JP2013077652A - 貼り合わせsoiウェーハの反りを算出する方法、及び貼り合わせsoiウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ボンドウェーハ1とベースウェーハ2とを貼り合わせた後、ボンドウェーハ1を薄膜化することによって、ベースウェーハ2上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のSOIウェーハ3を作製し、エピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法であって、シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りAを算出し、エピタキシャル成長用SOIウェーハのBOX層の厚さに起因する反りBを算出し、さらに、貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りCとし、これらの反りの総和(A+B+C)を、貼り合わせSOIウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法。
【選択図】図1
Description
ウェーハ貼り合わせ法は、例えば2枚のシリコン単結晶ウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成した後、この形成した熱酸化膜を介して2枚のウェーハを密着させ、結合熱処理を施すことによって結合力を高め、その後に片方のウェーハ(SOI層を形成するウェーハ(以下、ボンドウェーハ))を鏡面研磨等により薄膜化することによってSOIウェーハを製造する方法である。また、この薄膜化の方法としては、ボンドウェーハを所望の厚さまで研削、研磨する方法や、予めボンドウェーハの内部に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも1種類を注入してイオン注入層を形成しておき、貼り合わせ後にイオン注入層においてボンドウェーハを剥離する方法等があり、後者を用いたウェーハ貼り合わせ法は、一般的にイオン注入剥離法と呼ばれている。
特に、ウェーハ貼り合わせ法の一つであるイオン注入剥離法は、上記優位性に加え、さらに優れた膜厚均一性を有する特徴があり、ウェーハ全面で安定したデバイス特性を得ることができる。しかしながら、SOI層の厚さが数μmと厚くなると、イオン注入機の最大加速電圧の制限から、イオン注入剥離法だけでは対応することができなくなる。これを解決する方法として、イオン注入剥離法で作製した貼り合わせウェーハの表面にエピタキシャル成長を行う方法がある(特許文献1)。この方法を用いることで、SOI層の厚さを数μmと自由に厚く設定できると同時に、研削・研磨法による貼り合わせウェーハで得ることができない、高いSOI層厚の均一性を得ることができる。
イオン注入剥離法で貼り合わせSOIウェーハを作製する場合においても、その断面構造に起因してSOI層側が凸形状に反るが、イオン注入剥離法でSOI層を形成する場合、形成されるSOI層は1μm以下(多くの場合、数100nm以下)の薄膜であるので、特許文献4に記載されている様に、ベースウェーハの上下面(貼り合わせ面側と裏面側)に同等の酸化膜を形成することによって反りを十分に低減することができる。
シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハ及びベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、前記SOI層の表面にエピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法であって、
前記エピタキシャル成長用SOIウェーハが前記ボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りAを算出し、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハの前記BOX層の厚さに起因する反りBを算出し、さらに、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りCとし、これらの反りの総和(A+B+C)を、前記貼り合わせSOIウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法を提供する。
イオン注入剥離法は、作製されるSOI層等の厚さが自由に設定できるという優位性に加え、優れた膜均一性を有するため、様々なデバイス用途に適用されるが、本発明は、このようなイオン注入剥離法により貼り合わせウェーハを製造する場合に好適である。
このようなボンドウェーハを用いて貼り合わせSOIウェーハを作製する場合に、特に反りが発生しやすいことから、反りを正確に算出できる本発明の算出方法は特に有用である。
前記本発明の貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法によって算出された反りが所望の値となるように、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りを調整することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。
また、本発明の製造方法によれば、本発明の算出方法により算出した反りをもとに、貼り合わせ前のベースウェーハの反りを調整するだけで、所望の値の反りを有する貼り合わせSOIウェーハを、簡便かつ確実に製造することができる。
前述のように、従来の方法により反りを低減させた貼り合わせSOIウェーハを製造しても、該貼り合わせウェーハのSOI層の表面にエピタキシャル層を堆積した場合、エピタキシャル層を形成する前のSOIウェーハの反りはほぼ同等であるにも関わらず、エピタキシャル層形成後にSOIウェーハが大きく反ってしまうという問題点があることを本発明者らは発見した。
しかしながら、貼り合わせSOIウェーハの場合、SOI層上に数μmのエピタキシャル層を形成しただけでSOI層側が凸形状となる方向に大きく反ってしまうことは、当業者と言えど予測していなかった現象であった。
イオン注入剥離法で作製されたp+型のSOI層は数100nm程度(あるいはそれ以下)の薄膜であり、その下部には同程度の厚さのシリコン酸化膜等の絶縁膜を介して、SOI層の1000倍以上の厚さを有するベースウェーハ(通常抵抗率)が存在するものの、p+型薄膜SOI層/絶縁膜層/ベースウェーハの各界面は強く結合しているために、あたかもウェーハ全体がp+型のシリコン単結晶ウェーハ(p+型ウェーハ)と同等とみなせるようになり、SOI構造でない通常のシリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル層を形成する場合と同様に、p+型薄膜SOI層とエピタキシャル層の抵抗率とが異なると、反りが発生するものと考えられる。
本発明は、シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハ及びベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、前記SOI層の表面にエピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法であって、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハが前記ボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りAを算出し、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハの前記BOX層の厚さに起因する反りBを算出し、さらに、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りCとし、これらの反りの総和(A+B+C)を、前記貼り合わせSOIウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法である。
また、このとき用いられるボンドウェーハとしては、ウェーハ全体に不純物原子がドープされたシリコン単結晶ウェーハを用いることができ、このようなシリコン単結晶ウェーハとして、ドーパントがボロンであり、ドーパント濃度が1E18/cm3以上のp+型シリコン単結晶ウェーハを挙げることができる。尚、この場合、ドーパント濃度の上限値は、特に限定されないが、例えばドーパントのシリコン単結晶への固溶限界濃度以下とすることができる。
従って、本発明でいうボンドウェーハのドーパント濃度とは、SOI層のドーパント濃度に一致する。
反りAは、エピタキシャル成長用SOIウェーハがボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りである。
e=Δa/aSi (1)
ここで、aSiはシリコン単結晶の格子定数(5.431Å)、Δaは不純物の導入によって生じた格子定数の変化である。
e=βy (2)
ここで、βは比例係数である。このβに対しては一般的に次式(3)が提案されている。
β=(1−r/rSi)・N−1 (3)
ここで、rは不純物原子の共有結合半径、rSiはシリコン原子の結合半径(1.17Å)、Nはシリコンの原子密度(5×1022atoms/cm3)である。
尚、主な不純物原子(ドーパント)の共有結合半径(単位:Å)は次の通りである。
B(ボロン):0.88、P(リン):1.10、Sb(アンチモン):1.35、As(ヒ素):1.18
1/R=6t・tS・e/(tS+t)3 (4)
ここで、tSは基板の厚さ、tはエピタキシャル層の厚さである。
A=R−√(R2−W2) (5)
ここで、Wはウェーハの半径である。
[参考文献:角野浩二監修 半導体の結晶欠陥制御の科学と技術 シリコン編 (サイエンスフォーラム 1993年)]
e=βy=4.96E−24×2.0E19 = 9.91E−5
1/R=6t・tS・e/(tS+t)3=6×3.4×775×9.91E−5/(775+3.4)3=3.32E−9
R=3.01E8
A=R−√(R2−W2)=3.01E8−√((3.01E8)2−(1.5E5)2)=37.4(μm)
反りBは、エピタキシャル成長用SOIウェーハのBOX層の厚さに起因する反りであり、この反りBは、ウェーハ径とBOX層厚に強く依存することが経験的に分かっている。
すなわち、ウェーハ径と作製するBOX層厚がわかっていれば、実際のエピタキシャル成長用SOIウェーハの作製を行わずに、反りBを算出することができる。
B=174tb+15.2
ここで、tb(μm)はBOX層厚である。
B=100tb
で与えられることがわかっている。
尚、上表はSOI層厚が300nm程度までのデータであるが、イオン注入剥離法で通常作製される程度の厚さ(1μm程度以下)であれば、SOI層厚は反りにほとんど影響しない。
反りCは、エピタキシャル成長用SOIウェーハを作製する際、具体的には、ボンドウェーハとの貼り合わせ前の、ベースウェーハの反りの実測値である。
反りCの測定方法は特に限定されず、例えば反り測定器(例えば、ADE社製AFS)により測定し、反りの大きさ(μm)と反りの方向(凹、凸)を求めることができる。
前記の通り求めたA,B,Cの総和を算出することによって、エピタキシャル成長後の貼り合わせSOIウェーハの反り(大きさ、方向)を求めることができる。
(実施例1)ボンドウェーハのドーパント:B
下記表2に示す製造条件で貼り合わせSOIウェーハを製造することを想定して、反りA及びBを算出し、ベースウェーハの反りの実測値(反りC)との総和により、貼り合わせSOIウェーハの反りを算出した。結果を表3に示す。
[製造条件]
抵抗率0.007Ωcmと0.006Ωcmのボンドウェーハを用いて、上記の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造し、反りを測定したところ、反りの大きさはそれぞれ65μm、70μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸(正の値)であり、上記の算出結果と良く一致していた。
抵抗率0.007Ωcmと0.006Ωcmのボンドウェーハ1を用い、エピタキシャル成長後の反りが20μm以下でSOI層側が凸形状の貼り合わせSOIウェーハを作製するため、貼り合わせ前の反りが−55μmのベースウェーハ2(貼り合わせ面側が凹)を用い、それ以外は上記と同一の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造した。
その結果、製造された貼り合わせSOIウェーハ3の反りの大きさはそれぞれ10μm、15μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸(正の値)であり、所望の反り(20μm以下、凸形状)を有するSOIウェーハが得られることを確認した。
下記表4に示す製造条件で貼り合わせSOIウェーハを製造することを想定して、反りA,Bを算出し、ベースウェーハの反りの実測値(反りC)との総和により、貼り合わせSOIウェーハの反りを算出した。結果を表5に示す。
[製造条件]
抵抗率0.005Ωcmのボンドウェーハを用いて、上記の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造し、反りを測定したところ、反りの大きさは46μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸(正の値)であり、上記の算出結果と良く一致していた。
Pでは、ドーパントによる反り(A)の影響は小さく、BOX層厚の反り(B)の影響が大きいことが分かった。
抵抗率0.005Ωcmのボンドウェーハを用い、エピタキシャル成長後の反りが20μm以下でSOI層側が凸形状の貼り合わせSOIウェーハを製造するため、貼り合わせ前の反りが−32μmのベースウェーハ(貼り合わせ面側が凹)を用い、それ以外は上記と同一の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造した。
その結果、製造された貼り合わせSOIウェーハの反りの大きさは15μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸(正の値)であり、所望の反り(20μm以下、凸形状)を有するSOIウェーハが得られることを確認した。
下記表6に示す製造条件で貼り合わせSOIウェーハを製造することを想定して、反りA,Bを算出し、ベースウェーハの反りの実測値(反りC)との総和により、貼り合わせSOIウェーハの反りを算出した。結果を表7に示す。
[製造条件]
抵抗率0.01Ωcmのボンドウェーハを用いて、上記の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造し、反りを測定したところ、反りの大きさは33μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸(正の値)であり、上記の算出結果と良く一致していた。
Sbの場合、ドーパントによる反り(A)は凹(負の値)であったが、BOX厚による反り(B)が凸(正の値)で大きかったので、全体として、SOI層側が凸(正の値)に反っていた。
抵抗率0.01Ωcmのボンドウェーハを用い、エピタキシャル成長後の反りが20μm以下でSOI層側が凸形状の貼り合わせSOIウェーハを製造するため、貼り合わせ前の反りが−20μmのベースウェーハ(貼り合わせ面側が凹)を用い、それ以外は上記と同一の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造した。
その結果、製造された貼り合わせSOIウェーハの反りの大きさは15μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸(正の値)であり、所望の反り(20μm以下、凸形状)を有するSOIウェーハが得られることを確認した。
下記表8に示す製造条件で貼り合わせSOIウェーハを製造することを想定して、反りA,Bを算出し、ベースウェーハの反りの実測値(反りC)との総和により、貼り合わせSOIウェーハの反りを算出した。結果を表9に示す。
[製造条件]
抵抗率0.005Ωcmのボンドウェーハを用いて、上記の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造し、反りを測定したところ、反りの大きさは39μm、反りの方向はSOI層側が凸(正の値)であり、上記の算出結果と良く一致していた。
Asの場合、ドーパントによる反りは凹(負の値)であったが、その数値は極めて小さかった。BOX厚による反りが凸(正の値)で大きかったので、全体として、SOI層側が凸(正の値)に反っていた。
抵抗率0.005Ωcmのボンドウェーハを用い、エピタキシャル成長後の反りが20μm以下でSOI層側が凸形状の貼り合わせSOIウェーハを製造するため、貼り合わせ前の反りが−25μmのベースウェーハ(貼り合わせ面側が凹)を用い、それ以外は上記と同一の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造した。
その結果、製造された貼り合わせSOIウェーハの反りの大きさは15μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸(正の値)であり、所望の反り(20μm以下、凸形状)を有するSOIウェーハが得られることを確認した。
Claims (4)
- シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハ及びベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、前記SOI層の表面にエピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法であって、
前記エピタキシャル成長用SOIウェーハが前記ボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りAを算出し、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハの前記BOX層の厚さに起因する反りBを算出し、さらに、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りCとし、これらの反りの総和(A+B+C)を、前記貼り合わせSOIウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法。 - 前記エピタキシャル成長用SOIウェーハの作製を、イオン注入剥離法で行うことを特徴とする請求項1に記載された貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法。
- 前記ボンドウェーハとして、ドーパントがボロンであり、ドーパント濃度が1E18/cm3以上のp+型シリコン単結晶ウェーハを用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法。
- シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハ及びベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、前記SOI層の表面にエピタキシャル層を成長する貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、
請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載された貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法によって算出された反りが所望の値となるように、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りを調整することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
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