JP2013016710A5 - - Google Patents
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上記目的を達成するために、本発明の一側面としての決定方法は、マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第1ステップと、前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを用いて、前記投影光学系の物体面に配置されるマスクのパターンに対応して前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像の像性能を算出する第2ステップと、前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを変更しながら前記第2ステップを繰り返す第3ステップと、前記第2ステップで算出された前記像性能に基づいて、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定される前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第4ステップと、を有することを特徴とする。
Claims (11)
- マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、
前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第1ステップと、
前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを用いて、前記投影光学系の物体面に配置されるマスクのパターンに対応して前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像の像性能を算出する第2ステップと、
前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを変更しながら前記第2ステップを繰り返す第3ステップと、
前記第2ステップで算出された前記像性能に基づいて、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定される前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第4ステップと、
を有することを特徴とする決定方法。 - 前記第1ステップにおいて、前記投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンに関するマスクパラメータを設定し、
前記第2ステップにおいて、前記マスクパラメータを用いて前記像性能を算出し、
前記第3ステップにおいて、前記マスクパラメータを変更しながら前記第2ステップを繰り返し、
前記第4ステップにおいて、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定されるマスクのパターン、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する、ことを特徴とする請求項1に記載の決定方法。 - 前記第1ステップでは、前記投影光学系に設定すべき収差量を表すパラメータを前記収差パラメータとして設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の決定方法。
- 前記第1ステップでは、前記投影光学系に設定された初期収差量から調整すべき収差量を表すパラメータを前記収差パラメータとして設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の決定方法。
- 前記収差パラメータは、前記投影光学系を構成する光学素子の駆動量を表すパラメータを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の決定方法。
- 前記像性能は、前記投影光学系の像面における焦点深度、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の寸法と前記目標パターンの寸法との差分及び前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の露光余裕度の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の決定方法。
- 前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像を評価するための評価場所を前記投影光学系の像面に設定するステップを有し、
前記第2ステップにおいて、前記評価場所に形成される前記マスクのパターンの光学像を算出することを特徴とすることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の決定方法。 - 前記収差パラメータは、前記投影光学系の光軸からの距離の関数で表されることを特徴とする請求項1又は2に記載の決定方法。
- マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件を決定する決定方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第1ステップと、
前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを用いて、前記投影光学系の物体面に配置されるマスクのパターンに対応して前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像の像性能を算出する第2ステップと、
前記照明パラメータ及び前記収差パラメータを変更しながら前記第2ステップを繰り返す第3ステップと、
前記第2ステップで算出された前記像性能に基づいて、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定される前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第4ステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。 - 前記第1ステップにおいて、前記投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンに関するマスクパラメータを設定し、
前記第2ステップにおいて、前記マスクパラメータを用いて前記像性能を算出し、
前記第3ステップにおいて、前記マスクパラメータを変更しながら前記第2ステップを繰り返し、
前記第4ステップにおいて、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定されるマスクのパターン、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する、ことを特徴とする請求項9に記載のプログラム。 - 請求項1に記載の決定方法で決定された露光条件に含まれる光強度分布を照明光学系の瞳面に形成するステップと、
前記照明光学系の瞳面に形成した光強度分布からの光でマスクのパターンを照明するステップと、
前記露光条件に含まれる収差を投影光学系に設定し、前記投影光学系を介して、前記マスクのパターンからの光を基板に投影するステップと、
を有することを特徴とする露光方法。
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