JP2013102145A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013102145A5
JP2013102145A5 JP2012224978A JP2012224978A JP2013102145A5 JP 2013102145 A5 JP2013102145 A5 JP 2013102145A5 JP 2012224978 A JP2012224978 A JP 2012224978A JP 2012224978 A JP2012224978 A JP 2012224978A JP 2013102145 A5 JP2013102145 A5 JP 2013102145A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
oxide semiconductor
film
semiconductor film
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012224978A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6096461B2 (ja
JP2013102145A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012224978A priority Critical patent/JP6096461B2/ja
Priority claimed from JP2012224978A external-priority patent/JP6096461B2/ja
Publication of JP2013102145A publication Critical patent/JP2013102145A/ja
Publication of JP2013102145A5 publication Critical patent/JP2013102145A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6096461B2 publication Critical patent/JP6096461B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (7)

  1. ゲート電極と、
    前記ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ドレイン電極と、
    前記酸化物半導体膜上の、第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
    前記第２の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
    前記第２の絶縁膜の密度は、２．３２ｇ／ｃｍ３以上を有することを特徴とする半導体装置。
  2. ゲート電極と、
    前記ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ドレイン電極と、
    前記酸化物半導体膜上の、第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
    前記第２の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
    前記第２の絶縁膜の密度は、前記第１の絶縁膜の密度より高く、
    前記第２の絶縁膜の密度は、２．３２ｇ／ｃｍ ３ 以上を有することを特徴とする半導体装置。
  3. ゲート電極と、
    前記ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ドレイン電極と、
    前記酸化物半導体膜上の、第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
    前記第１の絶縁膜は、加熱により、酸素を放出する機能を有し、
    前記第２の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
    前記第２の絶縁膜の密度は、前記第１の絶縁膜の密度より高く、
    前記第２の絶縁膜の密度は、２．３２ｇ／ｃｍ ３ 以上を有することを特徴とする半導体装置。
  4. ゲート電極と、
    前記ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ドレイン電極と、
    前記酸化物半導体膜上の、第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
    前記第２の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
    前記第２の絶縁膜は、温度１３０℃、相対湿度１００％、１２時間の試験後の膨潤率が４体積％以下を有することを特徴とする半導体装置。
  5. 第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート電極と、
    前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極の間のゲート絶縁膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
    前記第１の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
    前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
    前記第１の絶縁膜の密度が２．３２ｇ／ｃｍ３以上を有することを特徴とする半導体装置。
  6. 第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
    前記酸化物半導体膜上のゲート電極と、
    前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極の間のゲート絶縁膜と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
    前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
    前記第１の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
    前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
    前記第１の絶縁膜の密度が２．３２ｇ／ｃｍ ３ 以上を有し、
    前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極と接する第１の領域を有し、
    前記酸化物半導体膜は、前記ドレイン電極と接する第２の領域を有し、
    前記第１の領域及び前記第２の領域は、リン、ホウ素、窒素、炭素、又はアルゴンを有することを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記酸素と、窒素と、シリコンとを有する膜は、
    フーリエ変換型赤外分光法によるスペクトルにおいて、ストレッチングモードのＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合のピークが１０５６ｃｍ−１以上に現れることを特徴とする半導体装置。
JP2012224978A 2011-10-14 2012-10-10 半導体装置 Active JP6096461B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012224978A JP6096461B2 (ja) 2011-10-14 2012-10-10 半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011227163 2011-10-14
JP2011227163 2011-10-14
JP2012224978A JP6096461B2 (ja) 2011-10-14 2012-10-10 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016079403A Division JP6284973B2 (ja) 2011-10-14 2016-04-12 半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013102145A JP2013102145A (ja) 2013-05-23
JP2013102145A5 true JP2013102145A5 (ja) 2014-03-20
JP6096461B2 JP6096461B2 (ja) 2017-03-15

Family

ID=48081877

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012224978A Active JP6096461B2 (ja) 2011-10-14 2012-10-10 半導体装置
JP2016079403A Expired - Fee Related JP6284973B2 (ja) 2011-10-14 2016-04-12 半導体装置の作製方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016079403A Expired - Fee Related JP6284973B2 (ja) 2011-10-14 2016-04-12 半導体装置の作製方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20130092929A1 (ja)
JP (2) JP6096461B2 (ja)
TW (1) TWI570938B (ja)
WO (1) WO2013054823A1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6300489B2 (ja) 2012-10-24 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9349593B2 (en) 2012-12-03 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
TWI652822B (zh) * 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
KR102227637B1 (ko) * 2013-11-07 2021-03-16 삼성디스플레이 주식회사 적외선 감지 소자, 적외선 감지 소자를 포함하는 적외선 센서 및 이의 제조 방법
JP2015103598A (ja) * 2013-11-22 2015-06-04 富士フイルム株式会社 有機機能層付き基板およびその製造方法
TWI657488B (zh) * 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
TWI666776B (zh) * 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
US9379194B2 (en) * 2014-11-09 2016-06-28 Tower Semiconductor Ltd. Floating gate NVM with low-moisture-content oxide cap layer
US9431455B2 (en) * 2014-11-09 2016-08-30 Tower Semiconductor, Ltd. Back-end processing using low-moisture content oxide cap layer

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56157037A (en) * 1980-05-08 1981-12-04 Toshiba Corp Semiconductor device
JP2814009B2 (ja) * 1990-06-05 1998-10-22 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JPH1032199A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp 半導体装置
US6380558B1 (en) * 1998-12-29 2002-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6461899B1 (en) * 1999-04-30 2002-10-08 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Oxynitride laminate “blocking layer” for thin film semiconductor devices
JP3971641B2 (ja) * 2002-04-18 2007-09-05 大日本印刷株式会社 バリアフィルムとこれを用いた積層材、包装用容器、画像表示媒体およびバリアフィルムの製造方法
JP2005025910A (ja) * 2003-06-13 2005-01-27 Nec Corp 光学的情報記録媒体及びその製造方法
JP2005247678A (ja) * 2004-02-03 2005-09-15 Seiko Epson Corp 酸化シリコン膜の形成方法および酸化シリコン膜
EP1768464A1 (en) * 2004-04-05 2007-03-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device
JP5110783B2 (ja) * 2004-10-28 2012-12-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP4583277B2 (ja) * 2005-09-21 2010-11-17 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよびこれを用いた有機デバイス
KR101432766B1 (ko) * 2006-05-26 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작방법
JP5305630B2 (ja) * 2006-12-05 2013-10-02 キヤノン株式会社 ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
US7960262B2 (en) * 2007-05-18 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device by applying laser beam to single-crystal semiconductor layer and non-single-crystal semiconductor layer through cap film
JP2009016469A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2009076232A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Fujifilm Corp 環境感受性デバイス、環境感受性素子の封止方法
JP5069082B2 (ja) * 2007-10-30 2012-11-07 富士フイルム株式会社 シリコン窒化物膜の製造方法、ガスバリア膜、薄膜素子
JP5213422B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
US9082857B2 (en) * 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
KR101681483B1 (ko) * 2008-09-12 2016-12-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP5430113B2 (ja) * 2008-10-08 2014-02-26 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5552753B2 (ja) * 2008-10-08 2014-07-16 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
TWI488741B (zh) * 2009-03-17 2015-06-21 Lintec Corp A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device member, and an electronic device
EP2256814B1 (en) * 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011013522A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101791812B1 (ko) * 2009-09-04 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
TWI718565B (zh) * 2009-09-10 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和顯示裝置
WO2011040213A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101751712B1 (ko) * 2009-10-30 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
CN102668096B (zh) * 2009-10-30 2015-04-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR101876473B1 (ko) * 2009-11-06 2018-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101751560B1 (ko) * 2009-11-13 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068033A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011070901A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5727204B2 (ja) * 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011074407A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20110093113A (ko) * 2010-02-11 2011-08-18 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20120121931A (ko) * 2010-02-19 2012-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102261505B1 (ko) * 2010-02-26 2021-06-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
US9000438B2 (en) * 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011145632A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2012015436A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP5624628B2 (ja) * 2010-11-10 2014-11-12 株式会社日立製作所 半導体装置
US8772849B2 (en) * 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013102145A5 (ja)
JP2014030000A5 (ja) 半導体装置
JP2012033913A5 (ja)
JP2014030002A5 (ja)
JP2012164978A5 (ja) 半導体装置
JP2014063141A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2015144250A5 (ja)
JP2013065840A5 (ja)
JP2011151377A5 (ja)
JP2017059856A5 (ja)
JP2015188080A5 (ja) 半導体装置
JP2012064929A5 (ja)
JP2014103389A5 (ja) 半導体装置
JP2012019207A5 (ja) 半導体装置
JP2012216834A5 (ja)
JP2013080915A5 (ja)
JP2012023360A5 (ja)
JP2014099601A5 (ja) 酸化物半導体膜を含む多層膜の作製方法
JP2013070070A5 (ja) 半導体装置及びその作製方法
JP2014241404A5 (ja)
JP2011151383A5 (ja)
JP2011029635A5 (ja) 半導体装置
JP2010258431A5 (ja) 半導体装置
JP2012160720A5 (ja) 半導体装置
JP2014099429A5 (ja)