JP2013077635A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上に、窒化物半導体からなるチャネル層14と、チャネル層14よりもバンドギャップエネルギーの大きい第1窒化物半導体層16と、を順次形成する工程と、第1窒化物半導体層16上であって、ゲート電極26を形成すべき領域にダミーゲートを形成する工程と、ダミーゲートを形成した後、第1窒化物半導体層16上のダミーゲート以外の領域に、チャネル層14のバンドギャップエネルギー以上の大きさのバンドギャップエネルギーを有する第2窒化物半導体層18を再成長する工程と、ダミーゲートを除去した後、ダミーゲートを除去した領域の第1窒化物半導体層16上にゲート電極26を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【選択図】図3
Description
原料ガス:TMA(トリメチルアルミニウム)、NH3(アンモニア)
成長温度:1000℃
膜厚 :300nm
原料ガス:TMG(トリメチルガリウム)、NH3
成長温度:1000℃
膜厚 :1000nm
原料ガス :TMA、TMG、NH3
成長温度 :1000℃
Al組成比:25%
膜厚 :25nm
第1窒化物半導体層16はAl組成比25%のAlGaNからなるため、GaNからなるチャネル層14よりもバンドギャップエネルギー(以下、Egと称す)が大きい。
原料ガス :TMA、TMG、NH3
成長温度 :1000℃
Al組成比:25%
膜厚 :25nm
第2窒化物半導体層18はAl組成比25%のAlGaNからなるため、GaNからなるチャネル層14よりもEgが大きい。
原料ガス:TMA、NH3
成長温度:1000℃
膜厚 :1.5nm
第1窒化物半導体層16はAlNからなるため、GaNからなるチャネル層14よりもEgが大きい。AlNからなる第1窒化物半導体層16はスペーサ層として機能する。
原料ガス :TMI(トリメチルインジウム)、TMA、NH3
成長温度 :800℃
In組成比:17%
膜厚 :3.5nm
第2窒化物半導体層18はIn組成比17%のInAlNからなるため、GaNからなるチャネル層14よりもEgが大きい。InAlNからなる第2窒化物半導体層18は電子供給層として機能する。
12 バッファ層
14 チャネル層
16 第1窒化物半導体層
18 第2窒化物半導体層
20 保護層
22 ソース電極
24 ドレイン電極
26 ゲート電極
26a 第1ゲート電極
26b 第2ゲート電極
28 2次元電子ガス
30 ダミーゲート
40 EモードFET
42 DモードFET
44 DモードFET
46 DモードFET
50 インバータ回路
60 スイッチ回路
Claims (14)
- 基板上に、窒化物半導体からなるチャネル層と、前記チャネル層よりもバンドギャップエネルギーの大きい第1窒化物半導体層と、を順次形成する工程と、
前記第1窒化物半導体層上であって、ゲート電極を形成すべき領域にダミーゲートを形成する工程と、
前記ダミーゲートを形成した後、前記第1窒化物半導体層上の前記ダミーゲート以外の領域に、前記チャネル層のバンドギャップエネルギー以上の大きさのバンドギャップエネルギーを有する第2窒化物半導体層を再成長する工程と、
前記ダミーゲートを除去した後、前記ダミーゲートを除去した領域の前記第1窒化物半導体層上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ダミーゲートは、前記ゲート電極の幅よりも広い幅となるように形成し、
前記ゲート電極は、前記第2窒化物半導体層と接しないように形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ダミーゲートは、エンハンスメントモードFETのゲート電極を形成すべき領域に形成し、
前記ダミーゲートを除去した領域の前記第1窒化物半導体層上に前記エンハンスメントモードFETのゲート電極を形成し、
前記第2窒化物半導体層上にデプリーションモードFETのゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記エンハンスメントモードFETのゲート電極と前記デプリーションモードFETのゲート電極とは、同じ工程で同時に形成されることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記チャネル層がGaNである場合に、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層との組み合わせとして、AlGaNとAlGaN、AlGaNとGaN、InAlNとInAlN、AlNとInAlNのいずれかの組み合わせに係る前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層とを形成することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダミーゲートを、ウエットエッチング法により、前記第1窒化物半導体層および前記第2窒化物半導体層に対して選択的に除去することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダミーゲートは、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2窒化物半導体層上に保護層を形成する工程と、
前記ゲート電極を形成する前に、前記ゲート電極を形成すべき領域の前記保護層をドライエッチング法により除去する工程と、を有し、
前記保護層は、前記第1窒化物半導体層及び前記第2窒化物半導体層に対して選択的に除去されることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1窒化物半導体層は、電子供給層あるいはスペーサ層としての機能を有し、前記第2窒化物半導体層は、電子供給層あるいはキャップ層としての機能を有することを特徴とする請求項1から8のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート電極を形成する工程は、エンハンスメントモードFETのゲート電極を形成する工程あるいはデプリーションモードFETのゲート電極を形成する工程であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2窒化物半導体層を再成長する工程は、MOCVD法により行われることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に設けられた窒化物半導体からなるチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられ、前記チャネル層よりもバンドギャップエネルギーの大きい第1窒化物半導体層と、
前記第1窒化物半導体層上に互いに離間して選択的に設けられた、前記チャネル層のバンドギャップエネルギー以上の大きさのバンドギャップエネルギーを有する第2窒化物半導体層と、
前記第2窒化物半導体層が離間した領域における前記第1窒化物半導体層上に設けられたゲート電極と、を備え、
前記ゲート電極はデプリーションモードFETのゲート電極であることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1窒化物半導体層は、電子供給層あるいはスペーサ層としての機能を有し、前記第2窒化物半導体層は、電子供給層あるいはキャップ層としての機能を有することを特徴とする請求項12記載の半導体装置。
- 前記チャネル層がGaNである場合に、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層との組み合わせとして、AlGaNとAlGaN、AlGaNとGaN、InAlNとInAlN、AlNとInAlNのいずれかの組み合わせからなることを特徴とする請求項12または13記載の半導体装置。
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