JP2013077816A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013077816A5 JP2013077816A5 JP2012199566A JP2012199566A JP2013077816A5 JP 2013077816 A5 JP2013077816 A5 JP 2013077816A5 JP 2012199566 A JP2012199566 A JP 2012199566A JP 2012199566 A JP2012199566 A JP 2012199566A JP 2013077816 A5 JP2013077816 A5 JP 2013077816A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- electrode
- semiconductor device
- electrically connected
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012199566A JP6049964B2 (ja) | 2011-09-14 | 2012-09-11 | 保護回路、及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011200896 | 2011-09-14 | ||
| JP2011200896 | 2011-09-14 | ||
| JP2012199566A JP6049964B2 (ja) | 2011-09-14 | 2012-09-11 | 保護回路、及び半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013077816A JP2013077816A (ja) | 2013-04-25 |
| JP2013077816A5 true JP2013077816A5 (enExample) | 2015-08-20 |
| JP6049964B2 JP6049964B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=47829018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012199566A Active JP6049964B2 (ja) | 2011-09-14 | 2012-09-11 | 保護回路、及び半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8698137B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6049964B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101940978B1 (enExample) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8673426B2 (en) | 2011-06-29 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit |
| JP2014045175A (ja) | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP6127425B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-05-17 | 凸版印刷株式会社 | 積層構造体、薄膜トランジスタアレイおよびそれらの製造方法 |
| KR20140052730A (ko) * | 2012-10-25 | 2014-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 이용한 인증 방법 및 유기 발광 표시 장치를 포함한 신분증 |
| KR102061764B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2020-01-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 정전기 방전 회로 및 이를 구비한 디스플레이 장치 |
| KR102105369B1 (ko) | 2013-09-25 | 2020-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판용 모기판, 이의 어레이 검사 방법 및 표시 기판 |
| KR102203388B1 (ko) * | 2014-03-24 | 2021-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN104112758B (zh) * | 2014-07-01 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
| KR102317600B1 (ko) * | 2014-07-21 | 2021-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US9966000B2 (en) * | 2015-01-16 | 2018-05-08 | Apple Inc. | Electro-static discharge and electric overstress protection strategy for micro-chip array on panel |
| CN104966696B (zh) * | 2015-05-06 | 2017-11-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及其结构 |
| JP6566316B2 (ja) * | 2015-10-23 | 2019-08-28 | Tianma Japan株式会社 | 保護回路および電子機器 |
| CN105632958B (zh) * | 2015-12-31 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板母板、阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| JP6785563B2 (ja) * | 2016-02-19 | 2020-11-18 | 三菱電機株式会社 | 非線形素子、アレイ基板、およびアレイ基板の製造方法 |
| US10371129B2 (en) * | 2016-02-26 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and sensor system |
| CN205452280U (zh) * | 2016-03-30 | 2016-08-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 静电防护结构、阵列基板及显示装置 |
| KR20200087854A (ko) * | 2017-11-27 | 2020-07-21 | 선전 로욜 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 | Tft 기판, esd 보호 회로 및 tft 기판의 제조 방법 |
| CN111742408B (zh) | 2018-01-25 | 2024-05-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体材料及半导体装置 |
| CN210575951U (zh) * | 2019-11-06 | 2020-05-19 | 北京京东方技术开发有限公司 | 静电保护单元及阵列基板 |
| KR102887191B1 (ko) | 2020-04-16 | 2025-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US12328999B2 (en) * | 2020-04-23 | 2025-06-10 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Anti-corrosion circuit, electrostatic discharge protection circuit, array substrate and electronic device |
| KR20220067623A (ko) * | 2020-11-17 | 2022-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20230102030A (ko) | 2021-12-29 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전기 방전 회로 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| WO2023155087A1 (en) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Electrostatic discharge protection system of micro device |
| US20240120345A1 (en) * | 2022-10-11 | 2024-04-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3043869B2 (ja) * | 1991-11-20 | 2000-05-22 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
| JPH07235604A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
| JP2959528B2 (ja) * | 1997-06-09 | 1999-10-06 | 日本電気株式会社 | 保護回路 |
| SG118118A1 (en) | 2001-02-22 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting device and display using the same |
| JP3729082B2 (ja) * | 2001-04-25 | 2005-12-21 | 日本電信電話株式会社 | 半導体保護回路 |
| JP2003298057A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 液晶表示装置の入出力保護回路 |
| JP2005070971A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 論理回路の制御方法 |
| JP4474900B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2010-06-09 | カシオ計算機株式会社 | 静電気保護回路およびそれを備えた電子回路 |
| JP4776949B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2011-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2006060191A (ja) | 2004-07-23 | 2006-03-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器 |
| JP5080172B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2012-11-21 | 富士フイルム株式会社 | 画像検出装置 |
| JP2009212413A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8363365B2 (en) | 2008-06-17 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5448584B2 (ja) | 2008-06-25 | 2014-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8284142B2 (en) * | 2008-09-30 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR101633142B1 (ko) | 2008-10-24 | 2016-06-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US8106400B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR101432764B1 (ko) | 2008-11-13 | 2014-08-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
| KR101291384B1 (ko) | 2008-11-21 | 2013-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8749930B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device |
| US8450144B2 (en) | 2009-03-26 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP5455753B2 (ja) | 2009-04-06 | 2014-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Icカード |
| JP5728171B2 (ja) | 2009-06-29 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR101820972B1 (ko) | 2009-10-09 | 2018-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| EP2497115A4 (en) | 2009-11-06 | 2015-09-02 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| WO2011068028A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| KR102480794B1 (ko) | 2009-12-28 | 2022-12-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치와 반도체 장치 |
| KR101817054B1 (ko) | 2010-02-12 | 2018-01-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 이를 포함한 표시 장치 |
| KR101939713B1 (ko) | 2010-02-19 | 2019-01-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US8653514B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8928466B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8835917B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
| US8916866B2 (en) | 2010-11-03 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2012060202A1 (en) | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP5993141B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
| KR101917753B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2018-11-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
-
2012
- 2012-09-06 US US13/604,669 patent/US8698137B2/en active Active
- 2012-09-11 JP JP2012199566A patent/JP6049964B2/ja active Active
- 2012-09-12 KR KR1020120100888A patent/KR101940978B1/ko active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013077816A5 (enExample) | ||
| US9905626B2 (en) | Array substrate, display panel and display apparatus | |
| JP2013029830A5 (enExample) | ||
| JP2012252329A5 (ja) | 表示装置 | |
| JP2012209949A5 (ja) | 半導体装置、表示装置及び液晶表示装置 | |
| JP2017059239A5 (ja) | 入出力装置 | |
| JP2013029847A5 (ja) | El表示装置 | |
| JP2014098901A5 (ja) | 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器 | |
| JP2012078798A5 (enExample) | ||
| JP2010107976A5 (enExample) | ||
| JP2010250304A5 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2014063748A5 (enExample) | ||
| JP2010107977A5 (enExample) | ||
| JP2015011297A5 (enExample) | ||
| JP2010250303A5 (enExample) | ||
| JP2013016831A5 (enExample) | ||
| JP2013191864A5 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2011186450A5 (ja) | 液晶表示装置、電子機器 | |
| JP2010252318A5 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2012178215A5 (enExample) | ||
| JP2010250305A5 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2015194577A5 (enExample) | ||
| JP2013211088A5 (ja) | 表示装置 | |
| JP2017067830A5 (enExample) | ||
| JP2012014168A5 (enExample) |