まで均一に固溶しているためであると考えられる。
上記の結果より、Mnの含有量は、Ti100モルに対し、Mn0.05〜0.30モルの範囲とすることが望ましいことがわかる。
なお、Mnはそのイオン半径から、ABO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物のBサイト(Tiサイト)に固溶すると考えられ、適量のMnがTiサイトを占め、格子が歪むことにより、酸素欠陥などの移動が抑制され、絶縁抵抗IRや信頼性(平均故障発生時間(MTTF))が向上するものと推測される。
一方、Mn含有量が過剰になる(0.30モルを超える)と、平均故障発生時間(MTTF)が短くなる(信頼性が低下する)のは、格子に固溶しないMnが増加することによるものと考えられる。
なお、本発明のペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法においては、添加するMn成分として、水溶性のマンガン化合物を用いることが好ましい。具体的には、硝酸マンガン、硫酸マンガンなどが例示されるが、取り扱いの容易さから硝酸マンガンを用いることがより好ましい。
また、この実施例では、Ca源としてCaCO3を用いているが、炭酸塩の他に、水溶性、非水溶性は問わず、酢酸塩、硝酸塩などの化合物を用いることができる。これらの化合物を添加することにより、Ca元素が固溶したペロブスカイト型複合酸化物粉末を製造することができる。
または、この実施例のように、Ba源として水酸化バリウムの無水物(Ba(OH)2粉末)を用いた場合、固体のまま直接TiO2などが分散したスラリーに添加することができる。また、スラリーに添加した時点で、その溶解熱により、100℃付近までの急激な温度上昇が起きるため、合成反応が促進される。
これらの理由から、Ba源としては水酸化バリウムの無水物を用いることが好ましい。
なお、上記実施例では、本発明のペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法により製造される複合酸化物粉末を用いて積層セラミックコンデンサを作製したが、本発明の方法で製造されるペロブスカイト型複合酸化物粉末は、積層セラミックコンデンサに限らず、多層部品などに広く用いることが可能である。
本発明は、さらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、酸化チタン粉末と、マンガン成分とを含む原料液に、水酸化バリウムを加えて反応させる反応工程における条件、反応生成物を熱処理する熱処理工程における条件、各成分の原料化合物の種類、本発明の方法で製造されるペロブスカイト型複合酸化物粉末を用いて得られる積層セラミック電子部品の種類などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
11 積層セラミック素子
12 セラミック誘電体層
13a,13b 内部電極
14a,14b 積層セラミック素子の端面
15a,15b 外部電極
20 積層セラミックコンデンサ

Claims (2)

  1. ABO3(AはBaであるか、またはBaおよびCaであり、Bは少なくともTiを含む)で表されるペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法であって、
    酸化チタン粉末と、前記酸化チタン粉末に由来するTi元素100モルに対するMn元素の割合が0.05〜0.30モルとなるような割合で配合されたマンガン成分とを含む原料液、もしくは酸化チタン粉末と、カルシウム成分と、前記酸化チタン粉末に由来するTi元素100モルに対するMn元素の割合が0.05〜0.30モルとなるような割合で配合されたマンガン成分とを含む原料液に、水酸化バリウムを加えて反応させる反応工程と、
    前記反応工程で得られる反応生成物を850℃〜1000℃の温度で熱処理する熱処理工程とを備え、
    前記反応工程で得られたペロブスカイト型複合酸化物粉末の比表面積が55〜60m2/gの範囲にあり、
    前記熱処理工程で得られたペロブスカイト型複合酸化物粉末のc/a軸比が1.0082〜1.0090、比表面積が7〜10m2/gの範囲にあること
    を特徴とするペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法。
  2. 前記マンガン成分として、水溶性のマンガン化合物を用いることを特徴とする請求項1記載のペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法。
JP2010239729A 2010-10-26 2010-10-26 複合酸化物粉末の製造方法 Active JP5299400B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010239729A JP5299400B2 (ja) 2010-10-26 2010-10-26 複合酸化物粉末の製造方法
KR1020110106922A KR101318855B1 (ko) 2010-10-26 2011-10-19 복합 산화물 분말의 제조방법
CN201110325409.7A CN102452835B (zh) 2010-10-26 2011-10-24 复合氧化物粉末的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010239729A JP5299400B2 (ja) 2010-10-26 2010-10-26 複合酸化物粉末の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012091956A JP2012091956A (ja) 2012-05-17
JP5299400B2 true JP5299400B2 (ja) 2013-09-25

Family

ID=46036575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010239729A Active JP5299400B2 (ja) 2010-10-26 2010-10-26 複合酸化物粉末の製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5299400B2 (ja)
KR (1) KR101318855B1 (ja)
CN (1) CN102452835B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6086419B2 (ja) * 2012-05-22 2017-03-01 国立大学法人 東京大学 酸化物強誘電体およびその製造方法
KR20160095383A (ko) 2015-02-03 2016-08-11 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
RU2593271C1 (ru) * 2015-06-30 2016-08-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А." Жидкий композитный диэлектрик

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2193713B (en) * 1986-07-14 1990-12-05 Cabot Corp Method of producing perovskite-type compounds.
JP3149467B2 (ja) * 1991-08-20 2001-03-26 株式会社村田製作所 半導体磁器用微粉末の製造方法
JP3856984B2 (ja) 1999-05-27 2006-12-13 京セラ株式会社 誘電体磁器およびその製法
JP3780405B2 (ja) * 2000-08-11 2006-05-31 株式会社村田製作所 微粒チタン酸バリウム粉末、カルシウム変性微粒チタン酸バリウム粉末、ならびにその製造方法
JP3751304B2 (ja) * 2002-12-18 2006-03-01 昭和電工株式会社 チタン酸バリウムおよびそれを用いた電子部品
JP4057475B2 (ja) * 2003-06-17 2008-03-05 Tdk株式会社 チタン酸バリウム粉末の製造方法
JP4908244B2 (ja) * 2007-01-26 2012-04-04 昭和電工株式会社 複合酸化物膜形成用塗布剤
WO2009125681A2 (ja) * 2008-03-19 2009-10-15 日本化学工業株式会社 チタン酸バリウムの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102452835A (zh) 2012-05-16
CN102452835B (zh) 2014-07-02
JP2012091956A (ja) 2012-05-17
KR20120043638A (ko) 2012-05-04
KR101318855B1 (ko) 2013-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI613688B (zh) 積層陶瓷電容器
JP5067401B2 (ja) 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ
JP4165893B2 (ja) 半導体セラミック、及び積層型半導体セラミックコンデンサ、並びに半導体セラミックの製造方法
JPWO2008068999A1 (ja) 誘電体セラミックおよびそれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP5409443B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
KR101515522B1 (ko) 페로브스카이트형 복합 산화물의 제조방법
JP5299400B2 (ja) 複合酸化物粉末の製造方法
JP6636744B2 (ja) 誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子素子
JP5733313B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ、及びその製造方法
US20120250216A1 (en) Semiconductor ceramic and a multilayer semiconductor ceramic capacitor
JP5423303B2 (ja) 誘電体磁器組成物の製造方法
JP2011042529A (ja) 誘電体磁器組成物の製造方法
JP2006321670A (ja) 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
JP6218202B2 (ja) 固体電解質、及び積層型電子部品、並びに積層型電子部品の製造方法
WO2022270270A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
TWI541215B (zh) A dielectric ceramic material composition and a multilayer ceramic capacitor comprising the dielectric ceramic material composition
JP5354185B2 (ja) 誘電体セラミック及びその製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ
TWI639575B (zh) Anti-reduction high-temperature stable composite dielectric ceramic material and manufacturing method thereof
TW201546022A (zh) 介電陶瓷材料
JP6372569B2 (ja) 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
WO2017104539A1 (ja) 誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法、及び積層型セラミック電子部品
JP2013197366A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2012025592A (ja) 誘電体セラミックおよびそれを用いた積層セラミックコンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120706

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121113

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130521

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130603

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5299400

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150