JP2013023740A - 高周波誘導加熱コイル及び高周波誘導加熱方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回転中心軸から外周面までの距離が一定でない金属部品たるカムシャフト50の外周面を加熱する高周波誘導加熱コイル1において、円環状体を切るように円周上の1箇所に配されるスリット5を有する1つの円環状の第1加熱導体2と、第1加熱導体2の外周領域に配置され、かつスリット5を挟んで第1加熱導体2の外周部の、スリット5によって形成された一対の端部6以外の位置に一端が接続される第2加熱導体3a,3bと、一端が第2加熱導体3a,3bに接続され、かつ他端が高周波電源20に接続される一対の給電導体4a,4bと、を備えている。
【選択図】図1
Description
また、特許文献4は、円環状高周波誘導加熱コイルを用いて、そのコイル中心とカムシャフトの回転中心軸とを一致させずに偏芯させて、円環状高周波誘導加熱コイルの内周面とカムのカムトップ及びカムベースとの各距離が略同じとなるように設定することにより、加熱時の温度差を小さくする技術である。この技術は、上述のカムプロファイルに沿った内面形状の高周波誘導加熱コイルによる加熱と同様、カムシャフトを回転させていない。
また、特許文献2のように、円環状高周波誘導加熱コイルを用いることなく半開放鞍型(U字型)コイルを用いて、カムシャフトを回転させながらカムトップ近傍が加熱導体に接近したときは加熱出力を低く、カムベース近傍が加熱導体に接近したときは加熱出力を高くする技術について述べている。
このように、カムトップ52aの方がカムベース52bよりも深く焼入されるということは、カムトップ52aとカムベース52bとで加熱中に温度差が生じていた結果であり、カムトップ52aが適正焼入温度のときに、カムベース52bは適正焼入温度に到達していないことがある。また、カムベース52bが適正焼入温度になったときに、カムトップ52aは過熱状態になることもある。
特許文献2の技術は特許文献1、3、4の技術のような偏芯機構と制御回路や追従機構とその制御回路こそ必要としないが、回転中のカム部の位相に応じて加熱出力を増減する加熱制御回路が必要となる。また、特許文献2に採用される半開放鞍型(U字型)高周波誘導加熱コイルは、カム部全周に加熱導体が対向配置されないので、カム部全周を囲む円環状加熱コイルと比べて加熱効率が低くなり、その加熱効率の低さを補うために加熱出力を増加させなければならず、ランニングコストが他の3つの技術に比べ高価になる。そして、いずれの従来技術についても、高周波誘導加熱コイルとカムの位相を決めるための位相決め機構は必要不可欠となるので、焼入設備は段落[0003]に述べた焼入方法を採るものよりも高価になる。
しかし、自動車などの小型エンジン用のカムシャフトのカムを熱処理する場合は、生産量が多く、複数のカムを同時に焼入処理することが求められるため、1つのシリンダに対応する位相の異なる複数のカムのそれぞれに対して、対応する高周波誘導加熱コイルをそれぞれ位相決めする必要がある。
さらに、各カムに対して対応する高周波誘導加熱コイルをそれぞれ追従運動させるようにすると、追従機構が複数個(1回に熱処理するカムと等しい数)必要になる。そのため、焼入設備が1つのカムを熱処理する焼入設備よりも高価になり、カムのサイズが小さくなると、上述した従来技術を適用することが困難になる場合も起こる。
(1) 焼入対象部品 :カムシャフトのカム部
(a)カムベース円外径 :φ30 mm
(b)カムベース外径とカムトップ外径との差 : 5 mm
(2) 高周波焼入条件
(a)周波数 :30 kHz
(b)加熱出力 :28 kW
(c)加熱時間 :5.0 sec
(d)空冷時間 :0.5 sec
(e)冷却時間 :10.0 sec
(f)カムシャフト回転数 :180 r.p.m.
上記条件の下で高周波焼入処理を実施した場合のカムトップの焼入硬化層深さは5.9mmとなり、カムベースの焼入硬化層深さは3.9mmとなり、カムトップとカムベースの焼入硬化層深さの差は2.0mmとなっている。
また、図1中の矢印は、ある瞬間における高周波電流の流れを示している。さらに、図1において、符号O1は円環状の第1加熱導体2の中心を示し、符号O2はカムシャフト50の回転中心を示している。
また、図2中の矢印は、ある瞬間における高周波電流の流れを示している。さらに、図2において、符号O1は円環状の第1加熱導体2の中心を示し、符号O2はカムシャフト50の回転中心を示している。
先ず、高周波誘導加熱コイル1の円環状の第1加熱導体2の中心O1とカムシャフト50の回転中心O2との位置を一致させるとともに、図外の位相決め機構により、第1加熱導体2に設けられた1箇所のスリット5と、カムシャフト50のカム52,53,54のうち、例えばカム52のカムトップ52aとが対向するように配置する。
一方、図2に示した高周波誘導加熱コイル7を用いる場合は、第2加熱導体3が跨ぐスリット5bとカム52のカムトップ52aとが対向するように配置することになる。
次いで、カムシャフト50を回転させずに、高周波電源20から高周波変成器(図示せず)及び給電導体4a,4bを順次に介して、矢印で示すように、高周波誘導加熱コイル1に高周波電流を供給する。
したがって、本実施形態の高周波誘導加熱コイル1を用いてカムシャフト50のカム52を焼入処理すると、体積が小さく過熱し易いカムトップ52aは、距離g3(≧距離g2)を空けて離れた第2加熱導体3a,3bによって高周波誘導加熱されるため、過熱されることなく、カムベース52bと略同じ焼入温度に加熱されることになる。その結果、カム52の表面に形成される焼入硬化層100のカムトップ52a側の焼入硬化層深さd1と、カムベース52b側の焼入硬化層深さd2は、d1≒d2となる。
先ず、高周波誘導加熱コイル1の円環状の第1加熱導体2の中心O1とカムシャフト50の回転中心O2との位置を一致させるとともに、図外の位相決め機構により、第1加熱導体2に設けられた1箇所のスリット5とカムシャフト50のカム52,53,54のうち、例えばカム52のカムトップ52aとが対向するように配置する。
一方、図2に示した高周波誘導加熱コイル7を用いる場合は、第2加熱導体3が跨ぐスリット5bとカム52のカムトップ52aとが対向するように配置すればよい。
次いで、カムシャフト50を回転させずに、高周波電源20から高周波変成器(図示せず)及び給電導体4a,4bを順次に介して、矢印で示すように、高周波誘導加熱コイル1に所要時間にわたり高周波電流を供給する。そして、所要時間経過後、高周波誘導加熱コイル1に高周波電流を供給しながらカムシャフト50に対して回転軸Lの周りに回転力を与え、所要時間にわたりカムシャフト50を回転させながら高周波誘導加熱を続ける。このようにして、カム52の表面を所要の焼入温度まで高周波誘導加熱した後に、図示しない冷却噴射手段から冷却液を当該カム52に噴射して急速冷却する。すると、カム52の外周面には、焼入硬化層100が形成され、カムシャフト50のカム52の表面に対する一連の高周波焼入処理作業が完了することになる。
したがって、上述した焼入方法で本実施形態の高周波誘導加熱コイル1を用いてカムシャフト50のカム52を焼入処理すると、カムシャフト50を回転させずに高周波誘導加熱する段階では、体積が小さく過熱し易いカムトップ52aは距離g3(≧距離g2)を空けて離れた第2加熱導体3a,3bによって高周波誘導加熱され、カムシャフト50を回転させながら高周波誘導加熱する段階では、体積が小さいカムトップ52aが第1加熱導体2によって高周波誘導加熱される時間帯が生ずるため、既述の焼入方法よりも若干カムトップ52aの温度を高くすることが可能となる。その結果、カム52の表面に形成される焼入硬化層100のカムトップ52a側の焼入硬化層深さd1と、カムベース52b側の焼入硬化層深さd2は、d1≧d2となる。
(1) 焼入対象部品 :カムシャフトのカム部
(a)カムベース円外径 :φ30 mm
(b)カムベース外径とカムトップ外径との差 : 5 mm
(2) 高周波焼入条件
(a)周波数 :30 kHz
(b)加熱出力 :31 kW
(c)加熱時間 :5.0 sec
(d)空冷時間 :0.5 sec
(e)冷却時間 :10.0 sec
(f)カムシャフト回転数 :加熱中回転無し
したがって、本発明の実施形態に係る高周波誘導加熱コイル1を用いてカムシャフトの1箇所のカムを高周波焼入処理する場合は、従来の円環状高周波誘導加熱コイル10を用いて現状のカムシャフトの1箇所のカムを高周波焼入処理する場合に、カムトップとカムベースの焼入硬化層深さの差が2.0mmであるのと比べて、大幅に減少していることが確認できた。また、本実施形態に係る高周波誘導加熱コイル1を用いてカムシャフトの1箇所のカムを高周波焼入処理する場合は、カムトップにおいて過熱組織も観察されることはなくなり、カム部全体で良好な焼入組織を得ることができた。
例えば、既述の実施形態においては、単独のカム部を高周波誘導加熱する高周波誘導加熱コイル1,7について述べたが、図3に示すように、図1及び図2の高周波誘導加熱コイルを3巻き直列にそれぞれ接続することにより構成される高周波誘導加熱コイル8を用いることも可能である。このような高周波誘導加熱コイル8によれば、図6に示す各位相の異なる3つのカム52,53,54部に対応して3巻き直列のコイルを配置し、位相の異なる3つのカム52,53,54を1工程で高周波焼入処理することができる。
さらに、既述の実施形態では、高周波誘導加熱コイル1,7を用いて高周波焼入処理する方法について述べたが、本発明は、高周波誘導加熱コイル1,7を用いて高周波焼戻処理する方法にも適用するが可能である。
2,2a,2b,2c 第1加熱導体
3,3a,3b 第2加熱導体
4a,4b 給電導体
5,5a,5b,5c スリット
6,6a,6b,6c 第1加熱導体の一対の端部
20 高周波電源
50 カムシャフト
52 第1カム
52a 第1カムのカムトップ
52b 第1カムのカムベース
53 第2カム
53a 第2カムのカムトップ
53b 第2カムのカムベース
54 第3カム
54a 第3カムのカムトップ
54b 第3カムのカムベース
100 カムの焼入硬化層
O1 第1加熱導体の中心
O2 カムシャフトの回転中心
d1 カムトップの焼入硬化層深さ
d2 カムベースの焼入硬化層深さ
g1 第1加熱導体とカムトップとの距離
g2 第1加熱導体とカムベースとの距離
g3 第2加熱導体とカムトップとの距離
Claims (6)
- 回転中心軸から外周面までの距離が一定でない金属部品の外周面を加熱する高周波誘導加熱コイルにおいて、
円環状体を切るように円周上の1箇所に配されるスリットを有する1つの円環状の第1加熱導体と、
前記第1加熱導体の外周領域に配置され、かつ前記スリットを挟んで前記第1加熱導体の外周部の、前記スリットによって形成された一対の端部以外の位置に一端が接続される第2加熱導体と、
一端が前記第2加熱導体に接続され、かつ他端が高周波電源に接続される一対の給電導体と、
を備えていることを特徴とする高周波誘導加熱コイル。 - 回転中心軸から外周面までの距離が一定でない金属部品の外周面を加熱する高周波誘導加熱コイルにおいて、
円環状体を切るように円周上の2箇所以上に配されるスリットを有する1つの円環状の第1加熱導体と、
前記第1加熱導体の外周領域に配置され、かつ1箇所以上に配された前記スリットを挟んで前記第1加熱導体の外周部の、1箇所以上に配された前記スリットによって形成された一対以上の端部以外の位置に両端が接続される1つ以上の第2加熱導体と、
残りの1箇所の前記スリットにより形成される一対の端部にそれぞれ一端が接続され、かつそれぞれの他端が高周波電源に接続される一対の給電導体と、
を備えていることを特徴とする高周波誘導加熱コイル。 - 回転中心軸から外周面までの距離が一定でない金属部品の外周面を加熱するに際し、円環状体を切るように円周上の1箇所に配されるスリットを有する1つの円環状の第1加熱導体と、前記第1加熱導体の外周領域に配置され、かつ前記スリットを挟んで前記第1加熱導体の外周部の、前記スリットによって形成された一対の端部以外の位置に一端が接続される第2加熱導体と、一端が前記第2加熱導体に接続され、かつ他端が高周波電源に接続される一対の給電導体と、を備えている高周波誘導加熱コイルを用い、
前記第1加熱導体の中心と、前記金属部品の回転中心とを一致させ、
前記回転中心軸からの距離が最大となる前記金属部品の外周面領域を前記第2加熱導体に対向するように配置し、
加熱時には、前記高周波電源から前記給電導体を介して前記高周波誘導加熱コイルに高周波電流を供給し、前記金属部品を回転させずに高周波誘導加熱することを特徴とする高周波誘導加熱方法。 - 回転中心軸から外周面までの距離が一定でない金属部品の外周面を加熱するに際し、円環状体を切るように円周上の1箇所に配されるスリットを有する1つの円環状の第1加熱導体と、前記第1加熱導体の外周領域に配置され、かつ前記スリットを挟んで前記第1加熱導体の外周部の、前記スリットによって形成された一対の端部以外の位置に一端が接続される第2加熱導体と、一端が前記第2加熱導体に接続され、かつ他端が高周波電源に接続される一対の給電導体と、を備えている高周波誘導加熱コイルを用い、
前記第1加熱導体の中心と、前記金属部品の回転中心とを一致させ、
前記回転中心軸からの距離が最大となる前記金属部品の外周面領域を前記第2加熱導体に対向するように配置し、
加熱時には、前記高周波電源から前記給電導体を介して前記高周波誘導加熱コイルに高周波電流を供給し、前記金属部品を高周波誘導加熱開始から一定時間は回転させずに高周波誘導加熱し、一定時間経過後、前記金属部品を前記回転中心軸の周りに回転させながら高周波誘導加熱することを特徴とする高周波誘導加熱方法。 - 回転中心軸から外周面までの距離が一定でない金属部品の外周面を加熱するに際し、円環状体を切るように円周上の2箇所以上に配されるスリットを有する1つの円環状の第1加熱導体と、前記第1加熱導体の外周領域に配置され、かつ1箇所以上に配された前記スリットを挟んで前記第1加熱導体の外周部の、1箇所以上に配された前記スリットによって形成された一対以上の端部以外の位置に両端が接続される1つ以上の第2加熱導体と、残りの1箇所の前記スリットにより形成される一対の端部にそれぞれ一端が接続され、かつそれぞれの他端が高周波電源に接続される一対の給電導体と、を備えている高周波誘導加熱コイルを用い、
前記第1加熱導体の中心と、前記金属部品の回転中心とを一致させ、
前記回転中心軸からの距離が最大となる前記金属部品の外周面領域を前記第2加熱導体に対向するように配置し、
加熱時には、前記高周波電源から前記給電導体を介して前記高周波誘導加熱コイルに高周波電流を供給し、前記金属部品を回転させずに高周波誘導加熱することを特徴とする高周波誘導加熱方法。 - 回転中心軸から外周面までの距離が一定でない金属部品の外周面を加熱するに際し、円環状体を切るように円周上の2箇所以上に配されるスリットを有する1つの円環状の第1加熱導体と、前記第1加熱導体の外周領域に配置され、かつ1箇所以上に配された前記スリットを挟んで前記第1加熱導体の外周部の、1箇所以上に配された前記スリットによって形成された一対以上の端部以外の位置に両端が接続される1つ以上の第2加熱導体と、残りの1箇所の前記スリットにより形成される一対の端部にそれぞれ一端が接続され、かつそれぞれの他端が高周波電源に接続される一対の給電導体と、を備えている高周波誘導加熱コイルを用い、
前記第1加熱導体の中心と、前記金属部品の回転中心とを一致させ、
前記回転中心軸からの距離が最大となる前記金属部品の外周面領域を前記第2加熱導体に対向するように配置し、
加熱時には、前記高周波電源から前記給電導体を介して前記高周波誘導加熱コイルに高周波電流を供給し、前記金属部品を高周波誘導加熱開始から一定時間は回転させずに高周波誘導加熱し、一定時間経過後、前記金属部品を前記回転中心軸の周りに回転させながら高周波誘導加熱することを特徴とする高周波誘導加熱方法。
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