JP2013016710A5 - - Google Patents
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上記目的を達成するために、本発明の一側面としての決定方法は、マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第１ステップと、前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを用いて、前記投影光学系の物体面に配置されるマスクのパターンに対応して前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像の像性能を算出する第２ステップと、前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを変更しながら前記第２ステップを繰り返す第３ステップと、前記第２ステップで算出された前記像性能に基づいて、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定される前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第４ステップと、を有することを特徴とする。
Claims (11)
- マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、
前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第１ステップと、
前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを用いて、前記投影光学系の物体面に配置されるマスクのパターンに対応して前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像の像性能を算出する第２ステップと、
前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを変更しながら前記第２ステップを繰り返す第３ステップと、
前記第２ステップで算出された前記像性能に基づいて、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定される前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第４ステップと、
を有することを特徴とする決定方法。 - 前記第１ステップにおいて、前記投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンに関するマスクパラメータを設定し、
前記第２ステップにおいて、前記マスクパラメータを用いて前記像性能を算出し、
前記第３ステップにおいて、前記マスクパラメータを変更しながら前記第２ステップを繰り返し、
前記第４ステップにおいて、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定されるマスクのパターン、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する、ことを特徴とする請求項１に記載の決定方法。 - 前記第１ステップでは、前記投影光学系に設定すべき収差量を表すパラメータを前記収差パラメータとして設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の決定方法。
- 前記第１ステップでは、前記投影光学系に設定された初期収差量から調整すべき収差量を表すパラメータを前記収差パラメータとして設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の決定方法。
- 前記収差パラメータは、前記投影光学系を構成する光学素子の駆動量を表すパラメータを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の決定方法。
- 前記像性能は、前記投影光学系の像面における焦点深度、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の寸法と前記目標パターンの寸法との差分及び前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の露光余裕度の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の決定方法。
- 前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像を評価するための評価場所を前記投影光学系の像面に設定するステップを有し、
前記第２ステップにおいて、前記評価場所に形成される前記マスクのパターンの光学像を算出することを特徴とすることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の決定方法。 - 前記収差パラメータは、前記投影光学系の光軸からの距離の関数で表されることを特徴とする請求項１又は２に記載の決定方法。
- マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件を決定する決定方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第１ステップと、
前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを用いて、前記投影光学系の物体面に配置されるマスクのパターンに対応して前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像の像性能を算出する第２ステップと、
前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを変更しながら前記第２ステップを繰り返す第３ステップと、
前記第２ステップで算出された前記像性能に基づいて、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定される前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第４ステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。 - 前記第１ステップにおいて、前記投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンに関するマスクパラメータを設定し、
前記第２ステップにおいて、前記マスクパラメータを用いて前記像性能を算出し、
前記第３ステップにおいて、前記マスクパラメータを変更しながら前記第２ステップを繰り返し、
前記第４ステップにおいて、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定されるマスクのパターン、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する、ことを特徴とする請求項９に記載のプログラム。 - 請求項１に記載の決定方法で決定された露光条件に含まれる光強度分布を照明光学系の瞳面に形成するステップと、
前記照明光学系の瞳面に形成した光強度分布からの光でマスクのパターンを照明するステップと、
前記露光条件に含まれる収差を投影光学系に設定し、前記投影光学系を介して、前記マスクのパターンからの光を基板に投影するステップと、
を有することを特徴とする露光方法。
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|---|---|---|---|---|
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| US10428236B2 (en) * | 2014-07-07 | 2019-10-01 | Tosoh Corporation | Polyurethane urea resin composition exhibiting UV-absorption-agent resistance, moulded body using said composition, and coating material |
| WO2016098452A1 (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク及びこれらの製造方法、転写用マスクの製造方法並びに半導体デバイスの製造方法 |
| CN107290935B (zh) * | 2016-03-31 | 2019-01-29 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种光强调制方法 |
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| JP6554141B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2019-07-31 | キヤノン株式会社 | 決定方法、露光方法、情報処理装置、プログラム及び物品の製造方法 |
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| CN109491083B (zh) * | 2019-01-03 | 2021-03-12 | 杭州明视康眼科医院有限公司 | 一种用于角膜屈光矫正的高阶像差补偿方法 |
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| US20230175983A1 (en) * | 2021-12-08 | 2023-06-08 | Kla Corporation | Process window qualification modulation layouts |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3339174B2 (ja) * | 1993-11-08 | 2002-10-28 | ソニー株式会社 | フォトマスクの製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
| JPH09326343A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
| US6128067A (en) * | 1998-04-28 | 2000-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Correcting method and correcting system for mask pattern |
| TW552561B (en) * | 2000-09-12 | 2003-09-11 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for fast aerial image simulation |
| KR100893516B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2009-04-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 결상특성 계측방법, 결상특성 조정방법, 노광방법 및노광장치, 프로그램 및 기록매체, 그리고 디바이스 제조방법 |
| JP3906035B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置の制御方法 |
| US6525302B2 (en) * | 2001-06-06 | 2003-02-25 | The Regents Of The University Of Colorado | Wavefront coding phase contrast imaging systems |
| JP2004047755A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp | 露光条件決定システム |
| JP2004079911A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Fujitsu Ltd | 線幅管理方法 |
| JP2004111579A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
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| US7030966B2 (en) | 2003-02-11 | 2006-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations |
| KR20050121728A (ko) * | 2003-04-16 | 2005-12-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 결정 방법 및 시스템, 마스크의 제조 방법, 결상 성능조정 방법, 노광 방법 및 장치, 그리고 프로그램 및 정보기록 매체 |
| US7355673B2 (en) * | 2003-06-30 | 2008-04-08 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout |
| US20080226152A1 (en) * | 2004-02-23 | 2008-09-18 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Determining Image Blur in an Imaging System |
| JP4455129B2 (ja) * | 2004-04-06 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | 収差計測方法及びそれを用いた投影露光装置 |
| US7221430B2 (en) * | 2004-05-11 | 2007-05-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE102005005591B3 (de) * | 2005-02-07 | 2006-07-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Optimierung der Geometrie von Strukturelementen eines Musters eines Schaltungsentwurfs für eine Verbesserung der optischen Abbildungseigenschaften und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung einer Photomaske |
| JP4336671B2 (ja) | 2005-07-15 | 2009-09-30 | キヤノン株式会社 | 露光パラメータの決定をコンピュータに実行させるプログラム、露光パラメータを決定する決定方法、露光方法及びデバイス製造方法。 |
| JP5224687B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 露光条件算出プログラム及び露光条件算出方法 |
| JP2009071125A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Canon Inc | 露光条件を決定する方法及びプログラム |
| CN101221372A (zh) | 2008-01-25 | 2008-07-16 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 光刻机投影物镜偶像差原位检测系统及检测方法 |
| JP2009302206A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Canon Inc | 露光パラメータの決定方法、露光パラメータを決定するためのプログラム、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP5153492B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2013-02-27 | キヤノン株式会社 | 露光条件決定方法およびコンピュータプログラム |
| DE102008042356A1 (de) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit |
| JP5215812B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 照明条件の決定方法、プログラム、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP5355112B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2013-11-27 | 株式会社東芝 | パターンレイアウト作成方法 |
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| US8739079B2 (en) * | 2009-10-30 | 2014-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording medium and determination method |
| JP5539140B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 決定方法、露光方法、プログラム及びコンピュータ |
| NL2007577A (en) * | 2010-11-10 | 2012-05-14 | Asml Netherlands Bv | Optimization of source, mask and projection optics. |
| JP5728259B2 (ja) * | 2011-03-10 | 2015-06-03 | キヤノン株式会社 | プログラム及び決定方法 |
| JP5656905B2 (ja) * | 2012-04-06 | 2015-01-21 | キヤノン株式会社 | 決定方法、プログラム及び情報処理装置 |
| JP6039932B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-12-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及び物品の製造方法 |
| JP6095334B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2017-03-15 | キヤノン株式会社 | マスクパターンおよび露光条件を決定する方法、ならびにプログラム |
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